JP2004104121A - ダミーパターンを有する不揮発性記憶素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の不揮発性記憶素子はセル領域及び周辺回路領域を有する半導体基板を備える。セル領域内に複数の活性領域が並んで配置され、活性領域の上部を複数のセルラインパターンが並んで横切る。セルラインパターン及び活性領域の間に一対のトンネル絶縁膜及びフローティングゲート電極が介在され、セルライン両側壁に一対の制御ゲートラインが配置される。セル領域及び周辺回路領域の間にダミー領域が介在され、ダミー領域にセルラインパターンと平行な部分を有する少なくとも一つのダミーラインパターンが配置される。この際、各セルラインパターンは曲面側壁及び平面側壁を有し、曲面側壁が向き合うように配置され、互いに離隔された一対のスペーサライン及び一対のスペーサラインの間に介在され、一対のスペーサラインの間の活性領域と電気的に接続するソースラインから構成される。
【選択図】 図7
Description
101 半導体基板
102 素子分離膜
103 活性領域
104 トンネル絶縁膜
105 フローティングゲート電極
107 スペーサライン
109 ライナースペーサ
111 ソース領域
113 ソースライン
120 セルラインパターン
123a 制御ゲート絶縁膜
125a 制御ゲートライン
127 ゲートスペーサ
129 ドレーン領域
200 ダミー領域
204 ダミートンネル絶縁膜
205 ダミーフローティングゲート電極
207 ダミースペーサライン
209 ダミーライナースペーサ
213 ダミーソースライン
220 ダミーラインパターン
223a ダミー制御ゲート絶縁膜
225a ダミー制御ゲートライン
227 ダミーゲートスペーサ
300 周辺回路領域
Claims (14)
- セル領域及び周辺回路に領域を有する半導体基板と、
前記セル領域内に並んで配置された複数の活性領域と、
前記活性領域の上部を並んで横切る複数のセルラインパターンと、
前記セルラインパターン及び前記活性領域の間に介在された一対のトンネル絶縁膜及びフローティングゲート電極と、
前記セルライン両側壁に配置された一対の制御ゲートラインと、
前記セル領域及び前記周辺回路領域の間に介在されたダミー領域と、
前記ダミー領域内に配置され、前記セルラインパターンと平行な一部分を有する少なくとも一つのダミーラインパターンとを含み、前記各セルラインパターンは一対のスペーサライン及びソースラインから構成され、前記スペーサラインは曲面側壁及び平面側壁を有し、前記ソースラインは前記一対のスペーサラインの間の活性領域と電気的に接続することを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 前記スペーサライン及び前記フローティングゲート電極と前記ソースラインとの間に介在されたライナースペーサを付加的に含み、前記ライナースペーサは前記ソースライン及び前記フローティングゲート電極を絶縁させることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記トンネル絶縁膜及び前記フローティングゲート電極は前記スペーサライン及び前記活性領域の間に介在され、前記制御ゲートラインは前記スペーサラインの平面側壁に配置されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記スペーサライン、前記フローティングゲート電極及び前記活性領域と前記制御ゲートラインとの間に介在された制御ゲート絶縁膜を付加的に含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダミー領域はセル領域を取り囲むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダミーラインパターンは前記セル領域を取り囲むループ状であることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダミーラインパターンは、
前記ダミー領域内に配置され、曲面側壁及び平面側壁を有し、互いに離隔された一対のダミースペーサラインと、
前記一対のダミースペーサラインの間に介在されたダミーソースラインとを含み、前記一対のダミースペーサラインはそれらの前記曲面側壁が向き合うように配置されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶素子。 - 前記ダミースペーサラインはシリコン酸化膜より成ることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダミーソースラインはドーピングされたポリシリコン膜より成ることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダミーラインパターンの下部の前記半導体基板に配置された素子分離膜を付加的に含むことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記素子分離膜及び前記ダミースペーサラインの間に介在されたダミーフローティングゲート電極を付加的に含むことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記ダミースペーサラインの平面側壁に配置されたダミー制御ゲートラインと、
前記ダミースペーサライン及び前記半導体基板と前記ダミー制御ゲートラインとの間に介在されたダミー制御ゲート絶縁膜とを付加的に含むことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性記憶素子。 - 前記ダミーラインパターン及び前記セル領域内の最外郭セルラインパターンは所定の間隔に離隔され、前記所定の間隔は前記セルラインパターンの間の間隔と同一なことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶素子。
- セル領域、ダミー領域及び周辺回路領域を有する半導体基板を準備する段階と、
前記セル領域内に複数のセルラインパターンを形成する段階と、
前記ダミー領域内に複数のダミーラインパターンを形成し、前記セルラインパターンと隣接した前記ダミーラインパターンの間の距離は前記セルラインパターンの間の距離と同一に形成する段階と、
前記半導体基板上に制御ゲート絶縁膜、制御ゲート導電膜及び酸化膜を形成する段階と、
前記制御ゲート絶縁膜及び酸化膜を化学的機械的研磨工程に平坦化する段階とを含むことを特徴とする不揮発性記憶素子の形成方法。
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