JP2004147336A - 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 - Google Patents
情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004147336A JP2004147336A JP2003392420A JP2003392420A JP2004147336A JP 2004147336 A JP2004147336 A JP 2004147336A JP 2003392420 A JP2003392420 A JP 2003392420A JP 2003392420 A JP2003392420 A JP 2003392420A JP 2004147336 A JP2004147336 A JP 2004147336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- content
- broadcast
- user
- information
- association
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 5
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66492—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a pocket or a lightly doped drain selectively formed at the side of the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26586—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28114—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor characterised by the sectional shape, e.g. T, inverted-T
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823412—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823418—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures
- H01L21/823425—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the source or drain structures, e.g. specific source or drain implants or silicided source or drain structures or raised source or drain structures manufacturing common source or drain regions between a plurality of conductor-insulator-semiconductor structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823468—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the gate sidewall spacers, e.g. double spacers, particular spacer material or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6656—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using multiple spacer layers, e.g. multiple sidewall spacers
Abstract
【解決手段】 視聴者はテレビジョン受像機600でテレビ放送を視聴し、コンテンツをクリップするときにはリモコン610の「マーク」ボタン611を操作する。番組識別子およびユーザ識別子を含むクリッピング要求が回線網80を介してクリッピングサーバ200に送られ、ユーザ情報データベース230にユーザ識別子の下、番組識別子が登録される。登録したコンテンツを閲覧するには携帯端末300等の「情報」ボタンを操作して、情報閲覧要求をクリッピングサーバ200に送る。クリッピングサーバ200は該当するユーザ識別子で登録されている番組コンテンツを参照してメニューを生成して携帯端末300等に返す。ユーザは携帯端末300等でメニュを用いてコンテンツを選択して送信要求をクリッピングサーバ200に送り、送られてくるコンテンツを閲覧する。
【選択図】 図1
Description
(1)放送に使用される伝送路はBS(放送衛星)デジタルとする(地上波アナログ、地上波デジタル等にも応用は可能)。
(2)放送されるコンテンツはBML(ブロードキャストマークアップ言語)で記述されるものとし、放送コンテンツと呼称し、ユニークな識別子を有する。またこの識別子は情報コンテンツデータベース220(後述)内のデータと同期しているものとする。
(3)放送受信機はTCP/IP、HTTPのプロトコルスタックが使用可能とする。(回線のみ、無手順であっても可能)
(4)移動体端末についてはi−mode(エヌ・ティー・ティー移動体通信網株式会社の商標)端末を事例に使用する。
(5)放送を視聴する放送受信機はテレビ受像機と呼称する。
(6)「個人識別情報または端末識別情報」を単に識別情報と呼称する。
(7)マークとは番組情報を取得するために指定する行為とする。
20 クリッピングセンタ
60 受信設備
70 通信回線
80 回線網
100 放送信号送出装置
110 外部記憶装置
120 編成装置
121 コンテンツ生成装置
122 番組編成登録装置
200 クリッピングサーバ
201 コマンド受付部
202 端末調査部
203 コンテンツ変換部
204 メニュー作成部
220 情報コンテンツデータベース
230 ユーザ情報データベース
240 ユーザコンテンツサーバ
300 携帯電話機
301 「マーク」ボタン
302 「情報」ボタン
400 カーナビゲーションシステム
600 テレビ受像機
610 リモコン
611 「マーク」ボタン
Claims (26)
- (a)放送コンテンツおよび(b)上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を含む放送信号を受信する手段と、
受信した放送信号に含まれる放送コンテンツを再生する手段と、
関連付け指示手段と、
上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段と、
ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに関係付けられているコンテンツの送信を要求する手段とを有することを特徴とする情報アクセス装置。 - 関連付け指示手段と、
上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段と、
ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに関連付けられているコンテンツの送信を要求する手段とを有することを特徴とする情報アクセス装置。 - 関連付け指示手段と、
上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するコンテンツ関連付け要求装置。 - 上記関連付け要求は加入者網を介して送信される請求項3記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 加入者網を介して通話またはパケット通信を行なう機能を有する請求項4記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- コンテンツ関連付け要求装置本体と別体に構成され、加入者網を介して通話またはパケット通信を行なう機能を有する通信装置に、上記関連付け要求を送信するように指示する請求項4記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 上記送信宛先は加入者番号により特定される請求項3〜6のいずれかに記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 上記送信宛先はIPアドレスを含む宛先指定により特定される請求項3〜6のいずれかに記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 上記送信宛先はURL(ユニフォームリソースロケータ)により特定される請求項3〜6のいずれかに記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- (a)放送コンテンツおよび(b)上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を含む放送信号を受信してこの放送信号に含まれる放送コンテンツを再生する再生装置から、上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を受け取る手段と、
