JP2004036005A - 微細及び超微細の金属粉体 - Google Patents

Abstract

【課題】　　　微細及び超微細の金属粉体の提供。
【解決手段】　粒径分布を特定する尺度の一つであるＳｐａｎが、ある一定値以下であり、かつ、高度に結晶性で、微細及び超微細の銅又はニッケル粉体。
【選択図】　　図１
　

Description

　本発明は、金属、合金、セラミックス、合成物及び同等品のような種々の物質の、制御された物理的特性を有する微細粉体及び超微細粉体、並びにそれらの製造方法に関する。この方法を実施するために、生産量が大きくかつ粉体の特性を制御する性能を提供する新規かつ柔軟性のある移行型（ｔｒａｎｓｆｅｒｒｅｄ）アークプラズマ　システムが開発された。移行型アークプラズマ　システムは、移行型アークプラズマ　リアクター及び内部で粉体の凝縮の発生する別個の冷却システムを備える。

　金属、合金、セラミックス、合成物及び同等品の微細な粉体は、航空、電子、マイクロ電子、セラミックス及び機械のような種々の分野での広範囲の用途を持つ。現在、微細粉体、即ち平均粒子寸法が０．１から１０μｍの粉体の製造は、主に３種の異なった技術、即ち、１）湿式冶金法、２）熱分解スプレイ法、及び３）粉砕法により達成される。これら技術の欠点は、特に、高い運転費、非球粒子の生産及び有毒又は扱いにくい副産物の生成である。

　超微細粉体、即ち、平均粒子寸法が１００ｎｍ以下の粉体により得られる便益は、主として、大きい表面積／体積比を生むその小さい粒子寸法によるものである。従って、超微細粉体は、上記の分野で使用されるとき、微細粉体に勝る利点を持つことができる。

　微細粉体製造の好ましい方法は、湿式冶金及び熱分解スプレイである。しかし、これらの方法は、塩化物及び窒化物のような供給材料を調整し扱うことを含む大きな欠点を持つ。これらの物質は有毒でありかつ扱いが困難であることが多く、ガス状及び液体の排出物に対する環境的な排出物管理を要し、更に平均粒子寸法１００ｎｍ以下の製造が困難である。

　熱プラズマベースの蒸気凝結法は、湿式冶金法及び熱分解スプレイ法に伴う取扱い及び環境の問題なしに１００ｎｍ以下の平均粒子寸法を作る能力を示している。これらの問題は、供給材料が一般に不活性であるために避けられる。かかる材料の例には、純金属、合金、酸化物、炭化物（カーバイド）などが含まれる。かかるプラズマ法は、高エネルギー入力を達成し得るため、これら供給材料を蒸発させ又は分解することができる。

　熱プラズマの発生は典型的に２種の方法、即ち、５０Ａ以上の電流と１０ｋＰａ以上の圧力とを使用する高強度ＤＣアーク、又はＲＦプラズマのような高周波放電により達成される。ＤＣアークが、その高いエネルギー効率のため、一般に好まれる。ＤＣアークは、一方の電極が処理される材料である移行型と電極が消耗されない非移行型とに分類される。移行型アーク　システムは電流が処理される材料を直接通過するため、そのエネルギー効率は非移行型アーク　システムより高い。電極として作用している材料への極端に高い熱入力のため蒸発又は分解が生じ、蒸気相を作り、続いてこれが粉体を形成するために冷却される。次いで、典型的に粉体製品が濾過器から回収される。

　移行型アークを利用する熱プラズマベースの蒸気凝結法は、今日まで、その低いエネルギー効率、低い生産速度、貧弱な生産量、並びに粒子の寸法とその分布、形状、及び結晶化度のような粉体特性の基本的制御のため、金属、合金、セラミックス又は合成物のような材料の微細粉体又は超微細粉体の商業規模での製造には成功していない。更に、この方法は、典型的に、平均粒子直径が０．１μｍ以下の粉体の製造に使用され、今日の市場はより大きい粒子寸法を要求するためこれも工業規模での不成功の原因である。

　種々の純粋材料の微細粉体及び超微細粉体の製造に加えて、移行型アークプラズマ　システムは、２種以上の成分（化学反応）又は要素（合金）の相互作用から得られる微細粉体及び超微細粉体の製造にも使用することができる。

