TWI597112B - 金屬鎳粉末及金屬鎳粉末之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關金屬鎳粉末及金屬鎳粉末之製造方法,特別是有關粒子彼此凝集所形成的粗大粒子的含量少的金屬鎳粉末及其製造方法。
由於金屬鎳對於空氣、濕度遠比鐵還穩定,且耐蝕.耐熱.耐摩耗優異,故作成廚房或食器等之不鏽鋼來利用。又,由於在放熱特性或電特性上亦優異,所以除了亦作為鎳氫電池、鋰離子電池的材料使用外,亦作為行動電話、電腦的零件中不可或缺的積層陶瓷電容器(以下,有時簡稱為MLCC)之電極材料來使用。
MLCC係介電體陶瓷層與作為內部電極使用的金屬層交互重疊,且於其積層體的兩端接續外部電極的構成。此處,作為構成介電體的材料,採用以鈦酸鋇、鈦酸鍶、氧化釔等之介電率高的材料作為主成分者。另一方面,作為構成內部電極的金屬,採用銀、鈀、白金、金等之貴金屬粉末、使用此等貴金屬粉末的合金、或鎳、鈷、鐵、鉬、鎢、銅等之卑金屬粉末、使用此等卑金屬粉末的合金等。在此等中,近年來盛行開發將金
屬鎳粉末作為內部電極材料利用的MLCC。
又,近年來,伴隨電子機器的輕量小型化,MLCC被要求小型化,MLCC的小型化有必要將介電體層、電極層厚薄壁化,且伴隨薄壁化而使金屬鎳粉末的粒徑成為1μm以下,甚至是微粉化成0.5μm以下、0.2μm以下的要求年年高漲。
MLCC一般利用如下的方法製造。首先,使鈦酸鋇等之介電體粉末和有機接合劑混合而懸浮,將其利用刮刀法成形為薄片狀以作成介電體生坯薄片。另一方面,內部電極用的金屬粉末係和有機溶劑、塑化劑、有機接合劑等之有機化合物混合形成金屬粉末糊後,利用網版印刷法將其印刷於前述生坯薄片上並予以乾燥。接著,在將此薄片積層及壓接後,以加熱處理去除有機成分後,以1300℃左右或其以上的溫度進行燒製。之後,於燒成體的兩端銲上外部電極而獲得MLCC。
關於如上述的MLCC之製造方法,在金屬粉末糊中的金屬粉末若存在有例如金屬粉末凝集所形成的粗大粒子,則具有穿透介電體層而成為在電極間發生短路的原因之問題。
作為其對策,例如,在日本特許第3787032號公報中提案一種藉由使用紅外線吸收光譜(以下,有時簡稱為FT-IR)信號位置在從3700cm-1至3600cm-1不會顯現吸收峰值的鎳粉末而能抑制粉末彼此的聚集。此範圍的振動係屬於化學鍵結於金屬鎳的OH基。此種金屬鎳粉末係在200℃~400℃的氧化性環境下對藉氣相法等所得
之金屬鎳粉末進行熱處理而可獲得。
然而,就上述的習知的方法而言,雖在減輕並改善朝粗大粒子凝集之目的方面提升相應的效果,但在有關防止朝粗大粒子凝集的方法方面不一定充分。
因此,本發明之目的在於提供一種金屬鎳粉末粒子彼此凝集而形成的粗大粒子的含量少的金屬鎳粉末及其製造方法。
本發明者等針對金屬鎳粉末的粗大粒子反覆專心研究,結果查明除了金屬鎳粉末表面的氫氧化物以外,鎳粉會因微量含有之矽酸的存在而凝集並產生粗大粒子,遂完成本發明。
亦即,本發明係一種金屬鎳粉末,其特徵為:平均粒徑是10nm至1000nm,且在具備MCT檢測器的傅立葉轉換紅外線光譜儀中的從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)和從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)為Y≦-1.0X+23.0。
又,本發明係一種金屬鎳粉末之製造方法,其係前述金屬鎳粉末之製造方法,其特徵為:藉氣相法或液相法從鎳化合物生成金屬鎳粉末,冷卻前述金屬鎳粉末,使二氧化碳溶解於已進行靜電吸附過濾而矽含量減低的純水以調製碳酸水溶液,藉前述碳酸水溶液處理前述金屬鎳粉末。
有關本發明的金屬鎳粉末,係幾乎不含有金屬鎳粉末凝集所形成的粗大粒子之金屬鎳粉末,作為積
層陶瓷電容器的內部電極使用是適合的。
1‧‧‧氯化爐
11‧‧‧加熱手段
12‧‧‧氯氣供給管
13‧‧‧氮氣供給管
2‧‧‧還原爐
21‧‧‧加熱手段
22‧‧‧噴嘴
23‧‧‧氫氣供給管
24‧‧‧冷卻氣體供給管
M‧‧‧鎳原料
P‧‧‧鎳粉末
第1圖係顯示本發明的實施例1的金屬鎳粉末之FT-IR吸收光譜之圖。
第2圖係顯示本發明的比較例1的金屬鎳粉末之FT-IR吸收光譜之圖。
第3圖係顯示本發明的參考例1(比較例1的金屬鎳粉末)之FT-IR吸收光譜之圖。
