JP2004178793A - 磁気離散トラック記録ディスク - Google Patents

Abstract

【課題】信号対雑音比（ＳＮＲ）および解像度が最適で最良の性能が得られる磁気記録ディスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクに離散トラック記録パターンを形成する方法において、一実施形態では、離散トラック記録パターンを通じて連続するＮｉＰ層１３０に離散トラック記録パターンを形成することができる。あるいは、離散トラック記録パターンを基板１２０に形成することができる。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、ディスク・ドライブの分野、特にディスク・ドライブ・システムに使用されるディスクに関する。

ディスク・ドライブ・システムは、１つまたは複数の磁気記録ディスク、およびディスクにデータを記憶するための制御機構を含む。ディスクは、祖面化された基板、および多膜層から構成される。たいていのシステムでは、アルミニウム系の基板が使用される。しかし、ガラスなど代替基板は様々な性能上の利点を有し、その結果、ガラス基板を使用することが望ましい。ディスク上の膜層の１つは、データを記憶するのに使用される磁性層である。データの読取りおよび書込みは、読み書きヘッドをディスク上で浮動させて、ディスクの磁性層の特性を変化させることによって行われる。読み書きヘッドは、典型的には、ディスク上を浮動する、スライダと呼ばれるより大きな本体の一部であるか、またはそれに取りつけられている。

磁気ハード・ディスク・ドライブの設計の傾向は、ディスク・ドライブ・システムの記録密度を高めることである。記録密度は、ディスクの所定領域に記憶することができるデータの量の尺度である。記録密度を高めるために、例えば、ヘッド技術がフェライト・ヘッドからフィルム・ヘッドに移行し、後に磁気抵抗（ＭＲ）およびジャイアント磁気抵抗（ＧＭＲ）ヘッドに移行した。

面積当たりの密度（単位表面積当たりの記憶ビット数）を高めるには、データ・トラックが互いに接近していることが必要である。トラック幅が非常に狭くなるため、トラックのずれ（例えば熱膨張）が生じると、隣接トラックによってヘッドによる書込みおよび／または読取りが影響を受ける。このような挙動は、一般に、隣接トラック干渉（ＡＴＩ）と呼ばれる。ＡＴＩに対処するための１つの方法は、ディスクの表面をパターン化して、離散トラック記録（ＤＴＲ）と称する離散したデータ・トラックを形成することである。ＤＴＲディスクは、典型的には、データを記憶させるための一連の同心隆起ゾーン（ヒル、ランド、エレベーションなどとしても知られる）、およびトラック間の分離を確保してノイズを低減する窪みゾーン（トラフ、バリー、グルーブなどとしても知られる）を有する。トラック間に間隙を設けることにより、ヘッドによる読取りおよび／または書込みをより容易に行うことができる。当該窪みゾーンにサーボ情報を記憶することもできる。窪みゾーンは、隆起ゾーン同士を隔離して、窪みゾーンへの意図しないデータの記憶を抑制または防止する。

磁気媒体の円周配向(circumferential orientation)が「好ましい」ものであると、最適の信号対雑音比（ＳＮＲ）が達成されて、磁気媒体から最良の性能が得られるのであるが、従来のＤＴＲ磁気記録ディスクの１つの問題は、その磁気記録膜における磁性体の円周配向が所望の「好ましい」ものではないことである。本発明はそれを改善することを課題とする。

本発明は、基板の上に磁性記録層を配置し、その基板上に離散トラック記録パターンを形成したことを特徴とするものである。

添付の図面において、本発明を、限定するのではなく例示を目的として説明する。
以下の説明では、本発明が完全に理解されるように、具体的な物質または構成要素の例として具体的な多くの詳細事項を記載する。しかし、本発明を実行するのにこれらの具体的な詳細事項を採用する必要がないことを当業者なら理解するであろう。他の場合では、本発明を不必要に不明瞭にすることを避けるために、よく知られた構成要素または方法の詳細な説明は省略した。

本明細書に用いられる「上」、「下」および「間」という言葉は、ある層の他の層に対する相対的な位置を示すものである。そのように、他の層の上または下に積層または配置される１つの層は、他の層と直に接していてもよいし、１つまたは複数の介在層を有していてもよい。さらに、層間に積層または配置される１つの層は、それらの層と直に接していてもよいし、１つまたは複数の介在層を有していてもよい。

本明細書に記載される装置および方法は、様々なタイプのディスクに使用できることに留意されたい。例えば、一実施形態では、本明細書に記載される装置および方法を磁気記録ディスクに使用できる。あるいは、本明細書に記載される装置および方法を、他のタイプのデジタル記録ディスク、例えばコンパクト・ディスク（ＣＤ）やデジタル・バーサティル・ディスク（ＤＶＤ）の如き光記録ディスクに使用することができる。

一実施形態では、離散トラック記録パターンを備えたニッケル−リン（ＮｉＰ）支持層を有する水平磁気記録ディスクについて説明する。離散トラック記録パターンはＮｉＰ層内でのトラック間の分離を確保する。記録ディスクは、基板と、基板上に配置されたＮｉＰ層と、ＮｉＰ層の上に配置された磁気記録層とを有する。他の実施形態では、離散トラック記録パターンを備えたＮｉＰ層をパターン化するための方法について説明する。最初に、離散トラック記録パターンを通じて連続的なＮｉＰ層に、最終的な離散トラック記録パターンに対する中間的なパターンを形成するスタンパでインプリントすることができる。代替的な実施形態において、離散トラック記録パターンを形成する方法は、ＮｉＰ層を（例えば、プラズマ、電子銃、化学的）エッチングし、ＮｉＰ層のいくつかの部分を除去して隆起ゾーンと窪みゾーン（例えば、ＤＴＲパターンのデータおよび非データ・ゾーン）を形成する。他の実施形態では、アディティブ法を用い、ＮｉＰ層と親和性を有する物質をＮｉＰ層にメッキして、離散トラック記録パターンを形成することができる。一実施形態では、離散トラック記録パターンがディスク基板の中まで伸びることはない。

代替的な実施形態では、離散トラック記録パターンを基板に形成する。ＮｉＰ層をパターン化するためのアディティブまたはサブトラクティブ法と同様にしてパターン化基板を形成することができる。

本発明については、ディスク・ドライブ・システムの動作を厳密に説明する必要はないが、それを説明することで、離散トラック記録パターンを有するディスクによって提供される動作および利点を理解しやすくなる。図１Ａは、パターン化されたディスクおよびヘッドの書込み要素の断面斜視図である。ディスク１００は、以下の説明を明確にするために省略する多膜層を含む。ディスク・ドライブの動作時に、例えば、読み書きヘッド１１０をディスク１００上で浮動させて、ディスクの磁性層１５０の特性を変えることによってディスク１００へのデータの読込みおよび書込みを行う。ディスク１００によりデータの転移を行うために、回転するディスク１００のトラックの上にヘッド１１０を集中させる。記録ヘッド１１０は、例えば、読取り動作を行うための読取り要素、および書込み動作を行うための書込み要素を有する二重要素ヘッドであってもよい。

ディスク１００は、祖面化された基板１２０と基板１２０上に配置される多膜層とを含む。本明細書に記載されるディスクは、例えば、ガラス基板または金属／金属合金基板を用いて製造することができる。使用できるガラス基板としては、例えば、ホウケイ酸ガラスやアルミノケイ酸塩ガラスの如きシリカ含有ガラスが挙げられる。使用できる金属合金基板としては、例えば、アルミニウム−マグネシウム（ＡｌＭｇ）基板が挙げられる。代替的な実施形態では、ポリマーやセラミックスを含む他の基板材料を使用することができる。

