JP2004537861A - 電子部品パッケージ用ｅｍｉ遮蔽 - Google Patents

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Abstract

【課題】ＥＭＩ遮蔽を組み込んだ電子部品パッケージ、特に半導体デバイスを提供する。
【解決手段】内蔵接地バンドを有する半導体チップ・キャリヤを組み込み、高速スイッチングの電子部品パッケージ用の出射および入射のＥＭＩ放射の削減に適合している。
【選択図】図１

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明はＥＭＩ（electromagnetic interference；電磁妨害）遮蔽を組み込んだ電子部品パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品パッケージ、特にチップ・キャリヤあるいは積層板、有機材料、あるいはセラミックなどからなる基板を組み込み、さらに放熱用のリッドあるいはキャップ構造によって覆われた１つ以上の半導体チップに対応している半導体デバイスの製造の実施において、その信頼性のある機能は潜在的に、直面する電磁妨害（ＥＭＩ）のために悪影響を受ける。このため悪影響を弱め、除去するためにＥＭＩ遮蔽の提供が必要になる。さらに、ＥＭＩ遮蔽は放射遮蔽としても機能し、実質的にＥＭＩエネルギーが外へ出るのを抑制あるいは止めることを意図している。このような半導体デバイスは、極めて頻繁に、基板上に配置された１つ以上の半導体チップとの電気的接続を備えている基板を含み得る。また、キャップあるいはリッド（lid）の形態をもつ熱スプレッダのような放熱構造が、同様に熱伝導性の機械的接着接続においてはチップの上に配置される。
【０００３】
各種の電気部品と相互接続が通常、半導体あるいは電子部品パッケージ技術でよく知られるように、チップあるいは複数のチップとの電気通信において、基板の両側に備えられる。半導体デバイスの動作中にいかなる直面するＥＭＩをも効果的に選別して取り除くためには、適当な接続あるいは配線を備えなければならないという点で、チップの周りに延設し、放熱リッド構造またはキャップと基板の間に挿入される構造を準備し、それによって半導体デバイスあるいは電子部品パッケージのためにＥＭＩ遮蔽を形成することが提案されている。この接続において、電子部品パッケージあるいは半導体デバイスのために多くのタイプのＥＭＩ遮蔽あるいは類似タイプのＥＭＩ保護構造が該技術分野において提案されているが、電磁妨害（ＥＭＩ）からのデバイス保護または遮蔽において、その効果の程度は異なる。
【０００４】
米国特許第５８６６９４３号は、電磁遮蔽を用いたグリッド・アレイ・デバイス・パッケージを形成するためのシステムと方法が開示され、その中で補強材（stiffener）が基板と半導体チップをその間に挿入させるリッドあるいはキャップ構造との中間に配置される。半導体チップを取り囲む補強材は、半導体チップ、基板、および熱スプレッダあるいはカバーの間の多くの電気的相互接続を含み、その結果、実質的に電子部品パッケージの動作中にＥＭＩの影響に対して保護するために必要なＥＭＩ遮蔽を提供する。
【０００５】
米国特許第５６５０６５９号は、半導体部品パッケージ・アセンブリを開示し、それは基板と放熱構造の間に挿入され、かつ集積回路チップを取り囲むＥＭＩ遮蔽を含み、積分無線周波数／電気機械的妨害（ＲＦ／ＥＭＩ）遮蔽を形成する電気接続を提供する。１つの特定な実施形態において、電気導電性のある接着剤が基板と必要に応じてＥＭＩ遮蔽を形成する構造の間に挿入され、構成部品の電気的接地が準備され得る。
【０００６】
米国特許第５７６１０５３号もまた、基板上に配置され、集積回路部品を取り囲むカバーは、ＥＭＩ／ＲＦＩのエネルギーの放散を可能にし、その結果デバイスの動作に対してその影響が害のないようにするファラデー箱を開示している。
【０００７】
同様に、米国特許第５３１７１０７号は、基板とその間に挿入された集積回路チップを有するカバー部分とを含み、さらにデバイスの機能に悪影響を与え得るＥＭＩエネルギーをブロックするための遮蔽を含む半導体デバイスを開示している。
【０００８】
米国特許第６２６１２５１号は、複合金属−リード・フレーム構造を用いて、破壊的な周波数からの隔離を提供する、低コスト（無線周波数）の応用に対するワイヤボンド・パッケージを開示している。
【０００９】
米国特許第５９３９７８４号は、ＥＭＩ遮蔽表面を有する音波デバイスに用いられるワイヤボンド金型のためのパッケージを開示している。
【００１０】
米国特許第５９３９７７２号は、パッケージに対する磁気シールドを与えることに適応するメタル・プレートを周辺構造において、組み込んだワイヤボンド・パッケージを開示している。
【００１１】
米国特許第５８３８０９３号は、パッケージの機能中に、ＥＭＩエネルギーへの遮蔽を提供する周辺金属カップを有するデバイスを組み込んだ圧電要素パッケージを開示している。
【００１２】
米国特許第５５３６９０７号は、その中に組み込まれた金属リッドおよびＥＭＩ遮蔽を提供する構造を含む半導体デバイスのためのワイヤボンド・パッケージを開示している。
【００１３】
米国特許第５２５４８７１号は、組み込みあるいは内蔵ヒートシンクと金属プレート構造を含むテープ自動ボンディング（ＴＡＢ）キャリヤを提供し、それはＥＭＩ遮蔽としてその機能を可能にする。
【００１４】
米国特許第５２２７５８３号は、ＥＭＩによって発生するエネルギーから保護する単一遮蔽構成部品として金属化されるセラミック・リッドを有するワイヤボンド・パッケージを開示している。
【００１５】
さらに、Schelhornの米国特許第４９６７３１５号、Klingの米国特許第４３２３１５５号、Hayashiの米国特許第５８９８３４４号、Strobelらの米国特許第５６３５７５４号、Marrsの米国特許第５４８５０３７号、Bethurumの米国特許第５４７７４２１号、Moultonらの米国特許第５３７１４０８号、Knechtらの米国特許第５３１３３７１号、Mahulikarらの米国特許第５０４３５３４号はそれぞれ、ＥＭＩ遮蔽の配置を組み込み、その結果各種デバイスあるいは電子部品パッケージの性能に関してＥＭＩの影響を抑制できる、電子部品パッケージあるいは半導体デバイスのどちらかの形体で各種タイプの構造をある程度説明している。
【特許文献１】
米国特許第５８６６９４３号
【特許文献２】
米国特許第５６５０６５９号
【特許文献３】
米国特許第５７６１０５３号
【特許文献４】
米国特許第５３１７１０７号
【特許文献５】
米国特許第６２６１２５１号
【特許文献６】
米国特許第５９３９７８４号
【特許文献７】
米国特許第５９３９７７２号
【特許文献８】
米国特許第５８３８０９３号
【特許文献９】
米国特許第５５３６９０７号
【特許文献１０】
米国特許第５２５４８７１号
【特許文献１１】
米国特許第５２２７５８３号
【特許文献１２】
米国特許第４９６７３１５号
【特許文献１３】
米国特許第４３２３１５５号
【特許文献１４】
米国特許第５８９８３４４号
【特許文献１５】
米国特許第５６３５７５４号
【特許文献１６】
米国特許第５４８５０３７号
【特許文献１７】
米国特許第５４７７４２１号
【特許文献１８】
米国特許第５３７１４０８号
【特許文献１９】
米国特許第５３１３３７１号
【特許文献２０】
米国特許第５０４３５３４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
有利なことに、本発明は、たとえばハイパーＢＧＡのような、ＥＭＩ遮蔽の高効率タイプを要求する、極めて高速電子スイッチングの応用に対して、特に好適合する接地リッドあるいは電子部品パッケージの構成を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
