JP2004339605A - 改良されたスズめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属合金基体をフォトレジストでコーティングし、それを露光してパターンを形成し、露光されたフォトレジストを現像して該金属合金基体のパターンを露出させ、露出した金属合金基体を少なくとも0.5ミクロンの深さにエッチングし、残存するフォトレジストを剥離してパターン化された金属合金基体を形成し、その上にスズまたはスズ合金コーティングを堆積して物品を形成する。
【選択図】なし
Description
R‐O‐(CH2‐CH2‐O)nHを有し、ここで、Rは2から20炭素原子を含有するアリール又はアルキル基であり、nは10及び100,000の間の整数である。一般的にRは、エチレン基及びnは12,000より大きい整数である。斯かるポリエーテルの分子量は、500,000及びそれより大きい範囲である。界面活性剤は、銅めっき浴について1g/Lから10g/Lの量又は2g/Lから7g/Lの量で含まれる。
スズめっき浴の調製
水性スズめっき浴(スズ浴1)は、メタンスルホン酸スズ(II)としての50g/Lのスズ、160g/Lの遊離メタンスルホン酸、8モルのEOを含むエトキシル化ベータ‐ナフトールを25g/L、5g/Lのエトキシル化ビスフェノールA、5g/Lのカルボキシメチル化ポリエチレンイミン及び1g/Lのヒドロキノンスルホン酸を混合することにより調製された。
銅めっき浴の調製
水性銅めっき浴(銅浴1)は、75g/Lの硫酸銅五水和物、220g/Lの硫酸、50ppmの塩化物イオンを与える充分量の塩化ナトリウム、1g/Lのポリエチレングリコール(MW=14000)、0.5g/Lのポリプロピレングリコール(MW=425)、0.6ppmのビス(ナトリウムスルホプロピル)ジスルフィド及び6ppmのナフタレン1,3,6‐トリススルホン酸のナトリウム塩を混合することにより調製された。
比較試験
真鍮(70%銅及び30%亜鉛)及び合金42リードフレームは、上記の実施例2で開示された五種類の異なるめっき浴からの5ミクロンの銅層でコートされた。各リードフレームはアルカリ溶液で処理され、脱イオン水でリンスされ、それから10%の硫酸で浸漬され、そして脱イオン水ですすがれた。各リードフレームは、1リットル容積の銅めっき浴の一つにおいて直流電流を使用して3A/dm2の電流密度において5ミクロンの銅コーティングでめっきされた。
ウィスカ成長に対するエッチング深さの影響
オーリン194基体は、基体上のウィスカ成長に対するエッチングの影響を決定するため本発明のエッチング組成物で前処理プロセスにおいてエッチングされた。4種の試料が試験された。各オーリン194基体は、最初に0.5、1.0又は3.5ミクロンの深さにエッチング組成物でエッチングされた。一試料は対照として作用し、エッチングされなかった。エッチングが終了した後で、全ての基体は20A/dm2の電流密度において水性スズ電解浴中において3ミクロンのスズ層でめっきされた。スズ堆積物は、X線回折分析により決定されるとき高割合の臨界角を有していた。めっきの後、スズ層を有する各基体は、周囲条件下で7ヶ月間貯蔵された。
Claims (10)
- a)金属合金基体を提供し;
b)該金属合金基体をフォトレジストでコーティングし;
c)化学線でフォトレジストを露光して感光性化合物上にパターンを形成し;
d)露光されたフォトレジストを現像して該金属合金基体のパターンを露出させ;
e)該露出した金属合金基体を少なくとも0.5ミクロンの深さにエッチングし;
f)該金属合金基体から、残存するフォトレジストを剥離してパターン化された金属合金基体を形成し;
g)該金属合金基体上にスズ又はスズ合金コーティングを堆積して物品を形成すること、を含む物品の形成方法。 - エッチングの深さが少なくとも1.0ミクロンである請求項1に記載の方法。
- エッチングの深さが0.75から4ミクロンである請求項1に記載の方法。
- エッチングの深さが1から3.5ミクロンである請求項1に記載の方法。
- 該物品が配線基板、リードフレーム、半導体パッケージ、接点、チップキャパシタ又はチップ抵抗器を含む請求項1に記載の方法。
- エッチング液が過硫酸塩化合物を含む請求項1に記載の方法。
- エッチング速度が0.5μm/分から5μm/分である請求項1に記載の方法。
- 基体上にサテン又は艶消し銅コーティングを堆積し、さらに該サテン又は艶消し銅コーティング上にスズ又はスズ合金コーティングを堆積すること、を含むめっき方法。
- 該サテン又は艶消し銅コーティングが、大部分が220の結晶方位を有する請求項8に記載の方法。
- a)金属合金基体を提供し;
b)該金属合金基体をフォトレジストでコーティングし;
c)化学線でフォトレジストを選択的に露光してフォトレジスト上にパターンを形成し;
d)露光されたフォトレジストを現像して該金属合金基体のパターンを露出させ;
e)該露出した金属合金基体をエッチングし;
f)該金属合金基体から、残存するフォトレジストを剥離してパターン化された金属合金基体を形成し;
g)該パターン化された金属基体上にサテン又は艶消し銅コーティングを堆積し形成し;さらに
h)該サテン又は艶消し銅コーティング上にスズ又はスズ合金コーティングを堆積して物品を形成すること、を含む物品の形成方法。
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---|---|---|---|
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GB0311074A GB0311074D0 (en) | 2003-05-14 | 2003-05-14 | Improved tin plating method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006322014A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Univ Waseda | めっき液、めっき膜及びその作製方法 |
JP2009109007A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-05-21 | Zollern Bhw Gleitlager Gmbh & Co Kg | 滑動要素およびその製造方法 |
WO2010016562A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 上村工業株式会社 | 銅又は銅合金材用エッチング液、めっき前処理方法、並びに電子部品用部材の形成方法 |
JP2011527100A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 金属フィルム上の成長形成物の防止または軽減 |
JP2014503692A (ja) * | 2011-01-13 | 2014-02-13 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 第一銅イオンの除去が改善されたスズまたはスズ合金浸漬めっき浴 |
JP2016000844A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 上村工業株式会社 | 錫電気めっき浴および錫めっき皮膜 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004003784B4 (de) | 2004-01-23 | 2011-01-13 | Ormecon Gmbh | Dispersion intrinsisch leitfähigen Polyanilins und deren Verwendung |
