JP2004537860A - 集積回路及びダイアモンド層を有するダイを含んだ電子組立品及びこの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(本発明の背景)
(発明の技術分野)
本発明は、ウェハー、このウェハー由来のダイス(dice)、かかるダイを有する電子組立品の組み合わせの製造方法に関し、このダイは、熱を伝える目的で、ダイアモンド層を有している。
(関連技術の記述)
集積回路は、通常、シリコンウェハー上に形成され、続いて、個々のダイスへと切断される。その後、各ダイは、この上に形成された特定の集積回路を伴ったシリコンウェハー部分を有するようになる。電気信号は、集積回路へとあるいは、集積回路から供されてもよい。集積回路の操作は、熱を発生し、集積回路での温度上昇は、破損を招く可能性がある。従って、集積回路上のすべての地点での温度は、特定の最大温度以下に保持されるべきである。集積回路の操作は、均一的ではなく、集積回路上の特定の地点では、他の地点よりもより多くの熱を発生し、従って、「ホットスポット(hot spot)」を生じる。ホットスポットを生じることなく、集積回路の所望の温度を保持し、従って、より高い周波数にて操作可能である一方、このダイの平均的なパワーの散逸を増加することが可能である可能性がある。
(図面の簡単な説明)
本発明を、さらに、具体例により述べる。
(本発明の詳細な記載)
第1、第2及び第3工程は、それぞれ、図1AからG,図2AからH、及び図3AからJに述べられており、それぞれ、ウェハー、ウェハーからダイ、及びダイを有する電子組立品が製作されている。このダイは、ダイアモンド層を有し、初期的に、ダイ中の集積回路のホットスポットから熱を発散するのに機能している。
【0002】
第1工程において、相対的に厚い層が形成され、より多くの熱を発散する。しかしながら、この第1工程は、比較的取り扱いにくい研磨操作を利用している。ダイアモンド層は比較的厚みを有しているので、ダイアモンド層を介して切断するのに、特別なレーザー切断操作を利用する。
【0003】
第2工程では、第1工程の研磨操作がなく、変わりに剪断加工操作が利用されている。また、厚いダイアモンド層は、関連した利点及び欠点を伴って、第2工程にて形成される。
【0004】
また、第3工程では、研磨操作を消失すべく剪断加工操作が用いられているが、常套的なソー(saw)にて簡単に切断されるダイアモンド層が形成されている。組み合わされたウェハーは、上部及び下部表面にシリコンを有し形成されているので、薄いダイアモンド層は、また、犠牲的なポリシリコンウェハーにより覆われる。かかる組み合わされたウェハーは、常套的なシリコンウェハーを加工するために、常套的な機器により「透過性」を有してもよい。また、犠牲的なポリシリコンウェハーは、薄いダイアモンド層を欠損した構造的な支持を供する。
(厚いダイアモンド層の製造における研磨操作の利用)
添付した図面である図1Aは、その上に厚いダイアモンド層12が堆積された単結晶(単一な結晶)シリコンウェハー10を示している。単結晶シリコンウェハーは、公知の方法に従って製作される。長くて薄い垂直なコアの単結晶シリコン(半導体材料)は、シリコン浴中に下方垂直的に挿入される。その後、このコアは、この浴から上方垂直的に引き上げられる。コアの径よりも大きな径を有する単結晶シリコンインゴットを形成するので、浴から引き上げられる一方、単結晶シリコンは、このコア上に堆積する。やがて、かかるインゴットは、約300mmの径を有し、多重的な半径を有する高さを有するようになる。このインゴットは、その後、多数のウェハーへと切断される。やがて、インゴットから切り出されたウェハーは、約750μmなる厚みを有する。したがって、この単結晶シリコンウェハー10は、約300mmの径で、約750μmの厚みを有する。
【0005】
