JP3938770B2 - ニッケル粉の製造方法とニッケル粉の製造装置とニッケル粉製造用坩堝 - Google Patents
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Description
前記坩堝の表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により覆ったものを使用する
ことを特徴とする。
前記坩堝として、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質からなるものを使用する
ことを特徴とする。
前記プラズマ反応炉の内壁または全体に、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質からなるものを使用する
ことを特徴とする。
前記坩堝の表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により覆った
ことを特徴とする。
前記坩堝を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により構成した
ことを特徴とする。
前記プラズマ反応炉の内壁または全体を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により構成した
ことを特徴とする。
表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により覆った
ことを特徴とする。
コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により構成した
ことを特徴とする。
20wt%とした。
Claims (8)
- プラズマ反応炉内に設置される坩堝内でニッケルを溶融、蒸発させてコンデンサ電極用のニッケル粉を得る製造方法であって、
前記坩堝の表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により覆ったものを使用する
ことを特徴とするニッケル粉の製造方法。 - プラズマ反応炉内に設置される坩堝内でニッケルを溶融、蒸発させてコンデンサ電極用のニッケル粉を得る製造方法であって、
前記坩堝として、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質からなるものを使用する
ことを特徴とするニッケル粉の製造方法。 - 請求項1または2に記載のニッケル粉の製造方法において、
前記プラズマ反応炉の内壁または全体に、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質からなるものを使用する
ことを特徴とするニッケル粉の製造方法。 - プラズマ反応炉内に設置される坩堝内でニッケルを溶融、蒸発させてコンデンサ電極用のニッケル粉を得る製造装置であって、
前記坩堝の表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により覆った
ことを特徴とするニッケル粉の製造装置。 - プラズマ反応炉内に設置される坩堝内でニッケルを溶融、蒸発させてコンデンサ電極用のニッケル粉を得る製造装置であって、
前記坩堝を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により構成した
ことを特徴とするニッケル粉の製造装置。 - 請求項4または5に記載のニッケル粉の製造装置において、
前記プラズマ反応炉の内壁または全体を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により構成した
ことを特徴とするニッケル粉の製造装置。 - プラズマ反応炉内に設置され、ニッケルを溶融、蒸発させるコンデンサ電極用のニッケル粉製造用坩堝であって、
表面層のうちの少なくともニッケルと接触する部分を、コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により覆った
ことを特徴とするニッケル粉製造用坩堝。 - プラズマ反応炉内に設置され、ニッケルを溶融、蒸発させるコンデンサ電極用のニッケル粉製造用坩堝であって、
コンデンサの誘電体層に使用するチタン酸バリウムおよび/またはチタン酸カルシウムを主成分とする物質により構成した
ことを特徴とするニッケル粉製造用坩堝。
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Cited By (3)
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