１つの側面によれば、本発明は、電磁妨害（ＥＭＩ）放射に対する遮蔽を組み込んだ電子部品パッケージであって、a)両側に第１および第２の表面を有する回路基板であって、前記第１の表面は第１の部分と第２の部分を有する基板と、b)前記基板内に埋め込まれ、かつ前記第１の表面の前記第２の部分と前記第２の表面との間に延長される導電接地バンド（ground band）と、c)前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置された半導体チップと、d)前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分の上に位置し、各々が前記半導体チップに電気的に接続される複数の導電回路部材と、e)前記基板に面する表面から前記半導体チップ遠心端の表面上に配置される導電材料を含むリッド部材であって、それによって、前記接地バンドが前記基板の第２の表面上に配置される導電部材の少なくとも１つと、前記リッド部材と、前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と電気的に接続され、その結果前記電子部品パッケージに対する電磁遮蔽を与えるリッド部材と、を含む電子部品パッケージを提供する。
【００１８】
好ましくは、導電補強材が前記基板の第１の表面上の前記第２の部分上に位置し、前記補強材は前記基板の前記第１の表面上の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材に、かつ前記導電接地バンドを介して前記基板の第２の表面上の少なくとも１つの導電部材に電気的に接続される。補強材は前記リッド部材と電気的に接続され、かつ半導体チップの周りに半径方向に延長するように基板の周辺に近接して位置する。好適には、補強材は、銅、アルミニウム、スズ、クロム、炭化シリコン、炭素、ダイヤモンド、チタン、ステンレス鋼、ニッケル、導電コーティングされたセラミック、合金材料、および該材料の混合物を含む材料のグループから選択される金属組成物から構成される。
【００１９】
好適な実施形態において、基板は絶縁有機材料からなり、かつ接地バンドは基板の周辺に近接して基板内に埋め込まれる。導電接着剤は補強材と接地バンドの間および補強財とリッド部材の間に配置され、その結果これらの構成要素の間の電気接続を形成する。
【００２０】
リッド部材（あるいは熱伝導キャップ）は好ましくは、銅、アルミニウム、スズ、クロム、炭化シリコン、炭素、ダイヤモンド、チタン、ステンレス鋼、ニッケル、導電コーティングされたセラミック、合金材料、および該材料の混合物を含む材料のグループから選択される。好ましくは、熱伝導性対応の接着剤が、半導体チップとリッド部材の間に配置される。
【００２１】
好ましくは、基板の第１の表面上の第１の部分上の導電回路部材ははんだボールであり、かつ基板の第２の表面上の導電回路部材はボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）である。
【００２２】
代替の実施形態において、基板は剛体の絶縁セラミック材料を含む。接地バンドは 基板の第１の表面上の第２の部分とリッド部材との間に位置する導電ガスケットを介して、リッド部材と電気的に接続される。好ましくは、リッド部材は前記基板の第１の表面で接地バンドに近接して延長している輪状フランジを有し、前記接地バンドは前記基板の第１の表面上の第２の領域部分と前記リッド部材の前記輪状付随フランジ上の対向する横断面との間に位置する導電接着材料を介して、前記リッド部材と電気的に接続される。
【００２３】
第２の側面によれば、本発明は電磁妨害（ＥＭＩ）の出射および入射の影響に対する遮蔽を組み込み、a)両側に第１および第２の表面を有する回路基板であって、前記第１の表面は第１の部分と第２の部分を有する基板と、b)前記基板内でその周辺に近接して埋め込まれ、かつ前記第１の表面の前記第２の部分と前記第２の表面の間に延長する導電接地バンドと、c)前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置された半導体チップと、d)前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分の上に位置し、各々が前記半導体チップに電気的に接続される複数の導電回路部材と、e)前記基板に面する表面から前記半導体チップの遠心端の表面上に配置される導電材料を含むリッド部材であって、それによって、前記接地バンドが前記基板の第２の表面上に配置される導電部材の少なくとも１つと、前記リッド部材と前記基板の第１の表面の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と電気的に接続され、その結果前記電子部品パッケージに対する電磁遮蔽を与えるリッド部材と、f)前記基板の周辺に近接して前記基板の第１の表面の前記第２の部分上に位置する導電補強材であって、前記補強材は前記リッド部材と、前記基板の前記第１の表面上の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と、さらに前記導電接地バンドを介して前記基板の第２の表面上の少なくとも１つの導電部材と電気的に接続される補強材と、を含む電子部品パッケージを提供する。
【００２４】
第３の側面によれば、本発明は電磁妨害（ＥＭＩ）の出射および入射の影響に対する遮蔽を組み込み、a)両側に第１および第２の表面を有するセラミック回路基板であって、前記第１の表面は第１の部分と第２の部分を有する基板と、b)前記基板内でその周辺に近接して埋め込まれ、かつ前記第１の表面の前記第２の部分と前記第２の表面との間に延長する導電接地バンドと、c)前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置される半導体チップと、d)前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分の上に位置し、各々が前記半導体チップに電気的に接続される複数の導電回路部材と、e)前記基板に面する表面から前記半導体チップの遠心端の表面上に配置される導電材料を含むリッド部材であって、それによって、前記接地バンドが前記基板の第２の表面上に配置される導電部材の少なくとも１つと、前記リッド部材と前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と電気的に接続され、その結果前記電子部品パッケージに対する電磁遮蔽を与えるリッド部材と、f)前記基板の周辺に近接して前記基板の第１の表面上の前記第２の部分上に位置する導電補強材であって、前記補強材は前記リッド部材と、前記基板の前記第１の表面上の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と、さらに前記導電接地バンドを介して前記基板の第２の表面上の少なくとも１つの導電部材と、電気的に接続される補強材と、を含む電子部品パッケージを提供する。
【００２５】
第４の側面によれば、本発明は電磁妨害（ＥＭＩ）の出射および入射に対する遮蔽を組み込んだ電子部品パッケージを提供する方法であって、a)両側に第１および第２の表面を有する回路基板を準備する工程であって、前記第１の表面は第１の部分と第２の部分を有する工程と、b) 導電接地バンドを前記基板内でその周辺に近接して埋め込み、かつ前記第１の表面の前記第２の部分と前記第２の表面との間に延長する工程と、c) 半導体チップを前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置する工程と、d) 複数の導電回路部材を前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置する工程であって、各々が前記半導体チップに電気的に接続される工程と、e) 導電材料を含むリッド部材を前記基板に面する表面から前記半導体チップの遠心端の表面上に配置する工程であって、それによって、前記接地バンドが前記基板の第２の表面上に配置される導電回路部材の少なくとも１つと、前記リッド部材と前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と電気的に接続され、その結果前記電子部品パッケージに対する電磁遮蔽を与える工程と、を含む方法。
【００２６】
１つの実施形態によれば、有機基板あるいはチップ・キャリヤを含む半導体デバイスであって、電気的および熱的伝導構造のリッドが基板の周辺領域とリッドの間に挿入された補強材に付着され、さらに集積回路あるいは半導体チップがリッドと有機基板の間に位置し、一方補強材を取り囲んで、かつ熱伝導性対応の接着剤をチップと基板の間に含みその結果、構成部品間で高い信頼性で良好な熱的−機械的接続を促進する、半導体デバイスが提供される。導電接地バンドが、キャリヤの周辺部分の周りと基板の上表面と下表面の間に延長できるように、有機キャリヤ内に配置、埋め込まる。補強材は、チップ・キャリヤあるいは集積回路チップの周りに延長する基板上のアクティブ回路領域を覆うように、非導電接着材料によって、さらに基板に埋め込まれる接地バンドを覆って延長する導電接着材料で基板に付着され得る。