　移行型アークプラズマ　システムはバッチ式に運転することができるが、これは連続運転式で運転することが好ましい。蒸発又は分解される材料は、種々の方法でリアクターに連続的に供給することができる。例えば、リアクター壁の側方の管によりるつぼの頂部からるつぼ内に材料を供給することできる。材料は、これをプラズマの下で押し上げることができ、又はプラズマ　トーチ（ｔｏｒｃｈ）内に直接供給することができる。作られる粉体に応じて、作業者は適切な方法を選定するであろう。一般に、好ましい供給方法は、リアクターの上方部分に置かれた１個又は複数個の管を通すことである。供給材料は固体（線、棒、細い棒、塊、ショットなど）又は液状とすることができる。液状の場合は、供給材料はリアクター内に圧送することもできる。

　金属内の水素を分解するアーク又はプラズマ放電、又は赤外線放射を使用した熔融金属又は合金と水素との反応を含んだ微細金属粉体の製造方法は既知である［特許文献１参照］。分解された水素が熔融金属から解放されるとき、微細な金属粉体が作られる。この方法を使った場合、低温の壁のリアクター及び処理すべき材料の支持に使用される水冷式の銅の型の使用のため、得られる生産速度及び生産量が小さい。報告された最大生産速度は２４０ｇ／ｈｒ以下である。更に、粉体特性の制御についての説明又は示唆はない。

　移行型アークプラズマ　システムの重要な態様は、これらが多くのエネルギーを消費することである。従って、価値ある商業的な方法とするためにはその効率を最大にすることが肝要である。このことは、内部で蒸発し又は分解した材料が、プラズマ室の壁、プラズマ　トーチの外面、又はかなりの多くの頻度でるつぼである型のいずれにおいても凝結しないように、リアクター内部の温度をできるだけ高くしなければならないことを意味する。かかる最大化は、明らかに粉体のより大きな生産をもたらすであろう。移行型アーク　リアクター内で広く行われる極端な条件のため、多くの部材は、その運転寿命を延ばすために一般に水で冷却される。明らかに、かかる冷却はこの方法のエネルギー効率を低下させる効果を持つ。リアクターの内側にできるだけ多くの熱を保持するために、その内面をグラファイトのライニングで覆うことにより移行型アーク　リアクターの内部を変更することが、提案されている［非特許文献１参照］。

　上記非特許文献１は、移行型アーク熱プラズマベースの蒸気凝結法を使用した超微細窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の製造も明らかにする。断熱プラズマ室内でアルミニウムを蒸発させ窒素及びアンモニアと反応させて希望の窒化アルミニウム製品を作る。アルミニウムは、トリエィテッド（ｔｈｏｒｉａｔｅｄ）タングステンチップ陰極を使用する移行型アーク構成における陽極材料としてこれを使用することにより蒸発する。蒸発するアルミニウムは、水冷のステンレス鋼支持体により囲まれたグラファイトるつぼ内に置かれたインゴットの形である。水冷ジャッケットがあるため、蒸発のエネルギー効率が減らされる。このプロセスの欠点は、プラズマ室における反応ガス、即ち窒素及びアンモニアの噴射のためプラズマ室内で粉体の形成が生ずることによる。アゲオリゲス他は、プラズマ室が「炉内を循環する煙り状粉体で満たされる」ことを特に述べる。結果として、プラズマ室内における凝集及び粉体生成物の生長の適正な制御の困難のため粉体特性の制御が極めて不十分である。作られた粒子は比表面積測定に基づき１３５ｎｍの公称粒子寸法を有することが報告された。

　超微細窒化アルミニウム粉体の形成をよりよく制御するために、アルミニウム蒸気と窒化アルミニウム形成物とを分離することが提案されている［非特許文献２参照］。これは、反応ガスを導入しない移行型アーク　リアクター内でアルミニウム陽極を蒸発させ、そしてこのアルミニウム蒸気をプラズマ室の出口に取り付けられた別のリアクター管内のある１点で噴射されたアンモニアと反応させることにより達成される。この方法で作られた窒化アルミニウム粉体は、ほぼ２０ｎｍの平均粒子寸法を持つ。