厚いダイアモンド層12は、ダイアモンドの化学蒸着(chemical vapor diamond deposition;CVDD)技術を利用して堆積される。単結晶シリコンウェハー10は、CVDDチャンバー内に配置され、例えば約1000℃なる比較的高温にて加熱される。その後、ガスがこのチャンバー内に導入され、ダイアモンドを形成すべく互いに反応する。その後、ダイアモンドは、この単結晶シリコンウェハー10の上部表面全体上にこのガスを押しのけ堆積する。単結晶シリコンウェハー10上に堆積するダイアモンドは、約1000W/mKなる熱伝導率を有する固形の多結晶ダイアモンドであり、単結晶シリコンウェハー10の上部表面に付着される。この工程は、この厚いダイアモンド層の厚みが300から500μmの間になるまで続けられる。得られる厚いダイアモンド層は、300mmの径を有する。その後、図1Aの組み合わせウェハーは、CVDDチャンバーから除去され、冷却される。多結晶ダイアモンドの堆積に関するさらなる面は、当業者公知であり、ここではさらに詳述しない。
【0006】
図1Bに示すように、単結晶シリコンウェハー10はその上部に存在するので、図1Aの組み合わせウェハーは、その後、フリップされる。厚いダイアモンド層12は、その後、研磨機器の表面上に配置される。研磨機器の研磨ヘッドは、その後、下方へと、単結晶シリコンウェハー10を研磨する。
【0007】
図1Cは、単結晶ウェハー10が下方へと接地した後の組み合わせウェハーを示している。この単結晶シリコンウェハー10は、典型的に10から25μmの厚みを有している。図1Cに示すこの組み合わせウェハーは、その後、研磨機器から取り除かれる。厚いダイアモンド層12は、約300から500μmの厚みを有しているので、この組み合わせウェハーは、研磨機器から取り除かれ、続いて取り扱われる際、破壊しない。従って、この厚いダイアモンド層12は、比較的薄い単結晶シリコンウェハー10に関して構造的支持を供する。単結晶シリコンウェハー10の上部表面は、その後、エッチングされ、研磨され、所望の仕上がりを得る。また、研磨操作に起因するストレスも除去される。
【0008】
図1Dは、単結晶シリコンウェハー10上で行われる次なる製作を示している。第1に、この単結晶シリコンウェハー10上にエピタキシャルシリコン層14を成長させる。このエピタキシャルシリコン層は、単結晶シリコンウェハー10の結晶構造を追従し、従って、単結晶である。エピタキシャルシリコン層14と単結晶シリコンウェハー10との初期的な差異は、エピタキシャルシリコン層14がドーパントを有している点である。つまり、エピタキシャルシリコン層14は、n型又はp型のいずれかでドープされている。
【0009】
次に、集積回路16A及び16Bが形成される。集積回路16A又は16Bは、例えば、トランジスター、キャパシター、ダイオードなどの複数の半導体電子部材及びこの電子部材に接続する上部レバーメタライゼーションを有している。トランジスターは、エピタキシャルシリコン層14に打ち込まれたソース及びドレイン領域を有している。これらソース及びドレイン領域は、エピタキシャルシリコン層14バルクの反対側にドープを有している。このソース及びドレイン領域は、エピタキシャルシリコン層14へと要求される深さに打ち込まれるが、通常、エピタキシャルシリコン層14の全てというわけではない。なぜなら、いくつかの打ち込まれていないエピタキシャルシリコンが、それぞれソース又はドレイン領域の下部に残存しているからである。メタライゼーションは、エピタキシャルシリコン層14上の全てに配置されている金属ラインを含んでいる。接触パッドは、その後、集積回路16A及び16B上に形成される。集積回路16A及び16Bは、互いに同一であり、かつ、小型のスクライブストリート18にて互いに分割される。バンプ20は、その後、集積回路16A及び16B上の接触パッド上に形成される。示していないが、バンプ20は、それぞれの集積回路16A及び16B上にて、アレイ、列及びカラム状になっている。
【0010】