【００２７】
別の実施形態によれば、チップ・キャリヤあるいは基板は、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）を搭載する剛体のセラミック構成要素を含むことができ、その構成要素はアンダーフィルに内蔵されうるはんだボールの中間部を介してチップと相互接続される。放熱キャップ構造のような電気的および熱的伝導リッドは、チップ上に搭載され、適当な絶縁接着剤によって接続される。導電接地バンドはその中に埋め込まれるようにセラミック基板の周辺に近接して形成され、かつ導電性のＥＭＩガスケットでアース（接地；ground）を放熱リッドまたはキャップ構造と相互接続される。接地バンド構成部品はボール・グリッド・アレイと接地接続を形成し、全ての配置に対してＥＭＩ遮蔽を形成する。
【００２８】
さらに別の実施形態によれば、リッドまたはキャップ構造はＥＭＩ接着剤によってセラミック基板の周辺領域内の接地バンドを形成する埋め込み配線と電気通信する付随的輪状フランジ部分を有することができ、これに対して前実施形態においては、接着剤よりもＥＭＩガスケットがを用いられる。
【００２９】
たとえばセラミック・チップ・キャリヤのように、上記実施形態の２つに利用される基板の剛性で本質的に堅い性質は、より剛性のない有機基板あるいは第１の実施形態の積層チップ・キャリヤの接続で要求される補強材構造の提供の必要性を除外する。
【００３０】
従って、本発明の利点は、有機特性の基板の中間に配置された補強材と導電リッドまたは放熱キャップとを含み、その間に補強材によって取り囲まれた集積回路チップが配置され、さらに基板がＥＭＩ遮蔽を形成するために、有機基板の周辺領域に内蔵された接地バンドを用いて接地接続が与えられる、ＥＭＩ遮蔽を組み込んだ新規の電子部品パッケージを提供することである。
【００３１】
本発明の更なる利点は、入射つまり入ってくるＥＭＩエネルギーに対するＥＭＩバリヤを含む前述のタイプの電子部品パッケージの提供にある。さらに、本発明の利点は、出て来るつまり放射ＥＭＩエネルギーに対するＥＭＩ遮蔽を含ここに記述されたタイプの電子部品パッケージの提供にある。
【００３２】
一つの実施形態において、ＥＭＩガスケットが帯状接地配線をその周辺に近接して内蔵するセラミック基板の間に挿入され、さらに金属リッドまたは放熱キャップ構造および基板上のボール・グリッド・アレイとの電気的相互接続を備える、前述のタイプの半導体パッケージのためのＥＭＩ遮蔽を与える配置が提供される。
【００３３】
別の実施形態において、放熱リッドまたはキャップ上の輪状付随フランジと、セラミック基板に内蔵されかつ金属リッドと接地接続するためにボール・グリッド・アレイに接続された導電配線との間に挿入されるＥＭＩ接着剤を含む電子部品パッケージまたは半導体構造が提供され、構造に対するＥＭＩ遮蔽を形成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明は、以下の図に示されるその好適な実施形態を参照して、ほんの一例として、本発明をここに説明する。
【００３５】
図１は有機基板１２（積層板から構成され得る）と集積回路チップ１４を含む半導体パッケージ１０を図式的に表す。当技術分野でよく知られるように、アンダーフィル材料１７で封止され得る、適当なはんだボール１６がチップ１４と基板１２の間に挿入される。
【００３６】
基板１２に面する側の反対側で、かつチップ１４の外側に半径方向に延長しており、制限されるわけではないが、当技術分野でよく知られるように、たとえば銅、アルミニウム、スズ、クロム、炭化シリコン、炭素、ダイヤモンド、導電コーティングされたセラミック、合金およびその混合物のような導電材料からなるリッドまたは放熱キャップ構造１８が、相互接続の良好な熱−機械的信頼性を促進するために、チップに熱伝導対応の接着剤２０によって接着され、当該接着剤は熱的および電気的に伝導する銀含有接着剤のような本質的に非導電または低導電性の組成である。
【００３７】
補強部材２４が、周辺領域２２に沿って延長し、リッドまたはキャップ構造１８の下部表面と有機基板１２の中間に位置し、本質的にはその平面内でチップ１４の周辺範囲でスペースを空けた関係で延長している、中央開口部２６を有する箱型（box-shaped）構造であり得る。補強部材２４が、リッドまたは放熱キャップ１８と同様に、上に述べたような材料から構成されることによって、金属または非金属組成物からなる適当な導電材料であり得る。リッドまたはキャップ構造１８は導電接着剤２８を挿入することによって補強材２４に固定され、これに反して対照的なことに、チップとリッドの間の接着剤は通常熱伝導性対応で非導電性接着剤である。代わって、接着剤２８は非導電性でありうるが内部の導電構成要素を備え、補強材２４、リッド１８および基板１２の間に電気的経路（path）を形成する。
【００３８】
有機基板１２の反対側は、図式的に示しただけであるが、たとえばＢＧＡ３０を配列するための回路パスのような、はんだボール１６への電気的接続を含むことができ、さらに当該技術分野でよく知られるように、チップ１４との電気的相互接続を形成する。
【００３９】
有機基板の上表面と反対側の表面での接続３０との間に延長する、リング形状の電気的接地バンド３２が有機基板１２の周辺に沿った領域内に埋めこまれる。補強材２４のリットまたはキャップへの付着は、前述したように導電接着材料であり、かつ基板に面する補強材の反対側については、パイロラックスのような非導電性接着剤３４が基板上の能動回路領域を覆い、さらに導電性接着剤３６が有機基板１２の上表面で接地バンド３２を覆って延長し、その結果補強材２４と電気的接続を形成し、これに対して、基板の下表面で接地バンドはボール・グリッド・アレイと接触する。基板上表面の内部電気回路は接地バンド３２とモジュール周辺上の１つ以上のはんだボールで形成される接続３８を有し、それによって結果として全半導体パッケージ１０に対する電磁妨害（ＥＭＩ）遮蔽と、外へ出るＥＭＩエネルギーに対する遮蔽を生成し、さらにまた入ってくるつまり入射ＥＭＩエネルギーへのバリヤを形成する。
【００４０】
本質において各種タイプのデバイスに対するＥＭＩ遮蔽を提供する基本概念は、本技術分野で知られているが、それは補強材２４との通信において有機基板１２内部に埋め込まれる接地バンド３２の具体的で有利な配置であり、この実施形態において優れたかつ独自のＥＭＩ遮蔽を形成する。これは本技術分野において現在検討されている半導体デバイスの超高速スイッチング用途に対して特に有効である。
【００４１】
ここで図２の図面の実施形態を参照すると、この場合、基板４０が剛体のセラミック材料を含み、剛性はセラミック材料の特性によって本質的に提供され、従って補強部材の使用を必要としないという点で、図１の実施形態において利用される補強材は排除される。
【００４２】
前の実施形態にあるように、集積回路チップ４２はセラミック基板４０の上表面に、アンダーフィル材料４６に内蔵されたはんだボールの介在によって配置される。集積回路チップ４２の周辺領域の半径方向で外方向に延長し、かつリッドまたはキャップ構造と関連して説明されたように導電材料からなるリッドまたは放熱キャップ構造４８は、基板４０の周辺領域内に埋め込まれた配線を含み、かつその両側の表面間に延長している接地バンド５０と電気通信を行う。導電経路を与えるＥＭＩガスケット５２はリッド４８と接地バンド５０の上部配線端との間に挿入され、上部配線端は基板内部に埋め込まれ、かつ上部配線端の周辺に沿って配置され、それによってガスケット５２はリッドもしくは接地バンドのどちらかに付着し得る。接地バンド５０の下部端は、チップまでの基板端表面上のボール・グリッド・アレイ５６と電気的に接地接続され、更なる電気接続が１つ以上のはんだボールおよびリッドと基板４０の上表面の接地バンド配線端との間に延長される接着剤を用いてチップに提供できる。
【００４３】
