JPH11224825A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JPH11224825A JPH11224825A JP10025968A JP2596898A JPH11224825A JP H11224825 A JPH11224825 A JP H11224825A JP 10025968 A JP10025968 A JP 10025968A JP 2596898 A JP2596898 A JP 2596898A JP H11224825 A JPH11224825 A JP H11224825A
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- insulating
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性のばらつきが小さくて信頼性の高い小型
の電子部品を低コストで製造することができる電子部品
及びその製造方法を得る。 【解決手段】 絶縁基板１に印刷されたガラス材料を含
む感光性導電ペースト２を、露光、現像することによ
り、必要部分２ａを残し、不要部分２ｂを除去する。そ
の後、感光性導電ペースト２中のガラス材料の転移温度
Ｔｇ付近の温度５００〜６００℃で予備焼成する。第１
層目の導体パターン層ＣＬ１上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布し、露
光、現像することにより、導体パターン層ＣＬ１の導体
パターンｃｐに達するビアホール用の孔３ｖｈを形成し
た後、同様に予備焼成する。以下、同様の工程を繰り返
し、最後に本焼成することにより、絶縁基板１上に三次
元的に導体パターンｃｐが形成された電子部品を得る。
の電子部品を低コストで製造することができる電子部品
及びその製造方法を得る。 【解決手段】 絶縁基板１に印刷されたガラス材料を含
む感光性導電ペースト２を、露光、現像することによ
り、必要部分２ａを残し、不要部分２ｂを除去する。そ
の後、感光性導電ペースト２中のガラス材料の転移温度
Ｔｇ付近の温度５００〜６００℃で予備焼成する。第１
層目の導体パターン層ＣＬ１上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布し、露
光、現像することにより、導体パターン層ＣＬ１の導体
パターンｃｐに達するビアホール用の孔３ｖｈを形成し
た後、同様に予備焼成する。以下、同様の工程を繰り返
し、最後に本焼成することにより、絶縁基板１上に三次
元的に導体パターンｃｐが形成された電子部品を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品及びその
製造方法に関し、特に、積層型の高周波インダクタや多
層基板として使用される電子部品及びその製造方法に関
する。
製造方法に関し、特に、積層型の高周波インダクタや多
層基板として使用される電子部品及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、積層型の高周波インダクタや
多層基板の製造方法としては、印刷により絶縁層と導体
パターンとを順次形成し、ビアホールを通して必要な導
体パターンを電気的に接続する印刷法や、集積回路（Ｉ
Ｃ）の製造に用いられている薄膜フォトリソグラフィ技
術が一般に知られている。しかしながら、印刷法では数
１０μｍ程度の微細なビアホールを形成するのが困難で
導体パターンの幅が広くなり、電子部品の小型化や高精
度化が困難であるという問題点を有していた。一方、薄
膜フォトリソグラフィ技術によれば、印刷法が有してい
る前記問題点は解消されるが、形成される導体パターン
の厚みが印刷法により形成される導体パターンの厚みに
比較して薄くなり、その直流抵抗が高くなり、電子部品
が例えば高周波インダクタの場合にはＱ値が低くなるば
かりでなく、真空設備が必要で製造工程が複雑であり、
電子部品の製造コストが高くなるという問題点を有して
いた。
多層基板の製造方法としては、印刷により絶縁層と導体
パターンとを順次形成し、ビアホールを通して必要な導
体パターンを電気的に接続する印刷法や、集積回路（Ｉ
Ｃ）の製造に用いられている薄膜フォトリソグラフィ技
術が一般に知られている。しかしながら、印刷法では数
１０μｍ程度の微細なビアホールを形成するのが困難で
導体パターンの幅が広くなり、電子部品の小型化や高精
度化が困難であるという問題点を有していた。一方、薄
膜フォトリソグラフィ技術によれば、印刷法が有してい
る前記問題点は解消されるが、形成される導体パターン
の厚みが印刷法により形成される導体パターンの厚みに
比較して薄くなり、その直流抵抗が高くなり、電子部品
が例えば高周波インダクタの場合にはＱ値が低くなるば
かりでなく、真空設備が必要で製造工程が複雑であり、
電子部品の製造コストが高くなるという問題点を有して
いた。
【０００３】そこで、近年、前記従来の方法が有してい
た問題点を解消する方法として、感光性導電ペースト及
び感光性絶縁ペーストを用いて高周波インダクタや多層
基板を製造する方法が注目されている（例えば、特開平
８−３１６０８０号公報、特開平９−４５５７０号公報
参照）。この種の電子部品の二つの製造方法をそれぞれ
図２、図３及び図４、図５に示す。
た問題点を解消する方法として、感光性導電ペースト及
び感光性絶縁ペーストを用いて高周波インダクタや多層
基板を製造する方法が注目されている（例えば、特開平
８−３１６０８０号公報、特開平９−４５５７０号公報
参照）。この種の電子部品の二つの製造方法をそれぞれ
図２、図３及び図４、図５に示す。
【０００４】図２及び図３に示す製造方法（以下、第１
例と記す）では、図２（Ａ）に示すように、セラミック
の焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペースト２を
印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性導電ペー
スト２を露光、現像することにより、第１層目の導体パ
ターン層ＣＬ１（図２（Ｂ）参照）となる感光性導電ペ
ースト２の必要部分２ａを残し、前記感光性導電ペース
ト２の不要部分２ｂを除去する。その後、絶縁基板１を
焼成炉に収容して感光性導電ペースト２の焼結温度（８
００℃以上）で焼成する。これにより、絶縁基板１上に
残された感光性導電ペースト２ａが焼結され、図２
（Ｂ）に示すように、第１層目の導体パターン層ＣＬ１
（焼結による収縮により寸法がやや小さくなってい
る。）が形成される。
例と記す）では、図２（Ａ）に示すように、セラミック
の焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペースト２を
印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性導電ペー
スト２を露光、現像することにより、第１層目の導体パ
ターン層ＣＬ１（図２（Ｂ）参照）となる感光性導電ペ
ースト２の必要部分２ａを残し、前記感光性導電ペース
ト２の不要部分２ｂを除去する。その後、絶縁基板１を
焼成炉に収容して感光性導電ペースト２の焼結温度（８
００℃以上）で焼成する。これにより、絶縁基板１上に
残された感光性導電ペースト２ａが焼結され、図２
（Ｂ）に示すように、第１層目の導体パターン層ＣＬ１
（焼結による収縮により寸法がやや小さくなってい
る。）が形成される。
【０００５】次いで、図２（Ｃ）に示すように、第１層
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布し、該
感光性絶縁ペースト３を露光、現像することにより所定
の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、焼成炉
で焼成する。これにより、図３（Ｄ）に示すように、第
１層目の導体パターン層ＣＬ１の上に第１層目の絶縁層
ＩＬ１（焼結による収縮により寸法がやや小さくなって
いる。）が形成される。
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布し、該
感光性絶縁ペースト３を露光、現像することにより所定
の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、焼成炉
で焼成する。これにより、図３（Ｄ）に示すように、第
１層目の導体パターン層ＣＬ１の上に第１層目の絶縁層
ＩＬ１（焼結による収縮により寸法がやや小さくなって
いる。）が形成される。
【０００６】以下、図３（Ｅ）〜（Ｈ）に示すように、
図２（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を繰り返し、第２層目
の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層ＩＬ２を
形成する。これにより、図３（Ｈ）に示されるような二
つの導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び二つの絶縁層Ｉ
Ｌ１，ＩＬ２を有し、導体パターン層ＣＬ１及びＣＬ２
をそれぞれ構成している導体パターンｃｐの必要なもの
がビアホールｖｈで電気的に接続された構造を有する電
子部品を得ている。
図２（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を繰り返し、第２層目
の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層ＩＬ２を
形成する。これにより、図３（Ｈ）に示されるような二
つの導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び二つの絶縁層Ｉ
Ｌ１，ＩＬ２を有し、導体パターン層ＣＬ１及びＣＬ２
をそれぞれ構成している導体パターンｃｐの必要なもの
がビアホールｖｈで電気的に接続された構造を有する電
子部品を得ている。
【０００７】一方、図４及び図５に示す製造方法（以
下、第２例と記す）では、図４（Ａ）に示すように、セ
ラミックの焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペー
スト２を印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性
導電ペースト２を露光、現像することにより、第１層目
の導体パターン層ＣＬ１（図５（Ｅ）参照）となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。次いで、図４（Ｂ）に示すように、不要部
分２ｂが除去された感光性導電ペースト２の上にガラス
材料を含む感光性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷に
より塗布し、該感光性絶縁ペースト３を露光、現像する