第4圖係顯示本發明的實施例1~實施例7、比較例1~比較例3的結果之圖。
第5圖係顯示本發明的實施例、比較例所使用的金屬鎳粉末的製造裝置之圖。
本發明的金屬鎳粉末之特徵為:平均粒徑是10nm至1000nm,且在具備MCT檢測器的傅立葉轉換紅外線光譜儀中的從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)和從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)為Y≦-1.0×X+23.0。較佳為以Y≦-1.0×X+16.7為特徵的金屬鎳粉末。透過設定此範圍,可獲得幾乎不含有凝集所形成的粗大粒子之分散性良好的金屬鎳粉末。
本發明的金屬鎳粉末之平均粒徑以從10nm至1μm較佳,若是從10nm至0.4μm之範圍的微粒子則更適合。透過設定為此範圍,適合用在導電糊。此外,本發
明的金屬鎳粉末的粒徑係包入各粒子的最小圓之直徑。
本發明的金屬鎳粉末在藉傅立葉轉換紅外線光譜儀作紅外線吸收光譜分析中之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜,係屬於Si-O-Si(鏈狀)、(Si-O-Si)3(環狀)、(Si-O-Si)4(環狀)、(Si-O-Si)n(環狀)、SiO3 2-(矽酸鹽)的Si-O-Si的骨架振動之峰值。(參照文獻:「Handbook of Infrared and Raman Spectra of Inorganic Compounds and Organic Salts(4-Volume set)」、「N.B.Colthup etal., Introduction to Infrared and Raman Spectroscopy(Third Edition)」、「K.Nakamoto, Infrared and Raman Spectra of Inorganic and Coordination Compounds(FOURTH EDITION)」、「堀口 博 著 紅外吸光圖說總覽 三共出版社」,「有機化合物的吸收光譜的應用 東京化學同人」,「機器分析便覽 化學同人社」)。又,3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜係屬於Ni(OH)2的峰值。(參照文獻:日本特開2010-237051號公報)。
本發明的金屬鎳粉末之S/N比係藉以下方法求得。其為從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜的吸光度、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜的吸光度相對於無吸收光譜且基線無歪斜之區域的吸光度之比。一般而言,無吸收光譜且基線無歪斜之區域的吸光度,宜選擇不受水份及二氧化碳所影響的波數,較佳為例如從2200cm-1至1950cm-1的範圍中選定。吸光度係在前述之頻率範圍以50cm-1單位求取峰值面積值,設為其平均值。
此外,由於本發明的金屬鎳粉末所含有的
SiOH、SiOn、Ni(OH)2為微量,所以傅立葉轉換紅外線光譜儀的檢測器係以高感度型為較佳,而使用MCT檢測器型。該檢測器的組成包含水銀、鎘、碲構成的半導體元件,當使用液態氮冷卻檢測器時,能以高感度獲得資訊,對於微量物質為有效。再者,測定中的試料室之環境下係以不讓多種成分的氣體進入的情形為較佳,試料室內宜在乾燥環境氣體下或真空狀態。此外,在乾燥環境氣體下進行測定的情形,由於露點若未保持在-50℃以下則會出現來自OH基的信號而妨礙解析,故有必要加以注意。若露點被保持則累計次數是128次以上即足夠。測定分解能係以4cm-1以下為較佳。
例如,本發明之傅立葉轉換紅外分光的吸收光譜之強度係利用以下的測定條件求得。
機種名:型式Nicolet 6700(Thermo Fisher Scientific公司製)
檢測器:MCT檢測器
測定方法:擴散反射方式
測定條件:分解能4cm-1,累計次數256次
光源:紅外線吸收光(IR)
試料室內氣體:乾燥氮氣(露點:-72℃)
分光器:KBr
背景累計次數,分解能:256次,4cm-1
解析法:K-M變換