実質的に図２の実施形態と類似している図３の図面の実施形態については、この場合、導電キャップまたはリッド構造４８は、セラミック基板４０の上表面に極めて近接した下部端表面６２を有する付随的な周辺フランジ６０を備える。これによって図２の接着剤からなり、リッドの下部表面と周辺に埋め込まれた接地バンド５０の上部配線端との間に延長するガスケット５２の代わりに、少なくとも１つのはんだボール４４およびチップ上の集積回路とも通信して、図１と２の実施形態と同様にＥＭＩ遮蔽構造を形成する導電ＥＭＩ接着剤６４が利用される。
【００４４】
有利なことに、各種の実施形態の基板１２、４０の周辺領域内に埋め込まれた接地バンドは、全パッケージまたは半導体構造を取り囲む極めて有効なＥＭＩ遮蔽またはバリヤを提供し、それによってモジュールの動作中に直面するいかなる外へ出るＥＭＩ放射および入ってくるＥＭＩエネルギーをも削減するかさらには完全に排除する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】接地されたＥＭＩ遮蔽の形成において用いられる有機基板と補強材構造を含む、第１の実施形態による半導体パッケージの部分断面図を一般的に図式的に示す。
【図２】半導体パッケージ内にＥＭＩ遮蔽を形成するためにＥＭＩガスケットを介してリッドと電気通信を行う埋め込み接地バンドを含むセラミック基板を有するパッケージの第２の実施形態を示す。
【図３】第２の実施形態と類似しているが、セラミック基板と導電キャップまたはリッド内部周辺に延長する電気的接地配線の間に挿入されるガスケットでなくてＥＭＩ接着剤を用いる半導体パッケージの第３の実施形態を示す。
【符号の説明】
【００４６】
１０ 半導体パッケージ
１２ 有機基板
１４ 集積回路チップ
１６ はんだボール
１７ アンダーフィル材料
１８ 放熱キャップ構造、リッド
２０ 熱伝導接着剤
２２ 周辺領域
２４ 補強部材
２６ 中央開口部
２８ 導電接着剤
３０ 接続
３２ 接地バンド
３４ 非導電性接着剤
３６ 導電性接着剤
３８ 接続
４０ 基板
４２ 集積回路チップ
４４ はんだボール
４６ アンダーフィル材料
４８ 放熱キャップ構造、リッド
５０ 接地バンド
５２ ＥＭＩガスケット
５６ ボール・グリッド・アレイ
６０ 周辺フランジ
６２ 下部端表面
６４ 導電ＥＭＩ接着剤

Claims (11)

  1. a)両側に第１と第２の表面を有する回路基板であって、前記第１の表面は第１の部分と第２の部分を有する基板と、
    b)前記基板内に埋め込まれ、かつ前記第１の表面の前記第２の部分と前記第２の表面との間に延長する導電接地バンドと、
    c)前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置された半導体チップと、
    d)前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分の上に位置し、各々が前記半導体チップに電気的に接続される複数の導電回路部材と、
    e)前記基板に面する表面から前記半導体チップの遠心端の表面上に配置される導電材料を含むリッド部材であって、それによって、前記接地バンドが前記基板の第２の表面上に配置される導電部材の少なくとも１つと、前記リッド部材と、前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と電気的に接続され、その結果前記電子部品パッケージに対する電磁遮蔽を与えるリッド部材と、
    を含む電磁妨害（ＥＭＩ）の放射に対する遮蔽を組み込んだ電子部品パッケージ。
  2. 導電補強材が前記基板の第１の表面上の前記第２の部分上に位置し、前記補強材は前記基板の前記第１の表面上の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材に、かつ前記導電接地バンドを介して前記基板の第２の表面上の少なくとも１つの導電部材に電気的に接続される、請求項１に記載の電子部品パッケージ。
  3. 前記補強材は前記リッド部材と電気的に接続される、請求項２に記載の電子部品パッケージ。
  4. 前記基板は絶縁有機材料からなる、請求項２あるいは請求項３に記載の電子部品パッケージ。
  5. 前記接地バンドは前記基板の周辺に近接して前記基板内に埋め込まれる、請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
  6. 導電接着剤は前記補強材と前記接地バンドの間および前記補強材と前記リッド部材の間に配置される、請求項２から請求項５のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
  7. 前記補強材は、前記半導体チップの周りで半径方向に延長するように前記基板の周辺に近接して位置する、請求項２から請求項６のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
  8. 熱伝導対応の接着剤が前記半導体チップと前記リッド部材の間に配置される、請求項１から請求項７のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
  9. 前記基板は剛体の絶縁セラミック材料を含み、前記接地バンドは、前記基板の第１の表面の第２の部分と前記リッド部材の間に位置する導電ガスケットの介在により、前記リッド部材と電気的に接続される、請求項１に記載の電子部品パッケージ。
  10. 前記基板は剛体の絶縁セラミック材料を含み、前記リッド部材は前記基板の第１の表面で接地バンドに近接して延長している輪状フランジを有し、前記接地バンドは前記基板の第１の表面上の第２の領域部分と前記リッド部材の前記輪状付随フランジの対向する横断面の間に位置する導電接着材料の介在により、前記リッド部材と電気的に接続される、請求項１に記載の電子部品パッケージ。
  11. 電磁妨害（ＥＭＩ）の出射および入射に対する遮蔽を組み込んだ電子部品パッケージを提供する方法であって、
    a)両側に第１および第２の表面を有する回路基板を準備する工程であって、前記第１の表面は第１の部分と第２の部分を有し、導電接地バンドが前記基板内に埋め込まれ、かつ前記第１の表面の前記第２の部分と前記第２の表面の間に延長している工程と、
    b)半導体チップを前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置する工程と、
    c)複数の導電回路部材を前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分の上に配置する工程であって、各々が前記半導体チップに電気的に接続される工程と、
    d)導電材料を含むリッド部材を前記基板に面する表面から前記半導体チップの遠心端表面上に配置する工程であって、それによって、前記接地バンドが前記基板の第２の表面上に配置される導電回路部材の少なくとも１つと、前記リッド部材と前記基板の前記第１の表面の前記第１の部分上の少なくとも１つの前記導電回路部材と電気的に接続され、その結果前記電子部品パッケージに対する電磁遮蔽を与える工程と、
    を含む方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013522917A (ja) * 2010-04-06 2013-06-13 インテル コーポレイション コアレスパッケージを備えた電磁干渉シールド用の金属充填ダイバックサイドフィルムの形成方法
JP2017037980A (ja) * 2015-08-11 2017-02-16 株式会社ソシオネクスト 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置
JP2017041552A (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 富士通株式会社 プリント配線板、電子機器及び実装方法
JP2020108069A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6844236B2 (en) * 2001-07-23 2005-01-18 Agere Systems Inc. Method and structure for DC and RF shielding of integrated circuits