図1Eは、図1Dの組み合わせウェハーを上方から見た図を示している。この組み合わせウェハーは、約300mmの径を有する外部端部22を有している。多くの集積回路16が、この端部22内部に列及びカラム状に形成される。各集積回路16は、長方形の外観を有している。それぞれのスクライブストリートは、それぞれの列又はカラム間に配置されている。
【0011】
図1Eの組み合わせウェハーは、その後、スクライブストリート18にて、レーザー切断され、複数のダイスとなる。これにより、各ダイは、たった一つの集積回路16を含んでいる。また、ウェハーの切断は、「単一化(singulation)」又は「ダイシング(dicing)」とも参照される。厚いダイアモンド層12は、極度に硬く、その厚みゆえ、常套的な切断操作、従って、より洗練されたレーザー切断を用いる理由ともなるが、厚いダイアモンド層12を切断することは困難である。
【0012】
図1Fは、二つのダイス24A及び24Bを示している。各ダイ24A及び24Bは、それぞれ、厚いダイアモンド層12、単結晶シリコンウェハー10、及びエピタキシャルシリコン層14の部分を有している。ダイ24Aは、集積回路16Aを有しており、ダイ24Bは、集積回路16Bを有している。各ダイ24A及び24Bは、バンプ20のそれぞれのセットを有している。
【0013】
図1Gは、パッケージ基板30及びダイ24Aを含有する電子組立品を示している。バンプ20が上部に存在し、厚いダイアモンド層12が上部に存在しているので、ダイ24Aは、図1Fの位置に相対してフリップされる。バンプ20のそれぞれは、パッケージ基板上のそれぞれの接触パッド上に配置されている。電子組立品28は、その後、バンプ20を融解するファーネス内に配置され、その後、冷却される。これは、バンプ20がパッケージ基板30上の接触パッドに付着されているためである。
【0014】
使用する場合、電気信号は、パッケージ基板32の金属ライン及びバイアスを介して、バンプ20から供されてもよい。電気信号は、バンプ220を介して集積回路16Aへと、あるいは、集積回路16Aから伝わる。集積回路16Aの操作は、熱を発生する。集積回路16Aの熱は、一点と他の点とでは単一ではない。従って、ホットスポットは、集積回路16A全体の種々の位置にて発生する。
【0015】
この熱は、エピタキシャルシリコン層14及び単結晶シリコンウェハー10を介して集積回路16Aから厚いダイアモンド層12へと伝わる。熱は、厚いダイアモンド層12へと簡単に伝わる。なぜなら、単結晶シリコンウェハー10は、比較的薄いからである。厚いダイアモンド層12の比較的高い熱伝導率ゆえ、ホットスポットからの熱は、厚いダイアモンド層12の冷却領域へと水平的に伝わる。従って、ホットスポットでの温度を低下させることが可能となる。より多くの熱は、薄いダイアモンド層に比較して、厚いダイアモンド層12を介して水平的に伝わってもよい。
【0016】
(厚いダイアモンド層の製造における剪断加工操作の利用)
図2Aは、犠牲的なポリシリコンウェハー50を示しており、その上に厚いダイアモンド層52が堆積され、その後ポリシリコン層54が堆積されている。ポリシリコンウェハーの製造工程は公知である。ポリシリコンインゴットは、典型的に鋳造操作にて製作され、その後、ウェハーは、インゴットから切り出される。厚いダイアモンド層52は、図1Aにて述べた同様の高温技術に従って堆積される、同様に300から500μmなる厚みを有している。ポリシリコン層54は、公知技術を用いて堆積され、10から15μmなる厚みを有している。
【0017】
図2Bに示すように、ポリシリコン層54は、底部に存在するように、この組み合わせウェハーをフリップする。
【0018】
図2Cは、図1Aにて述べた種類の単結晶ウェハー56を示している。単結晶ウェハー56は、同様に、約300mmの径及び約750μmなる厚みを有している。水素イオンは、この単結晶ウェハー56の上部表面へと打ち込まれる。
【0019】