本發明的鎳粉末,例如可由氣相法或液相法等周知的方法製造。特別是透過使氯化鎳氣體和還原性
氣體接觸以生成鎳粉末的氣相還原法,或噴霧熱分解性的鎳化合物而熱分解的噴霧熱分解法,在所謂可輕易地控制生成之金屬微粉末的粒徑、而且可有效率地製造球狀的粒子這點為理想。又,鎳粉末的粒徑一般為10nm至1μm者。
關於鎳粉末氣相還原法,雖是使氣化之氯化鎳的氣體和氫等之還原性氣體反應,但亦可加熱固體的氯化鎳使之蒸發而生成氯化鎳氣體。然而,考慮防止氯化鎳之氧化或吸濕、以及能源效率時,使金屬鎳接觸氯氣而連續地產生氯化鎳氣體,將該氯化鎳氣體直接供予還原步驟,接著使其與還原性氣體接觸而將氯化鎳氣體連續地還原以製造鎳微粉末的方法為有利。
在依氣相還原反應的鎳粉末之製造過程中,氯化鎳氣體和還原性氣體接觸的瞬間生成鎳原子,因鎳原子彼此衝突.凝集而生成超微粒子並成長。此外,依在還原步驟的氯化鎳氣體的分壓或溫度等之條件來決定生成之鎳微粉末的粒徑。依據如上述的鎳粉末之製造方法,由於會產生與氯氣供給量相應之量的氯化鎳氣體,所以透過控制氯氣的供給量可調整供給至還原步驟之氯化鎳氣體的量,藉此可控制生成之鎳微粉末的粒徑。
再者,由於金屬氯化物氣體是依氯氣和金屬之反應而產生,故與依固體金屬氯化物之加熱蒸發而產生金屬氯化物氣體的方法不同,不僅可減少載氣之使用,亦可依製造條件而不使用。因此,氣相還原反應者,透過減低載氣的使用量和伴隨載氣使用量之減低而減低
加熱能源,可圖謀削減製造成本。
又,透過於氯化步驟所產生的氯化鎳氣體中混合惰性氣體,可控制還原步驟中的氯化鎳氣體的分壓。如此,透過控制氯氣的供給量或供予還原步驟的氯化鎳氣體的分壓,可控制鎳粉末的粒徑,能抑制粒徑的不均,同時能任意地設定粒徑。
利用如上述的氣相還原法製造鎳粉末的條件,係以可成為平均粒徑1μm以下的方式作任意地設定,但以例如原材料之金屬鎳的粒徑是大約5~20mm的粒狀、塊狀、板狀等為較佳,又,其純度一般是99.5%以上為較佳。使此金屬鎳首先和氯氣反應以生成氯化鎳氣體,此時的溫度為了充分提高反應而設成800℃以上,且設成鎳的熔點1453℃以下。考慮反應速度和氯化爐的耐久性時,實用上以900℃~1100℃的範圍為較佳。
接著,將此氯化鎳氣體直接供予還原步驟,使其與氫氣等之還原性氣體接觸反應,而亦可將氮或氬等之惰性氣體相對於氯化鎳氣體以1~30莫耳%混合,將此混合氣體導入還原步驟。又,亦可連同氯化鎳氣體、或獨立地將氯氣供予還原步驟。如此藉由將氯氣供予還原步驟,可調整氯化鎳氣體的分壓,能控制生成之鎳粉末的粒徑。還原反應的溫度只要是足以供反應完成的溫度以上即可,而由於生成固體狀的鎳粉末者較容易處理,故以鎳的熔點以下為較佳,考慮經濟性時則以900℃~1100℃為實用。
在生成進行如此還原反應的鎳粉末後,接著
冷卻生成之鎳粉末。在冷卻之際,為了防止因生成之鎳的一次粒子彼此的凝集所致二次粒子的生成以獲得所期望的粒徑的鎳粉末,以透過吹入氮氣等之惰性氣體,使結束還原反應的1000℃附近的氣體流急速冷卻至400~800℃左右為較理想。之後,將所生成的鎳粉末利用例如袋式濾器等進行分離、回收。
又,就利用噴霧熱分解法製造鎳粉末的方法而言,是將熱分解性的鎳化合物設為原料,具體而言含有硝酸鹽、硫酸鹽、氧基硝酸鹽、氧基硫酸鹽、氯化物、銨錯合物、磷酸鹽、羧酸鹽、烷氧基化合物等之1種或2種以上。噴霧含此鎳化合物的溶液,製作微細的液滴,作為此時的溶劑,係採用水、乙醇、丙酮、乙醚等。又,噴霧的方法係透過超音波或雙層噴嘴等之噴霧方法進行。如此形成微細的液滴,在高溫下加熱使金屬化合物熱分解而生成鎳粉末。此時的加熱溫度係所使用之特定的鎳化合物熱分解的溫度以上,較佳為金屬的熔點附近。
在利用液相法的金屬微粉末之製造方法中,將含有硫酸鎳、氯化鎳或鎳錯合物的鎳水溶液添加於氫氧化鈉等之鹼金屬氫氧化物中等而使之接觸以生成鎳氫氧化物,接著以聯氨等之還原劑還原鎳氫氧化物而獲得金屬鎳粉末。如此生成的金屬鎳粉末為了獲得均勻的粒子而視需要進行粉碎處理。
例如,使藉以上方法所得之鎳粉末在經控制pH、溫度的特定條件下懸浮於碳酸水溶液中以進行處理
。透過在碳酸水溶液作處理,充分去除附著於鎳表面的氯等之雜質,同時去除存在於鎳粉末表面的氫氧化鎳等之氫氧化物或因粒子彼此摩擦等而偏離表面所形成的微粒子,故可在表面形成均勻的氧化鎳之被膜。例如,也能以碳酸水溶液進行洗淨的方法,或在純水洗淨後朝水漿液中吹入碳酸氣體,或添加碳酸水溶液作處理。
