JP2002530521A - 微細及び超微細の粉体の製造のための方法及び移行型アークプラズマシステム - Google Patents

微細及び超微細の粉体の製造のための方法及び移行型アークプラズマシステム

Info

Publication number
JP2002530521A
JP2002530521A JP2000566062A JP2000566062A JP2002530521A JP 2002530521 A JP2002530521 A JP 2002530521A JP 2000566062 A JP2000566062 A JP 2000566062A JP 2000566062 A JP2000566062 A JP 2000566062A JP 2002530521 A JP2002530521 A JP 2002530521A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling
plasma
powder
particles
compartment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000566062A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002530521A5 (ja
JP3541939B2 (ja
Inventor
セリク，セシユール
アドナ，トニ
ブーロ，マエル・アイ
チエン，ガングキアング
デイビス，エイチ・ジヨン
Original Assignee
カナデイアン・エレクトロニク・パウダーズ・コーポレーシヨン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カナデイアン・エレクトロニク・パウダーズ・コーポレーシヨン filed Critical カナデイアン・エレクトロニク・パウダーズ・コーポレーシヨン
Publication of JP2002530521A publication Critical patent/JP2002530521A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3541939B2 publication Critical patent/JP3541939B2/ja
Publication of JP2002530521A5 publication Critical patent/JP2002530521A5/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/14—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/12—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from gaseous material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/02—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor for obtaining at least one reaction product which, at normal temperature, is in the solid state
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B01J2219/00121—Controlling the temperature by direct heating or cooling
    • B01J2219/00123—Controlling the temperature by direct heating or cooling adding a temperature modifying medium to the reactants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B01J2219/0015—Controlling the temperature by thermal insulation means
    • B01J2219/00155—Controlling the temperature by thermal insulation means using insulating materials or refractories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0809—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes employing two or more electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0845—Details relating to the type of discharge
    • B01J2219/0847—Glow discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873—Materials to be treated
    • B01J2219/0879—Solid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
    • B01J2219/0898—Hot plasma
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Discharge Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、金属、合金、セラミックス、合成物などのような種々の物質の微細及び超微細な粉体の製造方法に関する。本方法は、プラズマリアクター内で材料を蒸発又は分解させ、蒸気を間接的に冷却し又は加熱する第１区画と蒸気を直接冷却するための第２区画とよりなる２区画を備えた冷却管において蒸気を凝結させることを含む。粉体は通常の収集ユニットに受け入れられる。冷却管における２段階式凝結が、結晶化度、寸法の分布、及び平均粒子寸法のような粉体特性の実質的な管理を許す。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、金属、合金、セラミックス、合成物及び同等品のような種々の物質
の、管理された物理的特性を有する微細粉体及び超微細粉体の製造方法に関する
。この方法を実施するために、生産量が大きくかつ粉体の特性を管理する性能を
提供する新規かつ柔軟性のある移行型（ｔｒａｎｓｆｅｒｒｅｄ）アークプラズ
マシステムが開発された。移行型アークプラズマシステムは、移行型アークプラ
ズマリアクター及び内部で粉体の凝縮の発生する別個の冷却システムを備える。
【０００２】
【発明の背景】
金属、合金、セラミックス、合成物及び同等品の微細な粉体は、航空、電子、
マイクロ電子、セラミックス及び機械のような種々の分野での広範囲の用途を持
つ。現在、微細粉体、即ち平均粒子寸法が０．１から１０μｍの粉体の製造は、
主に３種の異なった技術、即ち、１）湿式冶金法、２）熱分解スプレイ法、及び
３）粉砕法により達成される。これら技術の欠点は、特に、高い運転費、非球粒
子の生産及び有毒又は扱いにくい副産物の生成である。
【０００３】 超微細粉体、即ち、平均粒子寸法が１００ｎｍ以下の粉体により得られる便益
は、主として、大きい表面積／体積比を生むその小さい粒子寸法によるものであ
る。従って、超微細粉体は、上記の分野で使用されるとき、微細粉体に勝る利点
を持つことができる。
【０００４】 微細粉体製造の好ましい方法は、湿式冶金及び熱分解スプレイである。しかし
、これらの方法は、塩化物及び窒化物のような供給材料を調整し扱うことを含む
大きな欠点を持つ。これらの物質は有毒でありかつ扱いが困難であることが多く
、ガス状及び液体の排出物に対する環境的な排出物管理を要し、更に平均粒子寸
法１００ｎｍ以下の製造が困難である。
【０００５】 熱プラズマベースの蒸気凝結法は、湿式冶金法及び熱分解スプレイ法に伴う取
扱い及び環境の問題なしに１００ｎｍ以下の平均粒子寸法を作る能力を示してい
る。これらの問題は、供給材料が一般に不活性であるために避けられる。かかる
材料の例には、純金属、合金、酸化物、炭化物などが含まれる。かかるプラズマ
法は、高エネルギー入力を達成し得るため、これら供給材料を蒸発させ又は分解
することができる。
【０００６】 熱プラズマの発生は典型的に２種の方法、即ち、５０Ａ以上の電流と１０ｋＰ
ａ以上の圧力とを使用する高強度ＤＣアーク、又はＲＦプラズマのような高周波
放電により達成される。ＤＣアークが、その高いエネルギー効率のため、一般に
好まれる。ＤＣアークは、一方の電極が処理される材料である移行型と電極が消
耗されない非移行型とに分類される。移行型アークシステムは電流が処理される
材料を直接通過するため、そのエネルギー効率は非移行型アークシステムより高
い。電極として作用している材料への極端に高い熱入力のため蒸発又は分解が生
じ、蒸気相を作り、続いてこれが粉体を形成するために冷却される。次いで、典
型的に粉体製品が濾過器から回収される。
【０００７】 移行型アークを利用する熱プラズマベースの蒸気凝結法は、今日まで、その低
いエネルギー効率、低い生産速度、貧弱な生産量、並びに粒子の寸法とその分布
、形状、及び結晶化度のような粉体特性の基本的管理のため、金属、合金、セラ
ミックス又は合成物のような材料の微細粉体又は超微細粉体の商業規模での製造
には成功していない。更に、この方法は、典型的に、平均粒子直径が０．１μｍ
以下の粉体の製造に使用され、今日の市場はより大きい粒子寸法を要求するため
これも工業規模での不成功の原因である。
【０００８】 種々の純粋材料の微細粉体及び超微細粉体の製造に加えて、移行型アークプラ
ズマシステムは、２種以上の成分（化学反応）又は要素（合金）の相互作用から
得られる微細粉体及び超微細粉体の製造にも使用することができる。
【０００９】 移行型アークプラズマシステムはバッチ式に運転することができるが、これは