ことにより所定の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成
する。
下、第２例と記す）では、図４（Ａ）に示すように、セ
ラミックの焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペー
スト２を印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性
導電ペースト２を露光、現像することにより、第１層目
の導体パターン層ＣＬ１（図５（Ｅ）参照）となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。次いで、図４（Ｂ）に示すように、不要部
分２ｂが除去された感光性導電ペースト２の上にガラス
材料を含む感光性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷に
より塗布し、該感光性絶縁ペースト３を露光、現像する
ことにより所定の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成
する。
【０００８】以下、図５（Ｃ），（Ｄ）に示すように、
図４（Ａ），（Ｂ）と同様の工程を繰り返す。その後、
全体を焼成炉に収容して焼成する。これにより、図５
（Ｅ）に示すように、絶縁基板１上に二つの導体パター
ン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ１，ＩＬ２を有する
電子部品を得る。
図４（Ａ），（Ｂ）と同様の工程を繰り返す。その後、
全体を焼成炉に収容して焼成する。これにより、図５
（Ｅ）に示すように、絶縁基板１上に二つの導体パター
ン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ１，ＩＬ２を有する
電子部品を得る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２及び図
３で説明した第１例では、感光性導電性ペースト２，２
及び感光性絶縁ペースト３，３の印刷、露光、現像の工
程が終わる度に、焼成が繰り返されるので、絶縁基板１
がもろくなったり、導体パターン層ＣＬ１を構成する金
属材料が絶縁基板１や絶縁層ＩＬ１の中に拡散し、互い
に隣接する導体パターンｃｐ，ｃｐ間や、絶縁層ＩＬ１
を間にしてその上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，
ＣＬ２間の相互の絶縁性が低下するという問題点があっ
た。
３で説明した第１例では、感光性導電性ペースト２，２
及び感光性絶縁ペースト３，３の印刷、露光、現像の工
程が終わる度に、焼成が繰り返されるので、絶縁基板１
がもろくなったり、導体パターン層ＣＬ１を構成する金
属材料が絶縁基板１や絶縁層ＩＬ１の中に拡散し、互い
に隣接する導体パターンｃｐ，ｃｐ間や、絶縁層ＩＬ１
を間にしてその上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，
ＣＬ２間の相互の絶縁性が低下するという問題点があっ
た。
【００１０】また、図４及び図５で説明した第２例で
は、図５（Ｅ）からも分かるように、焼成により絶縁基
板１上の導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２が収縮し、互いに隣接する導体パターンｃ
ｐ，ｃｐ間でピッチずれが生じたり、導体パターン層Ｃ
Ｌ１，ＣＬ２が相対的にずれて、ビアホールｖｈが変形
して断線したり、設計パラメータの変化や特性のばらつ
きが生じ、所期の特性を得ることができないという問題
点があった。
は、図５（Ｅ）からも分かるように、焼成により絶縁基
板１上の導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２が収縮し、互いに隣接する導体パターンｃ
ｐ，ｃｐ間でピッチずれが生じたり、導体パターン層Ｃ
Ｌ１，ＣＬ２が相対的にずれて、ビアホールｖｈが変形
して断線したり、設計パラメータの変化や特性のばらつ
きが生じ、所期の特性を得ることができないという問題
点があった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、特性のばらつき
が小さくて信頼性の高い小型の電子部品を提供すること
にある。
が小さくて信頼性の高い小型の電子部品を提供すること
にある。
【００１２】本発明の他の目的は、小型で特性のばらつ
きが小さくて信頼性の高い電子部品を低コストで製造す
ることができる製造方法を提供することにある。
きが小さくて信頼性の高い電子部品を低コストで製造す
ることができる製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び作用】以上の目的を達
成するため、本発明に係る電子部品は、セラミック材料
からなる絶縁基板の上に順次積層されてなるガラス材料
を含む導体パターン層及び該導体パターン層を覆うガラ
ス材料を含む絶縁層を有しており、これら導体パターン
層及び絶縁層はそれに含まれる前記ガラス材料がいずれ
も前記導体パターン層及び絶縁層の形成の際にそのガラ
ス転移温度付近で予備焼成され、前記導体パターン層及
び絶縁層の積層後に本焼成してなるものであることを特
徴とする。
成するため、本発明に係る電子部品は、セラミック材料
からなる絶縁基板の上に順次積層されてなるガラス材料
を含む導体パターン層及び該導体パターン層を覆うガラ
ス材料を含む絶縁層を有しており、これら導体パターン
層及び絶縁層はそれに含まれる前記ガラス材料がいずれ
も前記導体パターン層及び絶縁層の形成の際にそのガラ
ス転移温度付近で予備焼成され、前記導体パターン層及
び絶縁層の積層後に本焼成してなるものであることを特
徴とする。
【００１４】前記導体パターン層及び絶縁層に含まれて
いるガラス材料は、ガラス転移温度付近での比較的低い
温度で順次予備焼成されたものであり、該予備焼成の温
度では導体パターン層中に含まれる導体金属はほとんど
絶縁層や絶縁基板中に拡散されない。従って、絶縁層や
絶縁基板中には、導体パターン層から拡散する導体金属
はほとんど存在しない。また、導体パターン層及び絶縁
層は各予備焼成の際にそのガラス材料が溶融して固化し
ており、本焼成による収縮はほとんどない。
いるガラス材料は、ガラス転移温度付近での比較的低い
温度で順次予備焼成されたものであり、該予備焼成の温
度では導体パターン層中に含まれる導体金属はほとんど
絶縁層や絶縁基板中に拡散されない。従って、絶縁層や
絶縁基板中には、導体パターン層から拡散する導体金属
はほとんど存在しない。また、導体パターン層及び絶縁
層は各予備焼成の際にそのガラス材料が溶融して固化し
ており、本焼成による収縮はほとんどない。
【００１５】また、本発明に係る電子部品の製造方法
は、セラミック材料からなる絶縁基板を用意し、その上
にガラス材料を含む感光性導電ペーストを付与し、該感
光性導電ペーストを露光、現像して導体パターン層を形
成した後、該導体パターン層をそれに含まれる前記ガラ
ス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する工程と、予
備焼成された導体パターン層の上にガラス材料を含む感
光性絶縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペーストを露
光、現像して絶縁層を形成した後、該絶縁層をそれに含
まれる前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成
する工程とを繰り返した後、全体を本焼成することを特
徴とする。
は、セラミック材料からなる絶縁基板を用意し、その上
にガラス材料を含む感光性導電ペーストを付与し、該感
光性導電ペーストを露光、現像して導体パターン層を形
成した後、該導体パターン層をそれに含まれる前記ガラ
ス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する工程と、予
備焼成された導体パターン層の上にガラス材料を含む感
光性絶縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペーストを露
光、現像して絶縁層を形成した後、該絶縁層をそれに含
まれる前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成
する工程とを繰り返した後、全体を本焼成することを特
徴とする。
【００１６】前記導体パターン層及び絶縁層は光を露
光、現像することによりパターニングし、かつ、それに
含まれるガラスの転移温度付近での比較的低い温度で順
次予備焼成する。この予備焼成の際に、感光性導電ペー
スト及び感光性絶縁ペーストのガラス材料が溶融して固
化する。この固化により、導体パターン層及び絶縁層の
実質的な収縮が終わっており、以降の工程における導体
パターン層及び絶縁層の収縮はほとんどない。加えて、
光を露光、現像する前記パターニングにより、精度の高
い導体パターン層及び絶縁層が形成される。さらに、導
体パターン層中に含まれる導体金属は予備焼成の際に絶
縁層や絶縁基板中にほとんど拡散されることはなく、ま
た、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板や既に形成
されている絶縁層に加わる熱的なストレスは比較的小さ
くなる。
光、現像することによりパターニングし、かつ、それに
含まれるガラスの転移温度付近での比較的低い温度で順
次予備焼成する。この予備焼成の際に、感光性導電ペー
スト及び感光性絶縁ペーストのガラス材料が溶融して固
化する。この固化により、導体パターン層及び絶縁層の
実質的な収縮が終わっており、以降の工程における導体
パターン層及び絶縁層の収縮はほとんどない。加えて、
光を露光、現像する前記パターニングにより、精度の高
い導体パターン層及び絶縁層が形成される。さらに、導
体パターン層中に含まれる導体金属は予備焼成の際に絶
縁層や絶縁基板中にほとんど拡散されることはなく、ま
た、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板や既に形成
されている絶縁層に加わる熱的なストレスは比較的小さ
くなる。
【００１７】さらに、本発明に係る製造方法において、
前記ガラス材料の転移温度は感光性導電ペースト及び感
光性絶縁ペーストに含まれるバインダが熱により飛散す
る温度よりも高く、かつ、前記導体パターン層及び絶縁
層の本焼成の温度よりも低いことが好ましい。
前記ガラス材料の転移温度は感光性導電ペースト及び感
光性絶縁ペーストに含まれるバインダが熱により飛散す
る温度よりも高く、かつ、前記導体パターン層及び絶縁
層の本焼成の温度よりも低いことが好ましい。
【００１８】転移温度付近の予備焼成により、それぞれ
熱により感光性導電ペースト中のバインダは飛散し、ガ