多膜層は、ＮｉＰ層１３０および磁性層１５０を含む。以下により詳細に説明するように、離散トラック記録パターンはＮｉＰ層１３０に形成される。ＮｉＰ層１３０の上に磁性層１５０が配置される。ＤＴＲパターンは、窪みゾーン１６０と隆起ゾーン１７０を含む。窪みゾーン１６０は、記録ヘッド１１０および／または隆起ゾーン１７０に対して深さ１６５を有する。一実施形態では、ヘッド１１０のいくつかの部分が動作時に窪みゾーン１６０の上に伸び出すように、ヘッド１１０の幅１１５が隆起ゾーン１７０の幅１７５より大きくなっている。しかし、窪みゾーン１６０の真下の磁性層１５０へのヘッド１１０によるデータの記憶を抑制するために、窪みゾーン１６０は、ヘッド１１０から距離１６５だけ十分に引き離す。隆起ゾーン１７０の真下の磁性層１５０へデータを書込めるように、隆起ゾーン１７０をヘッド１１０に十分に近づける。一実施形態では、例えば、各隆起ゾーンの幅１７５を約１２５０オングストローム（Å）とし、各窪みゾーンの幅を、典型的には、隆起ゾーンの約１／３、または約４００Åとすることができる。各窪みゾーンの深さ１６５は例えば約４００Åとする。他の実施形態では、隆起ゾーンと窪みゾーンのピッチを約２００から２０００Åとすることができる。上述の寸法は例示的なものであって、他の値であってもよい。

したがって、データを記録媒体に書き込むときに、ＮｉＰ層１３０の隆起ゾーン１７０はデータ・トラックに対応する。サーボ（ヘッド・ポジショニング）情報の如き情報を窪みゾーン１６０に記憶することができる。あるいは、サーボ情報を、隆起ゾーン１７０に記憶されたセクタ内でデータとインタリーブさせることができる。隆起ゾーン１７０と窪みゾーン１６０は、典型的には、交互の同心円として形成されるが、他の構成（例えば螺旋）も考えられる。窪みゾーン１６０は、隆起ゾーン１７０（データ・トラック）を互いに孤立させて、物理的かつ磁気的に区別されるデータ・トラックとする。

ヘッド１１０によってデータを特定のデータ・トラック（隆起領域またはゾーン）に書き込むときは、窪み表面ゾーン１６０の下の磁性層１５０がヘッド１１０から遠く、ヘッド１１０がそこに磁気転移を生じさせることができないので、データが近接した窪みゾーン１６０に書き込まれない。次の書込み動作で新たなデータを書き込む場合は、隆起ゾーン１７０または窪みゾーン１６０に先の動作の残留データが存在していてはならない。したがって、ヘッド１１０が隆起ゾーン１７０からデータを読み取るときは、直前の書込み動作のデータのみが存在し、読み取られる。

図１Ａに示されたものに加えて、様々なタイプの離散トラック・パターンがスタンパにより生成されうることに留意されたい。例えば、代替的な実施形態では、ＮｉＰ層１３０に形成される離散トラック・パターンは、図１Ｂに示されるようなデータ島を含むことができる。データ島１９０の各々は、データのブロック（例えば１ビットまたは多ビット）を保持することができ、窪みゾーンによって互いに隔離される。当該構成により、読取りヘッド１１０が感知するノイズ（例えばトラック間のノイズやデータのブロックまたはビット間のノイズ）の量を低減することができる。他の例において、窪みゾーンと隆起ゾーンは、窪みゾーンからデータ・ブロックをさらに隔離する代替形状を有することができる。

離散トラック記録パターンを備えた連続的なＮｉＰ層を形成する方法を説明する。本方法は、第１にＮｉＰ層の上に配置されるエンボス可能層にインプリントした後に、サブトラクティブ法またはアディティブ法を実施して所望のパターンを形成する。エンボス可能層にインプリントするには、リソグラフィ技術、例えばナノインプリント・リソグラフィ法を利用することができる。

図２のＡからＧは、水平磁気記録ディスクのＮｉＰ層に離散トラック記録パターンを形成する一実施形態を示す拡大断面図である。この実施形態における方法は、ディスク基板上に配置される１つまたは複数の層を（インプリント・リソグラフィ技術およびエッチングにより）除去して、ＮｉＰ層上に所望のパターンを露出させることができるサブトラクティブ法を含む。図２のＡからＧに示されるそれぞれの層は、説明を明確化するために、例示的に示されたものであり、代表的な大きさに合わせてスケール調整されていない。図２Ａに示されるように、ディスク状基板２０５からパターニング処理が開始される。上述したように、ディスク基板２０５は、金属（例えばアルミニウム）、ガラス、シリコン、または当該技術分野において知られている他の従来のディスク基板物質を含むいくつかの物質から構成される。一実施形態では、基板２０５をＮｉＰ層２１５でメッキする。電気メッキ法、無電解メッキ法、または当該技術分野において知られている他の方法によってＮｉＰ層２１５を形成することができる。ＮｉＰの如き堅個な物質または金属状物質でディスク基板２０５をメッキすることにより、続く粗面化、研磨および／またはパターニング処理に対するディスク基板２０５への機械的なサポートを与える。しかし、ディスク基板２０５がガラスの如き十分に堅固な物質または硬い物質で構成される場合は、ディスク基板２０５にメッキを行わなくてもよい。

次いで、図２Ｂに示されるように、ＮｉＰでメッキされたディスク基板２０５の表面を研磨し、平坦化し、および／または粗面化することができる。一実施形態では、例えば、均一なエッチングによってＮｉＰ層２１５を研磨することができる。代替的な実施形態では、他の研磨技術を用いることができる。研磨技術は当該技術分野においてよく知られている。よって、詳細な説明は省略する。あるいは、ＮｉＰ層２１５を研磨しなくてもよい。次に、一実施形態において、固定または自由研磨粒子（例えばダイアモンド）を使用する機械的な粗面化の如き様々な方法によって、ＮｉＰ層２１５を非等方的に粗面化することができる（例えばクロス・ハッチや円周）。あるいは、レーザ粗面化の如き、他の粗面化方法を用いてもよい。核形成および磁性層を堆積する前にディスクの対象データ・ゾーン上に特定タイプの粗面化を行うことで、ディスク上の磁気媒体の円周配向を好ましいものとすることができる。ディスク上の磁気媒体の円周配向が好ましいものとなれば、最適の信号対雑音比（ＳＮＲ）および解像度が達成されて、磁気媒体から最良の性能が引き出される。あるいは、以下に述べるように、離散トラック記録パターンが形成された後に、ＮｉＰ層２１５を粗面化することができる。

次に、図２Ｃに示されるように、ディスク基板２０５にエンボス可能層２２０、例えばフォトレジスト、電子感応レジスト、または他のエンボス可能物質を被覆させることができる。スピン・コーティング、浸漬コーティングおよびスプレ・コーティングは、ＮｉＰ層２１５にエンボス可能層２２０を配置する一方法にすぎない。スパッタリングや真空堆積（例えばＣＶＤ）の如き他の被覆法を用いてもよい。他の例としては、染料ポリマー、熱可塑性（例えばアモルファス、半結晶性、結晶性）、熱硬化性（例えばエポキシ、フェノール、ポリシロキサン、オルモシル、ゾルゲル）、および放射線硬化性（例えば紫外線硬化性、電子ビーム硬化性）ポリマーの如き他のエンボス可能層物質を使用できる。一実施形態では、例えば、エンボス可能層２２０は、約１００から５０００Åの範囲の厚さを有することができる。エンボス可能層２２０を「マスキング層」や「ステンシル層」と呼ぶこともできる。