図2Dは、イオン56の打ち込み後の図2の単結晶シリコンウェハー56を示している。イオン58は、図2Cの単結晶シリコンウェハー56の上部表面から下部へ約10から25μmの位置に境界60を生み出す。さらなる記述のため、この境界60の下部分を、「単結晶シリコン56A」と参照し、境界の上方の領域を「最終的な単結晶シリコン膜56B」と参照する。境界60において、ボイドが形成されている。このボイドは、単結晶シリコンウェハー56Aへと最終的な単結晶シリコンフォーム56Bの付着を弱めている。
【0020】
図2Eに示したように、ポリシリコン層56は、最終的な単結晶シリコン膜56B上に配置され、公知のシリコンボンドを用いてこれにボンディングされる。境界60は、境界60を破壊する可能性のある、厚いダイアモンド層52の形成に使用される高温CVDD温度に決して曝されることはない。
【0021】
図2Fに示したように、犠牲的なポリシリコンウェハー50は、エッチング操作により除去される。厚いダイアモンド層52は、エッチングの停止として機能するので、このエッチング操作には厳密な制御は必要ない。従って、犠牲的なポリシリコンウェハー50は、比較的急速に除去されてもよい。
【0022】
図2Gにおいて、図2Fの組み合わせウェハーは、その後、単結晶シリコンウェハー56Aがその上部に存在するようにフリップされる。
【0023】
図2Hに示されるように、単結晶シリコンウェハー56Aは、剪断加工操作にて、最終的な単結晶シリコン膜56Bより除去される。この剪断加工操作は、例えば、単結晶シリコンウェハー56A上に衝突するジェットガスを含んでもよい。ボイドゆえ、単結晶シリコンウェハー56Aは、境界60において最終的な単結晶シリコン膜56Bから剪断し、従って、ポリシリコン層54上に最終的な単結晶シリコン膜56Bのみを残存させる。最終的な単結晶シリコン膜56Bは、その後、エッチングされ、研磨され、図1DからGにて既述したのと同様に続いて加工される。
【0024】
図2AからHにて述べた工程は、図1AからGにて述べた工程と異なる。なぜなら、図1Cの組み合わせウェハーを得るための研磨操作が除かれているからである。図2Hの組み合わせウェハーを得るべく、より高速な剪断加工操作を利用する。
【0025】
図2Hに示すように、厚いダイアモンド層52は製造される。厚いダイアモンド層52は、図1Cの厚いダイアモンド層12と同様の利点及び欠点を有している。
【0026】
(薄いダイアモンド層の製造における剪断加工操作の利用)
図3Aにおいて、犠牲的なポリシリコンウェハー70が設けられ、薄いダイアモンド層72が堆積され、その後ポリシリコン層74が設けられている。この薄いダイアモンド層72は50から150μmの厚みであり、既述と同様なCVDD技術を用いて堆積される。図3Bにおいて、図3Aの組み合わせウェハーは、ポリシリコン層74がその底部に存在するようにフリップされる。図3Cでは、単結晶シリコンウェハー80は、イオン82を打ち込まれる。図3Dに示すように、イオンは、単結晶シリコンウェハー56Aの下部と最終的な単結晶シリコン膜56Bの上方との間に境界84を生み出す。図3Eでは、ポリシリコン層74は、単結晶シリコン膜56Bにボンディングされる。図3AからEと図2AからEとが同様であることは明らかである。図3Fでは、図3Eの組み合わせウェハーは、単結晶シリコン得はー56Aがその上部に存在するようにフリップされる。図3Gに示すように、単結晶シリコンウェハー56Aは、その後、最終的な単結晶シリコン膜56Bから剪断される。この剪断は、図2Hにて述べた剪断と同様である。最終的な単結晶シリコン膜56Bの上部表面は、その後、エッチングされ、研磨される。
【0027】
図3Hに示すように、さらなる加工は、その後、集積回路80A及び80Bを形成すべく行われ、ハンダバンプ接触82が形成される。犠牲的なポリシリコンウェハー70は、この上に形成された層及び部材の全てに関して構造的な支持を供する。薄いダイアモンド層72は、犠牲的なポリシリコン層70が無いと、一般的に、この上部の層類の支持をするには十分厚くない。犠牲的なポリシリコン層70は、常套的なシリコンウェハーと同様の下部シリコン表面を供する。図3G及び3Hの組み合わされたウェハーを加工すべく、常套的なシリコンウェハーを加工するのにデザインされた常套的なツール及び用具を使用してもよい。