関連付け指示手段と、
上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、上記コンテンツ特定情報とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有することを特徴とするコンテンツ関連付け要求装置。 - 上記再生装置を遠隔制御する機能を有する請求項10記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 上記再生装置に通信機能を設け、上記通信機能に対して上記ユーザ特定情報および上記関連付け要求の送信を指示する請求項11記載のコンテンツ関連付け要求装置。
- 関連付け指示手段と、上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するユーザ装置とともに用いられる情報提供装置において、
(a)放送コンテンツおよび(b)上記ユーザ装置の上記関連付け指示手段の操作により送信される上記関連付け要求の生成に用いられる、上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を含む放送信号を送信する手段と、
上記放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを上記放送コンテンツまたは上記関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報に関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
上記ユーザ装置から上記関係付け要求を受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関連付ける手段と、
ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて対応するユーザアカウントに関連付けられているコンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とする情報提供装置。 - 上記コンテンツ特定情報は放送チャネルを少なくとも含み、上記放送チャネルと所定の時刻情報とに基づいてコンテンツを特定する請求項13記載の情報提供装置。
- 上記所定の時刻情報は上記ユーザ装置で管理される時刻情報であり、上記ユーザ装置から送信される上記コンテンツ特定情報に含まれる請求項14記載の情報提供装置。
- 上記所定の時刻情報は情報提供装置本体で管理される時刻情報であり、上記コンテンツ特定情報に含まれる上記放送チャネルと上記情報提供装置本体で管理される時刻情報とに基づいてコンテンツを特定する請求項14記載の情報提供装置。
- 上記放送チャネルの情報は放送信号を選択するチューナ装置から取得される請求項14、15または16記載の情報提供装置。
- 上記ユーザ装置の種別を判別する手段とをさらに有し、上記ユーザ装置に合致したコンテンツを上記ユーザ装置に送信する請求項9〜17のいずれかに記載の情報提供装置。
- 関連付け指示手段と、上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するユーザ装置とともに用いられる情報提供装置において、
放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを、上記ユーザ装置の上記関連付け指示手段の操作により送信される上記関連付け要求の生成に少なくともその一部が用いられる、上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報に、関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
上記ユーザ装置から上記関係付け要求を受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関連付ける手段と、
ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて対応するユーザアカウントに関連付けられているコンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とする情報提供装置。 - 関連付け指示手段と、上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するユーザ装置とともに用いられる情報提供装置において、
放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを、上記ユーザ装置の上記関連付け指示手段の操作により送信される上記関連付け要求の生成に少なくともその一部が用いられる、上記放送コンテンツまたは上記関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報に、関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
上記ユーザ装置から上記関係付け要求を受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関連付ける手段と、
ユーザ装置の種別を判別する手段と、
ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて対応するユーザアカウントに関連付けられているコンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記判別した種別に応じたコンテンツフォーマットで上記ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とする情報提供装置。 - 上記コンテンツフォーマットは、HTML、コンパクトHTML、WMLおよびHDMLのコンテンツフォーマットを含む請求項20記載の情報提供装置。
- 関連付け指示手段と、上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するユーザ装置とともに用いられる情報提供装置において、
放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを、上記ユーザ装置の上記関連付け指示手段の操作により送信される上記関連付け要求の生成に少なくともその一部が用いられる、上記放送コンテンツまたは上記関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報に、関連付けて記憶するコンテンツ記憶手段と、
上記ユーザ装置から上記関係付け要求を受信する手段と、
上記関連付け要求に基づいて上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関連付ける手段と、
ユーザ装置から送信されてくるコンテンツメニュー送信要求に基づいて対応するユーザのアカウントに関連付けられている所定のコンテンツのメニューを生成して上記ユーザ装置に送信する手段と、
ユーザ装置から送信されてくる上記メニューに基づく選択指示に基づいて選択されたコンテンツを、上記コンテンツ記憶手段から取り出して、上記ユーザ装置に送信する手段とを有することを特徴とする情報提供装置。 - 関連付け指示手段と、上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するユーザ装置とともに用いられる情報提供装置において、
放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを記憶するコンテンツ記憶手段と、
上記ユーザ装置の上記関連付け指示手段の操作により送信される上記関連付け要求の生成に少なくともその一部が用いられる、上記放送コンテンツまたは上記関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報に基づいて、ユーザアカウントごとに上記放送コンテンツまたは上記関連コンテンツを関係付ける手段と、
ユーザ装置からの送信要求に基づいて対応するユーザアカウントに関係付けられている上記放送コンテンツまたは関連コンテンツを上記コンテンツ記憶手段から取り出して送信する手段とを有することと特徴とする情報提供装置。 - (a)放送コンテンツおよび(b)上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を含む放送信号を受信するステップと、
受信した放送信号に含まれる放送コンテンツを再生するステップと、
関連付け指示部に対して操作がなされたことに応じて、ユーザ特定情報と、上記コンテンツ特定情報とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信するステップと、
ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに関係付けられているコンテンツの送信を要求するステップとを有することを特徴とする情報アクセス方法。 - (a)放送コンテンツおよび(b)上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を含む放送信号を受信するステップと、
受信した放送信号に含まれる放送コンテンツを再生するステップと、
関連付け指示部に対して操作がなされたことに応じて、ユーザ特定情報と、上記コンテンツ特定情報とを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信するステップと、
ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに関係付けられているコンテンツの送信を要求するステップとをコンピュータに実行させるために用いるコンピュータプログラム。 - 関連付け指示手段と、上記関連付け指示手段が操作されたことに応じて、ユーザ特定情報と、放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報であって少なくともその一部が放送信号により送られてきたものとを含む関係付け要求であって、上記ユーザ特定情報により特定されるユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関係付けるよう要求する関係付け要求を、所定の送信宛先に送信する手段とを有するユーザ装置を用いて情報を提供する情報提供装置において、
(a)放送コンテンツおよび(b)上記ユーザ装置の上記関連付け指示手段の操作により送信される上記関連付け要求の生成に用いられる、上記放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報の少なくとも一部を、含む放送信号を送信するステップと、
上記放送信号に含まれる放送コンテンツまたは上記放送コンテンツに関連する関連コンテンツを上記放送コンテンツまたは上記関連コンテンツを特定するコンテンツ特定情報に関連付けて記憶するステップと、
上記ユーザ装置から上記関係付け要求を受信するステップと、
ユーザ特定情報に基づいて対応するユーザアカウントに上記コンテンツ特定情報により特定されるコンテンツを関連付けるステップと、
ユーザ装置から送信されてくるコンテンツ送信要求に基づいて対応するユーザアカウントに関連付けられているコンテンツを上記ユーザ装置に送信するステップとを有することを特徴とする情報提供方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000227883 | 2000-07-27 | ||
KR1020010047148A KR100374649B1 (en) | 2001-08-04 | 2001-08-04 | Structure of semiconductor device and manufacturing method thereof |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002515842A Division JP4174319B2 (ja) | 2000-07-27 | 2001-07-19 | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004147336A true JP2004147336A (ja) | 2004-05-20 |
JP2004147336A6 JP2004147336A6 (ja) | 2005-02-17 |
JP2004147336A5 JP2004147336A5 (ja) | 2007-08-23 |
JP4903361B2 JP4903361B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=19712880
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002227883A Expired - Fee Related JP4148717B2 (ja) | 2001-08-04 | 2002-08-05 | 半導体素子の製造方法 |
JP2003392420A Expired - Fee Related JP4903361B2 (ja) | 2000-07-27 | 2003-11-21 | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002227883A Expired - Fee Related JP4148717B2 (ja) | 2001-08-04 | 2002-08-05 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6548862B2 (ja) |
JP (2) | JP4148717B2 (ja) |
KR (1) | KR100374649B1 (ja) |
CN (1) | CN1290203C (ja) |
DE (1) | DE10234392B4 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006043328A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 情報格納システム及びデジタル放送受信端末及び情報格納装置 |
JP2006284711A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Seiko Instruments Inc | コンテンツデータ配信システム |
JP2007067509A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Casio Comput Co Ltd | 携帯端末装置およびテレビ受信装置および番組表示制御方法 |
JP2012523779A (ja) * | 2009-04-15 | 2012-10-04 | ゼットティーイー コーポレイション | メディアリソースの放送システム、方法、及びサービスサーバー |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398874B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2003-09-19 | 삼성전자주식회사 | 티자형의 게이트 전극을 갖는 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US6770932B2 (en) * | 2002-07-10 | 2004-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a memory region and a peripheral region, and a manufacturing method thereof |
US6806126B1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor component |
JP3574644B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-10-06 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6905976B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-06-14 | International Business Machines Corporation | Structure and method of forming a notched gate field effect transistor |
US7135373B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Reduction of channel hot carrier effects in transistor devices |
DE102004005992B3 (de) * | 2004-02-06 | 2005-11-17 | Infineon Technologies Ag | Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur |
US20070001199A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Thunderbird Technologies, Inc. | Circuits and Integrated Circuits Including Field Effect Transistors Having Differing Body Effects |