US7030482B2 (en) * 2001-12-21 2006-04-18 Intel Corporation Method and apparatus for protecting a die ESD events
DE10164502B4 (de) * 2001-12-28 2013-07-04 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements
US6911726B2 (en) * 2002-06-07 2005-06-28 Intel Corporation Microelectronic packaging and methods for thermally protecting package interconnects and components
JP4390541B2 (ja) * 2003-02-03 2009-12-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6940153B2 (en) * 2003-02-05 2005-09-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic shielding for magnetic random access memory card
US6867480B2 (en) * 2003-06-10 2005-03-15 Lsi Logic Corporation Electromagnetic interference package protection
TWI236118B (en) * 2003-06-18 2005-07-11 Advanced Semiconductor Eng Package structure with a heat spreader and manufacturing method thereof
US7160758B2 (en) * 2004-03-31 2007-01-09 Intel Corporation Electronic packaging apparatus and method
US7002217B2 (en) 2004-06-12 2006-02-21 Solectron Corporation Electrostatic discharge mitigation structure and methods thereof using a dissipative capacitor with voltage dependent resistive material
US7190053B2 (en) * 2004-09-16 2007-03-13 Rosemount Inc. Field device incorporating circuit card assembly as environmental and EMI/RFI shield
US7786591B2 (en) * 2004-09-29 2010-08-31 Broadcom Corporation Die down ball grid array package
US7271479B2 (en) * 2004-11-03 2007-09-18 Broadcom Corporation Flip chip package including a non-planar heat spreader and method of making the same
US7633170B2 (en) * 2005-01-05 2009-12-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method thereof
US7656047B2 (en) * 2005-01-05 2010-02-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method
CN100373618C (zh) * 2005-03-17 2008-03-05 联华电子股份有限公司 具有电磁干扰屏蔽功能设计的系统单芯片
US7287432B2 (en) * 2005-11-17 2007-10-30 Rosemount Inc. Process transmitter with overpressure vent
US7498203B2 (en) * 2006-04-20 2009-03-03 Texas Instruments Incorporated Thermally enhanced BGA package with ground ring
US7514774B2 (en) * 2006-09-15 2009-04-07 Hong Kong Applied Science Technology Research Institute Company Limited Stacked multi-chip package with EMI shielding
US8154881B2 (en) * 2006-11-13 2012-04-10 Telecommunication Systems, Inc. Radiation-shielded semiconductor assembly
US20080284047A1 (en) * 2007-05-15 2008-11-20 Eric Tosaya Chip Package with Stiffener Ring
US7576415B2 (en) * 2007-06-15 2009-08-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI shielded semiconductor package
US8566759B2 (en) * 2007-08-24 2013-10-22 International Business Machines Corporation Structure for on chip shielding structure for integrated circuits or devices on a substrate
US8589832B2 (en) * 2007-08-24 2013-11-19 International Business Machines Corporation On chip shielding structure for integrated circuits or devices on a substrate and method of shielding
US8212339B2 (en) 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8350367B2 (en) * 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) * 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8008133B2 (en) 2008-02-11 2011-08-30 Globalfoundries Inc. Chip package with channel stiffener frame
US8313984B2 (en) * 2008-03-19 2012-11-20 Ati Technologies Ulc Die substrate with reinforcement structure
CN102017132B (zh) * 2008-05-02 2013-05-08 株式会社新王材料 气密密封用盖
US7829981B2 (en) * 2008-07-21 2010-11-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8410584B2 (en) * 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7923850B2 (en) * 2008-08-26 2011-04-12 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor chip with solder joint protection ring
US20100110656A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US20100182765A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-22 Delphi Technologies, Inc. Rf/emi shield
US20100207257A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US8110902B2 (en) 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8216887B2 (en) * 2009-05-04 2012-07-10 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor chip package with stiffener frame and configured lid
US8212340B2 (en) 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US20110100692A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-05 Roden Topacio Circuit Board with Variable Topography Solder Interconnects
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8368185B2 (en) 2009-11-19 2013-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8030750B2 (en) * 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
DE102009054517B4 (de) 2009-12-10 2011-12-29 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Steuergerät
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
US8232138B2 (en) 2010-04-14 2012-07-31 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit board with notched stiffener frame
TWI540698B (zh) 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
US9007273B2 (en) 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US9723766B2 (en) * 2010-09-10 2017-08-01 Intersil Americas LLC Power supply module with electromagnetic-interference (EMI) shielding, cooling, or both shielding and cooling, along two or more sides
US8084300B1 (en) 2010-11-24 2011-12-27 Unisem (Mauritius) Holdings Limited RF shielding for a singulated laminate semiconductor device package
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
CN102695407B (zh) * 2011-03-23 2015-05-27 环旭电子股份有限公司 微小化电磁干扰防护结构及其制作方法
US8669646B2 (en) * 2011-05-31 2014-03-11 Broadcom Corporation Apparatus and method for grounding an IC package lid for EMI reduction
US8541883B2 (en) 2011-11-29 2013-09-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device having shielded conductive vias
US8937376B2 (en) 2012-04-16 2015-01-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with heat dissipation structures and related methods
US8786060B2 (en) 2012-05-04 2014-07-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US8704341B2 (en) 2012-05-15 2014-04-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding
US8653634B2 (en) 2012-06-11 2014-02-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI-shielded semiconductor devices and methods of making
CN102779811B (zh) 2012-07-20 2015-02-04 华为技术有限公司 一种芯片封装及封装方法
US9153542B2 (en) 2012-08-01 2015-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof
US20140061877A1 (en) * 2012-08-14 2014-03-06 Bridge Semiconductor Corporation Wiring board with embedded device, built-in stopper and electromagnetic shielding
US20140048914A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Bridge Semiconductor Corporation Wiring board with embedded device and electromagnetic shielding
US9064878B2 (en) * 2012-08-14 2015-06-23 Bridge Semiconductor Corporation Wiring board with shielding lid and shielding slots as electromagnetic shields for embedded device
US20140048955A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor assembly board with back-to-back embedded semiconductor devices and built-in stoppers
KR20140023112A (ko) 2012-08-17 2014-02-26 삼성전자주식회사 반도체 패키지를 포함하는 전자 장치 및 그 제조 방법
KR101989516B1 (ko) * 2012-09-24 2019-06-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지
TW201415600A (zh) * 2012-10-02 2014-04-16 Bridge Semiconductor Corp 具有內嵌元件、內建定位件、及電磁屏障之線路板
US8952503B2 (en) 2013-01-29 2015-02-10 International Business Machines Corporation Organic module EMI shielding structures and methods
