JP2004146392A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子収納用パッケージ5は、上側主面に半導体素子2を載置する載置部1bが設けられているとともに上側主面の載置部1bの周囲に電極パッド6が形成された基体1と、基体1の上側主面の外周部に載置部1bおよび電極パッド6を囲繞するように取着された枠体3と、枠体3の上面に下方に向けて略全周にわたって形成された複数の穴3aと、複数の穴3aのそれぞれに嵌着させるための穴3aの深さよりも短い突起4aが下面の外周部に複数形成された蓋体4とを具備する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体素子収納用パッケージ(以下、半導体パッケージともいう)およびその半導体パッケージに半導体素子を気密封止して成る半導体装置の一例を図3および図4(a),(b)に示す。これらの図において、101は基体、103は枠体、104は蓋体であり、これらの基体101、枠体103および蓋体104とから基本的に構成される半導体パッケージに半導体素子102を気密に収容して半導体装置105となる。
【0003】
基体101は、アルミナ(Al2O3)質焼結体(セラミックス),ムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体等のセラミックス、ガラスセラミックス等の無機材料、四ふっ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE),四ふっ化エチレン・エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂;ETFE),四ふっ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂,ガラスエポキシ樹脂,ポリイミド等の樹脂系材料等の電気絶縁材料から成り、上側主面に半導体素子102を収納し載置するための凹部101aを有し、凹部101a内の半導体素子102の載置部101bの周囲には電極パッド106が設けられている。
【0004】
また、基体101の上側主面の凹部101aの周囲には、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)合金や鉄−ニッケル−コバルト(Co)合金等の金属等からなる枠体103が接合されている。この枠体103は、蓋体104を基体101に強固に接合するためのものであり、その下面が基体101にろう材等を介して接合されている。この枠体103の上面に、凹部101aを塞ぐようにして蓋体104をハンダ108を介して接合することにより凹部101aに収納された半導体素子102が気密封止される。
【0005】
半導体素子102は、基体101に形成された凹部101aの底面の載置部101bに樹脂接着剤等で接着されるとともに、その電極(図示せず)が金やアルミニウム等から成るボンディングワイヤ107を介して基体101に形成された電極パッド106に電気的に接続されている(例えば、下記の特許文献1参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−349961号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体パッケージおよび半導体装置においては、蓋体104はハンダ108を介して枠体103に接合されているが、封止時の蓋体104を上方から押圧する圧力、温度条件および炉内の雰囲気等の影響により、枠体103と蓋体104とを接合する際にハンダ108の一部が凹部101a内へと流れ込む場合があり、流れ込んだハンダ108が凹部101a内に設けられた電極パッド106にまで至り、例えば電極パッド106同士が電気的な短絡を起こすという問題点があった。
【0008】
また、蓋体104は枠体103にハンダ108で固定されるまでは枠体103の上面に載置されているだけであり、枠体103に対する位置が不安定である。このため、枠体103に対し蓋体104がずれて固定されてしまい、気密性が損なわれるという問題点があった。
【0009】