連続運転式で運転することが好ましい。蒸発又は分解される材料は、種々の方法
でリアクターに連続的に供給することができる。例えば、リアクター壁の側方の
管によりるつぼの頂部からるつぼ内に材料を供給することできる。材料は、これ
をプラズマの下で押し上げることができ、又はプラズマトーチ内に直接供給する
ことができる。作られる粉体に応じて、作業者は適切な方法を選定するであろう
。一般に、好ましい供給方法は、リアクターの上方部分に置かれた１個又は複数
個の管を通すことである。供給材料は固体（線、棒、細い棒、塊、ショットなど
）又は液状とすることができる。液状の場合は、供給材料はリアクター内に圧送
することもできる。
【００１０】 米国特許４３７６７４０号は、金属内の水素を分解するアーク又はプラズマ放
電、又は赤外線放射を使用した熔融金属又は合金と水素との反応を含んだ微細金
属粉体の製造方法を明らかにする。分解された水素が熔融金属から解放されると
き、微細な金属粉体が作られる。この方法を使った場合、低温の壁のリアクター
及び処理すべき材料の支持に使用される水冷式の銅の型の使用のため、得られる
生産速度及び生産量が小さい。報告された最大生産速度は２４０ｇ／ｈｒ以下で
ある。更に、粉体特性の管理についての説明又は示唆はない。
【００１１】 移行型アークプラズマシステムの重要な態様は、これらが多くのエネルギーを
消費することである。従って、価値ある商業的な方法とするためにはその効率を
最大にすることが肝要である。このことは、内部で蒸発し又は分解した材料が、
プラズマ室の壁、プラズマトーチの外面、又はかなりの多くの頻度でるつぼであ
る型のいずれにおいても凝結しないように、リアクター内部の温度をできるだけ
高くしなければならないことを意味する。かかる最大化は、明らかに粉体のより
大きな生産をもたらすであろう。移行型アークリアクター内で広く行われる極端
な条件のため、多くの部材は、その運転寿命を延ばすために一般に水で冷却され
る。明らかに、かかる冷却はこの方法のエネルギー効率を低下させる効果を持つ
。リアクターの内側にできるだけ多くの熱を保持するために、その内面をグラフ
ァイトのライニングで覆うことにより移行型アークリアクターの内部を変更する
ことが、Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍ．ａｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇ，１９９３，１３（４）６１３−６３２においてアゲオリゲス他により提案さ
れている。
【００１２】 上のアゲオリゲス他は、移行型アーク熱プラズマベースの蒸気凝結法を使用し
た超微細窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の製造も明らかにする。断熱プラズマ室内
でアルミニウムを蒸発させ窒素及びアンモニアと反応させて希望の窒化アルミニ
ウム製品を作る。アルミニウムは、トリエィテッド（ｔｈｏｒｉａｔｅｄ）タン
グステンチップ陰極を使用する移行型アーク構成における陽極材料としてこれを
使用することにより蒸発する。蒸発するアルミニウムは、水冷のステンレス鋼支
持体により囲まれたグラファイトるつぼ内に置かれたインゴットの形である。水
冷ジャッケットがあるため、蒸発のエネルギー効率が減らされる。このプロセス
の欠点は、プラズマ室における反応ガス、即ち窒素及びアンモニアの噴射のため
プラズマ室内で粉体の形成が生ずることによる。アゲオリゲス他は、プラズマ室
が「炉内を循環する煙り状粉体で満たされる」ことを特に述べる。結果として、
プラズマ室内における凝集及び粉体生成物の成長の適正な管理の困難のため粉体
特性の管理が極めて不十分である。作られた粒子は比表面積測定に基づき１３５
ｎｍの公称粒子寸法を有することが報告された。
【００１３】 超微細窒化アルミニウム粉体の形成をよりよく管理するために、ムーラ他は、
Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃ．，１９９７，８０（９），２４２５−２４
２８において、アルミニウム蒸気と窒化アルミニウム形成物との分離を提案する
。これは、反応ガスを導入しない移行型アークリアクター内でアルミニウム陽極
を蒸発させ、そしてこのアルミニウム蒸気をプラズマ室の出口に取り付けられた
別のリアクター管内のある１点で噴出されたアンモニアと反応させることにより
達成される。この方法で作られた窒化アルミニウム粉体は、ほぼ２０ｎｍの平均
粒子寸法を持つ。
【００１４】 ダ・クルツ他は、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｐｌａｓｍａ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ，１９９７，２５（５），１００８−１０１６において、ＤＣアークプラズマ
システムを使用した熱プラズマベースの蒸気凝縮法の使用を報告する。この研究
において、アルミニウム陽極は、これにＡｒ又はＡｒ／Ｈ2の熱アークを飛ばす
ことにより蒸発する。アルミニウム蒸気は反応し、別の冷却管内で急冷され、超
微細窒化アルミニウム粉体を作る。アルミニウム蒸気を含んだリアクター出口ガ
スは、超微細粉体の製造中に得られたＡｒ／ＮＨ3混合物を使用してある１点で
冷却される。この技術は上記ムーラ他により説明されたものと同様である。粉体
製品は極めて高い比表面積（４０−２８０ｍ2／ｇ）及び５０ｎｍ以下の平均粒
子寸法を持つ。
【００１５】 チャン他は、Ｔｈｉｒｄ Ｅｕｒｏ−Ｃｅｒａｍｉｃｓ，１９９３，１，１５
−２０において、超微細のセラミック及び合成物の粉体を作るために移行型アー
ク熱プラズマベースの蒸気凝結方法を使用する。ＳｎＯ2又はＡｇ／ＳｎＯ2の製
造において、錫又は銀／錫の陽極が上記のアゲオリゲス他により説明されたもの
と同様に水冷のステンレス鋼支持体により囲まれたグラファイトるつぼ内に収容
されているときに、これにアークを飛ばすことにより蒸発する。反応ガス、即ち
酸素がプラズマ室に加えられ、次いで冷却ステーションに送らる製品を形成する
。酸素はプラズマ室に加えられるため、蒸発及び反応の両段階が一つの容器内で
行われる。上記のダ・クラツ他及びムーラ他の研究においては、粉体化合物の生
成における蒸発段階と反応段階とは、実際の形成過程をうまく管理するために分
離される。
【００１６】 チャン他は、１２th Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓａｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９５，１２０７−１２１２にお
いて、上記チャン他のＴｈｉｒｄ Ｅｕｒｏ−Ｃｅｒａｍｉｃｓにおける方法と
同様な方法を使用する。この研究においては、シリカ粉体が作られる。シリカの
原材料は、これを特定の形態、即ち粒子寸法が１００−３１５μｍの砂の状態で
アーク内に噴出することにより蒸発する。アークは消耗しない陰極と蒸発材料以
外の材料で作られた陽極との間で飛ばされる。結果として、この方法のエネルギ
ー効率は、上述された真の移行型アーク運転より低いと考えられる。シリカ粉体
製品を形成する粒子の大部分は５０から４００ｎｍの範囲の粒子寸法を持ってい
た。
【００１７】 初期の蒸気濃度と温度、凝集と粒子成長の持続時間、及び冷却プロフィルを管
理することにより、粒子の寸法とその分布及び結晶化度をある程度制御し得るこ
とが理論的に示されている。これは、オクヤマ他によりＡＩＣｈＥ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ，１９８６，３２（１２），２０１０−２０１９において、更にガーシック
他によりＰｌａｓｍａ Ｃｈｅｍ． ａｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉ
ｎｇ，１９８９，９（３），３５５−３６９において示される。この方法がアゲ
オリゲス他及びチャン他により示されたような微細粉体の製造に使用されるとき
は、冷却区画における凝集、粒子成長及び結晶化を正確に管理するための装置又
は手順について説明されていないため、粉体特性の管理は非常に不十分である。
更に、上記のアゲオリゲス他及びチャン他の両研究においては、プラズマ室内に
おける凝集及び粒子成長を限定する試みがなされず、これも粉体特性の適正な管
理の欠如を助ける。従って、移行型アーク熱プラズマベースの蒸気凝結法を使用
して作られる微細及び超微細粉体の粒子寸法とその分布、及び結晶化度の管理は
極めて限定される。
【００１８】 電子工学又は冶金のようなある分野では粉体の平均寸法と分布、及び結晶化度
が重要な特性である。従って、粉体の製造中にかかる特性を管理できれば、その
生産者に現在の微細及び超微細粉体の製造に勝る大きな利点を与えるであろう。
【００１９】
【発明の概要】
本発明により、金属、合金、セラミックス、合成物、及び同等品のような材料
の微細及び超微細な粉体の製造のための移行型アークプラズマベースの蒸気凝結
法が提供される。より特別にはこの方法は，移行型アークプラズマシステムによ
り微細及び超微細な粉体を作る方法であって、 −プラズマリアクター内で蒸発又は分解される材料を提供し、 −材料を蒸発又は分解してその蒸気を形成するに十分な高温を有するプラズマを
作るために材料と電極との間でアークを飛ばし、 −プラズマリアクターにおいて所望により希釈ガスを噴出し、 −プラズマガスの手段による蒸気及び所望の希釈ガスを、蒸気が凝結され粉体の
形成が生ずる冷却管内に送り込み、冷却管が −粒子の成長及び結晶化を実質的に管理するために、内部にある蒸気及びいか なる粒子も間接的に冷却し又は加熱する第１区画、及び −第１区画に結合され内部にある蒸気及びいかなる粒子も直接冷却するための 第２区画 を備え、更に −収集ユニットにおいて粉体粒子を収集しかつ所望により濾過する 諸段階を含む方法が提供される。
【００２０】 好ましい実施例においては、希釈ガスは、プラズマ室内で連続的又は半連続的
に噴出されるより前に、蒸気の温度に相当する温度、又は少なくも１０００Ｋに
加熱される。希釈ガスの噴出速度は、製造速度、粉体特性、プラズマガスの流量
、蒸気濃度などのような要因に応じて変えることができる。本技術の熟練者は最