ラス材料は固化する。また、転移温度付近の予備焼成に
より、感光性絶縁ペースト中のバインダ及びガラス材料
はそれぞれ熱により飛散及び固化する。
熱により感光性導電ペースト中のバインダは飛散し、ガ
ラス材料は固化する。また、転移温度付近の予備焼成に
より、感光性絶縁ペースト中のバインダ及びガラス材料
はそれぞれ熱により飛散及び固化する。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品及び
その製造方法の実施形態について添付図面を参照して詳
細に説明する。
その製造方法の実施形態について添付図面を参照して詳
細に説明する。
【００２０】本発明に係る電子部品の製造工程を図１に
示す。まず、セラミック製の焼成済み絶縁基板１を用意
し、その上面にガラス材料を含む感光性導電ペースト２
を印刷により一定の厚みに塗布して乾燥させる。この感
光性導電ペースト２は、導電性金属として銀を含む。さ
らに、感光性導電ペースト２は、前記ガラス材料とし
て、その転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２に含まれ
るバインダが熱により飛散する温度よりも高く、かつ、
後に説明する最終工程である本焼成の際の焼成温度（８
００℃）よりも低い、ほう珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラ
スもしくはほう珪酸亜鉛ガラスを１〜２重量パーセント
含む。絶縁基板１に印刷された感光性導電ペースト２
は、露光、現像することにより、図１（Ａ）に示すよう
に、例えばスパイラル状に、導体パターン層となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。
示す。まず、セラミック製の焼成済み絶縁基板１を用意
し、その上面にガラス材料を含む感光性導電ペースト２
を印刷により一定の厚みに塗布して乾燥させる。この感
光性導電ペースト２は、導電性金属として銀を含む。さ
らに、感光性導電ペースト２は、前記ガラス材料とし
て、その転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２に含まれ
るバインダが熱により飛散する温度よりも高く、かつ、
後に説明する最終工程である本焼成の際の焼成温度（８
００℃）よりも低い、ほう珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラ
スもしくはほう珪酸亜鉛ガラスを１〜２重量パーセント
含む。絶縁基板１に印刷された感光性導電ペースト２
は、露光、現像することにより、図１（Ａ）に示すよう
に、例えばスパイラル状に、導体パターン層となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。
【００２１】その後、絶縁基板１を予備焼成用の炉に収
容し、感光性導電ペースト２中のガラス材料の転移温度
Ｔｇ付近の温度５００〜６００℃で予備焼成する。これ
により、絶縁基板１上に残された感光性導電ペースト２
の必要部分２ａが予備焼成され、それに含まれているバ
インダが飛散する一方、ガラス材料が溶融して固化し、
絶縁基板１に固着され、第１層目の導体パターン層ＣＬ
１（図１（Ｂ）参照）が形成される。このとき、ガラス
材料の固化により、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の
以後の工程における収縮はほとんどない。
容し、感光性導電ペースト２中のガラス材料の転移温度
Ｔｇ付近の温度５００〜６００℃で予備焼成する。これ
により、絶縁基板１上に残された感光性導電ペースト２
の必要部分２ａが予備焼成され、それに含まれているバ
インダが飛散する一方、ガラス材料が溶融して固化し、
絶縁基板１に固着され、第１層目の導体パターン層ＣＬ
１（図１（Ｂ）参照）が形成される。このとき、ガラス
材料の固化により、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の
以後の工程における収縮はほとんどない。
【００２２】次いで、図１（Ｂ）に示すように、第１層
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布する。
この感光性絶縁ペースト３も、ガラス材料として、その
転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペ
ースト３に含まれるバインダが熱により飛散する温度よ
りも高く、かつ、本焼成の際の焼成温度よりも低い、ほ
う珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラスもしくはほう珪酸亜鉛
ガラスを含んでいる。
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布する。
この感光性絶縁ペースト３も、ガラス材料として、その
転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペ
ースト３に含まれるバインダが熱により飛散する温度よ
りも高く、かつ、本焼成の際の焼成温度よりも低い、ほ
う珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラスもしくはほう珪酸亜鉛
ガラスを含んでいる。
【００２３】感光性絶縁ペースト３は、露光、現像する
ことにより、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の導体パ
ターンｃｐ、例えばスパイラル状導体パターンの内端部
に達するビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、全体を
再び予備焼成用の炉に収容し、感光性絶縁ペースト３中
のガラス材料の転移温度Ｔｇ付近の温度５００〜６００
℃で予備焼成する。これにより、導体パターン層ＣＬ１
の上に塗布された感光性絶縁ペースト３は予備焼成さ
れ、それに含まれているバインダが飛散すると共にガラ
ス材料が固化し、絶縁基板１及び導体パターン層ＣＬ１
に固着され、第１層目の絶縁層ＩＬ１が形成される。こ
のとき、ガラス材料の固化により、第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１も以後の工程における収縮はほとんどない。
ことにより、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の導体パ
ターンｃｐ、例えばスパイラル状導体パターンの内端部
に達するビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、全体を
再び予備焼成用の炉に収容し、感光性絶縁ペースト３中
のガラス材料の転移温度Ｔｇ付近の温度５００〜６００
℃で予備焼成する。これにより、導体パターン層ＣＬ１
の上に塗布された感光性絶縁ペースト３は予備焼成さ
れ、それに含まれているバインダが飛散すると共にガラ
ス材料が固化し、絶縁基板１及び導体パターン層ＣＬ１
に固着され、第１層目の絶縁層ＩＬ１が形成される。こ
のとき、ガラス材料の固化により、第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１も以後の工程における収縮はほとんどない。
【００２４】以下、図１（Ａ），（Ｂ）の工程を交互に
繰り返し、図１（Ｃ），（Ｄ）にそれぞれ示すように、
第２層目の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層
ＩＬ２を形成する。第２層目の導体パターン層ＣＬ２の
形成工程において、図１（Ｃ）に示すように、第１層目
の絶縁層ＩＬ１に形成されたビアホール用の孔３ｖｈに
感光性導電ペースト２が充填されて予備焼成されてビア
ホールｖｈが形成され、例えばスパイラル状の第２層目
の導体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐ、例えばス
パイラル状導体パターンの一端部が第１層目の導体パタ
ーン層ＣＬ１の導体パターンｃｐに電気的に接続され、
例えばコイルインダクタが形成される。なお、他の導体
パターン層及び絶縁層をさらに積層する必要がある場合
は、同様の工程を繰り返す。
繰り返し、図１（Ｃ），（Ｄ）にそれぞれ示すように、
第２層目の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層
ＩＬ２を形成する。第２層目の導体パターン層ＣＬ２の
形成工程において、図１（Ｃ）に示すように、第１層目
の絶縁層ＩＬ１に形成されたビアホール用の孔３ｖｈに
感光性導電ペースト２が充填されて予備焼成されてビア
ホールｖｈが形成され、例えばスパイラル状の第２層目
の導体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐ、例えばス
パイラル状導体パターンの一端部が第１層目の導体パタ
ーン層ＣＬ１の導体パターンｃｐに電気的に接続され、
例えばコイルインダクタが形成される。なお、他の導体
パターン層及び絶縁層をさらに積層する必要がある場合
は、同様の工程を繰り返す。
【００２５】その後、全体を焼成炉に収容して約８００
℃で本焼成する。これにより、図１（Ｄ）に示すよう
に、絶縁層ＩＬ１を間にして第１層目の導体パターン層
ＣＬ１と第２層目の導体パターン層ＣＬ２が配置される
と共に、導体パターン層ＣＬ１の導体パターンｃｐと導
体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐとが絶縁層ＩＬ
１に形成されたビアホールｖｈにより相互に接続された
構造を有する多層構造を有する電子部品を得ることがで
きる。
℃で本焼成する。これにより、図１（Ｄ）に示すよう
に、絶縁層ＩＬ１を間にして第１層目の導体パターン層
ＣＬ１と第２層目の導体パターン層ＣＬ２が配置される
と共に、導体パターン層ＣＬ１の導体パターンｃｐと導
体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐとが絶縁層ＩＬ
１に形成されたビアホールｖｈにより相互に接続された
構造を有する多層構造を有する電子部品を得ることがで
きる。
【００２６】本実施形態では、図１（Ａ）〜（Ｃ）にお
いて説明した工程からも分かるように、予備焼成の際に
ガラス材料が溶融して実質的な収縮が終わった第１層目
の導体パターン層ＣＬ１の上に順次第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１、第２層目の導体パターン層ＣＬ２、第２層目の絶
縁層ＩＬ２が形成されるので、最終工程である本焼成に
おける導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２の収縮は小さい。これにより、本焼成時に、
各導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃｐ，