JP2007165541A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100846393B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2008-07-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
US20090218638A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Smith Michael A | Nand flash peripheral circuitry field plate |
US9048254B2 (en) * | 2009-12-02 | 2015-06-02 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor structure having a metal gate with side wall spacers |
CN101794712A (zh) * | 2010-01-28 | 2010-08-04 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 大角度离子注入抑制soi mos器件浮体效应的方法 |
CN102386085A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-03-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于后栅工艺的平坦化方法及其器件结构 |
CN104217933B (zh) * | 2013-06-05 | 2016-12-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US9349817B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor device including spacers having different dimensions |
US10096523B2 (en) * | 2015-11-30 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Spacer structure and manufacturing method thereof |
JP2018148123A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US10790148B2 (en) * | 2018-05-23 | 2020-09-29 | Globalfoundries Inc. | Method to increase effective gate height |
US20230282716A1 (en) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | Qualcomm Incorporated | High performance device with double side contacts |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63141467A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 番組自動受信起動装置 |
JPH09160852A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 情報提供装置 |
JPH09289498A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 番組放送システム |
JPH1056632A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Toshiba Corp | 放送システムおよび放送受信装置 |
JPH10177532A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-30 | Access:Kk | テレビ番組と連携してインターネットホームページを自動的にテレビ画面上に表示させる方法および装置 |
JPH10261285A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録再生装置 |
JPH11203219A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Infocity:Kk | 情報アクセス方法および装置 |
JP2000196547A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sony Corp | 受信装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03220729A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US5744372A (en) * | 1995-04-12 | 1998-04-28 | National Semiconductor Corporation | Fabrication of complementary field-effect transistors each having multi-part channel |
JP3714995B2 (ja) * | 1995-07-05 | 2005-11-09 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
US5843815A (en) * | 1997-01-15 | 1998-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for fabricating a MOSFET device, for an SRAM cell, using a self-aligned ion implanted halo region |
KR100260044B1 (ko) * | 1997-11-25 | 2000-07-01 | 윤종용 | 고속/고성능 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US6049114A (en) * | 1998-07-20 | 2000-04-11 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a metal containing layer overlying a gate dielectric |
JP2000156502A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-06-06 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路及び方法 |
JP3237626B2 (ja) * | 1998-10-02 | 2001-12-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6168995B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-01-02 | Lucent Technologies Inc. | Method of fabricating a split gate memory cell |
-
2001
- 2001-08-04 KR KR1020010047148A patent/KR100374649B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-05-14 US US10/144,962 patent/US6548862B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-19 CN CNB021264384A patent/CN1290203C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 DE DE10234392A patent/DE10234392B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-05 JP JP2002227883A patent/JP4148717B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-21 US US10/371,093 patent/US6764910B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-21 JP JP2003392420A patent/JP4903361B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63141467A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | 番組自動受信起動装置 |
