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  1. パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系を備え;
    前記投影光学系の前記液体と接触する部分は、液体との親和性を調整するために表面処理されている露光装置。
  2. 前記基板の露光は、前記基板を走査方向に移動しながら行われる請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記表面処理は、前記液体の極性に応じて行われる請求項1又は2に記載の露光装置。
  4. 前記液体は水であって、前記液体と接触する部分には、極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成することにより前記表面処理がされている請求項3に記載の露光装置。
  5. 前記液体はフッ素系液体であって、前記液体と接触する部分には、極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することにより前記表面処理がされている請求項3に記載の露光装置。
  6. 前記投影光学系の液体と接触する部分は、前記投影光学系の先端の光学素子の表面と該光学素子を保持する保持部材の表面の少なくとも一部とを含み、前記光学素子表面と前記保持部材の表面の少なくとも一部とはいずれも前記液体に対する親和性が高くなるように表面処理されている請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。
  7. 前記投影光学系の液体と接触する部分のうちの少なくとも露光光が通過する部分は、前記液体との親和性が高くなるように表面処理されている請求項1に記載の露光装置。
  8. パターンの像を液体を介して基板上に転写して基板を露光する露光装置であって:
    前記パターンの像を基板に投影する投影光学系を備え;
    前記投影光学系が、その先端の光学素子表面を含む第1表面領域と、第1表面領域周辺の第2表面領域とを有し、
    第1表面領域の液体に対する親和性が、第2表面領域の液体に対する親和性よりも高い露光装置。
  9. 前記第1表面領域の前記液体に対する親和性を、前記第2表面領域の前記液体に対する親和性よりも高いことによって、前記液体が前記第1表面領域内に保持される請求項8に記載の露光装置。
  10. 前記投影光学系と前記基板との間における前記液体の厚さをd、前記投影光学系と前記基板との間における前記液体の流れの速度をv、前記液体の密度をρ、前記液体の粘性係数をμとして、条件式
    (v・d・ρ)/μ≦2000
    を満たすことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
  11. 前記投影光学系と前記基板との間の少なくとも一部に、前記液体を流す液浸装置を備え、前記液体は層流として流れることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
  12. 投影光学系によるパターンの像を基板上に投影して基板を露光する露光方法において:
    露光前に、基板の表面を、液体との親和性を調整するために表面処理することと;
    投影光学系と基板との間の少なくとも一部を液体で満たすことと;
    パターンの像を、液体を介して基板上に投影することとを含む露光方法。
  13. 前記基板の露光は、前記基板を走査方向に移動しながら行われる請求項12に記載の露光方法。
  14. 前記表面処理は、前記液体の極性に応じて行われる請求項12又は13に記載の露光方法。
  15. 前記液体は水であって、前記液体と接触する部分には、極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成する請求項14に記載の露光方法。
  16. 前記液体はフッ素系液体であって、前記液体と接触する部分には、極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成する請求項14に記載の露光方法。
  17. 請求項12〜16のいずれか一項に記載の露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
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