　ＤＣアークプラズマ　システムを使用した熱プラズマベースの蒸気凝縮法の使用も報告されている［非特許文献３参照］。この研究において、アルミニウム陽極は、これにＡｒ又はＡｒ／Ｈ_２の熱アークを飛ばすことにより蒸発する。アルミニウム蒸気は反応し、別の冷却管内で急冷され、超微細窒化アルミニウム粉体を作る。アルミニウム蒸気を含んだリアクター出口ガスは、超微細粉体の製造中に得られたＡｒ／ＮＨ_３混合物を使用してある１点で冷却される。この技術は上記非特許文献２により説明されたものと同様である。粉体製品は極めて高い比表面積（４０−２８０ｍ^２／ｇ）及び５０ｎｍ以下の平均粒子寸法を持つ。

　超微細のセラミック及び合成物の粉体を作るための移行型アーク熱プラズマベースの蒸気凝結方法も使用されている［非特許文献４参照］。ＳｎＯ_２又はＡｇ／ＳｎＯ_２の製造において、錫又は銀／錫の陽極が上記非特許文献１により説明されたものと同様に水冷のステンレス鋼支持体により囲まれたグラファイトるつぼ内に収容されているときに、これにアークを飛ばすことにより蒸発する。反応ガス、即ち酸素がプラズマ室に加えられ、次いで冷却ステーションに送らる製品を形成する。酸素はプラズマ室に加えられるため、蒸発及び反応の両段階が一つの容器内で行われる。上記非特許文献２及び非特許文献３の研究においては、粉体化合物の生成における蒸発段階と反応段階とは、実際の形成過程をうまく制御するために分離される。

　上記非特許文献４における方法と同様な方法も使用されている［非特許文献５を参照］。この研究においては、シリカ粉体が作られる。シリカの原材料は、これを特定の形態、即ち粒子寸法が１００−３１５μｍの砂の状態でアーク内に噴射することにより蒸発する。アークは消耗しない陰極と蒸発材料以外の材料で作られた陽極との間で飛ばされる。結果として、この方法のエネルギー効率は、上述された真の移行型アーク運転より低いと考えられる。シリカ粉体製品を形成する粒子の大部分は５０から４００ｎｍの範囲の粒子寸法を持っていた。

　初期の蒸気濃度と温度、凝集と粒子成長の持続時間、及び冷却プロフィルを制御することにより、粒子の寸法とその分布及び結晶化度をある程度制御し得ることが理論的に示されている［非特許文献６及び非特許文献７参照］。この方法が特許文献１並びに非特許文献４及び非特許文献５により示されたような微細粉体の製造に使用されるときは、冷却区画における凝集、粒子成長及び結晶化を正確に制御するための装置又は手順について説明されていないため、粉体特性の制御は非常に不十分である。更に、上記特許文献１並びに非特許文献４及び非特許文献５の両研究においては、プラズマ室内における凝集及び粒子成長を限定する試みがなされず、これも粉体特性の適正な制御の欠如を助ける。従って、移行型アーク熱プラズマベースの蒸気凝結法を使用して作られる微細及び超微細粉体の粒子寸法とその分布、及び結晶化度の制御は極めて限定される。
米国特許４３７６７４０号 Ｐｌａｓｍａ　Ｃｈｅｍ．ａｎｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，１９９３，１３（４）６１３−６３２ Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃ．，１９９７，８０（９），２４２５−２４２８ ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．ｏｎ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９７，２５（５），１００８−１０１６ Ｔｈｉｒｄ　Ｅｕｒｏ−Ｃｅｒａｍｉｃｓ，１９９３，１，１５−２０ １２ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓａｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｐｌａｓｍａ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９５，１２０７−１２１２ ＡＩＣｈＥ　Ｊｏｕｒｎａｌ，１９８６，３２（１２），２０１０−２０１９ Ｐｌａｓｍａ　Ｃｈｅｍ．　ａｎｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，１９８９，９（３），３５５−３６９

　電子工学又は冶金のようなある分野では粉体の平均寸法と分布、及び結晶化度が重要な特性である。従って、本発明の目的は、かかる特性を制御した、微細及び超微細粉体の金属粉体を提供することにある。