次に、図２Ｄに示されるように、エンボス可能層２２０に窪み（２２２、２２４、２２６）ゾーンおよび隆起（２２１、２２３、２２５）ゾーンのパターンをインプリントする。エンボス可能層２２０のスタンピングには、例えば、当該技術分野においてよく知られるナノインプリント・リソグラフィを利用することができる。一実施形態では、離散トラック記録パターンを備えたスタンパ（不図示）を使用して、エンボス可能層２２０にインプリントして、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）と隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）を形成することができる。エンボス可能層２２０の厚さにより、隆起ゾーンと窪みゾーンのインプリントが、ＮｉＰ層２１５に食い込む可能性は小さい。あるいは、エンボス可能層２２０が比較的薄い場合は、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）にごく少量のエンボス可能物質を残すようにスタンピングを行うことができる。続いて、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）内のエンボス可能物質を除去してＮｉＰ層２１５を露出させる。エンボス可能層２２０のパターン化に使用されるスタンパは、形成される所望のパターン（すなわちＮｉＰ層２１５上の離散トラック記録パターン）の逆または負のレプリカを有する。

次に、図２Ｅに示されるように、エンボス可能層２２０に形成させた中間パターンをエッチングして、ＮｉＰ層２１５上の離散トラック記録パターンに対する基礎を形成する交互的な窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）と隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）を形成する。一実施形態では、一連の、または段階的なエッチング処理をエンボス可能層２２０とＮｉＰ層２１５に対して実施して、所望のトラック・パターンを形成する。エンボス可能層２２０は、スタンパによって形成されたパターンの窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）の下に位置する領域内のＮｉＰ層２１５を露出させるステンシルとして機能する。一実施形態では、プラズマ・エッチングを利用して、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）からＮｉＰ層２１５までのエンボス可能層２２０物質を除去する。あるいは、例えば化学エッチング法、電子ビーム（ｅ−ビーム）エッチング法、イオン・ビーム・エッチング（受動または反応）スパッタ・エッチング法、反応ガスを用いたプラズマ・エッチング法など、他のエッチング法を用いて、少なくとも窪みゾーンにおけるエンボス可能層２２０物質を除去することができる。特定のタイプのエッチング法（例えば化学エッチング法）では、隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）と窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）の両方からほぼ同様の割合でエンボス可能層物質を除去することができる。化学エッチング法では、図２Ｅに示すように、ＮｉＰ層２１５が窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）に露出されるまで、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）と隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）の両方のエンボス可能層２２０が除去される。

次に、図２Ｆに示されるように、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）のＮｉＰ層２１５を（例えば化学、電子ビーム、イオン・ビームおよびスパッタ・エッチング法によって）さらにエッチングする。一実施形態では、ＮｉＰ層２１５に窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）と隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）の連続パターンを形成するように、窪みゾーン（２２２、２２４、２２６）のエッチングをＮｉＰ層２１５を貫通してディスク基板２０５達しないようにする。所望の窪み深さ２１６を達成したら、離散トラック記録パターンの隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）上の残留エンボス可能層２２０を、例えば図２Ｅに関連して上述した方法、または研磨（例えば精密研磨、キス研磨または粗研磨）の如き方法によって除去する。エンボス可能層２２０を除去すると、図２Ｇに示されるように、パターン化されたＮｉＰ層２１５の全面が露出される。

図２Ｂに関連して述べたように、エンボス可能層２２０を被覆する前に全ＮｉＰ層２１５を粗面化するのではなく、磁気ディスクのデータ記録ゾーンに対応する隆起ゾーン（２２１、２２３、２２５）だけを粗面化できることに留意されたい。上述した粗面化方法（例えば機械的粗面化やレーザ粗面化）のいずれを用いてもよい。上述したように、インプリントまたはエッチング前に（例えば、図２Ｂに関連して説明したように、ディスク基板２０５のＮｉＰメッキの後に）ＮｉＰ層２１５を粗面化することができる。上述の段階の間に、様々な洗浄および／または研磨処理を行うことにも留意されたい。例えば、１つまたは複数の研磨処理（例えば精密研磨、キス研磨または粗研磨）を行って、１つまたは複数の層の表面から凹凸を取り除くことができる。何らかの層の表面に凹凸が存在すると、製造後のディスクに悪影響を及ぼすおそれがある。ＮｉＰ層２１５が離散トラック記録パターンでパターン化および粗面化されると、ＮｉＰ層２１５の上に他の層（例えば磁性層やラミネーション層）を配置させて、ディスク製造過程を完了することができる。

図３のＡからＦは、水平磁気記録ディスクのＮｉＰ層に離散トラック記録パターンを形成する代替的な実施形態を示す拡大断面図である。この方法は、最初のＮｉＰ層を形成する物質と親和性のある物質または同一の物質を添加またはメッキして、離散トラック記録パターンの隆起ゾーンを形成するアディティブ法を含む。図３のＡからＦに示されるそれぞれの層は、ＮｉＰ層をパターン化する方法を明確に説明できるように、例示的なものとし、正しい大きさに合わせてスケール調整されているわけではない。

図３に示されるアディティブ法は、ＮｉＰ層３１５の上に配置されるエンボス可能層３２０のスタンピングおよびエッチングに関して、図２に示されるサブトラクティブ法に類似している。図３Ａに示されるように、この処理は、ディスク基板３０５上に（電気メッキや無電解メッキによって）配置されるＮｉＰ層３１５から開始される。上述のサブトラクティブ法とは異なり、ＮｉＰメッキされたディスク基板３０５に、必ずしもこの時点で粗面化を行わない。以下に記載されるように、この方法は、離散トラック記録パターンが形成された後にＮｉＰ層３１５最終隆起ゾーンの粗面化を必要とする。ディスク基板３０５は、基板２０５に関して上述した物質と同様の物質で構成される。

図３Ｂに示されるように、次いでディスク基板３０５にエンボス可能層３２０、例えばフォトレジスト、電子感応レジスト、または他のエンボス可能物質を被覆させる。スピン・コーティング、浸漬コーティングおよびスプレ・コーティングは、基板３０５にエンボス可能層３２０を配置する一方法にすぎない。他の被覆法（例えばスパッタリング）およびエンボス可能層物質（例えば染料ポリマー）、例えば熱可塑性（例えばアモルファス、半結晶性、結晶性）、熱硬化性（例えばエポキシ、フェノール、ポリシロキサン、オルモシル、ゾルゲル）、および放射線硬化性（例えば紫外線硬化性、電子ビーム硬化性）ポリマーを使用することができる。

次に、図３Ｃに示されるように、離散トラック記録パターンを備えたスタンパ（不図示）を使用して、エンボス可能層３２０にインプリントして、窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）と隆起ゾーン（３２１、３２３、３２５）を形成することができる。エンボス可能層３２０がスタンパにおけるパターンの深さに比べて厚い場合は、スタンパによるインプリントは、ＮｉＰ層３１５に届くほど深く刻まれる可能性は小さい。あるいは、エンボス可能層３２０が比較的薄い場合は、極めて少量のエンボス可能物質が窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）に残るようにスタンピングされる。次に、窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）におけるエンボス可能物質を除去してＮｉＰ層３１５を露出させる。エンボス可能層３２０をパターン化するのに使用されるスタンパは、ＮｉＰ層３１５上に形成されるパターンと同一のパターンを有していてもよい。

次に、図３Ｄに示されるように、いくつかのエッチング法（例えば化学、プラズマ、電子ビーム、イオン・ビームまたはスパッタ・エッチング法）によって、ＮｉＰ層３１５の表面領域を露出させるように、窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）におけるエンボス可能層物質を除去する。特定のタイプのエッチング法（例えば化学エッチング法）では、隆起ゾーン（３２１、３２３、３２５）と窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）の両方からほぼ同様の割合でエンボス可能層物質を除去することができる。化学エッチング法では、図３Ｄに示すように、ＮｉＰ層３１５が窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）内に露出されるまで、窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）と隆起ゾーン（３２１、３２３、３２５）の両方のエンボス可能層３２０が除去される。