適の希釈ガス流量を決定することができる。
【００２１】 本発明の更なる好ましい実施例においては、順極性構成が使用される。即ち、
るつぼ内の液状材料が陽極であり、そして電極が陰極である。更に電極は消耗せ
ず、かつプラズマトーチの内側に置かれる。
【００２２】 本発明の第２の態様においては、移行型アークリアクターより作られたような
蒸気の凝結に適した冷却管が提供される。より特別には、冷却管は、長くて実質
的に筒状のボデーのある第１区画であって、全長を通過する蒸発材料を間接的に
冷却又は加熱して粒子の成長と結晶化を管理するためにボデーの周りに冷却用又
は加熱用手段を有する前記第１区画、及び蒸気とその粒子とを直接冷却するため
に第１区画に組み合わせられた第２区画を備える。
【００２３】 好ましい実施例においては、第２区画は第１区画の筒状ボデーの延長部よりな
り、そして直接冷却は蒸気上への冷却用流体の直接噴出により行われる。
【００２４】 冷却管の第１区画の管の内径と長さとは、製造される粉体、この粉体に対する
望ましい特性、キャリヤーガスの流量、希望の粒子寸法などの多くの要因に応じ
て変えることができる。本技術の熟練技術者又は通常の技術者は、希望の粉体特
性によりこれら要因を調節することができる。
【００２５】
【発明の詳細な記述】
本発明により、金属、合金、セラミックス、合成物、及び同等品のような材料
の微細及び超微細な粉体の連続的又はバッチ式の製造方法であってかつ作られる
粉体の特性の実質的な管理を許す方法が提供される。実質的に管理される特性は
、平均粒子寸法、寸法の分布、及び結晶化度である。
【００２６】 本発明の目的に対して、表現「間接的な冷却又は加熱」は、プラズマ室から出
た蒸気内において、冷却用又は加熱用の流体が、蒸気及びあるならば蒸気中の凝
結粒子に直接接触しない冷却用又は加熱用の手段として定義することができる。
一方、「直接冷却」は冷却用流体が材料の蒸気に直接触れる冷却用手段として定
義される。
【００２７】 本方法は、電極、好ましくはトーチ内部で消耗しない電極と、順極性（ｓｔｒ
ａｉｇｈｔ ｐｏｌａｒｉｔｙ）又は逆極性（ｒｅｖｅｒｓｅ ｐｏｌａｒｉｔ
ｙ）の構成において蒸発し又は分解し得る他方の電極との間でアークを飛ばすこ
とを含む。順極性仕様の場合は、蒸発又は分解する材料が陽極として作用し、消
耗しない電極は陰極として作用する。従って、蒸発又は分解する材料は液状であ
る。上述のように、この方法に適した材料は、純金属、合金、セラミックス、合
成物などのようないかなる導電性材料も含む。作り得る金属粉体の例は、限定す
るものではないが、銀、金、カドミウム、コバルト、銅、鉄、ニッケル、パラジ
ウム、白金、ロジウム、ルテニウム、タンタル、チタン、タングステン、ジルコ
ニウム、モリブデン、ニオブ及び同等材料、並びにこれらの合金の粉体を含む。
セラミックス粉体の例は、限定するものではないが、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮなどの粉体を含む。合成物または被覆粉体の例は、
限定するものではないが、ＳｉＣ／Ｓｉ，Ｓｉ3Ｎ4／Ｓｉ，ＮｉＯ／Ｎｉ、Ｃｕ
Ｏ／Ｃｕなどの粉体を含む。
【００２８】 連続法においては、蒸発又は分解される材料は、これを、運転温度において導
電性であり又はそうでないるつぼ内に連続的又は半連続的に加えることができる
。典型的には、蒸発又は分解される材料を入れるために使用されるるつぼは、補
助電極接続が不要なように導電性である。運転温度において分解せず又は材料と
反応しない導電性るつぼが利用できない場合は、これらの制限を持たない非導電
性るつぼを補助電極接続とともに使うことができる。供給材料は、固体の粒子、
線、棒、液状などを含んだ適宜の形式のものとすることができる。
【００２９】 典型的なプラズマトーチの供給ガスの流量は、電力レベル及びトーチデザイン
に大きく依存する。更に、生産速度が高くなるとプラズマ室内における材料の蒸
発又は分解により形成された蒸気の希釈が要求されることがある。希釈は、蒸気
の濃度を減らして蒸気の顕著な凝結を防止する。この凝結はプラズマ室内におけ
る粒子の形成を導いて別の冷却区画における粉体特性の管理を妨げ、同時に生産
量を減らす。希釈ガスは、これをプラズマガスに直接加えることができるが、こ
の方法は、通常は、プラズマトーチの最大作動流速に限定される。これが、プラ
ズマ室内における希釈ガスの噴出用の追加の手段を持つ必要のある理由である。
また、かかる希釈ガスは、プラズマ室内における粒子の生成をもたらすであろう
局所的な冷却を最小にするに十分な高温でプラズマ室内で噴出されねばならない
。これを行うために、プラズマ室内に追加の高温ガスを噴出できるように少なく
も１個のガスポートが設置される。プラズマ室内に加えられた全てのガスは、蒸
気との反応が最小になるように選ばれる。
【００３０】 トーチガス及び希釈ガスの両者に対して適切な流量は、本技術の通常の技術者
により容易に決定することができる。これらの流量は、生産速度、電力レベル、
希望の粒子寸法などのような幾つかの要因に依存する。一例として、約０．５μ
ｍの銅又はニッケルの粉体を、生産速度が２ｋｇ／ｈ、電力レベルが約５０から
約１００ｋＷにおいて作るためには、希釈ガスの流量及びトーチガスの流量はそ
れぞれ１０００ｌ／ｍｉｎ及び６０ｌ／ｍｉｎが必要である。プラズマ室の圧力
は、好ましくは０．２−２．０気圧、より好ましくは約１気圧に維持される。
【００３１】 リアクターは、エネルギー効率及び産出量を最大にし、かつ蒸発し又は分解し
た材料の室内における凝結を最小にして室内での粒子の形成を防ぐためによく断
熱されることが重要である。蒸気はプラズマ室から冷却管に送られ、ここで粉体
粒子が成長し最終的に凝結する。次いで、微細又は超微細な粉体製品は、これを
適宜の通常の収集／濾過装置により集めることができる。
【００３２】 本発明の方法は、通常の湿式冶金法及び熱分解スプレイ法に伴う取扱い及び環
境の諸問題を避けつつ少なくも約０．５ｋｇ／ｈの生産速度で微細及び超微細な
粉体を作るためのエネルギー効率のよい方法を提供する。現在の移行型アークシ
ステムは０．２ｋｇ／ｈ以下の速度でしか生産することができず、かつ粉体特性
の広範囲の管理ができない。本方法は、粉体の諸特性を相当に管理する能力を有
しつつ、純金属、合金、セラミックス、合成物などような材料の微細及び超微細
な粉体の比較的単純かつ費用効果的な生産を許す。
【００３３】 本発明は、その好ましい実施例を示すために提供された図面を参照して説明さ
れるであろう。これら図面は本発明の範囲を限定するものとして考えるべきでは
ない。
【００３４】 図１を参照すれば、アルミナフェルトのような断熱材１３で断熱された移行型
アークプラズマリアクター１２、冷却管１４、及び粉体収集ユニット１６を備え
たプラズマシステム１０が提供される。リアクター１２は、制御パネル１５と組
み合わせられた電力供給源１１と組み合わせられる。リアクター１２におけるガ
スと水との供給を管理するために供給管理ユニット１９も設けられる。粉体を集
めるより前にその温度を更に下げるために、ユニット１６と冷却管１４との間に
熱交換器２１を所望により挿入することができる。システムが連続モードで使用
されるときは（殆どの場合はこれである）、プラズマ室１７内に材料を供給する
ためにフィーダー２３が設けられる。
【００３５】 図２は、プラズマ室１７を備えたプラズマリアクター１２を示す。アーク１８
は、トーチ２０内に置かれた好ましくは非消耗型の電極３３と、セラミックるつ
ぼ２４内に入れられた材料２２との間で飛ばされる。材料２２が蒸発し又は分解
すると、更なる材料が、例えば少なくも１個のパイプ２６を経てるつぼ内に連続
的、又は半連続的に追加される。加熱された希釈ガス、好ましくはアルゴン、ヘ
リウム、水素、窒素、アンモニア、メタン又はこれらの混合ガスがパイプ２８を
通って室１７内に噴出され、蒸気を室１７から少なくも１個の出口ポート３０を
経て冷却管１４内に輸送し、冷却管１４内で粉体の凝結が生ずる。冷却管１４か
ら出た粉体製品は、粒子濾過ユニット、洗浄装置及び同様な装置のような適宜適
切な固体／ガス又は固体／液体の分離装置内に受け入れられる。
【００３６】 システムの運転中、材料２２を蒸発させ又は分解させるに要するエネルギーは
、るつぼ２４内で部分的に又は完全に液化された材料２２と電極３３との間に維
持されるアーク１８により供給される。プラズマトーチ２０の供給ガスに加えて
プラズマ室１７内に連続的又は半連続的に少なくも１種の希釈ガスが噴出される
。この少なくも１種の希釈ガスは、蒸気の局所的凝縮を最小にするために、好ま
しくはプラズマ室内の蒸気の温度に相当する温度、又は少なくも１０００Ｋ以上
に加熱される。
【００３７】 典型的には、電極３３が陰極として作用しかつ液体材料２２が陽極として作用
する移行型プラズマシステム、順極性仕様が使われる。しかし、電極３３の腐食
はこれが陽極として作用されたとき劇的に減少するため、大きな運転電流が使用
されるときは、逆極性仕様が非常に有利である。
【００３８】 好ましいアークの長さは約２から２０ｃｍであるが、作られる材料に応じて長
さを随意に変えることができる。室１７内の圧力は好ましくは０．２−２．０気
圧に維持され、そして最も好ましい運転圧力は、０．８−１．２気圧である。
【００３９】 図３は、プラズマ室内の移行型アーク装置の種々の変更例を示す。図３Ａは、
るつぼ装置が導電性であるときの好ましいるつぼ装置を示す。図３Ｂ及び３Ｃは
、補助電極３２が使用される場合の構成を示す。かかる構成は、るつぼ２４の導
電度が不十分な場合、或いはるつぼが全く導電性でない場合に使用される。るつ
ぼが運転温度において導電性である場合にも、補助電極を使用できることに注意
すべきである。補助電極接続３２は、材料２２と直接接触していてもよいし又は
接触していなくてもよい。材料２２への直接接触は、頂部（図３Ｃ）、底部又は
側面のいずれから行うこともできる。直接接触でない場合は、補助電極３２は、
図３Ｂのようなプラズマトーチ、水冷式のプローブ又は供給材料とすることがで
きる。
【００４０】 るつぼ２４用の好ましい材料は、グラファイト；炭化ランタル、炭化ケイ素、
炭化チタンなどのような炭化物；マグネシア、アルミナ、ジルコニアなどのよう