JPH09160852A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 情報提供装置 |
JPH09289498A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 番組放送システム |
JPH1056632A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Toshiba Corp | 放送システムおよび放送受信装置 |
JPH10177532A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-30 | Access:Kk | テレビ番組と連携してインターネットホームページを自動的にテレビ画面上に表示させる方法および装置 |
JPH10261285A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録再生装置 |
JPH11203219A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Infocity:Kk | 情報アクセス方法および装置 |
JP2000196547A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sony Corp | 受信装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006043328A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 情報格納システム及びデジタル放送受信端末及び情報格納装置 |
JP2006284711A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Seiko Instruments Inc | コンテンツデータ配信システム |
JP4646672B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-09 | セイコーインスツル株式会社 | コンテンツデータ配信システム、および受信装置 |
JP2007067509A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Casio Comput Co Ltd | 携帯端末装置およびテレビ受信装置および番組表示制御方法 |
JP2012523779A (ja) * | 2009-04-15 | 2012-10-04 | ゼットティーイー コーポレイション | メディアリソースの放送システム、方法、及びサービスサーバー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030030103A1 (en) | 2003-02-13 |
US20030151097A1 (en) | 2003-08-14 |
DE10234392B4 (de) | 2008-08-14 |
CN1290203C (zh) | 2006-12-13 |
JP4148717B2 (ja) | 2008-09-10 |
US6764910B2 (en) | 2004-07-20 |
JP4903361B2 (ja) | 2012-03-28 |
US6548862B2 (en) | 2003-04-15 |
JP2003110104A (ja) | 2003-04-11 |
DE10234392A1 (de) | 2003-02-27 |
CN1405894A (zh) | 2003-03-26 |
KR100374649B1 (en) | 2003-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4174319B2 (ja) | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 | |
JP4903361B2 (ja) | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 | |
JP2004147336A6 (ja) | 情報アクセス装置および方法ならびに情報提供装置および方法 | |
JP4943416B2 (ja) | 番組放送システム及び番組コンテンツ配信システム | |
JP4114421B2 (ja) | 電子機器装置、サーバ装置、レイアウト記述文書の提供方法 | |
US20080235587A1 (en) | System and method for content distribution | |
US20050015801A1 (en) | Information providing system, broadcast receiving apparatus, and server apparatus | |
JP2006246064A (ja) | デジタル放送システム及び方法 | |
US20110258295A1 (en) | Information processing terminal and method thereof | |
JP2003158726A (ja) | 番組情報提供システム | |
KR20070097678A (ko) | 방송 프로그램과 연동한 부가 정보 제공 장치 및 방법과이를 이용한 모바일 정보통신 단말 | |
US20090119727A1 (en) | Interactive service system, multimedia content transmitting device, multimedia content receiving device, sub-content receiving device, message receiving device, program for controlling interactive service system, program for controlling multimedia content transmitting device, program for controlling multimedia content receiving device, program for controlling sub-content receiving device, program for controlling message receiving device, and recording medium recording program | |
JP5208560B2 (ja) | 情報映像化配信装置、情報映像化配信方法及びプログラム | |
JPWO2008090799A1 (ja) | テレビ情報処理装置、テレビ番組情報表示プログラムおよびウェブ・テレビ連携方法 | |
JP4119838B2 (ja) | 番組関連情報取得システムおよびその方法 | |
JP4746836B2 (ja) | 情報提供装置および方法 | |
JP4174175B2 (ja) | 情報提供装置および方法 | |
JP4461408B2 (ja) | 情報提供システムとその情報提供方法、及び情報提供プログラムを記録した記録媒体 | |
JP2010233034A (ja) | 関連コンテンツ配信システム、ユーザデバイス管理サーバ、及びコンピュータプログラム | |
JP2009005260A (ja) | コンテンツ視聴装置 | |
KR20010078999A (ko) | 인터넷을 이용한 tv프로그램 예약녹화 서비스 제공방법 | |
JP2004200882A (ja) | 再放送番組録画指定方法、再放送番組録画指定システム及びプログラム | |
JP2008085741A (ja) | 遠隔制御システム、記憶装置、電子機器、遠隔制御方法、及び遠隔制御プログラム | |
JP2003046459A (ja) | 時刻ブックマークシステム | |
KR100661718B1 (ko) | 방송 웹사이트 서비스에서 dgi를 이용한 예약녹화설정장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070705 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4903361 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S804 | Written request for registration of cancellation of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314805 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |