JP2004297085A - 多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ - Google Patents

多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ Download PDF

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Abstract

【課題】 低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタを提供する。
【解決手段】 低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタは、多層拡張ドレイン構造の近傍に一又は二以上のソース領域が配置されており、この構造は、一又は二以上の誘電体層によってフィールドプレート部材から分離された拡張されたドリフト領域を含んでいる。フィールドプレート部材は最も低い回路ポテンシャルにおいて、トランジスタはオフ状態においてドレインに印加される高電圧を維持する。層状の構造は、種々の方法で製造することができる。ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、シリコン基板上に形成される半導体デバイスに、より具体的には、高圧に耐えることができる電界効果型半導体トランジスタ構造に関する。
高電圧電界効果トランジスタ（ＨＶＦＥＴ）は、半導体分野でよく知られている。ＨＶＦＥＴは、最も多くの場合、デバイスが「オフ」状態のときに印加される高圧に耐える拡張ドレイン領域（extended drain region）を含むデバイス構造を有している。このタイプのＨＶＦＥＴは、オフラインの電力供給、モーター制御等のためのＡＣ／ＤＣ変換器といった電力変換のアプリケーションにおいて一般的に使用されている。これらのデバイスは、「オン」状態での電流に対する抵抗を最小限にしつつ、高圧でのスイッチング及びオフ状態での高い遮断電圧を達成している。遮断電圧、言い換えると破壊電圧は、一般にＶbdと表される。頭文字Ｒspは抵抗と表面積との積を表し、これは一般にデバイスのオン状態における性能を示す。拡張ドレイン領域を有する従来のＨＶＦＥＴであって、最上層の導電型が拡張ドレイン領域の導電型と反対であるものの例は、米国特許第４，８１１，０７５号において見ることができる。
従来からのＨＶＦＥＴでは、デバイスがオフのときにドレインに印加される高圧に耐えるために、拡張ドレイン領域は通常少なくドープされている。また、電界が大きい面積に広がるよう拡張ドレイン領域の長さも長くされ、これによりデバイスが高圧に耐えられるようにしている。しかしながら、デバイスがオン（すなわち導電状態）とされると、電流は拡張ドレイン領域を通って流れる。したがって、ドーピングの低下及び拡張ドレイン領域の長さの増大が結びつくと、これらはともにオン状態の抵抗を高くすることから、デバイスのオン状態の性能にとって有害な効果をもたらす。言い換えれば、従来からの高圧ＦＥＴの設計には、ＶbdとＲspの間にトレードオフがあるという特徴がある。
定量的な例として、代表的な従来技術の縦型ＨＶＦＥＴ（ＮＭＯＳ型）は、Ｖbdが６００Ｖ程度、Ｒspが約１６Ωｍｍ2という値を有する。Ｒsp値が高くなるという犠牲を払いながらＶbdを６００Ｖを超えるまでに高めて拡張ドレインの長さを長くすると、デバイスの性能に影響を与えうる。反対に、拡張ドレインの長さを短くすると、オン状態の抵抗を１６Ωｍｍ2を下回るようにすることができるが、デバイス構造のこのような変化は、Ｖbdが６００Ｖを下回る原因ともなりうる。
高いＶbd電圧を維持するとともに小さいＲsp値を有するようなデバイス構造については、米国特許第４，７５４，３１０号、同第５，４３８，２１５号、およびT. Fujihiraによる「Theory of Semiconductor Superjunction Devices」と題された論文（Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, pp. 6254-6262, 1977年10月）において議論されている。このデバイス構造には、拡張ドレイン領域は、例えばＰＮＰＮＰ…というように異なる導電型の層が交互に現れる半導体材料が含まれている。一つの導電型の各層に高電圧が印加されるので、すべての層は互いに電荷キャリアが空乏状態となる。これにより、単層のデバイスと比較して、導電層のかなり高いドーピング濃度において高いＶbdが可能となる。もちろん、高いドーピング濃度はトランジスタデバイスのＲspを下げるので有利である。例えば、G. Deboyらによる「A new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit line of silicon」（IEDM tech. Digest, pp. 683-685, 1998）と題する論文において、著者はＶbdが６００Ｖ、Ｒspが約４Ωｍｍ2の縦型ＮＭＯＳデバイスについて報告している。
高い電圧を達成するという問題についての別の方法が、S. Merchantらによる「Realization of High Breakdown Voltage in Thin SOI Devices」と題する論文（Proc. Intl. Symp. On Power Devices and Ics, pp.31-35, 1991）に開示されている。この論文は、半導体基板の上に配置された埋め込み酸化物層(buried oxide layer)の上部に設けられたシリコンの薄い層を有する拡張ドレイン領域について教示している。これを動作させると、高電圧において下にあるシリコン基板が薄いシリコンの層から電荷を奪う。著者は、上部のシリコン層が十分に薄く、埋め込み酸化物層が十分に厚ければ、Ｖbdの大きな値が得られると主張する。
この方法を用いると、例えば、Ｖbdが６００Ｖ、Ｒspが約８ｍｍ2というラテラルＮＭＯＳデバイスが得られる。
上記以外に当業者が関心を持つと思われる関連文献として、米国特許第６，１８４，５５５号、同第６，１９１，４４７号、同第６，０７５，２５９号、同第５，９９８，８３３号、同第５，６３７，８９８号、国際出願ＰＣＴ／ＩＢ９８／０２０６０号（国際公開番号ＷＯ９９／３４４４９）、そしてT. Letavicらによる論文「High Performance Technology Based on Thin Layer Silicon-on-Insulator」（Proc. ISPSD, pp.49-52, 1997）などがある。
上述のデバイス構造は、オン状態の抵抗を相対的に低くして高いＶbdを達成するが、いまだに、より低いオン状態の抵抗を達成しつつ更に高い電圧に耐えることができる高電圧トランジスタ構造に対する満たされない要求が存在する。
上記の課題を解決するために、本発明に係るラテラル高電圧トランジスタは、
基板の上面上を覆う絶縁層を含み、
前記絶縁層の上に配置された第一の導電型のドレイン領域を含み、
前記絶縁層の上に配置された第一の導電型とは反対の第二の導電型のボディ領域を含み、
前記絶縁層の上に配置された平行に配列された複数の第一の導電型のドリフト領域を含み、各ドリフト領域はドレイン領域からボディ領域へ向かう第一の方向に延在し、隣接するドリフト領域は第一の方向と直交する第二の方向において誘電体層によって分離されており、
各誘電体層の中に配置されたフィールドプレート部材を含み、該フィールドプレート部材はドリフト領域から完全に絶縁されており、
ボディ領域に隣接しかつドリフト領域からは離間した第一の導電型のソース領域を含み、そして、
ボディ領域の近くに配置された絶縁ゲート部材を含み、チャネル領域が絶縁ゲート部材の近くのソース領域と少なくとも一つのドリフト領域の間のボディ領域内に規定される、
ことを特徴とする。
前記発明において、前記第二の方向を基板の底面に直交する方向とすることができる。
前記発明において、前記第二の方向を、基板の底面に平行な方向とすることができる。
前記発明において、各ドリフト領域もまた、絶縁層に垂直な方向に延在するものとする。
前記発明において、基板は底部フィールドプレート部材を含むものとすることができる。
前記発明において、さらに、ドレイン領域と電気的に接続されたドレイン電極と、
ソース領域と電気的に接続されたソース電極と、
を含むものとすることができる。
前記発明において、第一の導電型はｎ型、第二の導電型はｐ型とすることができる。
前記発明において、ドレイン領域が絶縁層からドレイン電極へと向かう縦方向に延在しているものとすることができる。
前記発明において、ソース領域がボディ領域の上に配置されたものとすることができる。
前記発明において、さらに、絶縁ゲート部材と電気的に接続されたゲート電極を有するものとすることができる。
前記発明において、ソース領域がボディ領域内に配置されているものとすることができる。
前記発明において、チャネル領域が基板の上面と平行に延在しているものとすることができる。
本発明であるラテラル高電圧トランジスタは、
第一の導電型のドレイン領域を含み、
第一の導電型の少なくとも一つのソース領域を含み、
前記ドレイン領域から前記少なくとも一つのソース領域へ向かう第一の方向に平行に延在する第一の導電型の複数のドリフト領域を含んでおり、隣り合うドレイン領域は第一の方向と直交する第二の方向において誘電体層によって分離され、
誘電体層内に配置された少なくとも一つのフィールドプレート部材を含んでおり、当該少なくとも一つのフィールドプレート部材はドリフト領域から完全に絶縁されている、
ことを特徴とする。
前記発明において、さらに、ソース領域と電気的に接続されたソース電極と、
ドレイン領域と電気的に接続されたドレイン電極と、
を含むものとすることができる。
前記発明において、前記ラテラル高電圧トランジスタは平坦な底面を有する半導体基板上に形成され、第一の方向は前記平坦な底面と平行とし、第二の方向は平坦な底面に垂直な方向としたものとすることができる。
前記発明において、高電圧トランジスタは平坦な底面を有する半導体基板上に形成され、第一及び第二の方向は平坦な底面と平行としたものとすることができる。
前記発明において、第一の導電型はｎ型、第二の導電型はｐ型とすることができる。
拡張ドレイン領域もしくはドリフト領域を有する高電圧電界効果トランジスタ及びこれを製造する方法について説明する。ＨＶＦＥＴは固有のオン状態の低い抵抗を有し、オフ状態における高い電圧に耐える。以下の説明では、本発明の完全な理解が得られるよう、材料の種類、ドーピングのレベル、構造的特徴、プロセスの各ステップなどの多数の具体例について詳細に述べる。半導体技術における通常の知識を有する実務者であれば、これらの詳細な説明の多くの部分がなくても本発明が実施できること理解されるだろう。他の例では、発明の焦点をぼかすのを避けるために、周知の要素、技術、プロセスのステップについては詳しく説明していない。
図１は、本発明の一つの実施例に基づいた縦型ｎチャネル（例えばＮＭＯＳ）ＨＶＦＥＴ２０の断面を横から見た図である。なお、図中の各要素は描写的に描いてあり、分かり易さを期すため正確な縮尺では描かれていない点を理解されたい。例示した全ての拡散領域／ドープ領域について反対の導電型を用いれば、ｐチャネルトランジスタが実現されることが分かるだろう。さらに、この図は二つの別々のデバイスを示しているが、このようなトランジスタ構造を、環状、インターディジット形、あるいは繰り返し形式で一般に製造できることは、当業者であれば理解できるだろう。
図１のデバイス構造には絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）が含まれており、これはゲート３０（例えばポリシリコンからなる）と、このゲート３０を下の半導体領域から絶縁するゲート絶縁層２９を有している。ゲート絶縁層２９は、通常の二酸化ケイ素又はその他の適切な誘電体絶縁材料とすることができる。縦型ＨＶＦＥＴ２０の拡張ドレイン領域は、Ｐ型ボディ領域２６の間に配置され、Ｎ＋基板２１に向かって下に延びる二つ又は三つ以上の平行なＮ型ドリフト領域２２を含んでいる。例として、図１には、Ｐ型ボディ領域２６ａと２６ｂの間にあってゲート酸化物２９ａの下からＮ＋基板２１へ下向きに延びるドリフト領域２２ａが示してある。同様に、ドリフト領域２２ｂは、ゲート酸化物２９ｂからＰ型ボディ領域２６ｃと２６ｄの間を下へ向かってＮ＋基板２１へ延びている。