さらに、蓋体104には、枠体103に固定された後に基体101内に収納された半導体素子102の駆動による発熱や環境温度の変化によって起きる熱応力、また半導体装置105の置かれる環境の気圧変化による応力等が加わる。その際、蓋体104と枠体103との接合部であるハンダ108に大きな応力が加わるため、この接合部が破壊され、半導体装置105の気密性が破れるという問題点もあった。特に、基体101に収納される半導体素子102が大型になるにつれ、半導体素子102が載置される基体101の凹部101aも大きくなる。その結果、凹部101aを取り囲む枠体103と、これに接合される蓋体104も大きくなる。その結果、蓋体104の受ける応力も大きくなり、上記のような問題点がより顕著にあらわれる傾向にある。
【0010】
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、蓋体を枠体にハンダで接合する際にハンダの余剰分が基体に形成された電極パッド部に流れ込んで電気的な短絡を起こすことを防ぐとともに、蓋体と枠体の位置決めを確実に行え、また蓋体が枠体に接合された後に蓋体に加わる応力を緩和することのできる半導体パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置する載置部が設けられているとともに前記上側主面の前記載置部の周囲に電極パッドが形成された基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部および前記電極パッドを囲繞するように取着された枠体と、該枠体の上面に下方に向けて略全周にわたって形成された複数の穴と、該複数の穴のそれぞれに嵌着させるための前記穴の深さよりも短い突起が下面の外周部に複数形成された蓋体とを具備することを特徴とする。
【0012】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、基体の上側主面の外周部に載置部および電極パッドを囲繞するように取着された枠体と、枠体の上面に下方に向けて略全周にわたって形成された複数の穴と、複数の穴のそれぞれに嵌着させるための穴の深さよりも短い突起が下面の外周部に複数形成された蓋体とを具備していることから、蓋体と枠体とを接合するためのハンダに余剰分が発生しても、ハンダのほとんどは枠体に設けられた穴に流れ込み、蓋体と枠体との接合部から溢れて基体の電極パッド部へ流れ込むのを防ぐことができる。
【0013】
また、蓋体を枠体に載置する際の位置決めが確実に行なえる。さらに、枠体に設けた穴に蓋体の突起を嵌着させることで、蓋体と枠体との接合面積を大きくすることができ、穴と突起との接合面により蓋体と枠体とを接合するハンダにかかる応力を大幅に緩和することができる。その結果、蓋体と枠体との接合部のハンダの破壊が発生するのを抑制することができる。従って、蓋体と枠体との高い接合信頼性を得ることができる。
【0014】
本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記複数の穴は、前記枠体の上面側の開口よりも前記枠体の下面側の開口が大きいことを特徴とする。
【0015】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、複数の穴は枠体の上面側の開口よりも枠体の下面側の開口が大きいことから、蓋体と枠体とを接合するハンダの接合面積および体積を大きくすることができる。その結果、蓋体と枠体との接合部のハンダに破壊が発生するのをより一層効果的に抑制することができ、蓋体と枠体との高い接合信頼性をより確実に得ることができる。
【0016】
また、穴内のハンダは下側の体積が大きくなっているため、基体と枠体との接合強度が向上する。さらに、蓋体と枠体とは突起およびハンダで接合されるため、それらの接合強度は基体と枠体との接合強度よりも大きいが、基体と枠体との接合強度が向上することから、枠体の上下の接合強度が略同じになるとともに枠体の全周で接合強度が略同じになる。その結果、枠体の接合部に局所的に接合強度の劣化した部位が生じることがなくなり、枠体の接合性がより良好になる。
【0017】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記基体の前記上側主面の前記載置部に載置固定されるとともに前記電極パッドに電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の前記穴に前記蓋体の前記突起を嵌着させることにより前記枠体の上面に設置された前記蓋体とを具備したことを特徴とする。