な酸化物；窒化チタン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、窒化ボロンなどのよ
うな窒化物；二ホウ化チタン、二ホウ化タンタル、二ホウ化ジルコニウムなどの
ようなホウ化物；並びにタングステン、タンタル、モリブデン、ニオブなどのよ
うな耐火材料のような熔融温度の高い材料を含む。
【００４１】 図４は、本発明による冷却の好ましい実施例を示す。蒸発し又は分解した材料
は、希釈ガス及びプラズマガスと組み合った蒸気の形式で室１７から出て、冷却
管１４の第１区画３４内に入る。第１区画３４は、希望の製品に凝結するように
蒸気の管理された間接的な冷却又は加熱、及び粒子の成長と結晶化の管理を許す
。間接的な加熱又は冷却は加熱用又は冷却用の流体を使用して行われ、この流体
は、外側の同軸管３６の内面と管３８の外面との間に形成された通路２９内を循
環する。管３６は、管３８をその全長又はその一部分を通して囲んでいる１個又
は複数個の加熱用又は冷却用の部材４０に置換し又はこれと組み合わせることも
できる。区画３４の長さは、所要の粒子寸法、希釈ガスの流量、粉体の希望特性
などに応じて変更することができる。管３６は、その中に流体に循環を許すため
に少なくも１個の入口４２と少なくも１個の出口４４とを備える。
【００４２】 反応物質と蒸気との間の反応により生ずる生成物の粉体を作るために蒸気に反
応物質を加えることが必要な場合は、第１区画３４の１個又は複数個の点、例え
ば入口４６を経て、高温の反応ガスの形式で反応物質を導入することができる。
可能な反応ガスの例は、窒素、水素、アンモニア、メタン、酸素、水、空気、一
酸化炭素、又はこれらの混合物を含む。高温の反応ガスは、蒸気の直接冷却を最
小にするために、好ましくはプラズマリアクター内にある蒸気の温度に近い温度
で、或いは少なくも１０００Ｋで噴出される。噴出される高温反応ガスの温度が
室１７内にある蒸気の温度より高いか又は少なくもこれに等しいことが最も好ま
しい。冷却管の内側管は、プラズマ室内にある蒸気の温度を維持し得る材料より
構成されなばならない。好ましい材料はグラファイトである。
【００４３】 蒸気、及び第１区画３４の通過中に形成された可能性のある粉体粒子を直接冷
却するために第２区画５０が第１区画３４に組み合わせられる。直接冷却は、流
体、液体又は気体を、少なくも１個の入口５２を経て蒸気及び／又は粉体粒子の
上に直接噴出させることにより行われる。蒸気及び粉体粒子の直接冷却に好まし
いガスは、これのある場合は、アルゴン、窒素、ヘリウム、アンモニア、メタン
、酸素、空気、一酸化炭素、二酸化炭素又はこれらの混合物を含む。好ましい液
体は、水、メタノール、エタノール又はこれらの混合物を含み、これらはスプレ
イされることが普通である。
【００４４】 内側管３８の断面は適宜の形状とすることができる。一例として、管３８は、
環状の間隙を通って蒸気が流れる環状のデザインである。この組合せは図５に示
され、これにおいては、管３８の内側に長いボデー２７が設けられ、ボデー３８
の内面とボデー２７の外面との間に通路が形成される。
【００４５】 以下の例は、本発明を示すために提供されるが本発明の範囲を限定するとして
解釈すべきではない。微細な金属粉体の製造が、図２に示されたようなリアクタ
ー、及び図４に示されたような冷却管を備えた図１に示されたような移行型アー
ク熱プラズマシステムを使用して実行された。この目的のためには、適宜の通常
のプラズマトーチを使用できる。るつぼはグラファイト又は適宜適切なセラミッ
クとすることができる。蒸発材料はペレット又はショットの形でプラズマ室の上
方部分のポートを経てるつぼ内に供給された。 例１ 管理された平均粒子寸法と分布とを有する微細な銅の粉体が作られた。表１及
び２に、異なった冷却管運転条件を使った平均粒子寸法の管理が示される。移行
型アークリアクターの条件は実質的に同様である。試験１において平均粒子寸法
０．７８μｍが、そして試験２において１．７４μｍが得られた。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】 表３において粒子分布の管理が示される。寸法分布は表１及び２と比較して表
３においては増加された。
【００４９】
【表３】
【００５０】 例２ 管理された結晶化度を有する微細なニッケルの粉体が作られた。表４及び５に
異なる冷却管運転条件を使った結晶化度の管理が示される。リアクター条件は実
質的に同じである。結晶化度は、与えられた粉体標本に対するＸ線拡散の最大ピ
ークカウントにより測定された。このピークは、ニッケルについてはほぼ２θ＝
４４．５゜において、また銅については２θ＝４３．３゜において生ずる。試験
４において作られたニッケル粉体に対する最大ピ−クカウントは、試験５におい
て作られたニッケル粉体に対する９３００と比較して２４８００であった。
【００５１】
【表４】
【００５２】
【表５】
【００５３】 本発明は、その特別な実施例に関連して説明されたが、更に変更をなし得るこ
とが理解されるであろう。本願は、一般に本発明の原理に従い、かつ本発明の属
する技術内で知られ又は普通に行われるような本開示からの逸脱を含み、更に以
上説明されかつ請求項の範囲に属する本質的な特徴に適用し得る本発明のいかな
る変更、使用又は適用も範囲内に含むことが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 典型的な移行型アークプラズマシステムの諸要素を示す。
【図２】 本方法の目的に適した以上式アークプラズマ室を示す。
【図３】 本方向の目的に適した移行型アーク構成の好ましい実施例を示す。
【図４】 本発明による冷却管の好ましい実施例を示す。
【図５】 本発明による冷却管の別の実施例を示す。
【図６】 本発明の方法により作られた銅の粒子の寸法の分布を示す。
【図７】 本発明の方法により作られた銅の粒子の管理された平均直径を示す。
【図８】 本発明の方法により作られた銅及びニッケルの粉体について得られた結晶化度
を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ａ，ＺＷ (72)発明者 ブーロ，マエル・アイ カナダ・ケベツク ジエイ１エル １エイ チ２・シヤーブルツク・モントマニ505 (72)発明者 チエン，ガングキアング カナダ・ケベツク エイチ４エル ３エヌ ２・サン−ローラン・アパルトマン38・デ カリ1245 (72)発明者 デイビス，エイチ・ジヨン カナダ・ケベツク エイチ９ダブリユー ３エル４・ビーコンスフイールド・ハルフ オードロード414 Ｆターム(参考） 3K084 AA08 4G075 AA27 BB02 BB05 BB10 CA48 CA66 DA01 EA05 EB13 EB43 4K017 AA04 BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 CA07 CA08 EF02 EG04 FA21

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 移行型アークプラズマシステムにより微細及び超微細な粉体
    を作る方法であって、 −プラズマリアクター内で蒸発又は分解される材料を提供し、 −材料を蒸発又は分解してその蒸気を形成するに十分な高温を有するプラズマを
    作るために材料と電極との間でアークを飛ばし、 −プラズマリアクターにおいて所望により希釈ガスを噴出し、 −プラズマガスによる蒸気及び所望の希釈ガスを、蒸気が凝結され粉体の形成が
    生ずる冷却管内に送り込み、冷却管が −粒子の成長及び結晶化を実質的に管理するために、内部にある蒸気及びいか なる粒子も間接的に冷却し又は加熱する第１区画、及び −第１区画に結合され内部にある蒸気及びいかなる粒子も直接冷却するための 第２区画 を備え、更に −収集ユニットにおいて粉体粒子を収集しかつ所望により濾過する 諸段階を含む方法。
  2. 【請求項２】 冷却管が長い実質的に筒状のボデーである請求項１による方
    法。
  3. 【請求項３】 材料が、金属、合金、セラミックス及び合成物を含む請求項
    １による方法。
  4. 【請求項４】 蒸発又は分解される材料が陽極でありそして電極が陰極であ
    りかつ消耗しない請求項１による方法。
  5. 【請求項５】 材料が導電性るつぼ内に提供される請求項１による方法。
  6. 【請求項６】 材料が、固体の粒子、線、棒、液体又はこれらの混合物の形
    でプラズマリアクターに供給される請求項１による方法。
  7. 【請求項７】 るつぼが、グラファイト、炭化物、酸化物、窒化物、ホウ化
    物、又は耐火金属より作られる請求項１による方法。
  8. 【請求項８】 直接の冷却又は加熱が、ボデーの周囲の通路内の冷却用又は
    加熱用流体の循環により行われる請求項２による方法。
  9. 【請求項９】 反応物質が、少なくも１個の入口を通り第１区画内に高温ガ
    スの形で噴出される請求項１による方法。
  10. 【請求項１０】 直接冷却が、蒸気上への冷却用流体の噴出により行われる
    請求項１による方法。
  11. 【請求項１１】 希釈ガスが、少なくも１０００Ｋの温度に加熱される請求
    項１による方法。
  12. 【請求項１２】 移行型アークプラズマシステムにより金属の微細な粉体を
    作る方法であって、 −プラズマリアクター内の導電性るつぼ内で蒸発する材料を連続的に提供し、 −金属を蒸発させてその蒸気を形成するに十分な高温を有するプラズマを作るた
    めに順極性仕様の金属と非消耗電極との間でアークを飛ばし、 −プラズマリアクターにおいて少なくも１０００Ｋの温度に加熱された希釈ガス
    を噴出し、 −蒸気を、プラズマガス及び希釈ガスにより、蒸気が凝結され粉体の形成が生ず
    る冷却管内に送り、冷却管が −粒子の成長及び結晶化を実質的に管理するために、内部にある蒸気及びいか なる粒子も間接的に冷却し又は加熱するための長い筒状ボデーであって蒸気が
    内部を通過する前記ボデーを備えた第１区画、及び −第１区画に結合され、かつ蒸気上に冷却用流体を直接噴出することにより内 部にある蒸気及びいかなる粒子も直接冷却するための第２区画 を備え、更に −収集ユニットにおいて粉体粒子を収集しかつ所望により濾過する 諸段階を含む方法。