ソース電極３２は、Ｎ＋ソース領域２７と電気的に接続されており、Ｎ＋ソース領域２７は、それぞれＰ型ボディ領域２６内に配置されている。例えば、Ｎ＋ソース領域２７ａはＰ型ボディ領域２６ａ内に配置され、Ｎ＋領域２７ｂはＰ型ボディ領域２７ｂ内に配置され、といったようにである。これ以外の種々のソース電極の接続形態も可能であることは理解されるだろう。ゲート３０直下のＰ型ボディ領域の部分（Ｎ＋ソース領域２７とドリフト領域２２の間）は、トランジスタのＩＧＦＥＴチャネル領域となる。この特定の実施例では、ゲート領域は金属−酸化物半導体（ＭＯＳ）であり、ＩＧＦＥＴはＮＭＯＳトランジスタである。したがって、ＨＶＦＥＴ２０のチャネル領域は、一方の端部がＮ＋ソース領域２７によって、他方の端部がＮ型ドリフト領域２２によって規定され、そしてゲート酸化物２９からＮ＋基板２１へ向かって下方へ垂直に延在する。絶縁層３３は、ゲート３０をソース電極３２から隔てている。
複数のｎ型拡張ドレイン領域、別名ドリフト領域２２は、横方向において、絶縁領域すなわち誘電体層２８によって隔てられている。図１の実施例において、誘電体層２８はＰ型ボディ領域２６の下からＮ＋基板２１に向かって垂直下方へ、ドリフト領域２２の全長にわたって延びている。誘電体層２８には一例として二酸化ケイ素を用いるが、窒化シリコン等、他の誘電体材料を用いることも勿論可能である。各誘電体層２８の中には、半導体基板２１及びドリフト領域２２から完全に絶縁された状態で、フィールドプレート部材２４が配置されている。フィールドプレート部材２４は、高濃度にドープされたポリシリコン、金属、金属合金などの材料から構成されている。図１の実施例に示したように、各フィールドプレート部材２４はソース電極３２と電気的に接続されている。これとは別に、フィールドプレート部材を別個の電極に接続することも可能である。ゲート３０もまた、別個の電極（不図示）に接続されている。ドレイン電極３１は、Ｎ＋基板２１の底部との電気的な接続を与えている。
図１の縦型ＮＭＯＳ高電圧トランジスタ２０の拡張ドレイン領域は、複数のドープされた半導体材料（例えばｎ型）、絶縁材料（例えば二酸化ケイ素）、および導電材料（例えば高濃度にドープしたポリシリコン）を横方向に交互に並べたものから構成されている。オン状態において、ゲートには、電子のチャネルがＰボディ領域２６の表面に沿って形成されるだけの十分な電圧が印加される。これによって、ソース電極３２、Ｎ＋ソース領域２７から、Ｐボディ領域２６内に形成されたチャネル領域を通り、下のＮ型のドリフト領域２２、Ｎ＋基板２１を通ってドレイン電極３１に達する、電子電流のための経路が与えられる。
半導体技術の実務者であれば、従来からの縦型ＨＶＮＭＯＳトランジスタにおいて、Ｎ型ドリフト領域が通常は非常に厚く（すなわち長く）低濃度にドープされており、これらのことがオン状態の高い抵抗に寄与することを理解するだろう。一方、図１のデバイス構造において、Ｎ型のドリフト領域におけるドーピングはかなり高く、オン状態の抵抗は劇的に低下する。ＨＶＦＥＴ２０におけるオン状態の抵抗の低下は、多数の並列接続された拡張ドレイン領域もしくはドリフト領域を用いることによってなされる。
オフ状態では、ドレイン電極３１及びソース電極３２の間に高い電圧（例えば２００Ｖ〜１２００Ｖ）が印加される。電圧が高くなると、フィールドプレート領域２４がドリフト領域２２の両側に存在することによって、Ｎ型ドリフト領域は自由キャリアが空乏の状態となる。理想的には、ドリフト領域２２におけるドーピングのプロファイルを、得られる電界がドレインからソースまでの経路に沿って近似的に一定となるよう調整する。例えばドーピング濃度を、Ｎ＋基板２１近傍において最も高くし、Ｐボディ領域２６近傍において最も低くし、その間を線形的に変化させることができる。
Ｎ型ドリフト領域２２及び酸化物層２８の厚さは、早すぎる電子なだれ降伏が起こるのを防ぐよう設計すべきである。電子なだれ降伏は、ドリフト領域を相対的に細くすることによってイオン化経路を短くし、これにより電子なだれが起こる臨界電界を高くすることによって避けることができる。同様の観点で、酸化物層２８の幅を相対的に広くすると、デバイス構造は同じ電界に対してより高い電圧に耐えることができるようになる。
例として、図１に基づいて製造される、高さ約５０μｍ、幅約０．４〜０．８μｍのドリフト領域、幅が大体３．０〜４．０μｍの範囲である酸化物層を有するデバイスは、約８００Ｖに耐えることができる。このようなデバイスでは、ドリフト領域におけるドーピングは、Ｐボディ領域近くの約５×１０15ｃｍ-3程度からＮ＋基板近傍における約１×１０17ｃｍ-3程度まで線形的に変化する。またこのデバイスのオン状態の抵抗は、約１．０Ωｃｍ2である。
この分野の実務者であれば、合計のセル・ピッチ（すなわち、フィールドプレート、酸化物層、ドリフト領域を併せた幅）が小さくなるように製造した場合には、各ドリフト領域の寄与がほぼ一定になることから、ＨＶＦＥＴ２０の性能を改善できることが理解されるだろう。
ここで図２を参照する。図２は、本発明の他の実施例であるラテラルＮＭＯＳ高電圧トランジスタ４０を示している。図２のＨＶＦＥＴ４０は、図１のトランジスタ構造との関連で議論したのと同じ原理に基づいて動作するが、電流が、縦方向ではなく、ドリフト領域を通って横方向に流れるという点が、図１のトランジスタ構造とは異なる。図２の実施例では、フィールドプレート部材４４が、酸化物層４９によって半導体材料からは完全に絶縁されている点に注意すべきである。
この例では、フィールドプレート部材４４ａが、ちょうどソース電極４６及びドレイン電極４５の下において酸化物層４９ａの中に配置されている。フィールドプレート部材４４ｂは、Ｎ型ドリフト領域４２ａの下で、かつＮ型ドリフト領域４２ｂの上に配置されている。これらのフィールドプレート部材は、図の面以外のある部分でフィールドプレート電極と接続することができる。トランジスタの拡張ドレインを構成するＮ型ドリフト領域は、Ｐボディ領域４８の下からＮ＋ドレイン領域４３に向かって横方向に延在している。Ｎ＋ドレイン領域４３は、ドリフト領域４２ａ及び４２ｂをドレイン電極４５に接続している。
ソース電極４６と電気的に接続されているＮ＋ソース領域４７は、Ｐボディ領域４８に隣接して配置されている。ＨＶＦＥＴ４０は、縦型ＭＯＳゲート構造１２を利用しており、これはゲート５５に接続するゲート電極５６よりなる。この実施例においてゲート５５は、ゲート電極５６から縦方向に延びるポリシリコンの層よりなる。ゲート５５は、Ｐボディ領域の下まで延在し、図示のように、酸化物層５０に向かって下方へ延びている。ゲート５５は、ゲート酸化物５３によって、Ｎ＋ソース領域４７、Ｐボディ領域４８、Ｎ型ドリフト領域４２から絶縁されている。酸化物領域５８は、ソース電極４６からゲート電極５６を分離している。
酸化物層５０はＮ＋基板４１をゲート５５、Ｎ型ドリフト領域４２、そしてＮ＋ドレイン領域４３から絶縁している。図から分かるように、酸化物層５０は、Ｎ＋基板４１上かつ領域４２、４３、５５の下で、横方向に延在している。基板電極５７は、Ｎ＋基板４１の底部との電気的な接続を与える。この基板は、ドリフト領域４２ｂに対する底部フィールドプレートとして作用する。
ＨＶＦＥＴ４０のオン状態、オフ状態における動作は、図１の実施例について述べたものと類似している。しかながらこの場合は、ソース電極及びドレイン電極は最上部に位置している。これは、電子が、Ｎ＋ソース領域４７を通って下へ流れ、ゲート酸化物５３に隣接するＰボディ領域４８内に形成されるチャネル領域を通過して、Ｎ型ドリフト領域４２を横方向に流れ、そしてドレイン電極へ達する前にＮ＋ドレイン領域４３を通って上方へ流れることを意味する。
図２は溝状のゲート構造を示しているが、平面状のゲート構造を用いることも可能である点に注意すべきである。加えて他の実施の形態においては、溝状のドレイン構造を用いることも可能である。さらに、図２の実施例は、横方向に延在する二つの平行なＮ型ドリフト領域４２ａ及び４２ｂからなる拡張ドレイン領域を示しているが、他の実施例ではこれより多くの平行なドリフト領域を用いることもできる。言い換えると、図２の実施例はただ二つのドリフト領域に限定されるのではなく、製造上制限される範囲内で任意の数のドリフト領域、酸化物領域、フィールドプレート領域を含めることができる。
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明に基づくラテラルＨＶＦＥＴの他の実施例を例示している。図３ＡはラテラルＨＶＮＭＯＳトランジスタ６０の平面図であり、図３Ｂは、同じデバイスを、ドリフト領域６２ａを通る線Ａ−Ａ’で切り取った断面図である。（混乱を避けるため、図３Ａには、ソース電極６６、ドレイン電極６５、ゲート７５、ゲート酸化物７３及び酸化物層７９を示していない。これらのエレメントは図３Ｂの横から見た断面図に示してある。）
図３のラテラルデバイス構造は、図２に示したものと類似している。しかし、ドリフト、酸化物、フィールドプレート層の各領域を互い同士の上に向きを合わせて配置する（縦方向に）のではなく、図３の実施例では、これらの領域が横に並ぶように配置されている。図２の実施例とは異なり、Ｎ型ドリフト領域６２、酸化物層６９、およびフィールドプレート部材６４のそれぞれは、その下の絶縁層７０から、上にある基板表面へ向かって延びている。Ｎ型ドリフト領域６２及びフィールドプレート部材６４は、絶縁層７０によってＮ＋基板６１から絶縁されている。一つの実施例として、層７０を二酸化ケイ素から形成することができる。追加の電極７７は、Ｎ＋基板６１への電気的な接続を与えている。
ＨＶＮＭＯＳトランジスタ６０の平らなゲート及びドレインの構成を、図３Ｂの側面図に例示する。これとは異なり、溝状のドレイン構造及び／又は溝状のゲート構造を用いることもできる。この実施例でゲート部材７５は、Ｐボディ領域６８の上に配置されており、ゲート酸化物７３によって半導体基板から絶縁されている。ソース電極６６は、Ｐボディ領域６８の中に配置されたＮ＋ソース領域６７に接触している。Ｐボディ領域６８それ自身は、Ｎ型ドリフト領域６２の中に配置された状態で示されている。
Ｎ＋ドレイン領域６３は、Ｎ型ドリフト領域６２の反対側に配置されており、ドレイン電極６５と電気的に接続されている。
図２及び図３の実施例では、チップの最も低い電位すなわちグランドに接続されたフィールドプレート部材が示してある。ソースは、フィールドプレート部材（最低のチップ電位）につなぐか、あるいはソース領域をフローティング状態にしておくことができる。言い換えれば、図１〜図３の実施例は、ソースフォロアの構成には限定されない。本発明に係る各トランジスタ構造は、ドレイン、ソース、フィールドプレート部材、そして絶縁ゲート部材が、別々の回路端子に接続された４端子デバイスとして実施することができる。他の実施例として、フィールドプレート部材と絶縁ゲート部材を接続することもできる。
図４を参照する。同図には、本発明に基づいて構成された他の実施例である縦型ＨＶＮＭＯＳトランジスタ８０の横から見た断面を示している。図４に示したデバイス構造は、図１に示したものと類似しているが、平坦なゲートが溝状のゲート構造に置き換えられている点が異なる。図１の縦型デバイス構造におけるように、トランジスタ８０は、複数の平行に配置されたＮ型ドリフト領域８２を有しており、これはＰボディ領域８６からＮ＋基板８１に向かって下に延びている。各ドリフト領域８２の両側は酸化物層８８と接している。例えばＮ型ドリフト領域８２ａは、一方の側を酸化物層８８ａと、他方の側を酸化物層８８ｂと境界を接している。
各酸化物層８８の中には、ドリフト領域及び基板の半導体材料から完全に絶縁された状態で、フィールドプレート部材８４が配置され、ソース電極９２と電気的に接続されている。Ｎ型ドリフト領域８２、酸化物層８８、フィールドプレート部材８４は、全体として横方向に延びる平行な層構造からなる。これはオン状態において電流が流れる方向に対して垂直な方向である。トランジスタ８０がオン状態のとき、電流は、ドレイン電極９１から平行なＮ型ドリフト領域８２及びＰボディ領域の側壁に形成されたＭＯＳチャネルを通り、ソース電極９２に向かって縦方向に流れる。
ＨＶＮＭＯＳトランジスタ８０の溝状のゲート構造は、フィールドプレート部材８４とＰボディ領域８６の間に配置されたゲート部材９０からなる。図４の実施例において、各Ｐボディ領域８６の両側には、一対のＮ＋ソース領域８７が配置されている。各Ｐボディ領域８６は、対応するＮ型ドリフト領域８２の一方の端部に位置している。薄いゲート絶縁層８９（例えば酸化物）は、各ゲート部材９０（例えばポリシリコン）をＰボディの半導体材料から絶縁している。
図４は、一例として、Ｐボディ領域８６ａの両側に沿って配置されたゲート部材９０ａ及び９０ｂを示している。Ｎ＋ソース領域８７ａ及び８７ｂは、Ｐボディ領域８６の中のゲート部材に近い両側に配置されており、８７ａ及び８７ｂの両領域はソース電極９２と電気的に接続されている。Ｐボディ領域８６ａは、その一端がソース電極と、他端がドリフト領域８２ａと隣接している。トランジスタ８０がオン状態のときは、電流がソース電極９２からＮ＋領域８７を通り、Ｐボディ領域８６を通り、下に向かってＮ型ドリフト領域８２及びＮ＋基板８１を通ってドレイン電極９１に流れるように、Ｐボディ領域８６ａの側面に沿って導通状態のチャネル領域が形成される。