ｃｐの間隔の変化、絶縁層ＩＬ１を間にして上下に位置
する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃ
ｐ，…，ｃｐ間の相対的な位置ずれ、さらには、ビアホ
ールｖｈの形状のゆがみや断線等が発生することがな
く、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を得る
ことができる。
いて説明した工程からも分かるように、予備焼成の際に
ガラス材料が溶融して実質的な収縮が終わった第１層目
の導体パターン層ＣＬ１の上に順次第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１、第２層目の導体パターン層ＣＬ２、第２層目の絶
縁層ＩＬ２が形成されるので、最終工程である本焼成に
おける導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２の収縮は小さい。これにより、本焼成時に、
各導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃｐ，
ｃｐの間隔の変化、絶縁層ＩＬ１を間にして上下に位置
する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃ
ｐ，…，ｃｐ間の相対的な位置ずれ、さらには、ビアホ
ールｖｈの形状のゆがみや断線等が発生することがな
く、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を得る
ことができる。
【００２７】さらに、予備焼成の温度が比較的低いの
で、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板１や最初に
形成されている絶縁層ＩＬ１に加わる熱的なストレスは
比較的小さく、絶縁基板１やその上に形成されている第
１層目の導体パターン層ＣＬ１や第１層目の絶縁層ＩＬ
１等の機械的な強度劣化が防止される。さらに、導体パ
ターン層ＣＬ１，ＣＬ２中に含まれる導体金属は、予備
焼成の際に絶縁層ＩＬ１や絶縁基板１中にほとんど拡散
されない。従って、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各
導体パターンｃｐ，ｃｐの間、絶縁層ＩＬ１を間にして
上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２間の絶縁
抵抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることがで
きる。
で、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板１や最初に
形成されている絶縁層ＩＬ１に加わる熱的なストレスは
比較的小さく、絶縁基板１やその上に形成されている第
１層目の導体パターン層ＣＬ１や第１層目の絶縁層ＩＬ
１等の機械的な強度劣化が防止される。さらに、導体パ
ターン層ＣＬ１，ＣＬ２中に含まれる導体金属は、予備
焼成の際に絶縁層ＩＬ１や絶縁基板１中にほとんど拡散
されない。従って、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各
導体パターンｃｐ，ｃｐの間、絶縁層ＩＬ１を間にして
上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２間の絶縁
抵抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることがで
きる。
【００２８】さらに、図１に示した工程からも分かるよ
うに、感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペースト３
に光を露光して現像することにより導体パターン層ＣＬ
１，ＣＬ２やビヤホール用の孔３ｖｈを形成しているの
で、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各導体パターンｃ
ｐやビアホールｖｈの幅や径を小さくすることができ、
電子部品を小型化することができるばかりでなく、製造
に真空設備を必要とせず、製造コストも大幅に引き下げ
ることができる。
うに、感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペースト３
に光を露光して現像することにより導体パターン層ＣＬ
１，ＣＬ２やビヤホール用の孔３ｖｈを形成しているの
で、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各導体パターンｃ
ｐやビアホールｖｈの幅や径を小さくすることができ、
電子部品を小型化することができるばかりでなく、製造
に真空設備を必要とせず、製造コストも大幅に引き下げ
ることができる。
【００２９】なお、本発明に係る電子部品及びその製造
方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、その
要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、
前記実施形態では、絶縁基板１上に二つの導体パターン
層ＣＬ１，ＣＬ２を有する電子部品について説明した
が、絶縁基板１上にはさらに多くの導体パターン層を積
層することもできる。また、本発明は、セラミック製の
絶縁基板１上に配線用の導体パターンが三次元的に配設
された多層基板にも適用することができる。
方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、その
要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、
前記実施形態では、絶縁基板１上に二つの導体パターン
層ＣＬ１，ＣＬ２を有する電子部品について説明した
が、絶縁基板１上にはさらに多くの導体パターン層を積
層することもできる。また、本発明は、セラミック製の
絶縁基板１上に配線用の導体パターンが三次元的に配設
された多層基板にも適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、導体パターン層及び絶縁層に含まれているガ
ラス材料は、ガラス転移温度付近での比較的低い温度で
順次予備焼成されたものであり、予備焼成の温度では導
体パターン層中に含まれる導体金属はほとんど絶縁層や
絶縁基板中に拡散されないので、絶縁層や絶縁基板中に
は導体パターン層から拡散する導体金属はほとんど存在
せず、一つの導体パターン層の導体パターンの間、絶縁
層を間にして上下に位置する導体パターンの間の絶縁抵
抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることができ
る。
によれば、導体パターン層及び絶縁層に含まれているガ
ラス材料は、ガラス転移温度付近での比較的低い温度で
順次予備焼成されたものであり、予備焼成の温度では導
体パターン層中に含まれる導体金属はほとんど絶縁層や
絶縁基板中に拡散されないので、絶縁層や絶縁基板中に
は導体パターン層から拡散する導体金属はほとんど存在
せず、一つの導体パターン層の導体パターンの間、絶縁
層を間にして上下に位置する導体パターンの間の絶縁抵
抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることができ
る。
【００３１】また、導体パターン層及び絶縁層はその各
予備焼成の際にそのガラス材料が溶融してガラス化して
いるので、本焼成の際には実質的に収縮はほとんどな
く、導体パターンの間の間隔の変化、絶縁層を間にして
上下に位置する導体パターンの間の位置ずれ、さらに
は、ビアホールの形状のゆがみや断線等が発生すること
がなく、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を
得ることができる。
予備焼成の際にそのガラス材料が溶融してガラス化して
いるので、本焼成の際には実質的に収縮はほとんどな
く、導体パターンの間の間隔の変化、絶縁層を間にして
上下に位置する導体パターンの間の位置ずれ、さらに
は、ビアホールの形状のゆがみや断線等が発生すること
がなく、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を
得ることができる。
【００３２】さらに、本発明によれば、製造設備に薄膜
リソグラフィのような真空設備を必要としないので、低
コストで特性の優れた信頼性の高い電子部品を製造する
ことができる。しかも、感光性導電ペースト及び感光性
絶縁ペーストを用い、それらを露光及び現像することに
より導体パターン層をパターニングし、ビヤホール用の
孔等形成しているので、導体パターンやビアホールの幅
や径を小さくすることができ、電子部品を小型化するこ
とができる。
リソグラフィのような真空設備を必要としないので、低
コストで特性の優れた信頼性の高い電子部品を製造する
ことができる。しかも、感光性導電ペースト及び感光性
絶縁ペーストを用い、それらを露光及び現像することに
より導体パターン層をパターニングし、ビヤホール用の
孔等形成しているので、導体パターンやビアホールの幅
や径を小さくすることができ、電子部品を小型化するこ
とができる。
【００３３】本発明によれば、さらに、転移温度付近の
予備焼成により、感光性絶縁ペースト中のバインダの飛
散とガラス材料のガラス化を同時に行うことができ、電
子部品の製造効率が向上する。
予備焼成により、感光性絶縁ペースト中のバインダの飛
散とガラス材料のガラス化を同時に行うことができ、電
子部品の製造効率が向上する。
【図１】本発明に係る電子部品の製造方法の一実施形態
を示す製造工程説明図。
を示す製造工程説明図。
【図２】従来の電子部品の製造工程の第１例を示す説明
図。
図。
【図３】従来の電子部品の製造工程の第１例を示す説明
図、図２の続き。
図、図２の続き。
【図４】従来の電子部品の製造工程の第２例を示す説明
図。
図。
【図５】従来の電子部品の製造工程の第２例を示す説明
図、図４の続き。
図、図４の続き。
１…絶縁基板 ２…感光性導電ペースト ３…感光性絶縁ペースト ３ｖｈ…ビアホール用の孔 ｖｈ…ビアホール ＣＬ１…第１番目の導体パターン層 ＣＬ２…第２番目の導体パターン層 ＩＬ１…第１番目の絶縁層 ＩＬ２…第２番目の絶縁層 ｃｐ…導体パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 電子部品の製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】 セラミック材料からなる絶縁基板を用意
し、その上にガラス材料を含む感光性導電ペーストを付
与し、該感光性導電ペーストを露光、現像して導体パタ
ーン層を形成した後、該導体パターン層をそれに含まれ