【0028】
常套的なソーは、その後、集積回路80Aと80Bとの間のスクライブストリート90を介して切断すべく使用される。このソーは、最終的な単結晶シリコン膜56B、ポリシリコン層74、薄いダイアモンド層72、及び犠牲的なポリシリコンウェハー70を介して切断する。薄いダイアモンド層72を介して切断するのに、常套的なソー歯を使用してもよい。なぜなら、50から150μm厚足らずであるからである。
【0029】
図3Iは、パッケージ基板102及びこのパッケージ基板102上の一つのダイ104を有する電子組立品を示している。ダイ104は、犠牲的なポリシリコンウェハー70、薄いダイアモンド層72、ポリシリコン層74、最終的な単結晶シリコン膜56B、及びエピタキシャルシリコン層78のそれぞれの部分を有している。また、ダイ74は、集積回路及び複数のバンプ82を有している。バンプ82は、パッケージ基板102上の接触上に配置されている。
【0030】
組立品100は、その後、バンプ82が融解されるようにファーネス内に配置され、その後、ファーネスから除去される。これは、バンプ82が固化し、パッケージ基板102上の接触パッドに取り付けられ、これにより、ダイ104がパッケージ基板102に固定するためである。
【0031】
パッケージ基板102は、犠牲的なポリシリコンウェハー70がなくとも、ダイ104を支持すべく十分厚く、かつ強固である。図3Jに示すように、犠牲的なポリシリコンウェハー70は、その後、例えば、エッチング操作により、除去されてもよい。ポリシリコンウェハー70の除去がないとしても、薄いダイアモンド層は、集積回路80Aのホットスポットから熱を伝えることが可能である。しかしながら、犠牲的なポリシリコンウェハー70が除去されていると、熱は、薄いダイアモンド層72の上部表面からより簡単に除去される。犠牲的なポリシリコンウェハー70を除去した後、相対的に薄いダイ104は、パッケージ基板102により構造的に支持される。
【0032】
添付した図面とともに、特定の例示的な実施例を述べ、かつ示してきたが、理解されるべきことは、当業者は、改変する可能性があるゆえ、かかる実施例は、図示しただけであり、本発明を制限するものではなく、かつ、本発明は、示されかつ述べた特定の構造及び配置に限定されるものではない、ということである。
【図面の簡単な説明】
【0033】
【図1A】厚いダイアモンド層を有する単結晶シリコンウェハーの断面側面図である。
【図1B】単結晶シリコンウェハーを上部に有する図1Aと同様の図である。
【図1C】単結晶シリコンウェハーを研磨した後の図1Bと同様の図である。
【図1D】単結晶シリコン上にエピタキシャルシリコン層、集積回路及び接触を形成した後の図1Cと同様の図である。
【図1E】特に集積回路及び集積回路間のスクライブストリートを示した図1Dに示した構造に関する上方からの平面図である。
【図1F】単一化されたダイスを製作すべくレーザー切断した後の図1Eと同様の図である。
【図1G】パッケージ基板上にフリップされ配置されたダイスの一つを有する電子パッケージに関する断面側面図である。
【図2A】厚いダイアモンド層を有する犠牲的なポリシリコンウェハー及びこの上に形成されたポリシリコン層に関する断面側面図である。
【図2B】底部にポリシリコン層を伴った、図2Aと同様の図である。
【図2C】上部表面にイオンを打ち込まれた単結晶シリコンウェハーに関する断面側面図である。
【図2D】打ち込まれたイオンゆえ形成された境界を示している図2Cと同様の図である。
【図2E】最終的にポリシリコン層をシリコンボンディングにより構築された組み合わせウェハーに関する断面側面図である。
【図2F】犠牲的なポリシリコンウェハーを除いた後の図2Eと同様の図である。
【図2G】上部に単結晶シリコンウェハーを伴った図2Fと同様の図である。
【図2H】剪断加工操作の後の図2Gと同様の図である。