この分野の実務者であれば、図４に示した各Ｐボディ領域８６の中に配置された一対のＮ＋ソース領域８７を、ソース電極９２に隣接する領域８６の全幅にわたって延在する単一のＮ＋領域と置き換えることができることは容易に分かるだろう。この場合、Ｐボディ領域を、種々の場所においてソース電極に接続することができる（図の書面に垂直な方向で）。一つの実施例として、ソース電極９２を、Ｎ＋ソース８７を通ってその下のＰボディ領域８６に接続するよう突き出すようにしてもよい。（図５Ｋ参照。）
図４の実施例における溝状のゲート構造は、図１に示したようなＴ字形の半導体領域がないため、潜在的に製造工程が簡単になるという利点がある。また、トランジスタ８０の縦型ＨＶＮＭＯＳ構造は、Ｐボディ領域の間に形成されるＪＦＥＴ構造がないことからオン抵抗が低い。
図５Ａ〜図５Ｋは、本発明の縦型高電圧トランジスタを製造するのに用いることができる種々の処理ステップを例示している。ここで説明する製造方法は、図５Ｋに示すデバイスの形成だけでなく、図４に示した縦型デバイス構造にも用いることができる。
図５Ａは、Ｎ＋基板１００上にＮ型半導体材料のエピタキシャル層１０１を形成する最初の処理ステップ後の縦型高電圧トランジスタを示している。２００Ｖから１０００Ｖの範囲の印加電圧に耐えるためには、デバイス構造に、１５μｍから１２０μｍの厚さのエピタキシャル層を設けるべきである。一例として、図５に示したデバイスのエピタキシャル層の厚さは４０μｍである。Ｎ＋基板１００は、完成後のデバイスの基板底部に配置されることになるドレイン電極へ流れる電流に対する抵抗を最小限に抑えるために高濃度にドープしてある。基板１００は、例えばグラインディングやエッチングによって薄くすることができ、その底部表面上に金属を堆積させてトランジスタのオン抵抗を下げることができる。
このような処理ステップが実行されるのは、上側の処理が完了してからである場合が多い。
エピタキシャル層１０１の厚さとドーピングは、主としてデバイスのＶbdを決定する。ドーピングは、エピタキシャル層が形成されるときに行われる。最適なドーピングのプロファイルは、ドレイン（Ｎ＋基板１００に隣接する底部）からソース（上部）へ線形的に変化するものである。基板１００の近くがより高い濃度となるようにすと、より一様な電界分布となる。線形的な変化は、エピタキシャル層１０１の上面より下のある点で停止するようにすることもできる。一例として、図５に示した実施例のドーピング濃度は、Ｐボディ領域近傍の２×１０15ｃｍ-3から、Ｎ＋基板１００近傍の６×１０16ｃｍ-3まである。
エピタキシャル層１０１が形成された後、層１０１の上面を適切にマスクして、エッチングにより深い溝を形成するかエピタキシャル層を貫通させる。図５Ｂは、エピタキシャル層１０１及び基板１００の一部をエッチングした後のデバイス構造の断面を示している。エッチングされた溝部の横方向の幅は、後述のように、誘電層と導電性のリフィル（refill）層を併せた厚さで決まることが分かるだろう。
隣り合う溝部の間隔は、エピタキシャル層の材料の残っているメサ部分の必要とされる厚さによって決まるが、これはデバイスのブレークダウン電圧の必要条件によって調整される。このエピタキシャル材料のメサ部分が、最終的にこのデバイス構造のＮ型ドリフト領域を形成する。材料のこのメサ部分は、紙面に垂直な横方向にかなりの距離にわたって延在しうることを理解すべきである。図５の実施例では、単一のＮ型ドリフト領域からなる拡張ドレイン領域を有するデバイスを例示しているが、図５の縦型高電圧トランジスタは、平行に配置された複数のＮ型ドリフト領域から構成することもできることが分かるだろ。理想的には、Ｎ型ドリフト領域の横の厚さ（すなわち幅）は、Ｒspが低くＶbdが高くなるようにするために、確実に製造できる範囲でできるだけ狭くすることが望ましい。もちろん、横方向の厚さを非常に厚くする方が製造は容易であるが、電流が大きなシリコン領域を通らなければならないので、横方向の厚さを非常に厚くするとデバイスの固有のオン抵抗が損なわれる。一つの実施例では、この厚さは大体０．４〜１．２μｍの範囲である。この例では、メサの厚さは約１μｍである。
図５Ｃは、図５Ｂの状態から、エッチングされた溝部を部分的に誘電体材料、例えば二酸化ケイ素で埋めた後のデバイス構造を示している。図示のように、図５の例では、酸化物領域１０２ａがエッチングされたエピタキシャル領域１０１の一方の側をカバーし、酸化物領域１０２ｂがエピタキシャル領域１０１の他方の側をカバーしている。酸化物領域１０２はまた各溝部においてＮ＋基板１００の上面もカバーしている。
溝部への誘電材料の導入は、種々の周知の方法を用いて行うことができる。例えば、領域１０２を熱的に成長させたり、化学気相成長によって堆積させたり、あるいは液体の状態でスピンナを用いることもできる。誘電体層の厚さは、厚くなるほどＶbdが高くなるので、エピタキシャル層材料１０１の与えられた厚さに対して、必要とされるブレークダウン電圧を与えるように設定することができる。しかしながら、誘電体層の厚さが厚くなると、トランジスタ構造のセルピッチが増し、高い固有のオン抵抗を示す。一つの実施例として、図５のデバイス構造では、酸化物層の横方向の厚さは４μｍである。別のＶbd性能を有するデバイスに対して、この厚さは２μｍ〜５μｍの範囲とすることができる。
図５Ｄは、図５Ｃに続いて、溝部の残りの部分に導電性材料を充填し、その表面を平坦化してフィールドプレート領域１０３を形成したデバイス構造を示している。導電性材料としては、例えば高濃度にドープしたポリシリコン、金属（又は合金）あるいはシリサイドなどを単独で又は混合したものとすることができる。導電性領域１０３ａ及び１０３ｂは、このデバイスのフィールドプレート部材となる。最も多くの場合、フィールドプレート部材はデバイスの導電性やブレークダウン電圧の特性に直接寄与せずにシリコン領域を占めることになるので、フィールドプレート部材１０３ａ及び１０３ｂは、確実に製造できる範囲でできるだけ狭くすべきである。フィールドプレート部材１０３の横方向の厚さは、一つの実施例として大体０．５μｍ〜１．０μｍである。表面の平坦化は、化学的機械的研磨などの従来からの技術によって実行することができる。
プロセスのこの時点で、デバイスの拡張ドレイン領域の形成は本質的に完了する。これ以降の処理ステップは、スタンドアロン高電圧デプレションモードＭＯＳＦＥＴデバイス構造（図５Ｇ及び図６に示す）又は低電圧ＭＯＳＦＥＴ構造（例えば図５Ｋ）高電圧ＦＥＴ、もしくは他の高電圧デバイスを製造するように適合させることができる。
図５Ｅは、図５Ｄに続いて、エピタキシャル層１０１の上面にＮ＋ソース領域１０５の導入を行った後のデバイス構造の断面を横から見た図である。ソース領域１０５は、通常の堆積、拡散、インプランテーションの何れかの技術又はこれらを組み合わせて形成することができる。
Ｎ＋ソース領域１０５の形成の後、このデバイスの上に層間絶縁層１０６が形成される。図５の実施例では、層間絶縁層１０６は、従来からの方法で堆積され、パターニングされた通常の二酸化ケイ素からなる。誘電体層１０６に開口部が形成され、そして導電層の材料（例えば金属、シリサイドetc.）が堆積され、パターニングされて図５Ｆに示す構造が作られる。この断面図において、ソース電極１０９はＮ＋ソース領域１０５との電気的接続を与え、電極１１０ａ及び１１０ｂはそれぞれフィールドプレート部材１０３ａ、１０３ｂとの電気的接続を与える。
図５Ｇは、図５Ｆに続いて、Ｎ＋基板１００の底部にドレイン電極１１１の形成を行ったデバイス構造を示している。ドレイン電極１１１は、例えは金属スパッタリングなど従来からの技術を用いて形成することができる。前述のうように、ドレインのコンタクト抵抗を下げるために、まず基板の底部に、グラインディングやインプランテーションetc.などを行うこともできる。
図５Ｇのデバイスは、スタンドアロンのドリフト領域を有する完成後の高電圧トランジスタを示している。すなわち、図５Ｇのデバイスはエピタキシャル層の上に低電圧の直列ＭＯＳＦＥＴ構造を含んでいない。代わりに、エピタキシャル層によって形成された拡張ドリフト領域それ自身が、Ｐボディ領域を含まずにＭＯＳＦＥＴの機能を果たす。この分野の実務者であれば、ソース電極１０９からドレイン電極１１１まで電子が流れる連続したＮ型の経路が存在するために、このデバイス構造では電流が完全にはオフにならないことが分かるだろう。しかしながら、図５Ｇのデバイス構造における電流は、メサ状のエピタキシャル層１０１が高いドレイン電圧でピンチオフされたときに飽和する。
図６のデバイス構造は、図５Ｇのデバイスよりも低い電圧で拡張ドレイン領域のピンチオフに達する。これは、Ｎ型ドリフト領域の上部近くでフィールドプレート部材１０３とエピタキシャル層１０１の間隔を小さくすることによって達成され、これによって相対的に低い電圧で縦型ドリフト領域をピンチオフするための容量が高くなる。図６は、ピンチオフ電圧すなわち飽和電流を制御するために、酸化物領域１０２ａ及び１０２ｂ内へ縦方向に延びる多段のフィールドプレート構造を示している。あるいはまた同様の結果となるように、フィールドプレート部材を単一のステップ、線形的に変化する縦方向の延長部分、あるいはその他のいくつかの断面形状からなるようにすることができる。
ある種の回路への応用に対しては、図５Ｇのスタンドアロン型のトランジスタ構造を普通の外部の低電圧スイッチングＭＯＳＦＥＴと直列にして利用することが有利であることが、当業者であれば理解されるだろう。このような応用として、低電圧（例えば４０Ｖ）ＭＯＳＦＥＴを、高電圧（例えば７００Ｖ）のトランジスタデバイスにおける電流を完全にオフにするためのスイッチングの目的で用いることができるだろ。
ここで、絶縁ゲートＭＯＳ構造を含む縦型ＨＶＮＭＯＳトランジスタの製造に用いることができる別の処理シーケンスを示した図５Ｈ〜図５Ｋを参照する。
絶縁ゲート構造の形成を行うための溝部１１２ａ及び１１２ｂが、エピタキシャル層１０１の両側の誘電体層それぞれに形成される。溝部１１２ａ及び１１２ｂの深さは、ＭＯＳＦＥＴのチャネルの意図する長さ及びフィールドプレートの形成を考慮して決められる深さで、Ｎ＋ソース領域１０５の表面から延びている。この例では、溝部の深さは約１〜５μｍである。この溝部１１２は、一例として、パターニングされたマスク層を半導体基板上に適切に塗布し、続いて酸化物層１０２に対して従来からのドライエッチング又はウェットエッチング技術を適用して形成される。
図５Ｊは、溝部１１２内にゲートの誘電体層１１６及びゲート部材１１３の形成を行った後のデバイスを示している。ゲートの誘電体層１１６ａ及び１１６ｂは、積層したＮ＋ソース、Ｐボディ、及びエピタキシャル領域の側壁に、酸化物を成長させるか又は堆積させて形成することができる。デバイスのしきい値電圧によって、層１１６の厚さを決定する。一実施例として層１１６は、２５０〜１０００オングストロームの厚さを有する二酸化ケイ素からなる。
この実施例において、誘電体層１１２の部分は、フィールドプレート部材１０３をゲート部材１１３から分離している。あるいは、溝部１１２によりフィールドプレート１０３の上部を露出させ、層１１６を形成したのと同じ処理ステップを用いてフィールドプレートの側壁に誘電体層を形成して、フィールドプレートをゲート部材から分離することもできる。
誘電体層１１６が溝部１１２の側壁に形成されたら、溝部の残りの部分を充填すべくドープしたポリシリコンなどの導電性材料を堆積させることができる。この実施例ではドープしたポリシリコンで、ＭＯＳトランジスタ構造のゲート部材１１３ａ及び１１３ｂを形成している。図５Ｊは、エピタキシャル領域１０１の上面上にＰボディ領域１０７及びＮ＋ソース領域１０５を導入したあとのデバイスを示している。領域１０７、１０５は、標準的なインプランテーション、堆積、熱拡散といった処理ステップのうちの一つ又はこれらを組み合わせて形成することができる。完成したデバイスにおいて、ゲート部材１１３に十分な電圧を印加すると、Ｎ＋ソース領域１０５とエピタキシャル領域１０１の間のＰボディ領域１０７の側壁部分に沿って導電性のチャネルが形成される。したがって、チャネルの長さはＰボディ領域１０７の厚さによって決定され、図示した実施例では約０．５μｍ〜３．０μｍであり、Ｎ＋ソース領域１０５は大体０．１〜０．５μｍの範囲である。チャネルの長さが短いとそれだけチャネル抵抗は低く、したがってデバイスのオン抵抗も低くなる。しかしながら、チャネルが短くなりすぎるとパンチスルーの問題が生じるということを理解すべきである。