る前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する
工程と、予備焼成された導体パターン層の上にガラス材
料を含む感光性絶縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペ
ーストを露光、現像して絶縁層を形成した後、該絶縁層
をそれに含まれる前記ガラス材料の転移温度付近の温度
で予備焼成する工程とを繰り返した後、全体を本焼成
し、前記ガラス材料の転移温度は前記感光性導電ペース
ト及び感光性絶縁ペーストに含まれるバインダが熱によ
り飛散する温度よりも高く、かつ、前記導体パターン層
及び絶縁層の本焼成の温度よりも低いことを特徴とする
電子部品の製造方法。
し、その上にガラス材料を含む感光性導電ペーストを付
与し、該感光性導電ペーストを露光、現像して導体パタ
ーン層を形成した後、該導体パターン層をそれに含まれ
る前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する
工程と、予備焼成された導体パターン層の上にガラス材
料を含む感光性絶縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペ
ーストを露光、現像して絶縁層を形成した後、該絶縁層
をそれに含まれる前記ガラス材料の転移温度付近の温度
で予備焼成する工程とを繰り返した後、全体を本焼成
し、前記ガラス材料の転移温度は前記感光性導電ペース
ト及び感光性絶縁ペーストに含まれるバインダが熱によ
り飛散する温度よりも高く、かつ、前記導体パターン層
及び絶縁層の本焼成の温度よりも低いことを特徴とする
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の製造方
法に関し、特に、積層型の高周波インダクタや多層基板
として使用される電子部品の製造方法に関する。
法に関し、特に、積層型の高周波インダクタや多層基板
として使用される電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、積層型の高周波インダクタや
多層基板の製造方法としては、印刷により絶縁層と導体
パターンとを順次形成し、ビアホールを通して必要な導
体パターンを電気的に接続する印刷法や、集積回路（Ｉ
Ｃ）の製造に用いられている薄膜フォトリソグラフィ技
術が一般に知られている。しかしながら、印刷法では数
１０μｍ程度の微細なビアホールを形成するのが困難で
導体パターンの幅が広くなり、電子部品の小型化や高精
度化が困難であるという問題点を有していた。一方、薄
膜フォトリソグラフィ技術によれば、印刷法が有してい
る前記問題点は解消されるが、形成される導体パターン
の厚みが印刷法により形成される導体パターンの厚みに
比較して薄くなり、その直流抵抗が高くなり、電子部品
が例えば高周波インダクタの場合にはＱ値が低くなるば
かりでなく、真空設備が必要で製造工程が複雑であり、
電子部品の製造コストが高くなるという問題点を有して
いた。
多層基板の製造方法としては、印刷により絶縁層と導体
パターンとを順次形成し、ビアホールを通して必要な導
体パターンを電気的に接続する印刷法や、集積回路（Ｉ
Ｃ）の製造に用いられている薄膜フォトリソグラフィ技
術が一般に知られている。しかしながら、印刷法では数
１０μｍ程度の微細なビアホールを形成するのが困難で
導体パターンの幅が広くなり、電子部品の小型化や高精
度化が困難であるという問題点を有していた。一方、薄
膜フォトリソグラフィ技術によれば、印刷法が有してい
る前記問題点は解消されるが、形成される導体パターン
の厚みが印刷法により形成される導体パターンの厚みに
比較して薄くなり、その直流抵抗が高くなり、電子部品
が例えば高周波インダクタの場合にはＱ値が低くなるば
かりでなく、真空設備が必要で製造工程が複雑であり、
電子部品の製造コストが高くなるという問題点を有して
いた。
【０００３】そこで、近年、前記従来の方法が有してい
た問題点を解消する方法として、感光性導電ペースト及
び感光性絶縁ペーストを用いて高周波インダクタや多層
基板を製造する方法が注目されている（例えば、特開平
８−３１６０８０号公報、特開平９−４５５７０号公報
参照）。この種の電子部品の二つの製造方法をそれぞれ
図２、図３及び図４、図５に示す。
た問題点を解消する方法として、感光性導電ペースト及
び感光性絶縁ペーストを用いて高周波インダクタや多層
基板を製造する方法が注目されている（例えば、特開平
８−３１６０８０号公報、特開平９−４５５７０号公報
参照）。この種の電子部品の二つの製造方法をそれぞれ
図２、図３及び図４、図５に示す。
【０００４】図２及び図３に示す製造方法（以下、第１
例と記す）では、図２（Ａ）に示すように、セラミック
の焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペースト２を
印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性導電ペー
スト２を露光、現像することにより、第１層目の導体パ
ターン層ＣＬ１（図２（Ｂ）参照）となる感光性導電ペ
ースト２の必要部分２ａを残し、前記感光性導電ペース
ト２の不要部分２ｂを除去する。その後、絶縁基板１を
焼成炉に収容して感光性導電ペースト２の焼結温度（８
００℃以上）で焼成する。これにより、絶縁基板１上に
残された感光性導電ペースト２ａが焼結され、図２
（Ｂ）に示すように、第１層目の導体パターン層ＣＬ１
（焼結による収縮により寸法がやや小さくなってい
る。）が形成される。
例と記す）では、図２（Ａ）に示すように、セラミック
の焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペースト２を
印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性導電ペー
スト２を露光、現像することにより、第１層目の導体パ
ターン層ＣＬ１（図２（Ｂ）参照）となる感光性導電ペ
ースト２の必要部分２ａを残し、前記感光性導電ペース
ト２の不要部分２ｂを除去する。その後、絶縁基板１を
焼成炉に収容して感光性導電ペースト２の焼結温度（８
００℃以上）で焼成する。これにより、絶縁基板１上に
残された感光性導電ペースト２ａが焼結され、図２
（Ｂ）に示すように、第１層目の導体パターン層ＣＬ１
（焼結による収縮により寸法がやや小さくなってい
る。）が形成される。
【０００５】次いで、図２（Ｃ）に示すように、第１層
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布し、該
感光性絶縁ペースト３を露光、現像することにより所定
の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、焼成炉
で焼成する。これにより、図３（Ｄ）に示すように、第
１層目の導体パターン層ＣＬ１の上に第１層目の絶縁層
ＩＬ１（焼結による収縮により寸法がやや小さくなって
いる。）が形成される。
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布し、該
感光性絶縁ペースト３を露光、現像することにより所定
の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、焼成炉
で焼成する。これにより、図３（Ｄ）に示すように、第
１層目の導体パターン層ＣＬ１の上に第１層目の絶縁層
ＩＬ１（焼結による収縮により寸法がやや小さくなって
いる。）が形成される。
【０００６】以下、図３（Ｅ）〜（Ｈ）に示すように、
図２（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を繰り返し、第２層目
の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層ＩＬ２を
形成する。これにより、図３（Ｈ）に示されるような二
つの導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び二つの絶縁層Ｉ
Ｌ１，ＩＬ２を有し、導体パターン層ＣＬ１及びＣＬ２
をそれぞれ構成している導体パターンｃｐの必要なもの
がビアホールｖｈで電気的に接続された構造を有する電
子部品を得ている。
図２（Ａ）〜（Ｄ）と同様の工程を繰り返し、第２層目
の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層ＩＬ２を
形成する。これにより、図３（Ｈ）に示されるような二
つの導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び二つの絶縁層Ｉ
Ｌ１，ＩＬ２を有し、導体パターン層ＣＬ１及びＣＬ２
をそれぞれ構成している導体パターンｃｐの必要なもの
がビアホールｖｈで電気的に接続された構造を有する電
子部品を得ている。
【０００７】一方、図４及び図５に示す製造方法（以
下、第２例と記す）では、図４（Ａ）に示すように、セ
ラミックの焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペー
スト２を印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性
導電ペースト２を露光、現像することにより、第１層目
の導体パターン層ＣＬ１（図５（Ｅ）参照）となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。次いで、図４（Ｂ）に示すように、不要部
分２ｂが除去された感光性導電ペースト２の上にガラス
材料を含む感光性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷に
より塗布し、該感光性絶縁ペースト３を露光、現像する
ことにより所定の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成
する。
下、第２例と記す）では、図４（Ａ）に示すように、セ
ラミックの焼成済み絶縁基板１の上面に感光性導電ペー
スト２を印刷により一定の厚みに塗布した後、該感光性
導電ペースト２を露光、現像することにより、第１層目
の導体パターン層ＣＬ１（図５（Ｅ）参照）となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。次いで、図４（Ｂ）に示すように、不要部
分２ｂが除去された感光性導電ペースト２の上にガラス
材料を含む感光性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷に
より塗布し、該感光性絶縁ペースト３を露光、現像する
ことにより所定の位置にビアホール用の孔３ｖｈを形成
する。
【０００８】以下、図５（Ｃ），（Ｄ）に示すように、
図４（Ａ），（Ｂ）と同様の工程を繰り返す。その後、
全体を焼成炉に収容して焼成する。これにより、図５