【0018】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた信頼性の高いものとなる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置について以下に詳細に説明する。図1および図2(a),(b)は、それぞれ本発明の半導体パッケージおよび半導体装置について実施の形態の一例を示し、図1は本発明の半導体パッケージを用いた半導体装置の断面図、(a)は図1の半導体装置であって蓋体を取り除いたもの(半導体パッケージ)の平面図、(b)は図1の半導体装置における蓋体の下面の平面図である。これらの図において、1は基体、2は半導体素子、3は枠体、4は蓋体であり、基体1および枠体3により半導体パッケージ5が基本的に構成される。半導体パッケージ5内に半導体素子2を収容し枠体3の上面に蓋体4を接合することにより半導体装置5が構成される。
【0020】
本発明の半導体パッケージ5は、上側主面に半導体素子2を載置する載置部1bが設けられているとともに上側主面の載置部1bの周囲に電極パッド6が形成された基体1と、基体1の上側主面の外周部に載置部1bおよび電極パッド6を囲繞するように取着された枠体3と、枠体3の上面に下方に向けて略全周にわたって形成された複数の穴3aと、複数の穴3aのそれぞれに嵌着させるための穴3aの深さよりも短い突起4aが下面の外周部に複数形成された蓋体4とを具備する。
【0021】
本発明の基体1は、アルミナ(Al2O3)質焼結体(セラミックス),ムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体等のセラミックスやガラスセラミックス等の無機材料、四ふっ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE),四ふっ化エチレン・エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂;ETFE),四ふっ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂,ガラスエポキシ樹脂,ポリイミド等の樹脂系材料、またはAl,Cu,Fe−Ni−Co合金,Fe−Ni合金,Cu−W合金等の金属材料から成る。
【0022】
この基体1は上側主面に凹部1aを有し、凹部1a内の載置部1bの周囲に電極パッド6が設けられているが、本発明において基体1は凹部1aのない平板状のものであってもよい。
【0023】
電極パッド6は、Au,Al等から成るボンディングワイヤ7を介して半導体素子2の上面の入出力用の電極に電気的に接続されるものであり、基体1の側面および基体1の下側主面等に形成されたメタライズ層等から成る配線パターンやリード端子等(図示せず)を介して外部電気回路等に電気的に接続される。
【0024】
また、基板1の上側主面の凹部1aの底面には、半導体素子2がアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリエーテルアミド系樹脂等から成る樹脂接着剤、またはAu−Si、Au−Sn、Sn−Pb半田等から成る接着剤を介して接着される。
【0025】
基体1の上側主面の凹部1aの周囲には枠体3が接合されている。この枠体3は、Fe−Ni−Co合金、Al,Cu等の金属、アルミナ質焼結体,窒化アルミニウム(AlN)質焼結体,炭化珪素(SiC)質焼結体,窒化珪素(Si3N4)質焼結体,ガラスセラミックス等のセラミックス材料等から成る。枠体3の平面視形状は略四角形状等であり、全体形状は例えば高さ約0.3〜3mm、幅約1〜5mmの直方体状である。枠体3の幅については、封止強度を維持するために極力大きいことがよい。ただし、5mmを超えて大きすぎると、半導体装置5自体の小型化が困難となる。また、枠体3の高さは、ボンディングワイヤ7に接触しないようにするために、ボンディングワイヤ7の最上部よりも高いことがよいが、3mmを超えて高すぎると半導体装置5自体の低背化が困難となる。
【0026】
枠体3は基体1と蓋体4との間に設置されるため、蓋体4を枠体3に接合固定する際や半導体装置5が外部電気回路基板等に実装される際の熱によって半導体装置5全体が膨張し、基体1、枠体3、蓋体4のそれぞれの間の接合部にストレスが加わり易い。このことから、枠体3は、基体1および蓋体4のそれぞれの熱膨張係数に近い材料を用いるのが好ましい。