就利用此碳酸水溶液之處理而言,係使用矽含量15wtppm以下的碳酸水溶液或使二氧化碳溶解於矽含量15wtppm以下的純水者,處理條件係溫度0℃以上且小於30℃,pH值4以上且小於6。經此種條件下的處理,於乾燥後的鎳粉末表面形成均勻的氧化皮膜,且因為矽酸朝鎳粉的附著受到抑制,故能抑制粗大粒子之發生。
此外,從純水去除矽係使用具備RO逆滲透膜、離子交換器及靜電吸附機能的過濾器。迄今,通常是使用RO逆滲透膜和離子交換器作過濾,但難以對應無法利用RO逆滲透膜和離子交換器去除的矽酸。然而,經本發明者們反覆專心研究的結果,瞭解無法以RO逆滲透膜和離子交換器去除的矽酸係包含膠態氧化矽等者。該膠態氧化矽因表面的ξ電位(Zeta potential)是帶負電荷,故使用具備表面的ξ電位是帶正電荷的濾材之過濾器能減低。該過濾器的材質可適用親水性的尼龍、烯烴聚合物或聚酯等各種,而只要表面的ξ電位是正(+)的材質則未特別限制。純水中所含的矽酸係無法以使用在通常的純水製造的逆滲透膜或離子交換器充分去除。矽含量15wtppm以下的純水或碳酸水溶液係可透過以具有表面
的ξ電位是帶正電的過濾器之過濾器再作處理而獲得。例如,此種過濾器係作為商品名:帶有多用途型槽座的過濾板型(ADVANTEC東洋股份有限公司)或商品名:Posidyne UP(日本Pall股份有限公司)等而市售。
如此對鎳粉末進行碳酸處理後,乾燥該鎳粉末。乾燥方法可採用周知的方法,具體而言可舉出與高溫的氣體接觸而乾燥之氣流乾燥、加熱乾燥及真空乾燥等。此等當中,氣流乾燥並無粒子彼此之接觸所致氧化皮膜摩耗的情形,故為理想方法。又,欲在鎳粉末的表面形成均質的氧化皮膜時,宜短時間去除水份並進行乾燥。
此乾燥的鎳粉末係進一步在經控制氧氣分壓的環境下進行熱處理,控制粉末表面的Ni(OH)2量。例如,使用流動攪拌機等一邊進行攪拌,一邊在經控制氧氣分壓的環境下進行熱處理。熱處理溫度、熱處理時間係因應鎳粉末的尺寸、氧化被膜的厚度而決定,作為此時的熱處理溫度,通常為200~400℃,較佳為200~300℃,更佳為200~250℃。又,熱處理時間通常為1分鐘~10小時。
如此獲得之鎳粉係視需要再度分散於水等之溶劑。之後,藉由通過過濾器而進行粗粉或連結粒之去除。因為鎳粉的分散性良好,故能有效率地進行粗粉或連結粒之去除。過濾可使用周知的方法,過濾器可使用有機高分子製(尼龍、聚丙烯、四氟乙烯樹脂、纖維素、三聚氰胺、苯酚樹脂、丙烯酸等)、金屬製、無機化合物
製的過濾器。此外,為提高過濾器的效率,在使之通過過濾器前,也可進行其他的分級手段,例如使用離心力的分級手段(液體旋風分離器)等。
以下舉出實施例及比較例對本發明作更具體說明,但本發明不受以下的例子任何限制。
本實施例中的平均粒徑、FT-IR測定、矽濃度、凝集係利用以下方法進行評價。
a.平均粒徑的評價
利用掃描式電子顯微鏡拍攝鎳粉末的照片,由該照片測定200個粒子的粒徑而算出其平均值。此外,粒徑係設為將粒子包入的最小圓之直徑。
b. FT-IR測定
利用以下的條件進行FT-IR測定。
機種名:型式Nicolet 6700(Thermo Fisher Scientific公司製)
檢測器:MCT檢測器
測定方法:擴散反射方式
測定條件:分解能4cm-1,累計次數256次
光源:紅外線吸收光(IR)
試料室內氣體:乾燥氮氣(露點:-72℃)
分光器:KBr
背景累計次數:256次
分解能:4cm-1
解析:K-M變換
如以下般調製測定樣品。在將金屬鎳粉末裝滿口徑7mm 的有底圓柱樣品模具之後,在圓柱樣品模具上端部水平地抹平金屬鎳粉末。該圓柱樣品模具係以不讓樣品滿溢的方式設置於FT-IR裝置。
S/N比係設為從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜的吸光度或從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜的吸光度相對於無吸收光譜且基線無歪斜之區域的吸光度(2200cm-1至1950cm-1)之比。此外,吸光度係在前述之頻率範圍以50cm-1單位求得峰值面積值,設為其平均值。
c.矽濃度測定
利用離子層析法測定純水、碳酸水溶液中的矽含量。