【図3A】薄いダイアモンド層を有する犠牲的なポリシリコンウェハー及びこの上に形成されたポリシリコン層に関する断面側面図である。
【図3B】底部にポリシリコン層を伴った図3Aと同様の図である。
【図3C】上部表面にイオンを打ち込まれた単結晶シリコンウェハーに関する断面側面図である。
【図3D】イオンを打ち込まれたゆえ形成された境界を示す、図3Cと同様の図である。
【図3E】単結晶シリコンウェハーの最終的な単結晶シリコン膜へとポリシリコン層をシリコンボンディングにより形成された組み合わせウェハーに関する側面断面図である。
【図3F】上部に単結晶シリコンウェハーを伴った、図3Eと同様の図である。
【図3G】剪断加工操作の後の図3Fと同様の図である。
【図3H】エピタキシャル層の形成、集積回路の製作、及び接触の形成の後の図3Gと同様の図である。
【図3I】図3Hの構造から剪断されたダイ及びこのダイが配置されたパッケージ基板を有する電子組立品に関する断面側面図である。
【図3J】接続がパッケージ基板に設置され、かつ犠牲的なポリシリコンウェハーが除去された後の、図3Iと同様の図である。
Claims (35)
- 固体のダイアモンド層;及び
該固体のダイアモンド層上の複数の集積回路;
を有するウェハー。 - 前記の固体のダイアモンド層は、少なくとも200mmの幅であることを特徴とする請求項1に記載のウェハー。
- 前記の固体のダイアモンド層上に単結晶半導体材料層をさらに有しており、前記集積回路が該単結晶半導体材料層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のウェハー。
- 前記単結晶半導体材料層は、少なくとも200mmの幅であることを特徴とする請求項3に記載のウェハー。
- 前記単結晶半導体材料層は、単結晶シリコン層であることを特徴とする請求項3に記載のウェハー。
- 前記単結晶半導体材料層上にポリシリコン層をさらに有しており、前記単結晶シリコン層が前記ポリシリコン層上に配置されていることを特徴とする請求項5に記載のウェハー。
- 前記集積回路上に複数の接触をさらに有していることを特徴とする請求項1に記載のウェハー。
- 固体のダイアモンド層;及び
該固体のダイアモンド層上の単結晶半導体材料層;
を有するウェハー。 - 前記の固体のダイアモンド層は、少なくとも200mmの幅であることを特徴とする請求項8に記載のウェハー。
- 前記単結晶半導体材料層は、少なくとも200mmの幅であることを特徴とする請求項9に記載のウェハー。
- 前記単結晶半導体材料層は、単結晶シリコン層であることを特徴とする請求項10に記載のウェハー。
- 固体のダイアモンド層;及び
該固体のダイアモンド層上の集積回路;
を有する単一化ダイ。 - 前記の固体のダイアモンド層上に単結晶半導体材料層をさらに有しており、前記集積回路が前記単結晶半導体材料層上に形成されていることを特徴とする請求項12に記載の単一化ダイ。
- 前記単結晶半導体材料層が、単結晶シリコン層であることを特徴とする請求項13に記載の単一化ダイ。
- 前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層をさらに有し、前記単結晶シリコン層が、前記ポリシリコン層上に配置されていることを特徴とする請求項14に記載の単一化ダイ。
- 前記集積回路上に複数の接触をさらに有していることを特徴とする請求項12に記載の単一化ダイ。
- 上方から観察する際、長方形の外観を有していることを特徴とする請求項12に記載の単一化ダイ。
- パッケージ基板;及び
該パッケージ基板上に取り付けられたダイ;
を有し、該ダイは、固体のダイアモンド層と該固体のダイアモンド層上の集積回路とを有していることを特徴とする電子組立品。 - 前記ダイは、前記集積回路上に複数の接触を有し、かつ、前記ダイの底部にて前記接触を伴ったパッケージ基板の上部上に配置されていることを特徴とする請求項18に記載の電子組立品。
- 前記ダイは、前記の固体のダイアモンド層上に単結晶半導体材料層を有しており、前記集積回路は、前記単結晶半導体材料層上に形成されていることを特徴とする請求項18に記載の電子組立品。