次に、図３Ｅに示されるように、窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）が隆起ゾーン（３２１、３２３、３２５）の上面と同等の高さまで埋められるように、窪みゾーン（３２２、３２４、３２６）に、ＮｉＰ層３１５と同一の物質、またはそれと親和性のある物質をメッキまたは堆積させる（例えば電気メッキ）。次いで、図３Ｆに示されるように、ＮｉＰ層３１５のみが残るように、例えば化学エッチング法により、エンボス可能層３２０の残留部を除去する。エンボス可能層３２０が除去されると、これまで窪みゾーンであったゾーン３２２、３２４、３２６は、今度は、ＮｉＰ層３１５のデータ・ゾーンを形成する隆起ゾーンになる。同様に、図３Ｆに示されるように、（図３Ｅにおいて窪みゾーン３２２、３２４、３２６にメッキを施すまで）隆起ゾーンを形成していたゾーン３２１、３２３、３２５は、今度は、ＤＴＲパターンの隆起データ・ゾーン３２２、３２４、３２６間に配置される窪みゾーンになる。

代替的な実施形態では、最初に、化学蒸着堆積（ＣＶＤ）法、スパッタリングおよびイオン・ビーム堆積法の如き様々な堆積法により、（例えば図３Ｄにおいて）インプリントされたエンボス可能層３２０にＮｉＰ物質を堆積させることによって図３Ｆの隆起ゾーン３２２、３２４、３２６を形成することができる。次に、本明細書に記載される任意のエッチング法（例えば化学エッチング法）によってエンボス可能層物質を選択的に除去する。そうすることで、エンボス可能層の上に堆積されたＮｉＰ物質が「引き上げられ」、図３Ｆの隆起ゾーン（３２２、３２４、３２６）と窪みゾーン（３２１、３２３、３２５）が形成される。

図３Ｆは、粗面化された最終的な隆起ゾーン（３２２、３２４、３２６）を示す図である。図２に関して説明した方法とは異なり、エンボス可能層３２０を堆積する前にＮｉＰ層３１５を粗面化しても、最終的な隆起ゾーン（３２２、３２４、３２６）に粗面化された領域が確保されないことがある。上述の粗面化方法（例えば、機械的粗面化やレーザ粗面化）を用いることができる。上述の段階の間に、様々な洗浄および／または研磨処理を行うことにも留意されたい。例えば、１つまたは複数の研磨処理（例えば精密研磨、キス研磨または粗研磨）を行って、１つまたは複数の層の表面から凹凸を取り除くことができる。ＮｉＰ層３１５が離散トラック記録パターンでパターン化および粗面化されると、他の層（例えば磁性層やラミネーション層）をＮｉＰ層３１５上に配置して、水平または垂直磁気記録ディスクを形成することができる。

図２に示される離散トラック記録パターンを形成する方法と、図３に示され説明される方法とは、図２の方法はエッチングによってＮｉＰの窪みゾーンをＮｉＰ層に形成するので、ＮｉＰ層を構成する物質を除去するという点において異なっている。エンボス可能層の最初のスタンピングは、隆起と窪みゾーンに対応するテンプレートとして機能する。図３に説明され示されている方法では、スタンパによって形成された最初の窪み模様（例えば、図３Ｃに示される窪み領域３２２、３２４、３２６）は、（図３Ｆに示されるように）最終的に隆起ゾーン３２２、３２４、３２６になる。そのように、最終的には、ＮｉＰ層の隆起データ・ゾーンになる窪みゾーンは、窪みゾーンより広くなるはずであるため、図３Ｃに示される模様を形成するのに利用されるスタンパは、隆起ゾーンに比べてより広い窪みゾーンを形成する。

図４のＡからＧは、磁気記録ディスク用基板上に離散トラック記録パターンを形成する方法の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。図４に示されるそれぞれの層は、説明を明確化するために例示されており、代表的な大きさに合わせてスケール調整が行われているわけではない。上述したように、ガラスの如き物質をディスクの基板に使用することができる。ガラスの如き物質で構成される基板ディスクは、材料そのものが続く粗面化、研磨および／またはパターン化処理に対する機械的なサポートを与えるため、ＮｉＰメッキ層を有さなくてもよい。当該基板を用いれば、離散トラック記録パターンを基板に直に形成することができる。基板にＤＴＲパターンを形成する方法は、図２に関して上述したサブトラクティブ法（すなわちＮｉＰ層をパターン化するための方法）に類似していてもよい。図４Ａに示されるように、ディスク状（例えばガラス）基板４０５からパターニング処理が開始される。次いで、ディスク基板４０５を研磨、平坦化する。一実施形態では、例えば均一なエッチングによってディスク基板４０５を研磨する。代替的な実施形態では、他の研磨技術を用いることができる。あるいは、ディスク基板４０５を研磨しなくてもよい。次に、図４Ｂに示されるように、上述した様々な方法により、ディスク基板４０５をあるパターンで等方的に粗面化する。あるいは、以下に説明するように、離散トラック記録パターンが形成された後に、ディスク基板４０５の粗面化を行うこともできる。

次に、図４Ｃに示されるように、基板４０５にエンボス可能層４２０、例えばフォトレジスト、電子感応レジスト、または他のエンボス可能物質を被覆させる。スピン・コーティング、浸漬コーティングおよびスプレ・コーティングは、エンボス可能層４２０を基板４０５に配置する一方法にすぎない。上述したように、他の被覆法および他のエンボス可能層物質を使用できる。

次に、図４Ｄに示されるように、エンボス可能層４２０に窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）と隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）のパターンをインプリントする。エンボス可能層４２０のスタンピングは、当該技術分野においてよく知られているナノインプリント・リソグラフィ技術を利用することができる。一実施形態では、離散トラック記録パターンを備えたスタンパ（不図示）を使用してエンボス可能層４２０にインプリントして、窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）と隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）を形成する。エンボス可能層４２０の厚さにより、隆起ゾーンと窪みゾーンのインプリントが、ＮｉＰ層４０５に食い込む可能性は小さい。エンボス可能層４２０をパターン化するのに使用されるスタンパは、形成される所望のパターン（すなわち基板４０５上の離散トラック記録パターン）の逆または負のレプリカを有する。

次に、図４Ｅに示されるように、エンボス可能層４２０をエッチングして、基板４０５上の離散トラック記録パターンに対する基礎を形成する交互的な窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）と隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）をさらに定めることができる。一実施形態では、一連の、または段階的なエッチング処理をエンボス可能層４２０と基板４０５に対して実施して、所望のトラック・パターンを形成する。エンボス可能層４２０は、スタンパによって形成されたパターンの窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）の下に位置する領域内の基板４０５を露出させるステンシルとして機能する。一実施形態では、プラズマ・エッチングを利用して、窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）から基板４０５までのエンボス可能層４２０物質を除去する。あるいは、例えば化学エッチング法、電子ビーム（ｅ−ビーム）エッチング法、イオン・ビーム・エッチング（受動または反応）スパッタ・エッチング法、反応ガスを用いたプラズマ・エッチング法など、他のエッチング法を用いて、少なくとも窪みゾーンにおけるエンボス可能層４２０物質を除去することができる。特定のタイプのエッチング法（例えば化学エッチング法）では、隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）と窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）の両方からほぼ同様の割合でエンボス可能層物質を除去することができる。化学エッチング法では、図４Ｅに示すように、基板４０５が窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）内に露出されるまで、窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）と隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）の両方のエンボス可能層４２０が除去される。

次に、図４Ｆに示されるように、基板４０５の窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）を（例えば化学、電子ビーム、イオン・ビームおよびスパッタ・エッチング法によって）さらにエッチングする。一実施形態では、基板４０５が、窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）と隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）の連続パターンを形成するように、窪みゾーン（４２２、４２４、４２６）のエッチングを基板４０５まで完全に貫通させなくてもよい。所望の窪み深さを達成したら、離散トラック記録パターンの隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）上の残留エンボス可能層４２０を、例えば図４Ｅに関連して上述した方法によって除去する。エンボス可能層４２０を除去すると、図４Ｇに示されるように、基板４０５の全面が露出される。

図４Ｂに関連して上述したように、エンボス可能層４２０を被覆する前に基板４０５全体を粗面化するのではなく、この段階で、磁気ディスクのデータ記録ゾーンに対応する隆起ゾーン（４２１、４２３、４２５）を粗面化させてもよいことに留意されたい。その際、上述した粗面化方法（例えば機械的粗面化やレーザ粗面化）を用いることができる。上述したように、（例えば、図４Ｂに関連して説明したように）インプリントまたはエッチング前に基板４０５を粗面化することができる。既に明記したように、それぞれの段階の間に、様々な洗浄および／または研磨処理を行うことができる。基板４０５が離散トラック記録パターンでパターン化および粗面化されると、基板４０５の上に層（例えば磁性層）を配置して、水平または垂直磁気記録ディスクを形成させることができる。

図５のＡからＦは、磁気記録ディスクの基板に離散トラック記録パターンを形成する代替的な実施形態を示す拡大断面図である。この方法は、最初の基板を形成する物質と親和性のある物質または同一の物質を添加またはメッキして、離散トラック記録パターンの隆起ゾーンを形成するアディティブ法を含む。図５に示されるそれぞれの層は、基板をパターン化する方法を明確に説明できるように、例示的なものとし、正しい大きさに合わせてスケール調整されているわけではない。

図５に示されるアディティブ法は、基板５０５の上に配置されるエンボス可能層５２０のスタンピングおよびエッチングに関して、図４に示されるサブトラクティブ法に類似している。図５Ａに示されるように、この処理は基板５０５から開始される。上述のサブトラクティブ法とは異なり、必ずしもこの時点で基板５０５を粗面化しない。以下の説明から明らかなように、この方法は、離散トラック記録パターンが形成された後に基板５０５の最終隆起ゾーンを粗面化する。

図５Ｂに示されるように、次いでディスク基板５０５にエンボス可能層５２０、例えばフォトレジスト、電子感応レジスト、または他のエンボス可能物質を被覆させることができる。スピン・コーティング、浸漬コーティングおよびスプレ・コーティングは、基板５０５にエンボス可能層５２０を配置する一方法にすぎない。上述したように、他の被覆法およびエンボス可能層物質を使用することができる。次に、図５Ｃに示されるように、離散トラック記録パターンを備えるスタンパ（不図示）を使用して、エンボス可能層５２０にインプリントして、窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）と隆起ゾーン（５２１、５２３、５２５）を形成する。エンボス可能層５２０がスタンパにおけるパターンの深さに比べて厚い場合は、スタンパによるインプリントが基板５０５に届くほど深く刻まれる可能性は小さい。あるいは、エンボス可能層５２０が比較的薄い場合は、極めて少量のエンボス可能物質が窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）に残るようにスタンピングされる。次に、窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）におけるエンボス可能物質を除去して基板５０５を露出させることができる。エンボス可能層５２０をパターン化するのに使用されるスタンパは、基板５０５上に形成されるパターンと同一のパターンを有していてもよい。

次に、図５Ｄに示されるように、いくつかのエッチング法（例えば化学、プラズマ、電子ビーム、イオン・ビームまたはスパッタ・エッチング法）によって、基板５０５の表面領域を露出するように、窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）におけるエンボス可能層物質を除去する。特定のタイプのエッチング法（例えば化学エッチング法）では、隆起ゾーン（５２１、５２３、５２５）と窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）の両方からほぼ同様の割合でエンボス可能層物質を除去する。化学エッチング法では、図５Ｄに示すように、基板５０５が窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）内に露出されるまで、窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）と隆起ゾーン（５２１、５２３、５２５）の両方のエンボス可能層５２０が除去される。

次に、図５Ｅに示されるように、窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）が隆起ゾーン（５２１、５２３、５２５）の上面と同じ高さまで埋められるように、窪みゾーン（５２２、５２４、５２６）に、基板５０５と同一の物質、またはそれと親和性のある物質をメッキまたは堆積させる（例えば電気メッキまたは無電解メッキによって）。次いで、図５Ｆに示されるように、基板５０５のみが残るように、例えば化学エッチング法により、エンボス可能層５２０の残留部を除去する。エンボス可能層５２０が除去されると、これまで窪みゾーンであったゾーン５２２、５２４、５２６は、今度は、基板５０５のデータ・ゾーンを形成する隆起ゾーンになる。同様に、図５Ｆに示されるように、（図５Ｅにおいて窪みゾーン５２２、５２４、５２６にメッキを施すまで）隆起ゾーンを形成していたゾーン５２１、５２３、５２５は、今度は、ＤＴＲパターンの隆起データ・ゾーン５２２、５２４、５２６間に配置される窪みゾーンになる。

代替的な実施形態では、最初に、上述した様々な堆積法により、（例えば図５Ｄにおいて）インプリントされたエンボス可能層５２０に基板物質を堆積させることによって隆起ゾーン５２２、５２４、５２６を形成することができる。次に、本明細書に記載される任意の数のエッチング法（例えばプラズマ・エッチング法）によって基板物質を選択的に除去することができる。そうすることで、エンボス可能層の上に堆積された任意の基板物質が「引き上げられ」、図５Ｆの隆起ゾーン（５２２、５２４、５２６）と窪みゾーン（５２１、５２３、５２５）が形成される。

図５Ｆは、粗面化された最終的な隆起ゾーン（５２２、５２４、５２６）を示す図である。図４に関して説明した方法とは異なり、エンボス可能層５２０を堆積させる前に基板５０５を粗面化しても、最終的な隆起ゾーン（５２２、５２４、５２６）に粗面化された領域が確保されない。上述の粗面化方法を用いる。既に明記したように、それぞれの段階の間に、様々な洗浄および／または研磨処理を行う。基板５０５が離散トラック記録パターンでパターン化および粗面化されると、他の層（例えば磁性層やラミネーション層）を基板５０５上に配置して、水平または垂直磁気記録ディスクを形成する。

図６は、パターン化されたＮｉＰ層６２０がディスク基板６１０上に配置された水平磁気記録ディスク６００の一実施形態を示す断面図である。一実施形態では、上述のように、粗面化された離散トラック・パターンをＮｉＰ層６２０上に生成する。パターン化されたＮｉＰ層６２０を（例えば、図２または図３に関して上述した方法によって）粗面化した後に、ＮｉＰ層６２０の上に磁性層６３０などの追加的な層を形成して、磁気記録ディスクを生成させる。一実施形態では、ＮｉＰ層６２０と磁性層６３０の間に１つまたは複数の層６２５（例えば支持層および／または中間層）を配置して、磁性層６３０内の一定の結晶成長を促すこともできる。例えば、中間層および／または支持層をＮｉＰ層６２０上に堆積させ、二次元の等方性媒体を得るように結晶形態および配向を制御するために、磁性層６３０をエピタキシャル成長させる表面を形成させる。これらの層は、磁性層６３０に使用される物質との格子整合を良好にする物質で構成される。当該層については当該技術分野で知られているため、詳細な説明は省略する。