機種名:型式IC-2010(TOSOH公司製)(檢測器:CM檢測器)
分析模式:CM;Range(5000μS-1/2)無抑制(non-suppressed)模式
管柱:TSKgel Super IC-AP 4.6mmID×7.5cm
溶離液:2mM的KOH
流速:0.8mL/min
管柱溫度:40℃
d.凝集的評價
將金屬鎳粉末100g投入純水1900g,作成5wt%的金屬鎳粉末漿液。接著,利用網眼1μm的過濾器進行吸引過濾。將過濾器上殘留的金屬鎳粉末於惰性氣體環境下以120℃進行乾燥30分鐘,計測其重量,藉由其通過率
((100(g)-過濾器上的鎳粉重量(g))/100(g))來評價凝集。通過率是90%以上為優良(表1、第4圖中以「○」表示),80%以上為佳(表1、第4圖中以「△」表示),未滿80%為不合格(表1、第4圖中以「×」表示)。
<實施例1>(Si最小,Ni(OH)最小)
以與日本特許第4286220號公報的實施例1所記載的方法同樣之方法製作金屬鎳粉末。此外,在製造金屬鎳粉末之前,先行準備下述的矽濃度不同的純水。
純水A:矽濃度65wtppm
純水B:利用具有表面的ξ電位是帶正電的過濾器之過濾裝置(帶有多用途型槽座的過濾板型(ADVANTEC東洋股份有限公司製))處理純水A。矽濃度係3wtppm。
於第5圖所示之金屬鎳粉末的製造裝置的氯化爐1填充平均粒徑5mm的金屬鎳M,利用加熱手段11使爐內環境溫度成為1100℃。接著,從噴嘴12向氯化爐1內供給氯氣,使金屬鎳M氯化而產生氯化鎳氣體。之後,利用從噴嘴13供給的氮氣稀釋、混合。然後,將氯化鎳氣體和氮氣的混合氣體從噴嘴22導入藉由加熱手段21而形成1000℃的爐內環境溫度之還原爐2內。
在此同時,自噴嘴23向還原爐2內供給氫氣以還原氯化鎳氣體,獲得鎳粉末P。然後,使在還原步驟生成的金屬鎳粉末P接觸從噴嘴24所供給的氮氣以冷卻金屬鎳粉末P。採取金屬鎳粉末P的一部分,在水洗後,經測定平均粒徑,金屬鎳粉末P的平均粒徑係0.3μm。
接著,將包含氮氣-鹽酸蒸氣-金屬鎳粉末P的
混合氣導入填充有純水B的洗淨槽,將金屬鎳粉末分離回收,以純水B洗淨(純水洗淨)。
接著,將碳酸氣體吹進金屬鎳粉末漿液中以成為pH4.0,作為碳酸水溶液而在25℃下進行60分鐘處理(碳酸水溶液處理)。
將經碳酸水溶液處理過的金屬鎳粉末乾燥後,於大氣中20℃下進行30分鐘處理(熱處理),獲得金屬鎳粉末。金屬鎳粉末的平均粒徑係0.3μm。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。又,FT-IR的結果顯示於第1圖。
<實施例2>
除了使用矽濃度作成5wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在250℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例3>
除了乾燥後的加熱處理是以在150℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A
和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例4>
除了使用矽濃度作成14wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例5>
除了使用矽濃度作成6wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在150℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例6>
除了使用矽濃度作成5wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在150℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,
其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例7>
除了使用矽濃度作成4wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在150℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例8>