　本発明により、下記式、

　式中、
　　Ｄ_９０は銅又はニッケル粉体の９０％の平均直径（μｍ）を示し、
　　Ｄ_１０は上記粉体の１０％の平均直径（μｍ）を示し、
　　Ｄ_５０は上記粉体の５０％の平均直径（μｍ）を示す、
で定義されるＳｐａｎが３．３以下である制御された粒径分布を有することを特徴とする高度に結晶性で、微細及び超微細の銅又はニッケル粉体が提供される。

　本発明の好ましい態様では、Ｓｐａｎが１．２４以下である制御された粒径分布を有するニッケル粉体が提供される。

　本発明の更なる好ましい態様では、Ｓｐａｎが３．３以下である制御された粒径分布を有する銅粉体が提供される。

　さらにまた、本発明の好ましい態様では、銅金属又はニッケル金属の蒸気を、第１段階ではその蒸気を間接的に冷却及び／又は加熱することによりその粒子を所望の大きさ及び粒径分布となるように該粒子の核化及び生長を増進し、次いで第２段階において該粒子を冷却することにより該金属の粉体が製造されたものである、Ｓｐａｎが３．３以下である制御された粒径分布を有することを特徴とする高度に結晶性で、微細及び超微細の銅又はニッケル粉体が提供される。

　さらなる、本発明の好ましい態様では、該金属粉体が、０．５ｋｇ／時以上で蒸気化する速度でその金属蒸気から金属粉体を製造されたものである、Ｓｐａｎが３．３以下である制御された粒径分布を有することを特徴とする高度に結晶性で、微細及び超微細の銅又はニッケル粉体が提供される。

　より具体的には、本発明の粉体は、金属、合金、セラミックス、合成物、及び同等品のような材料の微細及び超微細な粉体の製造のための移行型アークプラズマベースの蒸気凝結法、より特別には、移行型アークプラズマ　システムにより微細及び超微細な粉体を作る方法であって、−プラズマ　リアクター内で蒸発又は分解される材料を供給し、
−材料を蒸発又は分解してその蒸気を形成するに十分な高温を有するプラズマを作るために材料と電極との間でアークを飛ばし、
−プラズマ　リアクターにおいて所望により希釈ガスを送り込み、
−プラズマ　ガスの手段による蒸気及び所望の希釈ガスを、蒸気が凝結され粉体の形成が生ずる冷却管内に移送し、冷却管が
　−粒子の成長及び結晶化を実質的に制御するために、内部にある蒸気及びいかなる粒子　　も間接的に冷却し又は加熱する第１区画、及び
　−第１区画に連結され内部にある蒸気及びいかなる粒子も直接冷却するための第２区画を備え、更に
−収集ユニットにおいて粉体粒子を収集しかつ所望により濾過する
諸段階を含む方法により製造される。

　以下、本発明をさらに詳細に説明する。上記のように本発明の粉体は、以下のように製造することができる。さらに都合よくは、上記の高度に結晶性で、微細及び超微細の銅又はニッケル粉体は、次の方法により製造することができる。

　好ましい方法においては、希釈ガスは、プラズマ室内で連続的又は半連続的に噴射されるより前に、蒸気の温度に相当する温度、又は少なくも１０００Ｋに加熱される。希釈ガスの噴射速度は、製造速度、粉体特性、プラズマガスの流量、蒸気濃度などのような要因に応じて変えることができる。本技術の熟練者は最適の希釈ガス流量を決定することができる。

　本発明の更なる好ましい方法においては、順極性構成が使用される。即ち、るつぼ内の液状材料が陽極であり、そして電極が陰極である。更に電極は消耗せず、かつプラズマ　トーチの内側に置かれる。

　本発明の第２の方法においては、移行型アーク　リアクターより作られたような蒸気の凝結に適した冷却管が提供される。より特別には、冷却管は、長い実質状管状体のある第１区画であって、全長を通過する蒸発材料を間接的に冷却又は加熱して粒子の生長と結晶化を制御するために管状体の周りに冷却用又は加熱用手段を有する前記第１区画、及び蒸気とその粒子とを直接冷却するために第１区画に連結された第２区画を備える。