図５Ｋは、続いて層間誘電体層１０６（例えば二酸化ケイ素、窒化シリコンetc.）が形成された完成後のＨＶＦＥＴを示している。この層を堆積させ、パターニングして、コンタクト開口を形成することができる。図示の実施例では、層１０６のエッチングに続いて、フィールドプレート、ゲート部材、Ｎ＋及びＰボディ領域のエッチングがなされる。これに続いて導電層（例えば金属、シリサイドetc.）の堆積が行われて、ソース電極１０９、ゲート電極１１５、そしてフィールドプレート電極１１０が形成され、これによってデバイスの各領域との電気的接続が与えられる。上で述べた選択的なエッチングステップによって、Ｎ＋ソース領域をパターニングせずにソース電極をＰボディ領域と接続させることができるので、処理が簡単化される。そして、導電層を基板１００の底部に塗布して（グラインディング、エッチング、インプランティングetc.による選択的処理の後で）ドレイン電極１１１を形成することができる。
図５Ｋの断面図ではソース電極１０９はＰボディ１０７まで延びているが、他の実施例では、この電極をソース領域１０５の上部表面まで延ばすだけとすることもできる。電極１０９は領域１０５を二つの分離したソース領域に分離していない。むしろ電極１０９は、領域１０５の部分のＮ＋材料に囲まれるプラグ状に形成されている。
本発明の一実施例である縦型高電圧電界効果トランジスタ（ＨＶＦＥＴ）デバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明に基づいて製造されたラテラルＨＶＦＥＴの一実施例の断面を横から見た図である。 本発明の他の実施例に基づいて製造されたラテラルＨＶＦＥＴの平面図である。 図３Ａで線Ａ−Ａ’に沿って切り取って示したラテラルＨＶＦＥＴの断面を横から見た図である。 本発明に基づいて製造されたラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の別の実施例の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明のさらに別の実施例に基づいた製造プロセスの種々の段階から取り出したラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造の断面を横から見た図である。 本発明に基づいて製造されたラテラルＨＶＦＥＴデバイス構造のさらに別の実施例の断面を横から見た図である。

Claims (10)

  1. 基板の上面を覆う絶縁層を含み、
    前記絶縁層の上に配置された第一の導電型のドレイン領域を含み、
    第一の導電型のソース領域を含み、
    前記絶縁層の上に配置された平行に配列された複数の第一の導電型のドリフト領域を含み、各ドリフト領域はドレイン領域からソース領域へ向かう第一の方向に延在し、隣接するドリフト領域は第一の方向と実質的に直交する第二の方向において誘電体層によって分離されており、
    各誘電体層の中に配置されたフィールドプレート部材を含み、該フィールドプレート部材はドリフト領域から完全に絶縁されている、
    基板上に形成されたラテラル高電圧トランジスタ。
  2. 前記第二の方向が、基板の底面に実質的に平行な方向である請求項１に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  3. 前記第二の方向が、基板の底面に実質的に垂直な方向である請求項１に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  4. さらに、ドレイン領域と電気的に接続されたドレイン電極と、
    ソース領域と電気的に接続されたソース電極と、
    を含んでいる請求項１に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  5. 第一の導電型はｎ型であり、第二の導電型はｐ型である、請求項１に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  6. 第一の導電型のドレイン領域を含み、
    第一の導電型のソース領域を含み、
    前記ドレイン領域から前記ソース領域へ向かう第一の方向に実質的に平行に延在する第一の導電型の複数のドリフト領域を含んでおり、隣り合うドレイン領域は第一の方向と実質的に直交する第二の方向において誘電体層によって分離され、
    誘電体層に配置された少なくとも一つのフィールドプレート部材を含んでおり、当該少なくとも一つのフィールドプレート部材はドリフト領域から完全に絶縁され、かつ、ドレイン領域から電気的に分離されている、
    ラテラル高電圧トランジスタ。
  7. 前記少なくとも一つのフィールドプレート部材は導電性材料を含んでいる、請求項６に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  8. 前記ラテラル高電圧トランジスタは底面を有する半導体基板上に作製され、前記第一の方向は、前記底面と実質的に平行な方向であり、前記第二の方向は前記底面に対して実質的に直交する方向である、請求項６に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  9. 高電圧トランジスタは底面を有する半導体基板上に作製され、第一及び第二の方向は前記底面と実質的に平行である請求項６に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
  10. 第一の導電型はｎ型であり、第二の導電型はｐ型である、請求項６に記載のラテラル高電圧トランジスタ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012191023A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタとその製造方法

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525372B2 (en) * 2000-11-16 2003-02-25 Silicon Wireless Corporation Vertical power devices having insulated source electrodes in discontinuous deep trenches
US7221011B2 (en) * 2001-09-07 2007-05-22 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-gradient drain doping profile
US6635544B2 (en) 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US7786533B2 (en) * 2001-09-07 2010-08-31 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with edge termination structure
US6555873B2 (en) * 2001-09-07 2003-04-29 Power Integrations, Inc. High-voltage lateral transistor with a multi-layered extended drain structure
US6573558B2 (en) * 2001-09-07 2003-06-03 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure
US6555883B1 (en) * 2001-10-29 2003-04-29 Power Integrations, Inc. Lateral power MOSFET for high switching speeds
US7576388B1 (en) * 2002-10-03 2009-08-18 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-gate LDMOS structures
DE10313712B4 (de) * 2003-03-27 2008-04-03 Infineon Technologies Ag Laterales mittels Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement für HF-Anwendungen
US8133789B1 (en) 2003-04-11 2012-03-13 Purdue Research Foundation Short-channel silicon carbide power mosfet
AU2003227926A1 (en) * 2003-05-13 2004-12-03 Cambridge Semiconductor Limited Lateral soi semiconductor device
GB0314390D0 (en) * 2003-06-20 2003-07-23 Koninkl Philips Electronics Nv Trench field effect transistor structure
US7023050B2 (en) * 2003-07-11 2006-04-04 Salama C Andre T Super junction / resurf LDMOST (SJR-LDMOST)
DE10339488B3 (de) * 2003-08-27 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Laterales Halbleiterbauelement mit einer wenigstens eine Feldelektrode aufweisenden Driftzone
GB0326237D0 (en) * 2003-11-11 2003-12-17 Koninkl Philips Electronics Nv Insulated gate field effect transistor
US7091556B2 (en) * 2003-12-24 2006-08-15 Texas Instruments Incorporated High voltage drain-extended transistor
US7268395B2 (en) * 2004-06-04 2007-09-11 International Rectifier Corporation Deep trench super switch device
DE102004064308B3 (de) 2004-08-25 2018-10-31 Infineon Technologies Austria Ag Laterale Halbleiterdiode mit einer Feldelektrode und einer Eckstruktur
DE102004041198B4 (de) * 2004-08-25 2016-06-09 Infineon Technologies Austria Ag Laterales Halbleiterbauelement mit einer Feldelektrode und einer Entladestruktur
US7465986B2 (en) * 2004-08-27 2008-12-16 International Rectifier Corporation Power semiconductor device including insulated source electrodes inside trenches
DE102004047772B4 (de) 2004-09-30 2018-12-13 Infineon Technologies Ag Lateraler Halbleitertransistor
US7411249B1 (en) * 2004-11-09 2008-08-12 Blanchard Richard A Lateral high-voltage transistor with vertically-extended voltage-equalized drift region
US20080261358A1 (en) * 2005-02-07 2008-10-23 Nxp B.V. Manufacture of Lateral Semiconductor Devices
WO2006085267A2 (en) * 2005-02-08 2006-08-17 Nxp B.V. Semiconductor device with trench field plate
US20060197153A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-07 Chih-Feng Huang Vertical transistor with field region structure