  13. 【請求項１３】 金属が、銀、金、カドミウム、コバルト、銅、鉄、モリブ
    デン、ニッケル、ニオブ、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、タンタル
    、チタン、タングステン、ジルコニウム、及びこれらの合金を含む請求項１２に
    よる方法。
  14. 【請求項１４】 蒸発した材料の凝結用の冷却管であって、細長くて実質的
    に筒状のボデーを備え、このボデーが材料の管理された成長と結晶化とを許すよ
    うにこれを通過する蒸発した材料を間接的に冷却し又は加熱するためにボデーの
    周りに冷却用又は加熱用の手段を有する第１区画、及びこの蒸気と粒子とを直接
    冷却するために第１区画に組み合わせられた第２区画を備えることを特徴とする
    冷却管。
  15. 【請求項１５】 冷却用又は加熱用の手段が、長いボデーの周りに設けられ
    かつその全長にわたって伸びて冷却用又は加熱用の流体が循環する通路を形成し
    ている第２の同軸で実質的に筒状のボデーを備える請求項１４による冷却管。
  16. 【請求項１６】 第１区画が、高温ガスを蒸気内に噴出するための少なくも
    １個の入口を備える請求項１４による冷却管。
  17. 【請求項１７】 第２区画の蒸気を直接冷却するための手段が、蒸気上に直
    接噴射される冷却用流体の通過する少なくも１個の入口を備える請求項１４によ
    る冷却管。
JP2000566062A 1998-08-18 1999-08-16 微細及び超微細の粉体の製造方法及び移行型アークプラズマシステム Expired - Lifetime JP3541939B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/136,043 US6379419B1 (en) 1998-08-18 1998-08-18 Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultrafine powders
US09/136,043 1998-08-18
PCT/CA1999/000759 WO2000010756A1 (en) 1998-08-18 1999-08-16 Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultrafine powders

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003366114A Division JP2004036005A (ja) 1998-08-18 2003-10-27 微細及び超微細の金属粉体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002530521A true JP2002530521A (ja) 2002-09-17
JP3541939B2 JP3541939B2 (ja) 2004-07-14
JP2002530521A5 JP2002530521A5 (ja) 2005-10-20

Family

ID=22470991

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000566062A Expired - Lifetime JP3541939B2 (ja) 1998-08-18 1999-08-16 微細及び超微細の粉体の製造方法及び移行型アークプラズマシステム
JP2003366114A Pending JP2004036005A (ja) 1998-08-18 2003-10-27 微細及び超微細の金属粉体
JP2005034922A Pending JP2005163188A (ja) 1998-08-18 2005-02-10 微細及び超微細の金属粉体

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003366114A Pending JP2004036005A (ja) 1998-08-18 2003-10-27 微細及び超微細の金属粉体
JP2005034922A Pending JP2005163188A (ja) 1998-08-18 2005-02-10 微細及び超微細の金属粉体

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6379419B1 (ja)
EP (1) EP1115523B1 (ja)
JP (3) JP3541939B2 (ja)
KR (1) KR100594562B1 (ja)
AT (1) ATE240177T1 (ja)
AU (1) AU5275299A (ja)
CA (1) CA2340669C (ja)
DE (1) DE69907933T2 (ja)
WO (1) WO2000010756A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007522347A (ja) * 2004-02-16 2007-08-09 クライマックス・エンジニアード・マテリアルズ・エルエルシー 銀のナノ粒子を生産するための方法および装置
JP2008532761A (ja) * 2005-03-16 2008-08-21 株式会社堀場製作所 純粋粒子生成装置
JP2013007096A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Shoei Chem Ind Co 金属粉末製造用プラズマ装置
WO2013157454A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 昭栄化学工業株式会社 金属粉末の製造方法
JP2014095136A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Hirosaki Univ 超微細粉末、高強度鋼焼結体及びそれらの製造方法
JP2014139509A (ja) * 2007-05-11 2014-07-31 Sdc Materials Inc 熱交換器、冷却装置及び冷却方法
JP2014518565A (ja) * 2011-04-26 2014-07-31 ヒ スング メタル リミテッド 廃ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを用いた超高純度ルテニウム（Ｒｕ）粉末及びターゲットの製造方法
JPWO2013084650A1 (ja) * 2011-12-06 2015-04-27 昭栄化学工業株式会社 金属粉末製造用プラズマ装置
JP2015187309A (ja) * 2015-06-26 2015-10-29 昭栄化学工業株式会社 金属粉末製造用プラズマ装置及び金属粉末製造方法
KR20180061296A (ko) 2015-10-19 2018-06-07 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말의 제조 방법
KR20180126453A (ko) 2016-03-18 2018-11-27 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말, 니켈 분말의 제조 방법, 및 니켈 분말을 사용한 내부 전극 페이스트, 및 전자 부품
JP2019065390A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 三井金属鉱業株式会社 粒子の製造方法
KR20190084078A (ko) 2016-12-05 2019-07-15 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말의 제조 방법
KR20220038023A (ko) 2019-07-31 2022-03-25 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말, 니켈 분말의 제조 방법

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7576296B2 (en) * 1995-03-14 2009-08-18 Battelle Energy Alliance, Llc Thermal synthesis apparatus
US6972115B1 (en) 1999-09-03 2005-12-06 American Inter-Metallics, Inc. Apparatus and methods for the production of powders
KR100743844B1 (ko) * 1999-12-01 2007-08-02 도와 마이닝 가부시끼가이샤 구리 분말 및 구리 분말의 제조 방법
WO2001046067A1 (en) * 1999-12-21 2001-06-28 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Hydrogen and elemental carbon production from natural gas and other hydrocarbons
ATE258092T1 (de) * 2000-02-10 2004-02-15 Tetronics Ltd Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver
CA2400103C (en) * 2000-02-18 2014-04-22 Canadian Electronic Powders Corporation Nickel powder for use as electrodes in base metal electrode multilayered ceramic capacitors
AU2001277007A1 (en) * 2000-07-19 2002-01-30 Regents Of The University Of Minnesota Apparatus and method for synthesizing films and coatings by focused particle beam deposition