US9978688B2 (en) 2013-02-28 2018-05-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having a waveguide antenna and manufacturing method thereof
US9837701B2 (en) 2013-03-04 2017-12-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof
US9129954B2 (en) 2013-03-07 2015-09-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna layer and manufacturing method thereof
US9172131B2 (en) 2013-03-15 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor structure having aperture antenna
CN103400825B (zh) 2013-07-31 2016-05-18 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装件及其制造方法
US9867282B2 (en) 2013-08-16 2018-01-09 Ati Technologies Ulc Circuit board with corner hollows
CN103617991A (zh) * 2013-11-20 2014-03-05 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 半导体封装电磁屏蔽结构及制作方法
CN103943610B (zh) 2014-04-16 2016-12-07 华为技术有限公司 一种电子元件封装结构及电子设备
CN105519248B (zh) * 2014-06-25 2019-02-19 华为技术有限公司 散热屏蔽结构及通信产品
CN105393511B (zh) 2014-06-30 2019-04-26 华为技术有限公司 一种交换机模式切换方法、设备及系统
KR102210332B1 (ko) 2014-09-05 2021-02-01 삼성전자주식회사 반도체 패키지
JP2017050261A (ja) * 2015-09-04 2017-03-09 富士通株式会社 光モジュールコネクタ及びプリント基板アセンブリ
WO2017171893A1 (en) * 2016-04-02 2017-10-05 Intel Corporation Systems, methods, and apparatuses for implementing an organic stiffener with an emi shield for rf integration
FR3066643B1 (fr) * 2017-05-16 2020-03-13 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Boitier electronique pourvu d'une fente locale formant un event
EP3769327A1 (en) 2018-03-19 2021-01-27 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus
US10654709B1 (en) 2018-10-30 2020-05-19 Nxp Usa, Inc. Shielded semiconductor device and lead frame therefor
US11049817B2 (en) 2019-02-25 2021-06-29 Nxp B.V. Semiconductor device with integral EMI shield
US10892229B2 (en) 2019-04-05 2021-01-12 Nxp Usa, Inc. Media shield with EMI capability for pressure sensor
US11081450B2 (en) 2019-09-27 2021-08-03 Intel Corporation Radiation shield around a component on a substrate
US11244876B2 (en) 2019-10-09 2022-02-08 Microchip Technology Inc. Packaged semiconductor die with micro-cavity
CN113823622A (zh) * 2020-06-18 2021-12-21 华为技术有限公司 芯片封装器件及电子设备
US11616000B2 (en) * 2021-06-25 2023-03-28 Intel Corporation Methods and apparatus to provide electrical shielding for integrated circuit packages using a thermal interface material

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4323155A (en) 1980-01-21 1982-04-06 Kling Jarrett B Integrated circuit carrier
US5254871A (en) 1988-11-08 1993-10-19 Bull, S.A. Very large scale integrated circuit package, integrated circuit carrier and resultant interconnection board
US4967315A (en) 1990-01-02 1990-10-30 General Electric Company Metallized ceramic circuit package
US5043534A (en) 1990-07-02 1991-08-27 Olin Corporation Metal electronic package having improved resistance to electromagnetic interference
JPH06505597A (ja) 1991-03-04 1994-06-23 モトローラ・インコーポレーテッド 非導電性電子回路パッケージ用シールド装置
US5133495A (en) * 1991-08-12 1992-07-28 International Business Machines Corporation Method of bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween
US5227583A (en) 1991-08-20 1993-07-13 Microelectronic Packaging America Ceramic package and method for making same
US5371408A (en) 1991-11-29 1994-12-06 Motorola, Inc. Integrated circuit package with removable shield
US5317107A (en) 1992-09-24 1994-05-31 Motorola, Inc. Shielded stripline configuration semiconductor device and method for making the same
US5475606A (en) * 1993-03-05 1995-12-12 International Business Machines Corporation Faraday cage for a printed circuit card