DE102005008354B4 (de) * 2005-02-23 2007-12-27 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP2006303287A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Toshiba Corp 電力用半導体装置
GB0508407D0 (en) * 2005-04-26 2005-06-01 Ami Semiconductor Belgium Bvba Alignment of trench for MOS
US20060255401A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-16 Yang Robert K Increasing breakdown voltage in semiconductor devices with vertical series capacitive structures
US7535057B2 (en) * 2005-05-24 2009-05-19 Robert Kuo-Chang Yang DMOS transistor with a poly-filled deep trench for improved performance
CN101203960B (zh) * 2005-06-22 2012-09-26 Nxp股份有限公司 具有高击穿电压的半导体器件及其制造方法
US20070012983A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Yang Robert K Terminations for semiconductor devices with floating vertical series capacitive structures
US8461648B2 (en) 2005-07-27 2013-06-11 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component with a drift region and a drift control region
CN101288179B (zh) 2005-07-27 2010-05-26 英飞凌科技奥地利股份公司 具有漂移区和漂移控制区的半导体器件
US8110868B2 (en) 2005-07-27 2012-02-07 Infineon Technologies Austria Ag Power semiconductor component with a low on-state resistance
DE102006009942B4 (de) * 2006-03-03 2012-02-09 Infineon Technologies Austria Ag Laterales Halbleiterbauelement mit niedrigem Einschaltwiderstand
US7381603B2 (en) * 2005-08-01 2008-06-03 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor structure with improved on resistance and breakdown voltage performance
US7276766B2 (en) * 2005-08-01 2007-10-02 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor structure with improved on resistance and breakdown voltage performance
DE102005043916B3 (de) * 2005-09-14 2006-12-21 Infineon Technologies Austria Ag Leistungshalbleiterbauelement mit einer Feldelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005047056B3 (de) * 2005-09-30 2007-01-18 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement mit einer Feldelektrodenstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Feldelektrodenstruktur
JP5017865B2 (ja) * 2006-01-17 2012-09-05 富士電機株式会社 半導体装置
WO2007110832A2 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Nxp B.V. Trench-gate semiconductor device and method of fabrication thereof
JP2007273920A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Eudyna Devices Inc 半導体装置およびその製造方法
JP5011881B2 (ja) * 2006-08-11 2012-08-29 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP4304198B2 (ja) * 2006-09-15 2009-07-29 株式会社東芝 半導体装置
US7381618B2 (en) * 2006-10-03 2008-06-03 Power Integrations, Inc. Gate etch process for a high-voltage FET
US8093621B2 (en) * 2008-12-23 2012-01-10 Power Integrations, Inc. VTS insulated gate bipolar transistor
DE102006055742B4 (de) * 2006-11-25 2011-07-14 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelementanordnung mit mehreren zu einer Driftzone benachbart angeordneten Steuerelektroden
US8564057B1 (en) * 2007-01-09 2013-10-22 Maxpower Semiconductor, Inc. Power devices, structures, components, and methods using lateral drift, fixed net charge, and shield
CN101641763B (zh) * 2007-01-09 2012-07-04 威力半导体有限公司 半导体器件及其制造方法
DE102007002965A1 (de) 2007-01-19 2008-07-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Struktur oder Varistorstruktur in einem Graben eines Halbleiterkörper
DE102007004323A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Infineon Technologies Austria Ag Bauelementanordnung mit einem eine Feldelektrode aufweisenden MOS-Transistor
DE102007004331B4 (de) 2007-01-29 2014-08-21 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement mit reduziertem mechanischen Stress
US7859037B2 (en) * 2007-02-16 2010-12-28 Power Integrations, Inc. Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout
US7557406B2 (en) * 2007-02-16 2009-07-07 Power Integrations, Inc. Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor
US7468536B2 (en) 2007-02-16 2008-12-23 Power Integrations, Inc. Gate metal routing for transistor with checkerboarded layout
US8653583B2 (en) * 2007-02-16 2014-02-18 Power Integrations, Inc. Sensing FET integrated with a high-voltage transistor
US7595523B2 (en) * 2007-02-16 2009-09-29 Power Integrations, Inc. Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure
US20080203470A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Infineon Technologies Austria Ag Lateral compensation component
DE102007033839B4 (de) * 2007-07-18 2015-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
TWI357108B (en) * 2007-08-21 2012-01-21 Nat Univ Tsing Hua Semiconductor device structure
DE102007046556A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement mit Kupfermetallisierungen
US7842552B2 (en) * 2007-10-12 2010-11-30 International Business Machines Corporation Semiconductor chip packages having reduced stress
US7875962B2 (en) * 2007-10-15 2011-01-25 Power Integrations, Inc. Package for a power semiconductor device
US8129815B2 (en) 2009-08-20 2012-03-06 Power Integrations, Inc High-voltage transistor device with integrated resistor
US7772668B2 (en) * 2007-12-26 2010-08-10 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with multiple channels
US7888732B2 (en) * 2008-04-11 2011-02-15 Texas Instruments Incorporated Lateral drain-extended MOSFET having channel along sidewall of drain extension dielectric
US8035112B1 (en) * 2008-04-23 2011-10-11 Purdue Research Foundation SIC power DMOSFET with self-aligned source contact
US7964912B2 (en) 2008-09-18 2011-06-21 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar
US20100155831A1 (en) * 2008-12-20 2010-06-24 Power Integrations, Inc. Deep trench insulated gate bipolar transistor