（Ｅ）に示すように、絶縁基板１上に二つの導体パター
ン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ１，ＩＬ２を有する
電子部品を得る。
図４（Ａ），（Ｂ）と同様の工程を繰り返す。その後、
全体を焼成炉に収容して焼成する。これにより、図５
（Ｅ）に示すように、絶縁基板１上に二つの導体パター
ン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ１，ＩＬ２を有する
電子部品を得る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２及び図
３で説明した第１例では、感光性導電性ペースト２，２
及び感光性絶縁ペースト３，３の印刷、露光、現像の工
程が終わる度に、焼成が繰り返されるので、絶縁基板１
がもろくなったり、導体パターン層ＣＬ１を構成する金
属材料が絶縁基板１や絶縁層ＩＬ１の中に拡散し、互い
に隣接する導体パターンｃｐ，ｃｐ間や、絶縁層ＩＬ１
を間にしてその上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，
ＣＬ２間の相互の絶縁性が低下するという問題点があっ
た。
３で説明した第１例では、感光性導電性ペースト２，２
及び感光性絶縁ペースト３，３の印刷、露光、現像の工
程が終わる度に、焼成が繰り返されるので、絶縁基板１
がもろくなったり、導体パターン層ＣＬ１を構成する金
属材料が絶縁基板１や絶縁層ＩＬ１の中に拡散し、互い
に隣接する導体パターンｃｐ，ｃｐ間や、絶縁層ＩＬ１
を間にしてその上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，
ＣＬ２間の相互の絶縁性が低下するという問題点があっ
た。
【００１０】また、図４及び図５で説明した第２例で
は、図５（Ｅ）からも分かるように、焼成により絶縁基
板１上の導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２が収縮し、互いに隣接する導体パターンｃ
ｐ，ｃｐ間でピッチずれが生じたり、導体パターン層Ｃ
Ｌ１，ＣＬ２が相対的にずれて、ビアホールｖｈが変形
して断線したり、設計パラメータの変化や特性のばらつ
きが生じ、所期の特性を得ることができないという問題
点があった。
は、図５（Ｅ）からも分かるように、焼成により絶縁基
板１上の導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２が収縮し、互いに隣接する導体パターンｃ
ｐ，ｃｐ間でピッチずれが生じたり、導体パターン層Ｃ
Ｌ１，ＣＬ２が相対的にずれて、ビアホールｖｈが変形
して断線したり、設計パラメータの変化や特性のばらつ
きが生じ、所期の特性を得ることができないという問題
点があった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、小型で特性のば
らつきが小さくて信頼性の高い電子部品を低コストで製
造することができる製造方法を提供することにある。
らつきが小さくて信頼性の高い電子部品を低コストで製
造することができる製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】以上の目的を達
成するため、本発明に係る電子部品の製造方法は、セラ
ミック材料からなる絶縁基板を用意し、その上にガラス
材料を含む感光性導電ペーストを付与し、該感光性導電
ペーストを露光、現像して導体パターン層を形成した
後、該導体パターン層をそれに含まれる前記ガラス材料
の転移温度付近の温度で予備焼成する工程と、予備焼成
された導体パターン層の上にガラス材料を含む感光性絶
縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペーストを露光、現
像して絶縁層を形成した後、該絶縁層をそれに含まれる
前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する工
程とを繰り返した後、全体を本焼成することを特徴とす
る。
成するため、本発明に係る電子部品の製造方法は、セラ
ミック材料からなる絶縁基板を用意し、その上にガラス
材料を含む感光性導電ペーストを付与し、該感光性導電
ペーストを露光、現像して導体パターン層を形成した
後、該導体パターン層をそれに含まれる前記ガラス材料
の転移温度付近の温度で予備焼成する工程と、予備焼成
された導体パターン層の上にガラス材料を含む感光性絶
縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペーストを露光、現
像して絶縁層を形成した後、該絶縁層をそれに含まれる
前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する工
程とを繰り返した後、全体を本焼成することを特徴とす
る。
【００１３】前記導体パターン層及び絶縁層は光を露
光、現像することによりパターニングし、かつ、それに
含まれるガラスの転移温度付近での比較的低い温度で順
次予備焼成する。この予備焼成の際に、感光性導電ペー
スト及び感光性絶縁ペーストのガラス材料が溶融して固
化する。この固化により、導体パターン層及び絶縁層の
実質的な収縮が終わっており、以降の工程における導体
パターン層及び絶縁層の収縮はほとんどない。加えて、
光を露光、現像する前記パターニングにより、精度の高
い導体パターン層及び絶縁層が形成される。さらに、導
体パターン層中に含まれる導体金属は予備焼成の際に絶
縁層や絶縁基板中にほとんど拡散されることはなく、ま
た、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板や既に形成
されている絶縁層に加わる熱的なストレスは比較的小さ
くなる。
光、現像することによりパターニングし、かつ、それに
含まれるガラスの転移温度付近での比較的低い温度で順
次予備焼成する。この予備焼成の際に、感光性導電ペー
スト及び感光性絶縁ペーストのガラス材料が溶融して固
化する。この固化により、導体パターン層及び絶縁層の
実質的な収縮が終わっており、以降の工程における導体
パターン層及び絶縁層の収縮はほとんどない。加えて、
光を露光、現像する前記パターニングにより、精度の高
い導体パターン層及び絶縁層が形成される。さらに、導
体パターン層中に含まれる導体金属は予備焼成の際に絶
縁層や絶縁基板中にほとんど拡散されることはなく、ま
た、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板や既に形成
されている絶縁層に加わる熱的なストレスは比較的小さ
くなる。
【００１４】さらに、本発明に係る製造方法において、
前記ガラス材料の転移温度は感光性導電ペースト及び感
光性絶縁ペーストに含まれるバインダが熱により飛散す
る温度よりも高く、かつ、前記導体パターン層及び絶縁
層の本焼成の温度よりも低い。
前記ガラス材料の転移温度は感光性導電ペースト及び感
光性絶縁ペーストに含まれるバインダが熱により飛散す
る温度よりも高く、かつ、前記導体パターン層及び絶縁
層の本焼成の温度よりも低い。
【００１５】転移温度付近の予備焼成により、それぞれ
熱により感光性導電ペースト中のバインダは飛散し、ガ
ラス材料は固化する。また、転移温度付近の予備焼成に
より、感光性絶縁ペースト中のバインダ及びガラス材料
はそれぞれ熱により飛散及び固化する。
熱により感光性導電ペースト中のバインダは飛散し、ガ
ラス材料は固化する。また、転移温度付近の予備焼成に
より、感光性絶縁ペースト中のバインダ及びガラス材料
はそれぞれ熱により飛散及び固化する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品の製
造方法の実施形態について添付図面を参照して詳細に説
明する。
造方法の実施形態について添付図面を参照して詳細に説
明する。
【００１７】本発明に係る電子部品の製造工程を図１に
示す。まず、セラミック製の焼成済み絶縁基板１を用意
し、その上面にガラス材料を含む感光性導電ペースト２
を印刷により一定の厚みに塗布して乾燥させる。この感
光性導電ペースト２は、導電性金属として銀を含む。さ
らに、感光性導電ペースト２は、前記ガラス材料とし
て、その転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２に含まれ
るバインダが熱により飛散する温度よりも高く、かつ、
後に説明する最終工程である本焼成の際の焼成温度（８
００℃）よりも低い、ほう珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラ
スもしくはほう珪酸亜鉛ガラスを１〜２重量パーセント
含む。絶縁基板１に印刷された感光性導電ペースト２
は、露光、現像することにより、図１（Ａ）に示すよう
に、例えばスパイラル状に、導体パターン層となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。
示す。まず、セラミック製の焼成済み絶縁基板１を用意
し、その上面にガラス材料を含む感光性導電ペースト２
を印刷により一定の厚みに塗布して乾燥させる。この感
光性導電ペースト２は、導電性金属として銀を含む。さ
らに、感光性導電ペースト２は、前記ガラス材料とし
て、その転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２に含まれ
るバインダが熱により飛散する温度よりも高く、かつ、
後に説明する最終工程である本焼成の際の焼成温度（８
００℃）よりも低い、ほう珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラ
スもしくはほう珪酸亜鉛ガラスを１〜２重量パーセント
含む。絶縁基板１に印刷された感光性導電ペースト２
は、露光、現像することにより、図１（Ａ）に示すよう
に、例えばスパイラル状に、導体パターン層となる感光
性導電ペースト２の必要部分２ａを残し、不要部分２ｂ
を除去する。
【００１８】その後、絶縁基板１を予備焼成用の炉に収
容し、感光性導電ペースト２中のガラス材料の転移温度
Ｔｇ付近の温度５００〜６００℃で予備焼成する。これ
により、絶縁基板１上に残された感光性導電ペースト２
の必要部分２ａが予備焼成され、それに含まれているバ
インダが飛散する一方、ガラス材料が溶融して固化し、
絶縁基板１に固着され、第１層目の導体パターン層ＣＬ
１（図１（Ｂ）参照）が形成される。このとき、ガラス
材料の固化により、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の
以後の工程における収縮はほとんどない。
容し、感光性導電ペースト２中のガラス材料の転移温度
Ｔｇ付近の温度５００〜６００℃で予備焼成する。これ
により、絶縁基板１上に残された感光性導電ペースト２
の必要部分２ａが予備焼成され、それに含まれているバ
インダが飛散する一方、ガラス材料が溶融して固化し、
絶縁基板１に固着され、第１層目の導体パターン層ＣＬ
１（図１（Ｂ）参照）が形成される。このとき、ガラス
材料の固化により、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の
以後の工程における収縮はほとんどない。
【００１９】次いで、図１（Ｂ）に示すように、第１層
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布する。
この感光性絶縁ペースト３も、ガラス材料として、その
転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペ
ースト３に含まれるバインダが熱により飛散する温度よ
りも高く、かつ、本焼成の際の焼成温度よりも低い、ほ
う珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラスもしくはほう珪酸亜鉛
ガラスを含んでいる。
目の導体パターン層ＣＬ１の上にガラス材料を含む感光
性絶縁ペースト３を一定の厚さに印刷により塗布する。
この感光性絶縁ペースト３も、ガラス材料として、その
転移温度Ｔｇが感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペ
ースト３に含まれるバインダが熱により飛散する温度よ
りも高く、かつ、本焼成の際の焼成温度よりも低い、ほ
う珪酸ガラス、ほう珪酸鉛ガラスもしくはほう珪酸亜鉛
ガラスを含んでいる。
【００２０】感光性絶縁ペースト３は、露光、現像する
ことにより、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の導体パ
ターンｃｐ、例えばスパイラル状導体パターンの内端部
に達するビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、全体を
再び予備焼成用の炉に収容し、感光性絶縁ペースト３中
のガラス材料の転移温度Ｔｇ付近の温度５００〜６００
℃で予備焼成する。これにより、導体パターン層ＣＬ１
の上に塗布された感光性絶縁ペースト３は予備焼成さ
れ、それに含まれているバインダが飛散すると共にガラ
ス材料が固化し、絶縁基板１及び導体パターン層ＣＬ１
に固着され、第１層目の絶縁層ＩＬ１が形成される。こ
のとき、ガラス材料の固化により、第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１も以後の工程における収縮はほとんどない。
ことにより、第１層目の導体パターン層ＣＬ１の導体パ
ターンｃｐ、例えばスパイラル状導体パターンの内端部
に達するビアホール用の孔３ｖｈを形成した後、全体を
再び予備焼成用の炉に収容し、感光性絶縁ペースト３中
のガラス材料の転移温度Ｔｇ付近の温度５００〜６００
℃で予備焼成する。これにより、導体パターン層ＣＬ１
の上に塗布された感光性絶縁ペースト３は予備焼成さ
れ、それに含まれているバインダが飛散すると共にガラ
ス材料が固化し、絶縁基板１及び導体パターン層ＣＬ１
に固着され、第１層目の絶縁層ＩＬ１が形成される。こ
のとき、ガラス材料の固化により、第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１も以後の工程における収縮はほとんどない。
【００２１】以下、図１（Ａ），（Ｂ）の工程を交互に
繰り返し、図１（Ｃ），（Ｄ）にそれぞれ示すように、
第２層目の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層
ＩＬ２を形成する。第２層目の導体パターン層ＣＬ２の
形成工程において、図１（Ｃ）に示すように、第１層目
の絶縁層ＩＬ１に形成されたビアホール用の孔３ｖｈに
感光性導電ペースト２が充填されて予備焼成されてビア
ホールｖｈが形成され、例えばスパイラル状の第２層目
の導体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐ、例えばス
パイラル状導体パターンの一端部が第１層目の導体パタ
ーン層ＣＬ１の導体パターンｃｐに電気的に接続され、
例えばコイルインダクタが形成される。なお、他の導体
パターン層及び絶縁層をさらに積層する必要がある場合
は、同様の工程を繰り返す。
繰り返し、図１（Ｃ），（Ｄ）にそれぞれ示すように、
第２層目の導体パターン層ＣＬ２及び第２層目の絶縁層
ＩＬ２を形成する。第２層目の導体パターン層ＣＬ２の
形成工程において、図１（Ｃ）に示すように、第１層目
の絶縁層ＩＬ１に形成されたビアホール用の孔３ｖｈに
感光性導電ペースト２が充填されて予備焼成されてビア
ホールｖｈが形成され、例えばスパイラル状の第２層目
の導体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐ、例えばス
パイラル状導体パターンの一端部が第１層目の導体パタ
ーン層ＣＬ１の導体パターンｃｐに電気的に接続され、
例えばコイルインダクタが形成される。なお、他の導体
パターン層及び絶縁層をさらに積層する必要がある場合
は、同様の工程を繰り返す。
【００２２】その後、全体を焼成炉に収容して約８００
℃で本焼成する。これにより、図１（Ｄ）に示すよう
に、絶縁層ＩＬ１を間にして第１層目の導体パターン層
ＣＬ１と第２層目の導体パターン層ＣＬ２が配置される
と共に、導体パターン層ＣＬ１の導体パターンｃｐと導
体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐとが絶縁層ＩＬ
１に形成されたビアホールｖｈにより相互に接続された
構造を有する多層構造を有する電子部品を得ることがで
きる。
℃で本焼成する。これにより、図１（Ｄ）に示すよう
に、絶縁層ＩＬ１を間にして第１層目の導体パターン層
ＣＬ１と第２層目の導体パターン層ＣＬ２が配置される
と共に、導体パターン層ＣＬ１の導体パターンｃｐと導
体パターン層ＣＬ２の導体パターンｃｐとが絶縁層ＩＬ
１に形成されたビアホールｖｈにより相互に接続された
構造を有する多層構造を有する電子部品を得ることがで
きる。
【００２３】本実施形態では、図１（Ａ）〜（Ｃ）にお
いて説明した工程からも分かるように、予備焼成の際に
ガラス材料が溶融して実質的な収縮が終わった第１層目
の導体パターン層ＣＬ１の上に順次第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１、第２層目の導体パターン層ＣＬ２、第２層目の絶
縁層ＩＬ２が形成されるので、最終工程である本焼成に
おける導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２の収縮は小さい。これにより、本焼成時に、
各導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃｐ，
ｃｐの間隔の変化、絶縁層ＩＬ１を間にして上下に位置
する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃ
ｐ，…，ｃｐ間の相対的な位置ずれ、さらには、ビアホ
ールｖｈの形状のゆがみや断線等が発生することがな
く、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を得る
ことができる。
いて説明した工程からも分かるように、予備焼成の際に
ガラス材料が溶融して実質的な収縮が終わった第１層目
の導体パターン層ＣＬ１の上に順次第１層目の絶縁層Ｉ
Ｌ１、第２層目の導体パターン層ＣＬ２、第２層目の絶
縁層ＩＬ２が形成されるので、最終工程である本焼成に
おける導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２及び絶縁層ＩＬ
１，ＩＬ２の収縮は小さい。これにより、本焼成時に、
各導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃｐ，
ｃｐの間隔の変化、絶縁層ＩＬ１を間にして上下に位置
する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の導体パターンｃ
ｐ，…，ｃｐ間の相対的な位置ずれ、さらには、ビアホ
ールｖｈの形状のゆがみや断線等が発生することがな
く、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を得る
ことができる。
【００２４】さらに、予備焼成の温度が比較的低いの
で、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板１や最初に
形成されている絶縁層ＩＬ１に加わる熱的なストレスは
比較的小さく、絶縁基板１やその上に形成されている第
１層目の導体パターン層ＣＬ１や第１層目の絶縁層ＩＬ
１等の機械的な強度劣化が防止される。さらに、導体パ
ターン層ＣＬ１，ＣＬ２中に含まれる導体金属は、予備
焼成の際に絶縁層ＩＬ１や絶縁基板１中にほとんど拡散
されない。従って、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各
導体パターンｃｐ，ｃｐの間、絶縁層ＩＬ１を間にして
上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２間の絶縁
抵抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることがで
きる。
で、予備焼成の繰り返しによっても絶縁基板１や最初に
形成されている絶縁層ＩＬ１に加わる熱的なストレスは
比較的小さく、絶縁基板１やその上に形成されている第
１層目の導体パターン層ＣＬ１や第１層目の絶縁層ＩＬ
１等の機械的な強度劣化が防止される。さらに、導体パ
ターン層ＣＬ１，ＣＬ２中に含まれる導体金属は、予備
焼成の際に絶縁層ＩＬ１や絶縁基板１中にほとんど拡散
されない。従って、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各
導体パターンｃｐ，ｃｐの間、絶縁層ＩＬ１を間にして
上下に位置する導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２間の絶縁
抵抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることがで
きる。
【００２５】さらに、図１に示した工程からも分かるよ
うに、感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペースト３
に光を露光して現像することにより導体パターン層ＣＬ
１，ＣＬ２やビヤホール用の孔３ｖｈを形成しているの
で、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各導体パターンｃ
ｐやビアホールｖｈの幅や径を小さくすることができ、