US5485037A (en) 1993-04-12 1996-01-16 Amkor Electronics, Inc. Semiconductor device having a thermal dissipator and electromagnetic shielding
DE4319965C3 (de) 1993-06-14 2000-09-14 Emi Tec Elektronische Material Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses mit elektromagnetischer Abschirmung
US5635754A (en) 1994-04-01 1997-06-03 Space Electronics, Inc. Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages
US5477421A (en) 1993-11-18 1995-12-19 Itt Corporation Shielded IC card
JP3234374B2 (ja) 1993-12-01 2001-12-04 三菱電機株式会社 半導体パッケージ及びこのパッケージを備えた半導体装置
US5436203A (en) 1994-07-05 1995-07-25 Motorola, Inc. Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same
JPH0897336A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US5515686A (en) 1995-01-30 1996-05-14 Jordan Holding Company Absorber fluid circuit for vapor recovery system
US5650659A (en) 1995-08-04 1997-07-22 National Semiconductor Corporation Semiconductor component package assembly including an integral RF/EMI shield
CN1202983A (zh) * 1995-11-28 1998-12-23 株式会社日立制作所 半导体器件及其制造方法以及装配基板
JPH09232351A (ja) 1996-02-23 1997-09-05 Fujitsu Ltd 電子素子用パッケージ
JP2938820B2 (ja) 1996-03-14 1999-08-25 ティーディーケイ株式会社 高周波モジュール
US5986340A (en) 1996-05-02 1999-11-16 National Semiconductor Corporation Ball grid array package with enhanced thermal and electrical characteristics and electronic device incorporating same
EP0806891B1 (en) * 1996-05-08 1999-03-10 W.L. GORE & ASSOCIATES, INC. A lid assembly for shielding electronic components from EMI/RFI interferences
US5761053A (en) 1996-05-08 1998-06-02 W. L. Gore & Associates, Inc. Faraday cage
US5838551A (en) 1996-08-01 1998-11-17 Northern Telecom Limited Electronic package carrying an electronic component and assembly of mother board and electronic package
FR2758908B1 (fr) * 1997-01-24 1999-04-16 Thomson Csf Boitier d'encapsulation hyperfrequences bas cout
US6051888A (en) 1997-04-07 2000-04-18 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package and method for increased thermal dissipation of flip-chip semiconductor package
US6020637A (en) * 1997-05-07 2000-02-01 Signetics Kp Co., Ltd. Ball grid array semiconductor package
US5866943A (en) 1997-06-23 1999-02-02 Lsi Logic Corporation System and method for forming a grid array device package employing electomagnetic shielding
US6061251A (en) 1997-09-08 2000-05-09 Hewlett-Packard Company Lead-frame based vertical interconnect package
US5939784A (en) 1997-09-09 1999-08-17 Amkor Technology, Inc. Shielded surface acoustical wave package
JPH1197568A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc キャビティダウン型ｂｇａパッケージ
US5939772A (en) 1997-10-31 1999-08-17 Honeywell Inc. Shielded package for magnetic devices
KR100563122B1 (ko) * 1998-01-30 2006-03-21 다이요 유덴 가부시키가이샤 하이브리드 모듈 및 그 제조방법 및 그 설치방법
US6084297A (en) 1998-09-03 2000-07-04 Micron Technology, Inc. Cavity ball grid array apparatus
TW410446B (en) * 1999-01-21 2000-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd BGA semiconductor package
JP2001035957A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Mitsubishi Electric Corp 電子部品収納用パッケージならびに半導体装置およびパッケージ製造方法
US6407334B1 (en) * 2000-11-30 2002-06-18 International Business Machines Corporation I/C chip assembly

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013522917A (ja) * 2010-04-06 2013-06-13 インテル コーポレイション コアレスパッケージを備えた電磁干渉シールド用の金属充填ダイバックサイドフィルムの形成方法
JP2017037980A (ja) * 2015-08-11 2017-02-16 株式会社ソシオネクスト 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置
JP2017041552A (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 富士通株式会社 プリント配線板、電子機器及び実装方法
JP2020108069A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

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