US7871882B2 (en) 2008-12-20 2011-01-18 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a deep trench insulated gate bipolar transistor
US8004051B2 (en) * 2009-02-06 2011-08-23 Texas Instruments Incorporated Lateral trench MOSFET having a field plate
US8207455B2 (en) * 2009-07-31 2012-06-26 Power Integrations, Inc. Power semiconductor package with bottom surface protrusions
US8115457B2 (en) 2009-07-31 2012-02-14 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for implementing a power converter input terminal voltage discharge circuit
CA2769940C (en) 2009-08-04 2016-04-26 Gan Systems Inc. Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors
US9029866B2 (en) * 2009-08-04 2015-05-12 Gan Systems Inc. Gallium nitride power devices using island topography
US9818857B2 (en) 2009-08-04 2017-11-14 Gan Systems Inc. Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices
US8207577B2 (en) * 2009-09-29 2012-06-26 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor structure with reduced gate capacitance
US7893754B1 (en) 2009-10-02 2011-02-22 Power Integrations, Inc. Temperature independent reference circuit
US8634218B2 (en) * 2009-10-06 2014-01-21 Power Integrations, Inc. Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage
US8310845B2 (en) * 2010-02-10 2012-11-13 Power Integrations, Inc. Power supply circuit with a control terminal for different functional modes of operation
WO2011127568A1 (en) 2010-04-13 2011-10-20 Gan Systems Inc. High density gallium nitride devices using island topology
US8164125B2 (en) 2010-05-07 2012-04-24 Power Integrations, Inc. Integrated transistor and anti-fuse as programming element for a high-voltage integrated circuit
US8305826B2 (en) 2010-05-07 2012-11-06 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for programming an anti-fuse element in a high-voltage integrated circuit
US7932738B1 (en) 2010-05-07 2011-04-26 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for reading a programmable anti-fuse element in a high-voltage integrated circuit
US7977193B1 (en) * 2010-08-20 2011-07-12 Monolithic Power Systems, Inc. Trench-gate MOSFET with capacitively depleted drift region
US7977742B1 (en) * 2010-08-20 2011-07-12 Monolithic Power Systems, Inc. Trench-gate MOSFET with capacitively depleted drift region
US8299547B2 (en) 2011-01-03 2012-10-30 International Business Machines Corporation Lateral extended drain metal oxide semiconductor field effect transistor (LEDMOSFET) with tapered dielectric plates
US8901676B2 (en) 2011-01-03 2014-12-02 International Business Machines Corporation Lateral extended drain metal oxide semiconductor field effect transistor (LEDMOSFET) having a high drain-to-body breakdown voltage (Vb), a method of forming an LEDMOSFET, and a silicon-controlled rectifier (SCR) incorporating a complementary pair of LEDMOSFETs
US8723178B2 (en) 2012-01-20 2014-05-13 Monolithic Power Systems, Inc. Integrated field effect transistors with high voltage drain sensing
US8653600B2 (en) 2012-06-01 2014-02-18 Power Integrations, Inc. High-voltage monolithic schottky device structure
JP6107430B2 (ja) * 2012-06-08 2017-04-05 豊田合成株式会社 半導体装置
US8765609B2 (en) 2012-07-25 2014-07-01 Power Integrations, Inc. Deposit/etch for tapered oxide
US8642427B1 (en) * 2012-08-02 2014-02-04 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
US9076763B2 (en) * 2012-08-13 2015-07-07 Infineon Technologies Austria Ag High breakdown voltage III-nitride device
TWI463666B (zh) * 2012-10-05 2014-12-01 Vanguard Int Semiconduct Corp 半導體裝置及其製造方法
US9245960B2 (en) * 2013-02-08 2016-01-26 Globalfoundries Inc. Lateral extended drain metal oxide semiconductor field effect transistor (LEDMOSFET) with tapered airgap field plates
US9455621B2 (en) 2013-08-28 2016-09-27 Power Integrations, Inc. Controller IC with zero-crossing detector and capacitor discharge switching element
US9111766B2 (en) 2013-09-24 2015-08-18 Infineon Technologies Austria Ag Transistor device with a field electrode
US10325988B2 (en) 2013-12-13 2019-06-18 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped field plates
US9543396B2 (en) 2013-12-13 2017-01-10 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions
US9312382B2 (en) * 2014-07-22 2016-04-12 Empire Technology Development Llc High voltage transistor device with reduced characteristic on resistance
US9564515B2 (en) * 2014-07-28 2017-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same
JP6299581B2 (ja) 2014-12-17 2018-03-28 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2016171268A (ja) 2015-03-16 2016-09-23 株式会社東芝 半導体装置
DE102015112414A1 (de) * 2015-07-29 2017-02-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum herstellen einer halbleiterstruktur und halbleitervorrichtung
US9667154B2 (en) 2015-09-18 2017-05-30 Power Integrations, Inc. Demand-controlled, low standby power linear shunt regulator
US9602009B1 (en) 2015-12-08 2017-03-21 Power Integrations, Inc. Low voltage, closed loop controlled energy storage circuit
WO2017111852A1 (en) * 2015-12-24 2017-06-29 Intel Corporation Vertical iii-n transistors with lateral epitaxial overgrowth
US9629218B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Power Integrations, Inc. Thermal protection for LED bleeder in fault condition
JP6849695B2 (ja) 2016-04-08 2021-03-24 パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド 半導体デバイスのための集積抵抗器
US10135357B1 (en) 2017-09-07 2018-11-20 Power Integrations, Inc. Threshold detection with tap
EP4250359A1 (en) * 2022-03-24 2023-09-27 Infineon Technologies Austria AG Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09266311A (ja) * 1996-01-22 1997-10-07 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2000014807A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-16 Siemens Aktiengesellschaft Hochspannungs-halbleiterbauelement