　好ましい方法においては、第２区画は第１区画の管状体の延長部よりなり、そして直接冷却は蒸気上への冷却用流体の直接噴射により行われる。

　冷却管の第１区画の管の内径と長さとは、製造される粉体、この粉体に対する望ましい特性、キャリヤーガスの流量、希望の粒子寸法などの多くの要因に応じて変えることができる。本技術の熟練技術者又は通常の技術者は、希望の粉体特性によりこれら要因を調節することができる。

　該方法により、金属、合金、セラミックス、合成物、及び同等品のような材料の微細及び超微細な粉体の連続的又はバッチ式の製造方法であってかつ作られる粉体の特性の実質的な制御を許す方法が提供される。実質的に制御される特性は、平均粒子寸法、寸法の分布、及び結晶化度である。

　本発明の目的に対して、表現「間接的な冷却又は加熱」は、プラズマ室から出た蒸気内において、冷却用又は加熱用の流体が、蒸気及びあるならば蒸気中の凝結粒子に直接接触しない冷却用又は加熱用の手段として定義することができる。一方、「直接冷却」は冷却用流体が材料の蒸気に直接触れる冷却用手段として定義される。

　該方法は、電極、好ましくはトーチ内部で消耗しない電極と、順極性（ｓｔｒａｉｇｈｔ　ｐｏｌａｒｉｔｙ）又は逆極性（ｒｅｖｅｒｓｅ　ｐｏｌａｒｉｔｙ）の構成において蒸発し又は分解し得る他方の電極との間でアークを飛ばすことを含む。順極性仕様の場合は、蒸発又は分解する材料が陽極として作用し、消耗しない電極は陰極として作用する。従って、蒸発又は分解する材料は液状である。上述のように、この方法に適した材料は、純金属、合金、セラミックス、合成物などのようないかなる導電性材料も含む。作り得る金属粉体の例は、限定するものではないが、銀、金、カドミウム、コバルト、銅、鉄、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、タンタル、チタン、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、ニオブ及び同等材料、並びにこれらの合金の粉体を含む。セラミックス粉体の例は、限定するものではないが、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＢＮなどの粉体を含む。合成物または被覆粉体の例は、限定するものではないが、ＳｉＣ／Ｓｉ，Ｓｉ_３Ｎ_４／Ｓｉ，ＮｉＯ／Ｎｉ、ＣｕＯ／Ｃｕなどの粉体を含む。

　連続法においては、蒸発又は分解される材料は、これを、運転温度において導電性であり又はそうでないるつぼ内に連続的又は半連続的に加えることができる。典型的には、蒸発又は分解される材料を入れるために使用されるるつぼは、補助電極接続が不要なように導電性である。運転温度において分解せず又は材料と反応しない導電性るつぼが利用できない場合は、これらの制限を持たない非導電性るつぼを補助電極接続とともに使うことができる。供給材料は、固体の粒子、線、棒、液状などを含んだ適宜の形式のものとすることができる。

　典型的なプラズマ　トーチの供給ガスの流量は、電力レベル及びトーチデザインに大きく依存する。更に、生産速度が高くなるとプラズマ室内における材料の蒸発又は分解により形成された蒸気の希釈が要求されることがある。希釈は、蒸気の濃度を減らして蒸気の顕著な凝結を防止する。この凝結はプラズマ室内における粒子の形成を導いて別の冷却区画における粉体特性の制御を妨げ、同時に生産量を減らす。希釈ガスは、これをプラズマ　ガスに直接加えることができるが、この方法は、通常は、プラズマ　トーチの最大作動流速に限定される。これが、プラズマ室内における希釈ガスの噴射用の追加の手段を持つ必要のある理由である。また、かかる希釈ガスは、プラズマ室内における粒子の生成をもたらすであろう局所的な冷却を最小にするに十分な高温でプラズマ室内で噴射されねばならない。これを行うために、プラズマ室内に追加の高温ガスを噴射できるように少なくも１個のガスポートが設置される。プラズマ室内に加えられた全てのガスは、蒸気との反応が最小になるように選ばれる。