【0027】
枠体3の上面には、Sn−Pb共晶ハンダ、Sn−Pb系の高温ハンダ、Au−Snハンダ等から成るハンダ8を介して蓋体4が接合される。この蓋体4は、Fe−Ni−Co合金,Al,Cu等の金属、アルミナ質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラスセラミックス等のセラミックス材料等から成る。
【0028】
蓋体4を枠体に3に接合する手法としては、例えば、蓋体4の下面の外周部または枠体3の上面にハンダ8を予め設けておくといった方法がある。
【0029】
本発明の半導体装置5では、枠体3の上面に下方に向かって略全周にわたって複数の穴3aを形成し、蓋体4の下面の外周部に穴3aに嵌着させるための穴3aの深さよりも短い突起4aを複数形成して、枠体3の穴3aに蓋体4の突起4aを嵌着させて枠体3と蓋体4とを接合させる。これにより、蓋体4と枠体3とを接合するハンダ8に余剰分が発生しても、ハンダ8のほとんどは枠体3の穴3aに流れ込み、ハンダ8が基体1の凹部1a内へ流れ込むのを防ぐことができる。また、穴3aに突起4aを嵌着させることで、蓋体4を枠体3に接合する際の位置決めが確実に行える。さらに、蓋体4と枠体3との接合面積を大きくすることができ、穴3aと突起4aとの接合面により蓋体4と枠体3とを接合するハンダ8にかかる応力を大幅に緩和することができる。その結果、蓋体4と枠体3との接合部のハンダ8の破壊が発生するのを抑制することができる。従って、蓋体4と枠体3との高い接合信頼性を得ることができる。
【0030】
また穴3aは、枠体3の上面側の開口よりも枠体3の下面側の開口が大きいことが好ましい。これにより、穴3a内のハンダは下側の体積が大きくなるため、基体1と枠体3との接合強度が向上する。さらに、蓋体4と枠体3とは突起4aおよびハンダ8で接合されるため、それらの接合強度は基体1と枠体3との接合強度よりも大きいが、基体1と枠体3との接合強度が向上することから、枠体3の上下の接合強度が略同じになるとともに枠体3の全周で接合強度が略同じになる。その結果、枠体3の接合部に局所的に接合強度の劣化した部位が生じることがなくなり、枠体3の接合性がより良好になる。
【0031】
穴3aは枠体3の上面から下方に向かって厚さ方向の途中まで形成されたものであってもよいし、枠体3の上下面間を貫通する貫通孔であってもよい。
【0032】
突起4aの長さは穴3aの深さよりも短いが、具体的には突起4aの長さは0.1〜2mmがよい。0.1mm未満では、蓋体4を枠体3に載置した際に穴3aから突起4aがはずれ易くなる。2mmを超えると、穴3aの深さも2mm以上となることから、半導体装置5の低背化が困難になる。また、穴3aの深さは突起4aの長さよりも0.1〜1.0mm長ければよい。0.1mm未満では、ハンダ8が穴3aから溢れ易くなり、1.0mmを超えると、ハンダ8が枠体3の上面で濡れにくくなる。また、半導体装置5の低背化が困難になる。
【0033】
また、突起4aの幅は穴3aの幅よりも0.05〜0.3mm小さいことが好ましい。突起4aの幅と穴3aの幅との差が0.05mm未満では、穴3aに突起4aを嵌め込むことが困難になる。突起4aの幅と穴3aの幅との差が0.3mmを超えると、枠体3上面に蓋体4を載置した際に蓋体4の移動可能範囲が大きくなり、位置決めが困難となる。また突起4aは、穴3aの長さと略同じ長さとなるように連続して形成されていることが好ましく、この場合枠体3と蓋体4との接合が強固になる。
【0034】
さらに突起4aは、縦断面形状が下側が先細りとされた形状であることがよく、突起4aを穴3aに嵌入させることが容易になるとともに突起4aと穴3aとの接合部の面積が増大する。また、ハンダ8は穴3aの両端部で外にはみ出し易いことから、突起4aの穴3aの両端部における部位の高さをそれ以外の部位よりも低くすることが好ましい。この場合、穴3aの両端部でハンダ8が外にはみ出るのを防ぐことができる。
【0035】
また、枠体3の上面に設けた穴3aの幅は蓋体4の突起4aを嵌め込むことができる大きさであり、また穴3aの深さはハンダ8の余剰分が流れ込むだけの空間ができればよい。穴3aの幅が大きすぎると、枠体3の上面の穴3aの両端部の面積が小さくなり、枠体3の上面領域における蓋体4と枠体3との接合面積が減少するため接合信頼性が低下する傾向がある。
【0036】