JP2000349288A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Fuji Electric Co Ltd 縦型ｍｏｓｆｅｔ
JP2001044424A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Toshiba Corp 高耐圧半導体装置
JP2001085688A (ja) * 1999-09-14 2001-03-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US493951A (en) * 1893-03-21 Continuous brick-kiln
US3127703A (en) * 1962-05-24 1964-04-07 Ronald E Eshelman Adjustable guide strips or ground members
JPS5638867A (en) 1979-09-07 1981-04-14 Hitachi Ltd Insulated gate type field effect transistor
US4343015A (en) 1980-05-14 1982-08-03 General Electric Company Vertical channel field effect transistor
JPS5710975A (en) 1980-06-25 1982-01-20 Sanyo Electric Co Ltd High dielectric strength high transistor
JPS5712557A (en) 1980-06-25 1982-01-22 Sanyo Electric Co Ltd High dielectric resisting mos transistor
JPS5712558A (en) 1980-06-25 1982-01-22 Sanyo Electric Co Ltd Mos transistor having high withstand voltage
GB2089119A (en) 1980-12-10 1982-06-16 Philips Electronic Associated High voltage semiconductor devices
US4626879A (en) 1982-12-21 1986-12-02 North American Philips Corporation Lateral double-diffused MOS transistor devices suitable for source-follower applications
US4738936A (en) 1983-07-01 1988-04-19 Acrian, Inc. Method of fabrication lateral FET structure having a substrate to source contact
US4626789A (en) 1983-08-19 1986-12-02 Hitachi, Ltd. Demodulating circuit for data signal
JPS6064471A (ja) 1983-09-19 1985-04-13 Nec Corp 高電圧絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ
US4531173A (en) 1983-11-02 1985-07-23 Motorola, Inc. Protective power foldback circuit for a power semiconductor
US4618541A (en) 1984-12-21 1986-10-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article
US4665426A (en) 1985-02-01 1987-05-12 Advanced Micro Devices, Inc. EPROM with ultraviolet radiation transparent silicon nitride passivation layer
US4963951A (en) 1985-11-29 1990-10-16 General Electric Company Lateral insulated gate bipolar transistors with improved latch-up immunity
US4764800A (en) 1986-05-07 1988-08-16 Advanced Micro Devices, Inc. Seal structure for an integrated circuit
US4796070A (en) * 1987-01-15 1989-01-03 General Electric Company Lateral charge control semiconductor device and method of fabrication
US5010024A (en) 1987-03-04 1991-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Passivation for integrated circuit structures
US4811075A (en) 1987-04-24 1989-03-07 Power Integrations, Inc. High voltage MOS transistors
US4890144A (en) 1987-09-14 1989-12-26 Motorola, Inc. Integrated circuit trench cell
JPH01112764A (ja) 1987-10-27 1989-05-01 Nec Corp 半導体装置
US4939566A (en) 1987-10-30 1990-07-03 North American Philips Corporation Semiconductor switch with parallel DMOS and IGT
US4926074A (en) 1987-10-30 1990-05-15 North American Philips Corporation Semiconductor switch with parallel lateral double diffused MOS transistor and lateral insulated gate transistor
US4890146A (en) 1987-12-16 1989-12-26 Siliconix Incorporated High voltage level shift semiconductor device
US4922327A (en) 1987-12-24 1990-05-01 University Of Toronto Innovations Foundation Semiconductor LDMOS device with upper and lower passages
US4929987A (en) 1988-02-01 1990-05-29 General Instrument Corporation Method for setting the threshold voltage of a power mosfet
US5025296A (en) 1988-02-29 1991-06-18 Motorola, Inc. Center tapped FET
US5283201A (en) 1988-05-17 1994-02-01 Advanced Power Technology, Inc. High density power device fabrication process
US5237193A (en) 1988-06-24 1993-08-17 Siliconix Incorporated Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance
EP0371785B1 (en) 1988-11-29 1996-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Lateral conductivity modulated MOSFET
JP2877408B2 (ja) 1990-01-12 1999-03-31 株式会社東芝 導電変調型ｍｏｓｆｅｔ
JP2597412B2 (ja) 1990-03-20 1997-04-09 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5040045A (en) 1990-05-17 1991-08-13 U.S. Philips Corporation High voltage MOS transistor having shielded crossover path for a high voltage connection bus
JP2991753B2 (ja) 1990-08-27 1999-12-20 松下電子工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5386136A (en) 1991-05-06 1995-01-31 Siliconix Incorporated Lightly-doped drain MOSFET with improved breakdown characteristics
US5146298A (en) 1991-08-16 1992-09-08 Eklund Klas H Device which functions as a lateral double-diffused insulated gate field effect transistor or as a bipolar transistor
US5258636A (en) 1991-12-12 1993-11-02 Power Integrations, Inc. Narrow radius tips for high voltage semiconductor devices with interdigitated source and drain electrodes
US5270264A (en) 1991-12-20 1993-12-14 Intel Corporation Process for filling submicron spaces with dielectric
JP3435173B2 (ja) 1992-07-10 2003-08-11 株式会社日立製作所 半導体装置
US5294824A (en) * 1992-07-31 1994-03-15 Motorola, Inc. High voltage transistor having reduced on-resistance
JP3076468B2 (ja) 1993-01-26 2000-08-14 松下電子工業株式会社 半導体装置
US5313082A (en) 1993-02-16 1994-05-17 Power Integrations, Inc. High voltage MOS transistor with a low on-resistance
DE4309764C2 (de) 1993-03-25 1997-01-30 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
US5349225A (en) 1993-04-12 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Field effect transistor with a lightly doped drain
JP3198200B2 (ja) * 1993-04-30 2001-08-13 株式会社東芝 縦型ｍｏｓトランジスタの製造方法
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
BE1007283A3 (nl) * 1993-07-12 1995-05-09 Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting met een most voorzien van een extended draingebied voor hoge spanningen.