　トーチ　ガス及び希釈ガスの両者に対して適切な流量は、本技術の通常の技術者により容易に決定することができる。これらの流量は、生産速度、電力レベル、希望の粒子寸法などのような幾つかの要因に依存する。一例として、約０．５μｍの銅又はニッケルの粉体を、生産速度が２ｋｇ／ｈ、電力レベルが約５０から約１００ｋＷにおいて作るためには、希釈ガスの流量及びトーチ　ガスの流量はそれぞれ１０００ｌ／ｍｉｎ及び６０ｌ／ｍｉｎが必要である。プラズマ室の圧力は、好ましくは０．２−２．０気圧、より好ましくは約１気圧に維持される。

　リアクターは、エネルギー効率及び産出量を最大にし、かつ蒸発し又は分解した材料の室内における凝結を最小にして室内での粒子の形成を防ぐためによく断熱されることが重要である。蒸気はプラズマ室から冷却管に送られ、ここで粉体粒子が成長し最終的に凝結する。次いで、微細又は超微細な粉体製品は、これを適宜の通常の収集／濾過装置により集めることができる。

　本発明の方法は、通常の湿式冶金法及び熱分解スプレイ法に伴う取扱い及び環境の諸問題を避けつつ少なくとも約０．５ｋｇ／ｈの生産速度で微細及び超微細な粉体を作るためのエネルギー効率のよい方法を提供する。現在の移行型アーク　システムは０．２ｋｇ／ｈ以下の速度でしか生産することができず、かつ粉体特性の広範囲の制御ができない。本方法は、粉体の諸特性を相当に制御する能力を有しつつ、純金属、合金、セラミックス、合成物などような材料の微細及び超微細な粉体の比較的単純かつ費用効果的な生産を許す。

　本発明は、その好ましい実施例を示すために提供された図面を参照して説明されるであろう。これら図面は本発明の範囲を限定するものとして考えるべきではない。

　図１を参照すれば、アルミナフェルトのような断熱材１３で断熱された移行型アークプラズマ　リアクター１２、冷却管１４、及び粉体収集ユニット１６を備えたプラズマ　システム１０が提供される。リアクター１２は、制御パネル１５と組み合わせられた電力供給源１１と組み合わせられる。リアクター１２におけるガスと水との供給を制御するために供給制御ユニット１９も設けられる。粉体を集めるより前にその温度を更に下げるために、ユニット１６と冷却管１４との間に熱交換器２１を所望により挿入することができる。システムが連続モードで使用されるときは（殆どの場合はこれである）、プラズマ室１７内に材料を供給するためにフィーダー２３が設けられる。

　図２は、プラズマ室１７を備えたプラズマ　リアクター１２を示す。アーク１８は、トーチ２０内に置かれた好ましくは非消耗型の電極３３と、セラミックるつぼ２４内に入れられた材料２２との間で飛ばされる。材料２２が蒸発し又は分解すると、更なる材料が、例えば少なくとも１個のパイプ２６を経てるつぼ内に連続的、又は半連続的に追加される。加熱された希釈ガス、好ましくはアルゴン、ヘリウム、水素、窒素、アンモニア、メタン又はこれらの混合ガスがパイプ２８を通って室１７内に噴射され、蒸気を室１７から少なくも１個の出口ポート３０を経て冷却管１４内に輸送し、冷却管１４内で粉体の凝結が生ずる。冷却管１４から出た粉体製品は、粒子濾過ユニット、洗浄装置及び同様な装置のような適宜適切な固体／ガス又は固体／液体の分離装置内に受け入れられる。

　システムの運転中、材料２２を蒸発させ又は分解させるに要するエネルギーは、るつぼ２４内で部分的に又は完全に液化された材料２２と電極３３との間に維持されるアーク１８により供給される。プラズマ　トーチ２０の供給ガスに加えてプラズマ室１７内に連続的又は半連続的に少なくも１種の希釈ガスが噴射される。この少なくも１種の希釈ガスは、蒸気の局所的凝縮を最小にするために、好ましくはプラズマ室内の蒸気の温度に相当する温度、又は少なくも１０００Ｋ以上に加熱される。

　典型的には、電極３３が陰極として作用しかつ液体材料２２が陽極として作用する移行型プラズマ　システム、順極性仕様が使われる。しかし、電極３３の腐食はこれが陽極として作用されたとき劇的に減少するため、大きな運転電流が使用されるときは、逆極性仕様が非常に有利である。