ディスク６００は、磁性層６３０の上面に１つまたは複数の層６４０をも含む。例えば、磁性層６３０の上面に保護層（例えば層６４０）を配置して、ＣＳＳ（contact-start-stop）や防食の如き摩擦上の要件を満たすのに十分な特性を与えることができる。保護層に対して支配的な物質は、水素化炭素または窒素化炭素のような炭素系物質である。潤滑剤、例えば過フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン潤滑剤を保護層の上面に被覆して、摩擦性能をさらに向上させることができる。保護層および潤滑剤層については当該技術分野において知られているため、詳細な説明は省略する。

図７は、パターン化された基板７１０を有する水平磁気記録ディスク７００の一実施形態を示す断面図である。一実施形態では、上述したように、粗面化された離散トラック・パターンを基板７１０上に生成する。パターン化された基板７１０を（例えば、図４または図５に関して上述した方法によって）粗面化した後に、基板７１０の上に磁性層７３０としての追加的な層を形成して、磁気記録ディスクを生成する。一実施形態では、基板７１０と磁性層７３０の間に１つまたは複数の層７２０、７２５（例えば支持層および／または中間層）を配置して、磁性層７３０内の一定の結晶成長を促すこともできる。例えば、中間層および／または支持層を基板上に堆積させ、二次元の等方性媒体を得るように結晶形態および配向を制御するために、磁性層７３０をエピタキシャル成長させる表面を形成させる。これらの層は、磁性層７３０に使用される物質との格子整合を良好にする物質で構成される。磁性層については当該技術分野で知られているため、詳細な説明は省略する。ディスク７００は、磁性層７３０の上面に１つまたは複数の層７４０を含むこともできる。例えば、磁性層７３０の上面に保護層（例えば層７４０）を配置して、ＣＳＳおよび防食の如き摩擦上の要件を満たすのに十分な特性を与えることができる。

離散トラック記録パターンを有する基板を垂直磁気記録システムに使用することができる。垂直磁気記録システムでは、記録ビットを逆平行マグネットとして互いに相互の位置関係を保って配列し、磁気媒体の表面に垂直に記録する。磁極の引力に従って、減磁するのではなく、記録が誘引されて高記録密度が結集する。対照的に、従来の水平磁気記録システムは、斥力のもとで減磁する。したがって、垂直磁気記録システムは、水平磁気記録システムに比べて、より大きな記録容量を有する。垂直磁気記録システムは、典型的には、後続の書込み極からライタの対局先端までの磁束通路を提供する硬質磁気記録層および軟質磁気記録層を含む。図８Ａ、Ｂは、パターン化された基板上に軟磁性体支持層を配置する方法の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。図８Ａは、トラック記録パターンが形成された基板８０５を示す図である。一実施形態では、パターン化された基板８０５を、図４に関して上述したサブトラクティブ法によって形成することができる。代替的な実施形態では、パターン化された基板８０５を、図５に関して上述したアディティブ法によって形成することもできる。他の実施形態では、パターン化された基板８０５を（上記４０５、５０５によって示されるように）粗面化することもできる。図８Ｂは、パターン化された基板８０５に配置された軟磁性体支持層８１０を示す図である。軟質支持層８１０を基板８０５上に、窪みゾーン（すなわちトラック溝）のパターンを確保するのに十分な薄さで堆積させることができる。上述の堆積法のいずれかによって、軟磁性体支持層８１０を基板８０５上に配置することができる。

図９は、パターン化された基板９１０を有する垂直磁気記録ディスク９００の一実施形態を示す断面図である。上述したように、離散トラック離散トラック・パターンを基板９１０上に生成する。軟磁性体支持層９２０を基板９１０上に配置した後に、基板９１０の上に磁性層９３０としての追加的な層を形成して、垂直磁気記録ディスクを生成する。基板９１０と磁性層９３０の間に１つまたは複数の層９２５（例えば中間層）を配置して、磁性層９３０内の一定の結晶成長を促すこともできる。これらの層は、磁性層９３０に使用される物質との格子整合を良好にする物質で構成される。ディスク９００は、磁性層９３０の上面に１つまたは複数の層９４０を含むことができる。例えば、磁性層９３０の上面に保護層（例えば層９４０）を配置して、ＣＳＳや防食の如き摩擦上の要件を満たすのに十分な特性を提供することができる。

一実施形態では、垂直磁気記録ディスク９００を生成するのに使用されるディスク基板９１０を粗面化して、例えば、信号対雑音比（ＳＮＲ）、および磁気記録ディスクの熱安定性を向上させることができる。水平および垂直磁気記録ディスクの基板を粗面化すると、基板上に配置された膜層における微結晶サイズおよび微結晶サイズのバラツキの制御を可能にすることによって、ＳＮＲおよび熱安定性を向上させることができる。ディスク・ドライブ電子系統、および磁気信号を処理するのに使用されるチャネルもＳＮＲに寄与するが、媒体自体からも最小限にすべき固有のノイズが発生する。媒体ノイズの大きな原因は、１つまたは複数の非磁性要素または化合物によって磁性結晶を互いに隔離することによって抑えることができる粒子間（または結晶間）磁気交換作用から発生する。しかし、固有媒体ノイズの他の原因は、磁性粒子の結晶サイズおよびバラツキである。垂直および水平磁気記録ディスクに対する粗面化により、基板上に、そして磁性層上に堆積された膜層（例えば中間層、支持層および／または核形成層）における粒子の結晶サイズ、間隔およびバラツキの制御を向上させることができる。

代替的な実施形態では、ディスク基板の上に配置された軟磁性体支持層を研磨および／または粗面化することができる。軟磁性体支持層は、固定または自由研磨粒子（例えばダイアモンド）を使用した機械的粗面化の如き様々な方法によって粗面化される。あるいは、レーザ粗面化の如き他のタイプの粗面化方法を用いて、軟磁性体支持層を粗面化することができる。一実施形態では、基板の上に配置されたＮｉＰ層の粗面化に加えて、軟磁性体支持層の粗面化を行うことができる。ＮｉＰ層が存在しない実施形態では、基板を研磨および／または粗面化することができる。他の実施形態では、薄いＮｉＰ層を軟磁性体支持層上に配置し、研磨および／または粗面化することができる。研磨および／または粗面化されたＮｉＰ層を基板の上に配置された（研磨および／または粗面化された）ＮｉＰ層に付け加えるようにしてもよい。

図１０は、ディスク（例えばディスク６００、７００または９００）を有するディスク・ドライブを示す図である。ディスク・ドライブ１０００は、データを記憶するための１つまたは複数のディスク１０３０を含む。ディスク１０３０は、ドライブ・ハウジング１０８０に取りつけられるスピンドル・アセンブリ１０６０上に存在する。データは、ディスクの磁性記録層内のトラックに沿って記憶させることができる。データの読取りおよび書込みは、磁性層の特性を変化させるために使用するヘッド１０５０によって行われる。スピンドル・モータ（不図示）は、スピンドル・アセンブリ１０６０を回転させ、それによって、ディスク１０３０がヘッド１０５０を所望のディスク・トラックに沿う特定の位置に配置する。ディスク６００に対するヘッド１０５０の位置を位置制御回路１０７０によって制御することができる。

これまで、本発明を具体的な例示的実施形態を参照しながら説明した。しかし、添付の請求項に定められた本発明のより広範囲な主旨および範囲から逸脱することなく、本発明に様々な修正および変更を加えられることが明確に理解されよう。よって、明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味でとらえられるべきである。

パターン化されたディスクおよびヘッドの書込み要素の一実施形態の断面斜視図である。 パターン化されたディスクの代替的な実施形態の断面斜視図である。 ニッケル−リン層上に離散トラック記録パターンを形成する方法の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。 ニッケル−リン層上に離散トラック記録パターンを形成する方法の他の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。 基板上に離散トラック記録パターンを形成する方法の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。 基板上に離散トラック記録パターンを形成する方法の他の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。 パターン化されたニッケル−リン層を有する記録ディスクの一実施形態を示す断面図である。 パターン化された基板を有する記録ディスクの一実施形態を示す断面図である。 パターン化された基板上に軟質の磁気支持層を堆積させる方法の例示的な実施形態を示す拡大断面図である。 パターン化された基板上に軟質の磁気支持層を有する記録ディスクの一実施形態を示す断面図である。 ディスク・ドライブの一実施形態を示す図である。

符号の説明

１００、６００、７００、９００、１０３０ ディスク
１１０、１０５０ ヘッド
１２０、２０５、３０５、４０５、５０５、６１０、７１０、８０５、９１０ 基板
１３０、２１５、３１５、６２０ ＮｉＰ層
１５０、６３０、７３０、９３０ 磁性層
２２０、３２０、４２０、５２０ エンボス可能層
８１０ 軟磁性体支持層

Claims (110)