US6468497B1 (en) * 2000-11-09 2002-10-22 Cyprus Amax Minerals Company Method for producing nano-particles of molybdenum oxide
US7572430B2 (en) * 2000-11-09 2009-08-11 Cyprus Amax Minerals Company Method for producing nano-particles
AUPR186200A0 (en) * 2000-12-04 2001-01-04 Tesla Group Holdings Pty Limited Plasma reduction processing of materials
US7442227B2 (en) 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
EP1441835B1 (en) * 2001-11-06 2012-08-22 Cyprus Amax Minerals Company Apparatus and method for producing pigment nano-particles
US6688494B2 (en) * 2001-12-20 2004-02-10 Cima Nanotech, Inc. Process for the manufacture of metal nanoparticle
US6755886B2 (en) * 2002-04-18 2004-06-29 The Regents Of The University Of California Method for producing metallic microparticles
US6902601B2 (en) 2002-09-12 2005-06-07 Millennium Inorganic Chemicals, Inc. Method of making elemental materials and alloys
US6868896B2 (en) * 2002-09-20 2005-03-22 Edward Scott Jackson Method and apparatus for melting titanium using a combination of plasma torches and direct arc electrodes
US7794629B2 (en) * 2003-11-25 2010-09-14 Qinetiq Limited Composite materials
US7494527B2 (en) * 2004-01-26 2009-02-24 Tekna Plasma Systems Inc. Process for plasma synthesis of rhenium nano and micro powders, and for coatings and near net shape deposits thereof and apparatus therefor
JP2005289776A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Canon Inc 結晶製造方法および結晶製造装置
JP3938770B2 (ja) * 2004-04-16 2007-06-27 Ｔｄｋ株式会社 ニッケル粉の製造方法とニッケル粉の製造装置とニッケル粉製造用坩堝
EP2138458A1 (en) * 2004-04-19 2009-12-30 SDC Materials, LLC High throughput discovery of materials through vapor phase synthesis
US7465430B2 (en) * 2004-07-20 2008-12-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Apparatus for making metal oxide nanopowder
US7708975B2 (en) * 2004-07-20 2010-05-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process for making metal oxide nanoparticles
US7297619B2 (en) * 2004-08-24 2007-11-20 California Institute Of Technology System and method for making nanoparticles using atmospheric-pressure plasma microreactor
EP1810001A4 (en) 2004-10-08 2008-08-27 Sdc Materials Llc DEVICE AND METHOD FOR SAMPLING AND COLLECTING POWDERS FLOWING IN A GASSTROM
US7476851B2 (en) * 2004-11-12 2009-01-13 Regents Of The University Of Minnesota Aerodynamic focusing of nanoparticle or cluster beams
US7354561B2 (en) * 2004-11-17 2008-04-08 Battelle Energy Alliance, Llc Chemical reactor and method for chemically converting a first material into a second material
CA2595872C (en) * 2005-01-28 2011-07-12 Tekna Plasma Systems Inc. Induction plasma synthesis of nanopowders
DE102005028463A1 (de) * 2005-06-17 2006-12-28 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von nanopartikulären Lanthanoid/Bor-Verbindungen von nanopartikuläre Lanthanoid/Bor-Verbindungen enthaltenden Feststoffgemischen
CN100431748C (zh) * 2005-07-27 2008-11-12 北京工业大学 稀土元素钆的纳米颗粒及纳米晶块体材料的制备方法
US8268405B2 (en) * 2005-08-23 2012-09-18 Uwm Research Foundation, Inc. Controlled decoration of carbon nanotubes with aerosol nanoparticles
US8240190B2 (en) * 2005-08-23 2012-08-14 Uwm Research Foundation, Inc. Ambient-temperature gas sensor
US8859931B2 (en) * 2006-03-08 2014-10-14 Tekna Plasma Systems Inc. Plasma synthesis of nanopowders
KR100840229B1 (ko) 2006-09-08 2008-06-23 재단법인 포항산업과학연구원 초미세 솔더 분말, 초미세 솔더 분말의 제조방법 및 그제조장치
US7736421B2 (en) * 2006-10-10 2010-06-15 Aerosol Dynamics Inc. High saturation ratio water condensation device and method
JP5052291B2 (ja) 2006-11-02 2012-10-17 株式会社日清製粉グループ本社 合金超微粒子、およびその製造方法
KR100788413B1 (ko) 2007-03-13 2007-12-24 호서대학교 산학협력단 열플라즈마를 이용한 나노 복합 분말 제조 방법
US9630162B1 (en) * 2007-10-09 2017-04-25 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Reactor and method for production of nanostructures
US8575059B1 (en) 2007-10-15 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal compound catalysts
EP2107862B1 (de) 2008-04-03 2015-09-02 Maicom Quarz GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Dispersionsmaterialien
USD627900S1 (en) 2008-05-07 2010-11-23 SDCmaterials, Inc. Glove box
KR101009656B1 (ko) 2008-09-17 2011-01-19 희성금속 주식회사 초미세 귀금속 분말 제조방법
WO2010049382A1 (de) * 2008-10-27 2010-05-06 Basf Se Verfahren zur herstellung einer suspension nanopartikulärer metallboride
KR101024971B1 (ko) 2008-12-12 2011-03-25 희성금속 주식회사 열플라즈마를 이용한 귀금속 분말 및 귀금속 타겟 제조방법
US9516734B2 (en) 2009-03-24 2016-12-06 Tekna Plasma Systems Inc. Plasma reactor for the synthesis of nanopowders and materials processing