　好ましいアークの長さは約２から２０ｃｍであるが、作られる材料に応じて長さを随意に変えることができる。室１７内の圧力は好ましくは０．２−２．０気圧に維持され、そして最も好ましい運転圧力は、０．８−１．２気圧である。

　図３は、プラズマ室内の移行型アーク装置の種々の変更例を示す。図３Ａは、るつぼ装置が導電性であるときの好ましいるつぼ装置を示す。図３Ｂ及び３Ｃは、補助電極３２が使用される場合の構成を示す。かかる構成は、るつぼ２４の導電度が不十分な場合、或いはるつぼが全く導電性でない場合に使用される。るつぼが運転温度において導電性である場合にも、補助電極を使用できることに注意すべきである。補助電極接続３２は、材料２２と直接接触していてもよいし又は接触していなくてもよい。材料２２への直接接触は、頂部（図３Ｃ）、底部又は側面のいずれから行うこともできる。直接接触でない場合は、補助電極３２は、図３Ｂのようなプラズマ　トーチ、水冷式のプローブ又は供給材料とすることができる。

　るつぼ２４用の好ましい材料は、グラファイト；炭化ランタル、炭化ケイ素、炭化チタンなどのような炭化物（カーバイド）；マグネシア、アルミナ、ジルコニアなどのような酸化物；窒化チタン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ボロンなどのような窒化物；二ホウ化チタン、二ホウ化タンタル、二ホウ化ジルコニウムなどのようなホウ化物；並びにタングステン、タンタル、モリブデン、ニオブなどのような耐火材料のような熔融温度の高い材料を含む。

　図４は、本発明による冷却の好ましい態様を示す。蒸発し又は分解した材料は、希釈ガス及びプラズマガスと組み合った蒸気の形式で室１７から出て、冷却管１４の第１区画３４内に入る。第１区画３４は、希望の製品に凝結するように蒸気の制御された間接的な冷却又は加熱、及び粒子の生長と結晶化の制御を許す。間接的な加熱又は冷却は加熱用又は冷却用の流体を使用して行われ、この流体は、外側の同軸管３６の内面と管３８の外面との間に形成された通路２９内を循環する。管３６は、管３８をその全長又はその一部分を通して囲んでいる１個又は複数個の加熱用又は冷却用の部材４０に置換し又はこれと組み合わせることもできる。区画３４の長さは、所要の粒子寸法、希釈ガスの流量、粉体の希望特性などに応じて変更することができる。管３６は、その中に流体に循環を許すために少なくも１個の入口４２と少なくも１個の出口４４とを備える。

　反応物質と蒸気との間の反応により生ずる生成物の粉体を作るために蒸気に反応物質を加えることが必要な場合は、第１区画３４の１個又は複数個の点、例えば入口４６を経て、高温の反応ガスの形式で反応物質を導入することができる。可能な反応ガスの例は、窒素、水素、アンモニア、メタン、酸素、水、空気、一酸化炭素、又はこれらの混合物を含む。高温の反応ガスは、蒸気の直接冷却を最小にするために、好ましくはプラズマリアクター内にある蒸気の温度に近い温度で、或いは少なくも１０００Ｋで噴射される。噴射される高温反応ガスの温度が室１７内にある蒸気の温度より高いか又は少なくもこれに等しいことが最も好ましい。冷却管の内側管は、プラズマ室内にある蒸気の温度を維持し得る材料より構成されなばならない。好ましい材料はグラファイトである。

　蒸気、及び第１区画３４の通過中に形成された可能性のある粉体粒子を直接冷却するために第２区画５０が第１区画３４に組み合わせられる。直接冷却は、流体、液体又は気体を、少なくも１個の入口５２を経て蒸気及び／又は粉体粒子の上に直接噴射させることにより行われる。蒸気及び粉体粒子の直接冷却に好ましいガスは、これのある場合は、アルゴン、窒素、ヘリウム、アンモニア、メタン、酸素、空気、一酸化炭素、二酸化炭素又はこれらの混合物を含む。好ましい液体は、水、メタノール、エタノール又はこれらの混合物を含み、これらはスプレイされることが普通である。