1. 磁気記録ディスクを製造する方法であって、
   基板の上に磁性記録層を配置するステップと、
   基板上に離散トラック記録パターンを形成するステップとを含む方法。
2. 形成ステップはサブトラクティブ法を含む請求項１に記載の方法。
3. 形成ステップは、
   基板をエンボス可能層で被覆するステップと
   エンボス可能層に離散トラック記録パターンをインプリントするステップとをさらに含む請求項２に記載の方法。
4. インプリント・ステップはインプリント・リソグラフィを含む請求項３に記載の方法。
5. 形成ステップは、エンボス可能層を基板までエッチングして、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを形成するステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
6. 形成ステップは、基板をエッチングして、離散トラック記録パターンを形成する第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを基板に形成するステップをさらに含む請求項５に記載の方法。
7. 形成ステップは、エンボス可能層を除去するステップをさらに含む請求項６に記載の方法。
8. 形成ステップは、エンボス可能層を除去した後に基板を研磨するステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
9. 形成ステップは、エンボス可能層を除去した後に基板を粗面化するステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
10. 形成ステップは、基板をエンボス可能層で被覆する前に基板を研磨するステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
11. 形成ステップは、基板をエンボス可能層で被覆する前に基板を粗面化するステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
12. 形成ステップは、基板における第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーン上に軟磁性体支持層物質を堆積させるステップをさらに含む請求項７に記載の方法。
13. 形成ステップはアディティブ法を含む請求項１に記載の方法。
14. 形成ステップは、
    基板をエンボス可能層で被覆するステップと、
    エンボス可能層に離散トラック記録パターンをインプリントするステップとをさらに含む請求項１３に記載の方法。
15. インプリント・ステップはインプリント・リソグラフィを含む請求項１４に記載の方法。
16. 形成ステップは、エンボス可能層を基板までエッチングして、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを形成するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
17. 形成ステップは、基板物質を第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンに堆積して、離散トラック記録パターンを形成する第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを基板に形成するステップをさらに含む請求項１６に記載の方法。
18. 堆積ステップは電気メッキをさらに含む請求項１７に記載の方法。
19. 堆積ステップは無電解メッキをさらに含む請求項１７に記載の方法。
20. 形成ステップは、エンボス可能層を除去するステップをさらに含む請求項１７に記載の方法。
21. 形成ステップは、基板を研磨するステップをさらに含む請求項２０に記載の方法。
22. 形成ステップは、基板を粗面化するステップをさらに含む請求項２１に記載の方法。
23. 形成ステップは、基板における第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンに対して軟磁性体支持層物質を堆積させるステップをさらに含む請求項２０に記載の方法。
24. 真空堆積により第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンに基板物質を堆積させるステップをさらに含む請求項１５に記載の方法。
25. 形成ステップは、軟磁性体支持層物質の表面を研磨するステップをさらに含む請求項１２に記載の方法。
26. 形成ステップは、軟磁性体支持層物質の表面を粗面化するステップをさらに含む請求項１２に記載の方法。
27. 離散トラック記録パターンが形成された基板と、
    基板の上に配置された磁性記録層とを備えた磁気記録ディスク。
28. 磁性記録層が基板の上に軟磁性体支持層を間に介在させることなく配置された請求項２７に記載の磁気記録ディスク。
29. 基板と磁性記録層の間に軟磁性体支持層が配置された請求項２７に記載の磁気記録ディスク。
30. 基板がガラス物質を含む請求項２７に記載の磁気記録ディスク。
31. 基板が研磨された請求項３０に記載の磁気記録ディスク。
32. 基板が粗面化された請求項３０に記載の磁気記録ディスク。
33. ディスク基板内でのトラック間分離を確保する手段と、
    ディスク基板の上に磁性記録層を配置する手段とを備えた磁気記録ディスク。
34. インプリントはインプリント・リソグラフィを含む請求項３３に記載の磁気記録ディスク。
35. ディスク基板を研磨する手段をさらに備えた請求項３３に記載の磁気記録ディスク。
36. ディスク基板を粗面化する手段をさらに備えた請求項３３に記載の磁気記録ディスク。
37. トラック間分離を確保する手段はガラス基板を含む請求項３３に記載の磁気記録ディスク。
38. 基板と磁気記録層の間に軟磁性体支持層を配置する手段をさらに備えた請求項３３に記載の磁気記録ディスク。
39. 基板と磁性記録層の間の軟磁性体支持層の表面を研磨する手段をさらに備えた請求項３８に記載の磁気記録ディスク。
40. 基板と磁性記録層の間の軟磁性体支持層の表面を粗面化する手段をさらに備えた請求項３９に記載の磁気記録ディスク。
41. 磁気記録ディスクを製造する方法であって、
    ニッケル−リン（ＮｉＰ）層を基板に配置するステップと
    離散トラック記録パターンをＮｉＰ層上に形成するステップであって、ＮｉＰ層は離散記録パターンを通じて連続するステップとを含む方法。
42. 形成ステップはサブトラクティブ法を含む請求項４１に記載の方法。
43. 形成ステップは、
    ＮｉＰ層をエンボス可能層で被覆するステップと、
    エンボス可能層に連続トラック記録パターンをインプリントするステップとをさらに含む請求項４２に記載の方法。
44. インプリント・ステップはインプリント・リソグラフィを含む請求項４３に記載の方法。
45. 形成ステップは、エンボス可能層をＮｉＰ層までエッチングして、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを形成するステップをさらに含む請求項４３に記載の方法。
46. 形成ステップは、ＮｉＰ層をエッチングして、離散トラック記録パターンを形成する第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンをＮｉＰ層に形成するステップをさらに含む請求項４５に記載の方法。
47. 形成ステップは、エンボス可能層を除去するステップをさらに含む請求項４５に記載の方法。
48. 形成ステップは、エンボス可能層を除去した後にＮｉＰ層を研磨するステップをさらに含む請求項４７に記載の方法。
49. 形成ステップは、エンボス可能層を除去した後にＮｉＰ層を粗面化するステップをさらに含む請求項４７に記載の方法。
50. 形成ステップは、ＮｉＰ層における第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーン上に軟磁性体支持層物質を堆積させるステップをさらに含む請求項４７に記載の方法。
51. 形成ステップは、軟質磁気支持層の表面を研磨するステップをさらに含む請求項５０に記載の方法。
52. 形成ステップは、軟質磁気支持層の表面を粗面化するステップをさらに含む請求項５０に記載の方法。
53. 形成ステップは、軟質磁気支持層上に第２のＮｉＰ層を配置するステップをさらに含む請求項５０に記載の方法。
54. 形成ステップは、第２のＮｉＰ層の表面を研磨するステップをさらに含む請求項５３に記載の方法。
55. 形成ステップは、第２のＮｉＰ層の表面を粗面化するステップをさらに含む請求項５３に記載の方法。
56. 形成ステップは、ＮｉＰ層をエンボス可能層で被覆する前にＮｉＰ層を粗面化するステップをさらに含む請求項４３に記載の方法。
57. 形成ステップはアディティブ法を含む請求項４１に記載の方法。
58. 形成ステップは、
    ＮｉＰ層をエンボス可能層で被覆するステップと、
    エンボス可能層に離散トラック記録パターンをインプリントするステップとを含む請求項５７に記載の方法。
59. インプリント・ステップはインプリント・リソグラフィを含む請求項５８に記載の方法。
60. 形成ステップは、エンボス可能層をＮｉＰ層までエッチングして、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを形成するステップをさらに含む請求項５８に記載の方法。
61. 形成ステップは、第１の複数の窪みゾーンにＮｉＰを堆積して、離散記録パターンを形成する第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンをＮｉＰ層に形成するステップをさらに含む請求項６０に記載の方法。
62. 堆積ステップは電気メッキをさらに含む請求項６１に記載の方法。
63. 堆積ステップは無電解メッキをさらに含む請求項６１に記載の方法。
64. 形成ステップは、エンボス可能層を除去することをさらに含む請求項６１に記載の方法。
65. 形成ステップは、ＮｉＰ層を研磨するステップをさらに含む請求項６４に記載の方法。
66. 形成ステップは、ＮｉＰ層を粗面化するステップをさらに含む請求項６４に記載の方法。
67. 真空堆積によって、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンにＮｉＰを堆積させるステップをさらに含む請求項６０に記載の方法。
68. 基板と、
    磁性記録層と、
    基板と磁性記録層の間に配置され、離散トラック記録パターンを有し、離散トラック記録パターンを通じて連続するＮｉＰ層とを備えた磁気記録ディスク。
69. 離散トラック記録パターンは、隆起ゾーンと窪みゾーンを形成する請求項６８に記載の磁気記録ディスク。
70. 離散トラック記録パターンはインプリント・リソグラフィによって形成される請求項６８に記載の磁気記録ディスク。
71. 基板はガラス物質を含む請求項６８に記載の磁気記録ディスク。
72. 基板は金属物質を含む請求項６８に記載の磁気記録ディスク。
73. ＮｉＰ層が研磨された請求項７２に記載の磁気記録ディスク。
74. ＮｉＰ層が粗面化された請求項７２に記載の磁気記録ディスク。
75. 離散トラック記録パターンは約４００オングストロームのピッチを有する請求項６９に記載の磁気記録ディスク。
76. ＮｉＰ層内でのトラック間分離を確保する手段と、
    ディスク基板の上にＮｉＰ層を配置する手段とを備えた磁気記録ディスク。
77. ＮｉＰ層の上にエンボス可能層を配置する手段と、
    エンボス可能層にトラック隔離パターンをインプリントする手段とをさらに備えた請求項７６に記載の磁気記録ディスク。
78. インプリント手段はインプリント・リソグラフィを含む請求項７７に記載の磁気記録ディスク。
79. ＮｉＰ層を研磨する手段をさらに備えた請求項７７に記載の磁気記録ディスク。
80. ＮｉＰ層を粗面化する手段をさらに備えた請求項７９に記載の磁気記録ディスク。
81. 基板上にニッケル−リン（ＮｉＰ）層を配置する手段と、
    ＮｉＰ層上に離散トラック記録パターンを形成する手段であって、ＮｉＰ層は、離散トラック記録パターンを通じて連続する手段とを備えた装置。
82. 形成手段はサブトラクティブ法を含む請求項８１に記載の装置。
83. 形成手段は、
    ＮｉＰ層をエンボス可能層で被覆する手段と、
    エンボス可能層に離散トラック記録パターンをインプリントする手段とをさらに備えた請求項８２に記載の装置。
84. インプリント手段はインプリント・リソグラフィを含む請求項８３に記載の装置。
85. 形成手段は、エンボス可能層をＮｉＰ層までエッチングして、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを形成する手段をさらに備えた請求項８３に記載の装置。
86. 形成手段は、ＮｉＰ層をエッチングして、離散トラック記録パターンを形成する第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンをＮｉＰ層に形成する手段をさらに備えた請求項８５に記載の装置。
87. 形成手段は、エンボス可能層を除去する手段をさらに備えた請求項８５に記載の装置。
88. 形成手段は、エンボス可能層を除去した後にＮｉＰ層を研磨する手段をさらに備えた請求項８７に記載の装置。
89. 形成手段は、エンボス可能層を除去した後にＮｉＰ層を粗面化する手段をさらに備えた請求項８８に記載の装置。
90. 形成手段は、ＮｉＰ層をエンボス可能層で被覆する前にＮｉＰ層を粗面化する手段をさらに備えた請求項８３に記載の装置。
91. 形成手段はアディティブ法を含む請求項８１に記載の装置。
92. 形成手段は、
    ＮｉＰ層をエンボス可能層で被覆する手段と、
    エンボス可能層に離散トラック記録パターンをインプリントする手段とをさらに備えた請求項９１に記載の装置。
93. インプリント手段はインプリント・リソグラフィを含む請求項９２に記載の装置。
94. 形成手段は、エンボス可能層をＮｉＰ層までエッチングして、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンを形成する手段をさらに備えた請求項９２に記載の装置。
95. 形成手段は、第１の複数の窪みゾーンにＮｉＰを堆積して、離散記録パターンを形成する第２の複数の隆起ゾーンと窪みゾーンをＮｉＰ層に形成する手段をさらに含む請求項９４に記載の装置。
96. 堆積手段は電気メッキをさらに含む請求項９５に記載の装置。
97. 堆積手段は無電解メッキをさらに含む請求項９５に記載の装置。
98. 形成手段は、エンボス層を除去する手段をさらに備えた請求項９５に記載の装置。
99. 形成手段は、ＮｉＰ層を研磨する手段をさらに備えた請求項９８に記載の装置。
100. 形成手段は、ＮｉＰ層を粗面化する手段をさらに備えた請求項９９に記載の装置。
101. 真空堆積によって、第１の複数の隆起ゾーンと窪みゾーン上にＮｉＰを堆積させる手段をさらに備えた請求項９４に記載の装置。
102. スピンドルと、
     スピンドルに結合し、ディスク基板、磁性記録層、および基板と磁性記録層の間に配置されたＮｉＰ層を有するディスクであって、ＮｉＰ層により離散トラック記録パターンが形成され、離散トラック記録パターンを通じてＮｉＰ層が連続するディスクとを備えたディスク・ドライブ。
103. ディスクは水平磁気記録ディスクを含む請求項１０２に記載のディスク・ドライブ。
104. 離散トラック記録パターンがインプリント・リソグラフィによって形成される請求項１０２に記載のディスク・ドライブ。
105. ＮｉＰ層が研磨された請求項１０２に記載のディスク・ドライブ。
106. ＮｉＰ層が粗面化された請求項１０２に記載のディスク・ドライブ。
107. スピンドルと、
     スピンドルに結合し、基板および磁性記録層を有する水平磁気ディスクであって、離散トラック記録パターンを基板上に形成する水平磁気ディスクとを備えたディスク・ドライブ。
108. 基板はガラス物質を含む請求項１０７に記載のディスク・ドライブ。
109. 基板が研磨された請求項１０８に記載のディスク・ドライブ。
110. 基板が粗面化された請求項１０８に記載のディスク・ドライブ。

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