除了使用矽濃度作成7wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例9>
除了使用矽濃度作成14wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在250℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,
其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<比較例1>
除了使用矽濃度作成45wtppm的純水A來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在150℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<比較例2>
除了使用矽濃度作成49wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。此外,純水之矽濃度係透過混合純水A和純水B而調製。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<比較例3>
除了使用矽濃度作成65wtppm的純水來取代矽濃度作成3wtppm的純水B,而且乾燥後的加熱處理是以在
250℃下處理30分鐘來取代在200℃下處理30分鐘以外,其餘同實施例1地獲得金屬鎳粉末。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<實施例10>
除了增加來自噴嘴13的氮氣之稀釋量以外,其餘同實施例1地製作金屬鎳粉末Q。採取金屬鎳粉末Q的一部分,在水洗後,經測定平均粒徑,金屬鎳粉末Q的平均粒徑係0.15μm。和實施例1同樣地對該金屬鎳粉末Q進行純水洗淨、碳酸水溶液處理、加熱處理。
表1顯示金屬鎳粉末之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)、從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)、凝集的評價結果。
<參考例1>
對比較例1的金屬鎳粉末以具有TGS檢測器的以下的FT-IR裝置(機種名:型式Nicolet 6700(Thermo Fisher Scientific公司製))評價的結果顯示於第3圖。
實施例1~實施例9、比較例1~比較例3的結果顯示於第4圖。由第4圖可知,在傅立葉轉換紅外線光譜儀中之從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)和從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)是滿足Y≦-1.0×X+23.0的金屬鎳粉末呈現無凝集且良好的分散性。特別是滿足Y≦-1.0×X+16.7的金屬鎳粉末呈現更優異的分散性。
依據本發明,可獲得幾乎不含有鎳粒子凝集所形成的粗大粒子之金屬鎳粉末,作為積層陶瓷電容器的內部電極用鎳粉是適合的。
Claims (4)
- 一種金屬鎳粉末,其特徵為平均粒徑是10nm至1000nm,且在具備MCT檢測器的傅立葉轉換紅外線光譜儀中的從1200cm-1至900cm-1的吸收光譜信號的S/N比(X)和從3700cm-1至3600cm-1的吸收光譜信號的S/N比(Y)為Y≦-1.0X+23.0。
- 如申請專利範圍第1項之金屬鎳粉末,其中該S/N比(X)和該S/N比(Y)為Y≦-1.0X+16.7。
- 一種金屬鎳粉末之製造方法,其是如申請專利範圍第1或2項之金屬鎳粉末之製造方法,其特徵為:藉氣相法或液相法從鎳化合物生成金屬鎳粉末,冷卻該金屬鎳粉末,使二氧化碳溶解於已進行靜電吸附過濾而減低矽含量的純水以調製碳酸水溶液,藉該碳酸水溶液處理該金屬鎳粉末。
- 如申請專利範圍第3項之金屬鎳粉末之製造方法,其中藉該靜電吸附過濾使矽含量成為15wtppm以下。
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