　内側管３８の断面は適宜の形状とすることができる。一例として、管３８は、環状の間隙を通って蒸気が流れる環状のデザインである。この組合せは図５に示され、これにおいては、管３８の内側に長い管状体２７が設けられ、管状体３８の内面と管状体２７の外面との間に通路が形成される。

　以下の例は、本発明を示すために提供されるが本発明の範囲を限定するとして解釈すべきではない。微細な金属粉体の製造が、図２に示されたようなリアクター、及び図４に示されたような冷却管を備えた図１に示されたような移行型アーク熱プラズマ　システムを使用して実行された。この目的のためには、適宜の通常のプラズマ　トーチを使用できる。るつぼはグラファイト又は適宜適切なセラミックとすることができる。蒸発材料はペレット又はショットの形でプラズマ室の上方部分のポートを経てるつぼ内に供給された。

　実施例１
　制御された平均粒子寸法と分布とを有する微細な銅の粉体が作られた。表１及び２に、異なった冷却管運転条件を使った平均粒子寸法の制御が示される。移行型アーク　リアクターの条件は実質的に同様である。試験１において平均粒子寸法０．７８μｍが、そして試験２において１．７４μｍが得られた。

　表３において粒子分布の制御が示される。寸法分布は表１及び２と比較して表３においては増加された。

　実施例２
　制御された結晶化度を有する微細なニッケルの粉体が作られた。表４及び５に異なる冷却管運転条件を使った結晶化度の制御が示される。リアクター条件は実質的に同じである。結晶化度は、与えられた粉体標本に対するＸ線拡散の最大ピークカウントにより測定された。このピークは、ニッケルについてはほぼ２θ＝４４．５゜において、また銅については２θ＝４３．３゜において生ずる。試験４において作られたニッケル粉体に対する最大ピ−クカウントは、試験５において作られたニッケル粉体に対する９３００と比較して２４８００であった。

　本発明は、その特別な実施例に関連して説明されたが、更に変更をなし得ることが理解されるであろう。本願は、一般に本発明の原理に従い、かつ本発明の属する技術内で知られ又は普通に行われるような本開示からの逸脱を含み、更に以上説明されかつ請求項の範囲に属する本質的な特徴に適用し得る本発明のいかなる変更、使用又は適用も範囲内に含むことが意図される。

典型的な移行型アークプラズマ　システムの諸要素を示す。 本方法の目的に適した以上式アークプラズマ室を示す。 本方向の目的に適した移行型アーク構成の好ましい態様を示す。 本発明による冷却管の好ましい態様を示す。 本発明による冷却管の別の態様を示す。 本発明の方法により作られた銅の粒子の寸法の分布を示す。 本発明の方法により作られた銅の粒子の制御された平均直径を示す。 本発明の方法により作られた銅及びニッケルの粉体について得られた結晶化度を示す。

Claims (5)

1. 　下記式、
   

   

   　式中、
   　　Ｄ_９０は銅又はニッケル粉体の９０％の平均直径（μｍ）を示し、
   　　Ｄ_１０は上記銅又はニッケル粉体の１０％の平均直径（μｍ）を示し、
   　　Ｄ_５０は上記銅又はニッケル粉体の５０％の平均直径（μｍ）を示す、
   で定義されるＳｐａｎが３．３以下である制御された粒径分布を有することを特徴とする高度に結晶性で、微細及び超微細の銅又はニッケル粉体。
2. 　Ｓｐａｎが１．２４以下である請求項１記載の制御された粒径分布を有するニッケル粉体。
3. 　Ｓｐａｎが３．３以下である請求項１記載の制御された粒径分布を有する銅粉体。
4. 　銅金属又はニッケル金属の蒸気を、第１段階ではその蒸気を間接的に冷却及び／又は加熱することによりその粒子を所望の大きさ及び粒径分布となるように該粒子の核化及び生長を増進し、次いで第２段階において該粒子を冷却することにより該金属粉体が製造されたものである請求項１記載の微細及び超微細の銅又はニッケル粉体。
5. 　該金属粉体は、０．５ｋｇ／時以上で蒸気化する速度でその金属蒸気から金属粉体が製造されたものである請求項１記載の微細及び超微細の銅又はニッケル粉体。

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