- 前記単結晶材料層は、単結晶シリコン層であることを特徴とする請求項20に記載の電子組立品。
- 前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層を有し、前記単結晶シリコン層が前記ポリシリコン層上に配置されていることを特徴とする請求項21に記載の電子組立品。
- 前記ダイは、前記集積回路上に複数の接触を有していることを特徴とする請求項18に記載の電子組立品。
- 前記パッケージ基板に対向する、前記の固体のダイアモンド層の表面が、露出されていることを特徴とする請求項23に記載の電子組立品。
- 固体のダイアモンド層;及び
該固体のダイアモンド層上の集積回路;
を有する電子装置。 - 前記ダイアモンド層と前記集積回路との間に単結晶半導体材料層をさらに有していることを特徴とする請求項25に記載の電気装置。
- 前記単結晶半導体材料層が、ポリシリコン層であることを特徴とする請求項26に記載の電子装置。
- 互いの上に、固体のダイアモンド層及び単結晶半導体材料層を形成し;
前記単結晶材料層上に複数の集積回路を製造し;かつ
前記集積回路間で前記の固体のダイアモンド層を切断する;
ことを有する複数のダイスの製作方法。 - 単結晶半導体材料ウェハーの表面にイオンを打ち込み、かつ
前記イオンで打ち込まれた前記単結晶ウェハーの一部分から前記イオンで打ち込まれていない前記単結晶ウェハーの一部分を切断する;
ことをさらに有し、
前記固体のダイアモンド層が前記単結晶ウェハーの表面上に配置され;かつ
前記イオンで打ち込まれた前記単結晶ウェハーの前記一部分が前記単結晶材料層を形成する;
ことを特徴とする請求項28に記載の方法。 - 前記の固体のダイアモンド層を伴った支持層を、該支持層と前記単結晶半導体材料層との間に形成し;
部分のそれぞれが、前記ダイスのそれぞれ一つの部分を形成するように、前記支持層を切断する;
ことをさらに有する請求項28に記載の方法。 - 単結晶半導体材料層上に固体のダイアモンド層を形成し;
単結晶半導体材料層の一部分を下方へと研磨し;
前記単結晶半導体材料上に半導体材料エピタキシャル層を形成し;
組み合わせウェハーを形成するように、前記エピタキシャル層の内部及びエピタキシャル層上に複数の集積回路を形成し;
前記組み合わせウェハーのダイスを互いに単一化するように、前記集積回路間で前記組み合わせウェハーを切断する;
ことを有する、複数のダイスの製作方法。 - 犠牲的ウェハー上に固体のダイアモンド層を形成し;
前記の固体のダイアモンド層上に材料層を形成し;
単結晶半導体材料にイオンを打ち込み;
イオンが前記材料層に打ち込まれたところを介して前記単結晶半導体材料層の側面をボンディングし;
前記材料層がボンディングされた最終的な部分から、前記単結晶半導体材料の一部を切断し;
前記単結晶半導体材料上に半導体材料エピタキシャル層を形成し;
組み合わせウェハーを形成するように、前記エピタキシャル層の内部及び前記エピタキシャル層上に複数の集積回路を形成し;かつ
前記組み合わせウェハーのダイスを互いに単一化するように、前記集積回路間の前記組み合わせウェハーを切断する;
ことを有する、複数のダイスの製作方法。 - 前記犠牲的なウェハーの少なくとも一部分から前記の固体のダイアモンド層を取り除くことをさらに有する請求項32に記載の方法。
- 前記ダイスを単一化するように前記組み合わせウェハーが切断される前に、前記の固体のダイアモンド層が前記犠牲的なウェハーから取り除かれることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 少なくとも、前記単結晶半導体材料の前記一部分が、前記最終的な部分から切断されるまで、前記の固体のダイアモンド層が、前記犠牲的なウェハー上に残存していることを特徴とする請求項32に記載の方法。
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