電子部品を小型化することができるばかりでなく、製造
に真空設備を必要とせず、製造コストも大幅に引き下げ
ることができる。
うに、感光性導電ペースト２及び感光性絶縁ペースト３
に光を露光して現像することにより導体パターン層ＣＬ
１，ＣＬ２やビヤホール用の孔３ｖｈを形成しているの
で、導体パターン層ＣＬ１，ＣＬ２の各導体パターンｃ
ｐやビアホールｖｈの幅や径を小さくすることができ、
電子部品を小型化することができるばかりでなく、製造
に真空設備を必要とせず、製造コストも大幅に引き下げ
ることができる。
【００２６】なお、本発明に係る電子部品の製造方法
は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。例えば、前記
実施形態では、絶縁基板１上に二つの導体パターン層Ｃ
Ｌ１，ＣＬ２を有する電子部品について説明したが、絶
縁基板１上にはさらに多くの導体パターン層を積層する
こともできる。また、本発明は、セラミック製の絶縁基
板１上に配線用の導体パターンが三次元的に配設された
多層基板にも適用することができる。
は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨
の範囲内で種々に変更することができる。例えば、前記
実施形態では、絶縁基板１上に二つの導体パターン層Ｃ
Ｌ１，ＣＬ２を有する電子部品について説明したが、絶
縁基板１上にはさらに多くの導体パターン層を積層する
こともできる。また、本発明は、セラミック製の絶縁基
板１上に配線用の導体パターンが三次元的に配設された
多層基板にも適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、導体パターン層及び絶縁層に含まれているガ
ラス材料は、ガラス転移温度付近での比較的低い温度で
順次予備焼成されたものであり、予備焼成の温度では導
体パターン層中に含まれる導体金属はほとんど絶縁層や
絶縁基板中に拡散されないので、絶縁層や絶縁基板中に
は導体パターン層から拡散する導体金属はほとんど存在
せず、一つの導体パターン層の導体パターンの間、絶縁
層を間にして上下に位置する導体パターンの間の絶縁抵
抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることができ
る。
によれば、導体パターン層及び絶縁層に含まれているガ
ラス材料は、ガラス転移温度付近での比較的低い温度で
順次予備焼成されたものであり、予備焼成の温度では導
体パターン層中に含まれる導体金属はほとんど絶縁層や
絶縁基板中に拡散されないので、絶縁層や絶縁基板中に
は導体パターン層から拡散する導体金属はほとんど存在
せず、一つの導体パターン層の導体パターンの間、絶縁
層を間にして上下に位置する導体パターンの間の絶縁抵
抗の低下がなく信頼性の高い電子部品を得ることができ
る。
【００２８】また、導体パターン層及び絶縁層はその各
予備焼成の際にそのガラス材料が溶融してガラス化して
いるので、本焼成の際には実質的に収縮はほとんどな
く、導体パターンの間の間隔の変化、絶縁層を間にして
上下に位置する導体パターンの間の位置ずれ、さらに
は、ビアホールの形状のゆがみや断線等が発生すること
がなく、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を
得ることができる。
予備焼成の際にそのガラス材料が溶融してガラス化して
いるので、本焼成の際には実質的に収縮はほとんどな
く、導体パターンの間の間隔の変化、絶縁層を間にして
上下に位置する導体パターンの間の位置ずれ、さらに
は、ビアホールの形状のゆがみや断線等が発生すること
がなく、特性のばらつきが少なく精度の高い電子部品を
得ることができる。
【００２９】さらに、本発明によれば、製造設備に薄膜
リソグラフィのような真空設備を必要としないので、低
コストで特性の優れた信頼性の高い電子部品を製造する
ことができる。しかも、感光性導電ペースト及び感光性
絶縁ペーストを用い、それらを露光及び現像することに
より導体パターン層をパターニングし、ビヤホール用の
孔等形成しているので、導体パターンやビアホールの幅
や径を小さくすることができ、電子部品を小型化するこ
とができる。
リソグラフィのような真空設備を必要としないので、低
コストで特性の優れた信頼性の高い電子部品を製造する
ことができる。しかも、感光性導電ペースト及び感光性
絶縁ペーストを用い、それらを露光及び現像することに
より導体パターン層をパターニングし、ビヤホール用の
孔等形成しているので、導体パターンやビアホールの幅
や径を小さくすることができ、電子部品を小型化するこ
とができる。
【００３０】本発明によれば、さらに、転移温度付近の
予備焼成により、感光性絶縁ペースト中のバインダの飛
散とガラス材料のガラス化を同時に行うことができ、電
子部品の製造効率が向上する。
予備焼成により、感光性絶縁ペースト中のバインダの飛
散とガラス材料のガラス化を同時に行うことができ、電
子部品の製造効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品の製造方法の一実施形態
を示す製造工程説明図。
を示す製造工程説明図。
【図２】従来の電子部品の製造工程の第１例を示す説明
図。
図。
【図３】従来の電子部品の製造工程の第１例を示す説明
図、図２の続き。
図、図２の続き。
【図４】従来の電子部品の製造工程の第２例を示す説明
図。
図。
【図５】従来の電子部品の製造工程の第２例を示す説明
図、図４の続き。
図、図４の続き。
【符号の説明】 １…絶縁基板 ２…感光性導電ペースト ３…感光性絶縁ペースト ３ｖｈ…ビアホール用の孔 ｖｈ…ビアホール ＣＬ１…第１番目の導体パターン層 ＣＬ２…第２番目の導体パターン層 ＩＬ１…第１番目の絶縁層 ＩＬ２…第２番目の絶縁層 ｃｐ…導体パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック材料からなる絶縁基板の上に
順次積層されてなるガラス材料を含む導体パターン層及
び該導体パターン層を覆うガラス材料を含む絶縁層を有
しており、これら導体パターン層及び絶縁層はそれに含
まれる前記ガラス材料がいずれも前記導体パターン層及
び絶縁層の形成の際にそのガラス転移温度付近で予備焼
成され、前記導体パターン層及び絶縁層の積層後に本焼
成してなるものであることを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 セラミック材料からなる絶縁基板を用意
し、その上にガラス材料を含む感光性導電ペーストを付
与し、該感光性導電ペーストを露光、現像して導体パタ
ーン層を形成した後、該導体パターン層をそれに含まれ
る前記ガラス材料の転移温度付近の温度で予備焼成する
工程と、予備焼成された導体パターン層の上にガラス材
料を含む感光性絶縁ペーストを付与し、該感光性絶縁ペ
ーストを露光、現像して絶縁層を形成した後、該絶縁層
をそれに含まれる前記ガラス材料の転移温度付近の温度
で予備焼成する工程とを繰り返した後、全体を本焼成す
ることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項３】 前記ガラス材料の転移温度は前記感光性
導電ペースト及び感光性絶縁ペーストに含まれるバイン
ダが熱により飛散する温度よりも高く、かつ、前記導体
パターン層及び絶縁層の本焼成の温度よりも低いことを
特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025968A JPH11224825A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10025968A JPH11224825A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224825A true JPH11224825A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12180538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10025968A Pending JPH11224825A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11224825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004104129A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-04-02 | Chartered Semiconductor Mfg Ltd | ３−ｄスパイラル積層インダクタおよび３−ｄスパイラル積層インダクタを形成する方法 |
| US7146719B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer circuit component and method for manufacturing the same |
| WO2019012929A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 株式会社村田製作所 | 複合配線基板及びプローブカード |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP10025968A patent/JPH11224825A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7146719B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer circuit component and method for manufacturing the same |
| JP2004104129A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-04-02 | Chartered Semiconductor Mfg Ltd | ３−ｄスパイラル積層インダクタおよび３−ｄスパイラル積層インダクタを形成する方法 |
| JP4505201B2 (ja) * | 2002-09-04 | 2010-07-21 | チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド | ３−ｄスパイラル積層インダクタおよび３−ｄスパイラル積層インダクタを形成する方法 |
| WO2019012929A1 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | 株式会社村田製作所 | 複合配線基板及びプローブカード |
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