DE69322963T2 (de) 1993-09-17 1999-06-24 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Eine integrierte Vorrichtung mit einem bipolaren Transistor und einem MOSFET Transistor in Emittorschaltungsanordnung
US5523604A (en) 1994-05-13 1996-06-04 International Rectifier Corporation Amorphous silicon layer for top surface of semiconductor device
US5494853A (en) 1994-07-25 1996-02-27 United Microelectronics Corporation Method to solve holes in passivation by metal layout
US5521105A (en) 1994-08-12 1996-05-28 United Microelectronics Corporation Method of forming counter-doped island in power MOSFET
US6075259A (en) 1994-11-14 2000-06-13 North Carolina State University Power semiconductor devices that utilize buried insulating regions to achieve higher than parallel-plane breakdown voltages
US5550405A (en) 1994-12-21 1996-08-27 Advanced Micro Devices, Incorporated Processing techniques for achieving production-worthy, low dielectric, low interconnect resistance and high performance ICS
US5656543A (en) 1995-02-03 1997-08-12 National Semiconductor Corporation Fabrication of integrated circuits with borderless vias
EP0726603B1 (en) 1995-02-10 1999-04-21 SILICONIX Incorporated Trenched field effect transistor with PN depletion barrier
US5670828A (en) 1995-02-21 1997-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Tunneling technology for reducing intra-conductive layer capacitance
JP3291958B2 (ja) 1995-02-21 2002-06-17 富士電機株式会社 バックソースｍｏｓｆｅｔ
US6049108A (en) 1995-06-02 2000-04-11 Siliconix Incorporated Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping
US5659201A (en) 1995-06-05 1997-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. High conductivity interconnection line
KR100188096B1 (ko) 1995-09-14 1999-06-01 김광호 반도체 장치 및 그 제조 방법
US5637898A (en) 1995-12-22 1997-06-10 North Carolina State University Vertical field effect transistors having improved breakdown voltage capability and low on-state resistance
GB2309336B (en) 1996-01-22 2001-05-23 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
DE59707158D1 (de) 1996-02-05 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement
DE19611045C1 (de) 1996-03-20 1997-05-22 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
EP2043158B1 (en) 1996-07-19 2013-05-15 SILICONIX Incorporated Trench DMOS transistor with trench bottom implant
US5841166A (en) 1996-09-10 1998-11-24 Spectrian, Inc. Lateral DMOS transistor for RF/microwave applications
US6207994B1 (en) 1996-11-05 2001-03-27 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor with multi-layer conduction region
KR100228331B1 (ko) 1996-12-30 1999-11-01 김영환 반도체 소자의 삼중웰 제조 방법
JP3393544B2 (ja) 1997-02-26 2003-04-07 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6133607A (en) * 1997-05-22 2000-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US5869875A (en) 1997-06-10 1999-02-09 Spectrian Lateral diffused MOS transistor with trench source contact
US6194283B1 (en) 1997-10-29 2001-02-27 Advanced Micro Devices, Inc. High density trench fill due to new spacer fill method including isotropically etching silicon nitride spacers
JP3129264B2 (ja) * 1997-12-04 2001-01-29 日本電気株式会社 化合物半導体電界効果トランジスタ
WO1999034449A2 (en) 1997-12-24 1999-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. A high voltage thin film transistor with improved on-state characteristics and method for making same
JP3211771B2 (ja) 1998-05-26 2001-09-25 日本電気株式会社 音声送受信装置
US6077748A (en) * 1998-10-19 2000-06-20 Advanced Micro Devices, Inc. Advanced trench isolation fabrication scheme for precision polysilicon gate control
US5998833A (en) 1998-10-26 1999-12-07 North Carolina State University Power semiconductor devices having improved high frequency switching and breakdown characteristics
KR100275500B1 (ko) * 1998-10-28 2000-12-15 정선종 집적화된 고전압 전력 소자 제조방법
DE19854915C2 (de) 1998-11-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag MOS-Feldeffekttransistor mit Hilfselektrode
JP2000228521A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US6191447B1 (en) 1999-05-28 2001-02-20 Micro-Ohm Corporation Power semiconductor devices that utilize tapered trench-based insulating regions to improve electric field profiles in highly doped drift region mesas and methods of forming same
US6365932B1 (en) 1999-08-20 2002-04-02 Denso Corporation Power MOS transistor
US6127703A (en) 1999-08-31 2000-10-03 Philips Electronics North America Corporation Lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS device having a drain extension region
US6489653B2 (en) 1999-12-27 2002-12-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Lateral high-breakdown-voltage transistor
US6376878B1 (en) * 2000-02-11 2002-04-23 Fairchild Semiconductor Corporation MOS-gated devices with alternating zones of conductivity
GB0003185D0 (en) 2000-02-12 2000-04-05 Koninkl Philips Electronics Nv An insulated gate field effect device
GB0012138D0 (en) * 2000-05-20 2000-07-12 Koninkl Philips Electronics Nv A semiconductor device
US6781194B2 (en) 2001-04-11 2004-08-24 Silicon Semiconductor Corporation Vertical power devices having retrograded-doped transition regions and insulated trench-based electrodes therein
JP4285899B2 (ja) * 2000-10-10 2009-06-24 三菱電機株式会社 溝を有する半導体装置
US6525372B2 (en) 2000-11-16 2003-02-25 Silicon Wireless Corporation Vertical power devices having insulated source electrodes in discontinuous deep trenches
US6468847B1 (en) 2000-11-27 2002-10-22 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor
US6509220B2 (en) 2000-11-27 2003-01-21 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor
US6853033B2 (en) 2001-06-05 2005-02-08 National University Of Singapore Power MOSFET having enhanced breakdown voltage
US6555873B2 (en) 2001-09-07 2003-04-29 Power Integrations, Inc. High-voltage lateral transistor with a multi-layered extended drain structure
US6635544B2 (en) 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US6573558B2 (en) 2001-09-07 2003-06-03 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09266311A (ja) * 1996-01-22 1997-10-07 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
WO2000014807A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-16 Siemens Aktiengesellschaft Hochspannungs-halbleiterbauelement
JP2000349288A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Fuji Electric Co Ltd 縦型ｍｏｓｆｅｔ
JP2001044424A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Toshiba Corp 高耐圧半導体装置
JP2001085688A (ja) * 1999-09-14 2001-03-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012191023A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4744057B2 (ja) 2011-08-10
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US6555873B2 (en) 2003-04-29
US6798020B2 (en) 2004-09-28
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