また穴3aは、図2に示すように、枠体3の上面の内側の4辺と略同じ長さで長穴状のものが4つ形成されるのが好ましい。この場合、穴3aと突起4aとの接合部の接合面積がほぼ最大になるとともに、接合部における応力緩和効果がほぼ最大になる。さらに複数の穴3aは、枠体3の上面の略全周にわたって形成されているが、大きな応力が加わり易い枠体3の4隅部で途切れていることがよい。また、穴3aが貫通孔である場合、穴3aは少なくとも一箇所で途切れている。穴3aが途切れずに枠体3の上面の全周にわたって形成されると、枠体3の上面が穴3aによって内側と外側の2つに分かれてしまうため、基体1に枠体3を接合する際に枠体3の位置決めが難しくなり、接合不良による気密封止の信頼性が低下する恐れがある。
【0037】
また、穴3aは、図2に示すように長穴状のものであってもよいし、略円形や略四角形のものを複数形成してもよい。穴3aは図2に示すような長穴状のものが好ましい。即ち、略円形の穴3aの場合、枠体3上面の穴3aの両側の部位が薄くなって枠体3の強度が低下し易いのに対し、長穴状の穴3aの場合、略円形のものと開口面積が同じであっても枠体3上面の穴3aの両側の部位が厚くなり、枠体3の強度を保持できるとともに枠体3の強度が全周にわたって略均一になる。また、枠体3と蓋体4との接合部にかかる応力を分散させることができる。
【0038】
穴3aが図2のような長穴状のものの場合、穴3aは枠体2上面の幅方向の中央部に形成されており、穴3aの幅は枠体3の枠部の上面の幅の1/5〜1/2であることが好ましい。1/5未満では、ハンダ8が穴3aから溢れ易くなり、1/2を超えると、枠体3の強度が低下して枠体2にクラック等が発生して気密性が破れ易くなる。
【0039】
【実施例】
本発明の半導体装置の実施例を以下に説明する。
【0040】
(実施例1)
本発明の半導体装置を以下のように構成した。厚さ1.5mm×縦20mm×横20mmの直方体状のアルミナセラミックスから成る基体1の上側主面の載置部1bの周囲にWのメタライズ層から成る電極パッド6を形成し、基体1の上側主面の外周部に載置部1bおよび電極パッド6を囲むようにして、縦15mm、横15mm、高さ1mm、枠部の厚さ(枠体3の枠部の上面の幅)が2mmであるFe−Ni−Co合金から成る四角形の枠体3を、Agロウで接合した。
【0041】
このとき、図2に示した4つの長穴状で貫通孔とされた穴3a(深さ1mm)を枠体3の上面で枠部の中央部に形成した。そして、穴3aの幅を0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mmと種々の値としたものを各10個作製した。
【0042】
そして、載置部1bにLSIから成る半導体素子2をエポキシ系樹脂から成る樹脂接着剤で載置固定し、半導体素子2の上面の電極をAuから成るボンディングワイヤ7を介して電極パッド6に電気的に接続した。
【0043】
次に、厚さ0.3mm×縦15mm×横15mmのFe−Ni−Co合金から成り、下面の外周部に穴3aに嵌着される突起4aが形成された蓋体4を、穴3aに突起4aを嵌着させてSn−Pb共晶ハンダから成るハンダ8を介して接合して、各種半導体装置のサンプルを作製した。このとき、突起4aの長さを0.3mmとし、また上記各種穴3aに対して突起4aの幅がいずれも0.1mm小さくなるようにした。
【0044】
そして、上記各種サンプルについて、表1にハンダ8の穴3aからの溢れの有無、枠体2の強度が低下して枠体2にクラック等が発生して気密性が破れたか否かを調べた結果を示す。
【0045】
【表1】
【0046】
表1より、穴3aの幅が0.2mmのものでは、ハンダ8が穴3aから溢れ出て電極パッド6同士がショートしたものが3/10発生した。穴3aの幅が1.2mmのものでは、気密性が破れたものが2/10発生した。これに対して、穴3aの幅が0.4〜1.0mmのものでは全く問題がなかった。
【0047】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【0048】
【発明の効果】
本発明の半導体収納用パッケージは、上側主面に半導体素子を載置する載置部が設けられているとともに上側主面の載置部の周囲に電極パッドが形成された基体と、基体の上側主面の外周部に載置部および電極パッドを囲繞するように取着された枠体と、枠体の上面に下方に向けて略全周にわたって形成された複数の穴と、複数の穴のそれぞれに嵌着させるための穴の深さよりも短い突起が下面の外周部に複数形成された蓋体とを具備することにより、蓋体と枠体とを接合するためのハンダに余剰分が発生しても、ハンダのほとんどは枠体に設けられた穴に流れ込み、蓋体と枠体との接合部から溢れて基体の電極パッド部へ流れ込むのを防ぐことができる。
