JP2004104129A5 - - Google Patents
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- 3−Dスパイラル積層インダクタを形成する方法であって、
基板[112]を設けるステップと、
前記基板[112]の真上に第1の導電性材料の層を形成するステップと、
第1のレベルの第1の巻線[150’−128]を形成するために、前記第1の導電性材料の層を処理するステップと、
前記基板[112]および前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]の真上に、第1の誘電体層[118]を形成するステップと、
前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]に接続された前記第1の誘電体層[118]に、第1の巻線の第1のビア開口を形成するステップと、
前記第1の誘電体層[118]の真上に、かつ、前記第1の巻線の第1のビア開口に、第2の導電性材料の層を形成するステップと、
前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]に接続された第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]および第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]を形成するために、前記第2の導電性材料の層を処理するステップと、
前記第1の誘電体層[118]、前記第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]、および前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]の真上に、第2の誘電体層[120]を形成するステップとを含む、方法。 - 前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]および第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]にそれぞれ接続される第1の巻線の第2のビア開口および第2の巻線の第2のビア開口を、前記第2の誘電体層[120]に形成するステップと、
前記第2の誘電体層[120]の真上に、かつ、前記第1の巻線の第2のビア開口および第2の巻線の第2のビア開口に、第3の導電性材料の層を形成するステップと、
第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]、前記第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]に接続された第3のレベルの第2の巻線[150’’’−126]、および前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]に接続された第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]を形成するために、前記第3の導電性材料の層を処理するステップと、
前記第2の誘電体層[120]、前記第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]、前記第3のレベルの第2の巻線[150’’’−126]、および前記第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]の真上に、第3の誘電体層[121]を形成するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]、前記第3のレベルの第2の巻線[150’’’−126]、および前記第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]にそれぞれ接続された、第1の巻線の第3のビア開口、第2の巻線の第3のビア開口、および第3の巻線の第3のビア開口を、前記第3の誘電体層[121]に形成するステップと、
前記第3の誘電体層[121]の真上に、かつ、第1の巻線[24]の第3のビア開口、第2の巻線[26]の第3のビア開口、および第3の巻線の第3のビア開口に、第4の導電性材料の層を形成するステップと、
第4のレベルの第4の巻線、前記第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]に接続された第4のレベルの第3の巻線、前記第3のレベルの第2の巻線[150’’’−126]に接続された第4のレベルの第2の巻線、および前記第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]に接続された第4のレベルの第1の巻線を形成するために、前記第4の導電性材料の層を処理するステップと、
前記第3の誘電体層[121]、前記第4のレベルの第4の巻線、前記第4のレベルの第3の巻線、前記第4のレベルの第2の巻線、および前記第4のレベルの第1の巻線の真上に、第4の誘電体層[14]を形成するステップとを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]の真下において、前記第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]、前記第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]、前記第4のレベルの第4の巻線、およびそれらの組合せからなる群から選択される巻線に接続される第1の接続部分[130]を形成するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第2の導電性材料の層、前記第3の導電性材料の層、前記第4の導電性材料の層、およびそれらの組合せからなる群から選択される導電性材料の層を処理する間に、第2の接続部分[134]を形成するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 基板[112]と、
複数のレベル[150’,150’’,150’’’]における複数の巻線[124,126,128]とを含み、
レベルの数は、前記複数の巻線[124,126,128]の内側の巻線から増大し、
巻線の数は、前記基板[112]に、より近接するレベルの数から、前記基板[112]に近接する1つの巻線まで減少し、
前記複数の巻線[124,126,128]の少なくとも1つは、その長さに沿って前記複数のレベル[150’,150’’,150’’’]の別の巻線に相互接続され、さらに、
前記基板[112]から離れたレベルにおいて前記複数の巻線[124,126,128]の内側の巻線に接続された第1の接続部分[130]と、
前記複数の巻線[124,126,128]の最も外側に接続された第2の接続部分[134]と、
前記第1および第2の接続部分[130,134]ならびに前記複数の巻線[124,126,128]を含む誘電体材料[116,121]とを含む、3−Dスパイラル積層インダクタ。 - 基板[112]と、
前記基板[112]の真上に、第1のレベルの第1の巻線[150’−128]と、
前記基板[112]および前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]の真上に、第1の誘電体層[118]とを含み、前記第1の誘電体層[118]には、前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]に接続された第1の巻線の第1のビア開口が設けられ、さらに、
前記第1の誘電体層[118]の真上に、かつ、第1のレベルの巻線の非真上に、第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]と、
前記第1の誘電体層[118]の真上に、かつ、前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]に接続された前記第1の巻線の第1のビア開口に、第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]と、
前記第1の誘電体層[118]、前記第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]、および前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]の真上に、第2の誘電体層[120]とを含む、3−Dスパイラル積層インダクタ。 - 前記第2の誘電体層[120]には、前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]および第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]にそれぞれ接続された第1の巻線の第2のビア開口および第2の巻線の第2のビア開口が設けられ、
前記第2の誘電体層[120]の真上に、かつ、第2のレベルの巻線の非真上に、第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]と、
前記第2の誘電体層[120]の真上に、かつ、前記第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]に接続された前記第2の巻線の第2のビア開口に、第3のレベルの第2の巻線[150’’’−126]と、
前記第2の誘電体層[120]の真上に、かつ、前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]に接続された前記第1の巻線の第2のビア開口に、第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]と、
前記第2の誘電体層[120]、前記第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]、前記第3のレベルの第2の巻線[150’’’−126]、および前記第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]の真上に、第3の誘電体層[121]とを含む、請求項7に記載の3−Dスパイラル積層インダクタ。 - 前記第1のレベルの第1の巻線[150’−128]の真下において、前記第2のレベルの第2の巻線[150’’−126]、前記第3のレベルの第3の巻線[150’’’−124]、前記第4のレベルの第4の巻線、およびそれらの組合せからなる群から選択される巻線に接続される第1の接続部分[130]を含む、請求項7に記載の3−Dスパイラル積層インダクタ。
- 前記第2のレベルの第1の巻線[150’’−128]、前記第3のレベルの第1の巻線[150’’’−128]、前記第4のレベルの第1の巻線、およびそれらの組合せからなる群から選択される巻線に接続される第2の接続部分[134]を含む、請求項7に記載の3−Dスパイラル積層インダクタ。
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