DE102004030388A1 (de) | 2004-06-23 | 2006-01-26 | Ormecon Gmbh | Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102004030930A1 (de) | 2004-06-25 | 2006-02-23 | Ormecon Gmbh | Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung |
US7736802B1 (en) | 2004-11-12 | 2010-06-15 | Greatbatch Ltd. | Electrochemical cell current collector comprising solid area for coated film measurements |
DE102005010162B4 (de) | 2005-03-02 | 2007-06-14 | Ormecon Gmbh | Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie |
US20060292847A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Schetty Robert A Iii | Silver barrier layers to minimize whisker growth in tin electrodeposits |
DE102005039608A1 (de) | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ormecon Gmbh | Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer |
JP2007103586A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板の製造方法 |
WO2007082112A2 (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Faraday Technology, Inc. | Tin and tin alloy electroplating method with controlled internal stress and grain size of the resulting deposit |
JP4811880B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-11-09 | エントン インコーポレイテッド | 艶消し金属層を堆積するための電解液および工程 |
US20070284700A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Honeywell International, Inc. | Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth |
US20070287023A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Honeywell International, Inc. | Multi-phase coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same |
US20070295530A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-27 | Honeywell International, Inc. | Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth |
US20070287022A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Honeywell International, Inc. | Intumescent paint coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same |
ATE546032T1 (de) | 2006-09-13 | 2012-03-15 | Enthone | Artikel mit beschichtung aus elektrisch leitendem polymer und edel-/halbedelmetal sowie herstellungsverfahren dafür |
US8404160B2 (en) | 2007-05-18 | 2013-03-26 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
US10231344B2 (en) | 2007-05-18 | 2019-03-12 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Metallic ink |
KR100973007B1 (ko) * | 2008-01-29 | 2010-07-30 | 삼성전기주식회사 | 금속제품의 무전해 주석 환원 도금용 도금액 및 이를이용한 금속제품의 무전해 주석 환원 도금방법 |
US8506849B2 (en) | 2008-03-05 | 2013-08-13 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks |
KR100933091B1 (ko) | 2008-04-01 | 2009-12-21 | (주) 하정인더스트리 | 버스 플레이트 제조 방법 |
US9730333B2 (en) | 2008-05-15 | 2017-08-08 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Photo-curing process for metallic inks |
EP2143828B1 (en) * | 2008-07-08 | 2016-12-28 | Enthone, Inc. | Electrolyte and method for the deposition of a matt metal layer |
KR100940537B1 (ko) * | 2008-07-11 | 2010-02-11 | (주)대동아이텍 | 금속 패턴 형성 방법 |
US8647979B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-02-11 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering |
US8262894B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
US8440065B1 (en) * | 2009-06-07 | 2013-05-14 | Technic, Inc. | Electrolyte composition, method, and improved apparatus for high speed tin-silver electroplating |
JP5809055B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2015-11-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ulsi微細ダマシン配線埋め込み用電気銅めっき水溶液 |
US8422197B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-04-16 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure |
DE102010011269B4 (de) * | 2009-11-10 | 2014-02-13 | Ami Doduco Gmbh | Verfahren zum Abscheiden einer für das Drahtbonden geeigneten Palladiumschicht auf Leiterbahnen einer Schaltungsträgerplatte und Verwendung eines Palladiumbades in dem Verfahren |
EP2594662B1 (en) * | 2011-11-21 | 2014-04-09 | Atotech Deutschland GmbH | Aqueous composition for etching of copper and copper alloys |
WO2014011578A1 (en) | 2012-07-09 | 2014-01-16 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Photosintering of micron-sized copper particles |
CN103882484B (zh) * | 2014-04-04 | 2016-06-29 | 哈尔滨工业大学 | 高速电镀锡用镀液 |
US9604316B2 (en) | 2014-09-23 | 2017-03-28 | Globalfoundries Inc. | Tin-based solder composition with low void characteristic |
CN104593835B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-10-24 | 广东羚光新材料股份有限公司 | 用于片式元器件端电极电镀的中性镀锡液 |
CN105401177A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-03-16 | 广东美的暖通设备有限公司 | 换热器的防腐处理方法、换热器和空调器 |
DE112017005352T5 (de) * | 2016-10-24 | 2019-09-12 | Jaguar Land Rover Limited | Vorrichtung und verfahren betreffend elektrochemische migration |
US10147697B1 (en) | 2017-12-15 | 2018-12-04 | Nxp Usa, Inc. | Bond pad structure for semiconductor device packaging |
JP7070360B2 (ja) * | 2018-11-16 | 2022-05-18 | トヨタ自動車株式会社 | スズ膜形成用のスズ溶液、及びそれを用いたスズ膜の形成方法 |
CN111188069A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-22 | 大连长丰实业总公司 | 一种镀锡铋合金溶液及其制备方法 |
CN111458328B (zh) * | 2020-04-26 | 2021-03-19 | 电子科技大学 | 一种检测印制电路板残留铜层分布的方法 |
CN112342584A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-02-09 | 扬州市景杨表面工程有限公司 | 一种心脏起搏器电容器件无磁化铜锡电镀工艺 |
CN112517859B (zh) * | 2020-11-24 | 2022-07-19 | 太仓史密斯理查森精密制造有限公司 | 一种用于芯撑的环保抗变色耐腐蚀镀锡制备工艺 |
EP4341468A1 (en) * | 2021-05-20 | 2024-03-27 | Basf Se | Sulfonate electroplating bath, process for refining metal by electrolytic depositing and process for controlling metal morphology in electrolytic refining |
CN114990651A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-02 | 沈阳飞机工业(集团)有限公司 | 一种镀铜镀镉镀锡的多重电镀工艺方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5767187A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Manufacture of cu-sn composite material |
JPS61284593A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 接触子用銅合金条の製造方法 |
JPH046293A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Kobe Steel Ltd | 錫めっき亜鉛含有銅合金材 |
JPH05148658A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 無電解錫めつき方法 |
JPH05183016A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-23 | Hitachi Cable Ltd | Tab用テープキャリア |
JPH0613435A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Hitachi Cable Ltd | キャリアテープ及びその製造方法 |
JPH10150134A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子用リードフレームのメッキ方法 |
JP2000109981A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Ishihara Chem Co Ltd | 銅箔基材上のメッキ皮膜における異常結晶析出防止剤並びに当該防止方法 |
JP2002151838A (ja) * | 2001-08-23 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | Pbフリーはんだ接続構造体および電子機器 |
JP2003023123A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Shindo Denshi Kogyo Kk | 回路基板および回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1817434C3 (de) * | 1967-12-30 | 1980-05-14 | Sony Corp., Tokio | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung |
US4959278A (en) * | 1988-06-16 | 1990-09-25 | Nippon Mining Co., Ltd. | Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof |
JP2797542B2 (ja) * | 1989-11-06 | 1998-09-17 | ソニー株式会社 | リードフレームの製造方法 |
JP3014814B2 (ja) * | 1991-07-25 | 2000-02-28 | 三井金属鉱業株式会社 | スズメッキホイスカーの抑制方法 |
US5294291A (en) * | 1991-09-20 | 1994-03-15 | Hitachi, Ltd. | Process for the formation of a conductive circuit pattern |
KR970009271B1 (en) * | 1992-08-08 | 1997-06-09 | Shinko Electric Ind Kk | Tab tape and method for producing it |
JP3458023B2 (ja) * | 1995-08-01 | 2003-10-20 | メック株式会社 | 銅および銅合金のマイクロエッチング剤 |
AU8670798A (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-22 | Whitaker Corporation, The | Two layer solderable tin coating |
US6087714A (en) * | 1998-04-27 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor devices having tin-based solder film containing no lead and process for producing the devices |
EP1241281A1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-09-18 | Shipley Co. L.L.C. | Tin plating |
US20030025182A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-02-06 | Abys Joseph A. | Metal article coated with tin or tin alloy under tensile stress to inhibit whisker growth |
JP4016637B2 (ja) * | 2001-10-24 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 錫−銀合金めっき皮膜を有する電子部品用リードフレーム及びその製造方法 |
US6860981B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-03-01 | Technic, Inc. | Minimizing whisker growth in tin electrodeposits |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004094941A patent/JP4603812B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2004-05-12 US US10/843,984 patent/US7695605B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5767187A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Manufacture of cu-sn composite material |
JPS61284593A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 接触子用銅合金条の製造方法 |
JPH046293A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Kobe Steel Ltd | 錫めっき亜鉛含有銅合金材 |
JPH05148658A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-06-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 無電解錫めつき方法 |
JPH05183016A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-23 | Hitachi Cable Ltd | Tab用テープキャリア |
JPH0613435A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Hitachi Cable Ltd | キャリアテープ及びその製造方法 |
JPH10150134A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子用リードフレームのメッキ方法 |
JP2000109981A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Ishihara Chem Co Ltd | 銅箔基材上のメッキ皮膜における異常結晶析出防止剤並びに当該防止方法 |
JP2003023123A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Shindo Denshi Kogyo Kk | 回路基板および回路基板の製造方法 |
JP2002151838A (ja) * | 2001-08-23 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | Pbフリーはんだ接続構造体および電子機器 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006322014A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Univ Waseda | めっき液、めっき膜及びその作製方法 |
JP4712439B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-06-29 | 学校法人早稲田大学 | めっき液、めっき膜及びその作製方法 |
JP2009109007A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-05-21 | Zollern Bhw Gleitlager Gmbh & Co Kg | 滑動要素およびその製造方法 |
JP2011527100A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 金属フィルム上の成長形成物の防止または軽減 |
WO2010016562A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 上村工業株式会社 | 銅又は銅合金材用エッチング液、めっき前処理方法、並びに電子部品用部材の形成方法 |
JP5789375B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2015-10-07 | 上村工業株式会社 | めっき前処理方法 |
JP2014503692A (ja) * | 2011-01-13 | 2014-02-13 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 第一銅イオンの除去が改善されたスズまたはスズ合金浸漬めっき浴 |
JP2016000844A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 上村工業株式会社 | 錫電気めっき浴および錫めっき皮膜 |
Also Published As
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---|---|
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