【0049】
また、蓋体を枠体に載置する際の位置決めが確実に行なえる。さらに、枠体に設けた穴に蓋体の突起を嵌着させることで、蓋体と枠体との接合面積を大きくすることができ、穴と突起との接合面により蓋体と枠体とを接合するハンダにかかる応力を大幅に緩和することができる。その結果、蓋体と枠体との接合部のハンダの破壊が発生するのを抑制することができる。従って、蓋体と枠体との高い接合信頼性を得ることができる。
【0050】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、好ましくは、複数の穴は枠体の上面側の開口よりも枠体の下面側の開口が大きいことにより、蓋体と枠体とを接合するハンダの接合面積および体積を大きくすることができる。その結果、蓋体と枠体との接合部のハンダに破壊が発生するのをより一層効果的に抑制することができ、蓋体と枠体との高い接合信頼性をより確実に得ることができる。
【0051】
また、穴内のハンダは下側の体積が大きくなっているため、基体と枠体との接合強度が向上する。さらに、蓋体と枠体とは突起およびハンダで接合されるため、それらの接合強度は基体と枠体との接合強度よりも大きいが、基体と枠体との接合強度が向上することから、枠体の上下の接合強度が略同じになるとともに枠体の全周で接合強度が略同じになる。その結果、枠体の接合部に局所的に接合強度の劣化した部位が生じることがなくなり、枠体の接合性がより良好になる。
【0052】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、基体の上側主面の載置部に載置固定されるとともに電極パッドに電気的に接続された半導体素子と、枠体の穴に蓋体の突起を嵌着させることにより枠体の上面に設置された蓋体とを具備したことにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の半導体装置について実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図3】(a)は図1の半導体装置であって蓋体を取り除いたものの平面図、(b)は図1の半導体装置における蓋体の下面の平面図である。
【図4】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図5】(a)は図4の半導体装置であって蓋体を取り除いたものの平面図、(b)は図4の半導体装置における蓋体の下面の平面図である。
【符号の説明】
1:基体
1b:載置部
2:半導体素子
3:枠体
3a:穴
4:蓋体
4a:突起
5:半導体装置
6:電極パッド
Claims (3)
- 上側主面に半導体素子を載置する載置部が設けられているとともに前記上側主面の前記載置部の周囲に電極パッドが形成された基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記載置部および前記電極パッドを囲繞するように取着された枠体と、該枠体の上面に下方に向けて略全周にわたって形成された複数の穴と、該複数の穴のそれぞれに嵌着させるための前記穴の深さよりも短い突起が下面の外周部に複数形成された蓋体とを具備することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
- 前記複数の穴は、前記枠体の上面側の開口よりも前記枠体の下面側の開口が大きいことを特徴とする請求項1記載の半導体素子収納用パッケージ。
- 請求項1または請求項2記載の半導体素子収納用パッケージと、前記基体の前記上側主面の前記載置部に載置固定されるとともに前記電極パッドに電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の前記穴に前記蓋体の前記突起を嵌着させることにより前記枠体の上面に設置された前記蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
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