US8591821B2 (en) 2009-04-23 2013-11-26 Battelle Energy Alliance, Llc Combustion flame-plasma hybrid reactor systems, and chemical reactant sources
KR100943453B1 (ko) * 2009-08-18 2010-02-22 이대식 초미세 금속분말 제조 장치 및 방법, 이에 사용되는 금속증발장치
KR101134501B1 (ko) * 2009-12-07 2012-04-13 주식회사 풍산 열플라즈마를 이용한 고순도 구리분말의 제조방법
US9119309B1 (en) 2009-12-15 2015-08-25 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying
US8803025B2 (en) 2009-12-15 2014-08-12 SDCmaterials, Inc. Non-plugging D.C. plasma gun
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US8652992B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US9149797B2 (en) 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US8470112B1 (en) 2009-12-15 2013-06-25 SDCmaterials, Inc. Workflow for novel composite materials
US8545652B1 (en) 2009-12-15 2013-10-01 SDCmaterials, Inc. Impact resistant material
US8557727B2 (en) 2009-12-15 2013-10-15 SDCmaterials, Inc. Method of forming a catalyst with inhibited mobility of nano-active material
US9394632B2 (en) 2010-03-22 2016-07-19 The Regents Of The University Of California Method and device to synthesize boron nitride nanotubes and related nanoparticles
KR101175676B1 (ko) * 2010-03-25 2012-08-22 희성금속 주식회사 폐 루테늄（Ｒｕ） 타겟을 이용한 고순도화 및 미세화된 루테늄（Ｒｕ）분말 제조법
KR101193683B1 (ko) 2010-03-29 2012-10-22 현대제철 주식회사 지르코늄 코어드 와이어 투입법을 이용한 지르코늄 함유 철계 합금 제조 방법 및 그 제조 장치
RU2455119C2 (ru) * 2010-08-27 2012-07-10 Алексей Александрович Калачев Способ получения наночастиц
CN102166654B (zh) * 2010-12-30 2015-11-25 广东高鑫科技股份有限公司 高效镍-石墨粉体的制备方法及其专用装置
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
CN102211197B (zh) * 2011-05-06 2014-06-04 宁波广博纳米新材料股份有限公司 金属蒸发装置及用该装置制备超微细金属粉末的方法
RU2460816C1 (ru) * 2011-05-20 2012-09-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н.Туполева - КАИ" (КНИТУ-КАИ) Способ получения порошкового материала на основе меди
MX2014001718A (es) 2011-08-19 2014-03-26 Sdcmaterials Inc Sustratos recubiertos para uso en catalisis y convertidores cataliticos y metodos para recubrir sustratos con composiciones de recubrimiento delgado.
JP5821579B2 (ja) * 2011-12-01 2015-11-24 昭栄化学工業株式会社 金属粉末製造用プラズマ装置
JP2015526271A (ja) * 2012-06-05 2015-09-10 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ナノ粒子の流体捕捉
CN102950292B (zh) * 2012-10-15 2015-07-08 宁波广博纳米新材料股份有限公司 亚微米级铜锰镍合金粉的生产方法
CN102950291B (zh) * 2012-10-15 2015-02-11 宁波广博纳米新材料股份有限公司 亚微米级锡铜合金粉的生产方法
CN102950289B (zh) * 2012-10-15 2014-10-15 宁波广博纳米新材料股份有限公司 纳米级铜锰合金粉的生产方法
CN102950290B (zh) * 2012-10-15 2014-11-26 宁波广博纳米新材料股份有限公司 纳米级镍锰合金粉的生产方法
CN102950293B (zh) * 2012-10-15 2015-01-07 宁波广博纳米新材料股份有限公司 纳米铝粉的生产方法
CN102873323B (zh) * 2012-11-01 2014-04-23 泰克科技(苏州)有限公司 电子钽粉性能改善装置
CN103008673B (zh) * 2012-11-07 2014-08-06 宁波广博纳米新材料股份有限公司 蒸发冷凝法制备含硫镍粉的方法
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
KR20150003580A (ko) * 2013-07-01 2015-01-09 희성금속 주식회사 루테늄 분말 및 루테늄 타겟의 제조방법
US9586179B2 (en) 2013-07-25 2017-03-07 SDCmaterials, Inc. Washcoats and coated substrates for catalytic converters and methods of making and using same
CN103537703B (zh) * 2013-09-12 2017-04-12 江苏博迁新材料股份有限公司 一种内回流式除垃圾方法
US9517448B2 (en) 2013-10-22 2016-12-13 SDCmaterials, Inc. Compositions of lean NOx trap (LNT) systems and methods of making and using same
CA2926133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 SDCmaterials, Inc. Catalyst design for heavy-duty diesel combustion engines
EP3119500A4 (en) 2014-03-21 2017-12-13 SDC Materials, Inc. Compositions for passive nox adsorption (pna) systems
CN104084595B (zh) * 2014-07-11 2016-08-24 湖南娄底华星锑业有限公司 一种锑粉生产系统
DE102014220817B4 (de) * 2014-10-14 2021-02-04 Universität Duisburg-Essen Lichtbogenreaktor und Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln
CN104722764B (zh) * 2015-03-11 2017-01-25 江永斌 循环冷却的金属粉体蒸发制取装置
CN104690266A (zh) * 2015-03-18 2015-06-10 宁波广博纳米新材料股份有限公司 用于制备晶片电阻器正面、背面电极的铜锰合金粉
CN105252012B (zh) * 2015-11-18 2017-02-08 长春工业大学 一种多电极等离子弧连续制造金属粉末的装置及方法
CN105598460B (zh) * 2016-03-21 2018-03-06 台州市金博超导纳米材料科技有限公司 用于制造微纳米级金属粉末的高温蒸发器
JP6920676B2 (ja) * 2017-04-19 2021-08-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 微粒子製造装置および微粒子製造方法
CN107030292A (zh) * 2017-05-03 2017-08-11 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 一种多级冷却制备金属粉末的等离子体雾化装置
CN108130524A (zh) * 2017-12-22 2018-06-08 中国科学院电工研究所 等离子体射流沉积薄膜装置及浅化表面陷阱能级的方法
US10612111B2 (en) * 2018-08-21 2020-04-07 Robert Ten Method and apparatus for extracting high-purity gold from ore
KR102141225B1 (ko) * 2018-08-29 2020-08-04 한국생산기술연구원 온도급감장치를 구비한 열플라즈마 토치 및 이를 이용한 금속 나노 분말 가공장치.
EP4056301A4 (en) * 2019-11-07 2023-12-20 Shenzhen Aerospace Science Advanced Materials Co., Ltd NEW SPHERICAL POWDER AND ASSOCIATED PREPARATION METHOD
RU2746197C1 (ru) * 2020-05-11 2021-04-08 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" Способ получения мелкодисперсного порошка тугоплавкого материала
RU2746673C1 (ru) * 2020-10-09 2021-04-19 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский политехнический университет» СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА, СОДЕРЖАЩЕГО ОДНОФАЗНЫЙ ВЫСОКОЭНТРОПИЙНЫЙ КАРБИД СОСТАВА Ti-Nb-Zr-Hf-Ta-C С КУБИЧЕСКОЙ РЕШЕТКОЙ
CN214260700U (zh) * 2021-01-08 2021-09-24 江苏博迁新材料股份有限公司 一种使用等离子转移弧加热的高温蒸发器
WO2022156229A1 (zh) * 2021-01-25 2022-07-28 钟笔 一种用于控制超微粉粒子成型的控制器
CN216421070U (zh) * 2021-10-19 2022-05-03 江苏博迁新材料股份有限公司 一种物理气相法制备超细粉体材料用的金属蒸气成核装置
KR102572728B1 (ko) * 2021-11-19 2023-08-31 한국생산기술연구원 금속분말 제조장치 및 이를 이용한 금속분말 제조방법
RU210733U1 (ru) * 2022-01-28 2022-04-28 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Устройство для получения порошка на основе карбида бора
JP2023183703A (ja) 2022-06-16 2023-12-28 昭栄化学工業株式会社 金属粉末の製造方法および金属粉末の製造装置
KR102465825B1 (ko) * 2022-09-06 2022-11-09 이용복 열플라즈마를 이용한 금속분말 제조장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE269157C (ja) 1911-12-12
US4076640A (en) * 1975-02-24 1978-02-28 Xerox Corporation Preparation of spheroidized particles
GB2002208B (en) * 1977-08-01 1982-04-28 Thermo Electron Corp Process of and apparatus for producing a particulate product from a feed material
US4376470A (en) 1980-11-06 1983-03-15 Little Giant Industries, Inc. Fiberglass ladder
US4376740A (en) 1981-01-05 1983-03-15 National Research Institute For Metals Process for production fine metal particles
DD269157A1 (de) * 1987-12-28 1989-06-21 Akad Wissenschaften Ddr Plasmareaktor fuer die pyrolyse hochviskoser, teerartiger, kohlenwasserstoffhaltiger produkte
US4990179A (en) * 1990-04-23 1991-02-05 Fmc Corporation Process for increasing the life of carbon crucibles in plasma furnaces
US5147448A (en) * 1990-10-01 1992-09-15 Nuclear Metals, Inc. Techniques for producing fine metal powder
WO1992014576A1 (en) * 1991-02-22 1992-09-03 Idaho Research Foundation Plama production of ultra-fine ceramic carbides
JP3245965B2 (ja) * 1992-05-29 2002-01-15 株式会社村田製作所 銅粉末の製造方法
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
US5514350A (en) 1994-04-22 1996-05-07 Rutgers, The State University Of New Jersey Apparatus for making nanostructured ceramic powders and whiskers
US5855642A (en) * 1996-06-17 1999-01-05 Starmet Corporation System and method for producing fine metallic and ceramic powders
US5782952A (en) * 1996-08-30 1998-07-21 Massachusetts Institute Of Technology Method for production of magnesium
JPH10102109A (ja) * 1996-09-30 1998-04-21 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ニッケル粉末の製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007522347A (ja) * 2004-02-16 2007-08-09 クライマックス・エンジニアード・マテリアルズ・エルエルシー 銀のナノ粒子を生産するための方法および装置
JP2008532761A (ja) * 2005-03-16 2008-08-21 株式会社堀場製作所 純粋粒子生成装置
JP2014139509A (ja) * 2007-05-11 2014-07-31 Sdc Materials Inc 熱交換器、冷却装置及び冷却方法
JP2014518565A (ja) * 2011-04-26 2014-07-31 ヒ スング メタル リミテッド 廃ルテニウム（Ｒｕ）ターゲットを用いた超高純度ルテニウム（Ｒｕ）粉末及びターゲットの製造方法
TWI629124B (zh) * 2011-06-24 2018-07-11 昭榮化學工業股份有限公司 金屬粉末製造用電漿裝置及金屬粉末的製造方法以及金屬粉末
JP2013007096A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Shoei Chem Ind Co 金属粉末製造用プラズマ装置
JPWO2013084650A1 (ja) * 2011-12-06 2015-04-27 昭栄化学工業株式会社 金属粉末製造用プラズマ装置
WO2013157454A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 昭栄化学工業株式会社 金属粉末の製造方法
US9561543B2 (en) 2012-04-20 2017-02-07 Shoei Chemical Inc. Method for manufacturing metal powder
JP2014095136A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Hirosaki Univ 超微細粉末、高強度鋼焼結体及びそれらの製造方法
JP2015187309A (ja) * 2015-06-26 2015-10-29 昭栄化学工業株式会社 金属粉末製造用プラズマ装置及び金属粉末製造方法
KR20180061296A (ko) 2015-10-19 2018-06-07 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말의 제조 방법
US10850330B2 (en) 2015-10-19 2020-12-01 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Process for producing nickel powder
KR20180126453A (ko) 2016-03-18 2018-11-27 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말, 니켈 분말의 제조 방법, 및 니켈 분말을 사용한 내부 전극 페이스트, 및 전자 부품
US11376658B2 (en) 2016-03-18 2022-07-05 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Nickel powder, method for manufacturing nickel powder, internal electrode paste using nickel powder, and electronic component
US11772160B2 (en) 2016-03-18 2023-10-03 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Nickel powder, method for manufacturing nickel powder, internal electrode paste using nickel powder, and electronic component
KR20190084078A (ko) 2016-12-05 2019-07-15 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말의 제조 방법
US11389875B2 (en) 2016-12-05 2022-07-19 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Process for producing nickel powder
JP2019065390A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 三井金属鉱業株式会社 粒子の製造方法
JP7194544B2 (ja) 2017-10-03 2022-12-22 三井金属鉱業株式会社 粒子の製造方法
KR20220038023A (ko) 2019-07-31 2022-03-25 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 니켈 분말, 니켈 분말의 제조 방법
US11850665B2 (en) 2019-07-31 2023-12-26 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Nickel powder and method for producing nickel powder

Also Published As

Publication number Publication date
CA2340669C (en) 2009-04-07
JP3541939B2 (ja) 2004-07-14
WO2000010756A1 (en) 2000-03-02
JP2005163188A (ja) 2005-06-23
US6379419B1 (en) 2002-04-30
DE69907933T2 (de) 2004-04-01
KR100594562B1 (ko) 2006-06-30
EP1115523B1 (en) 2003-05-14
CA2340669A1 (en) 2000-03-02
EP1115523A1 (en) 2001-07-18
ATE240177T1 (de) 2003-05-15
DE69907933D1 (de) 2003-06-18
JP2004036005A (ja) 2004-02-05
KR20010099622A (ko) 2001-11-09
AU5275299A (en) 2000-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3541939B2 (ja) 微細及び超微細の粉体の製造方法及び移行型アークプラズマシステム
US8859931B2 (en) Plasma synthesis of nanopowders
JP5133065B2 (ja) ナノ粉末の誘導プラズマ合成
US9516734B2 (en) Plasma reactor for the synthesis of nanopowders and materials processing
US4812166A (en) Process for producing ultrafine particles of metals, metal compounds and ceramics and apparatus used therefor
US8092570B2 (en) Method for producing titanium metal
KR101408238B1 (ko) 금속분말 제조용 플라즈마 장치
CN1189277C (zh) 常压下制备细粉或超细粉的方法
US20120027955A1 (en) Reactor and method for production of nanostructures
KR20090026512A (ko) 아크 플라즈마 장치를 이용한 니켈 나노분말의 제조방법 및장치
WO1993002787A1 (en) Process for the production of ultra-fine powdered materials
Akashi Progress in thermal plasma deposition of alloys and ceramic fine particles
JPH01306510A (ja) 超微粒子粉末の製造方法の改良
JPS5941772B2 (ja) 超微粉合成炉
Samokhin et al. Characteristics of heat and mass transfer to the wall of a confined-jet plasma flow reactor in the processes of nanopowder preparation from metals and their compounds
Venkatramani Thermal plasmas in material processing
JPH08209456A (ja) 気相成長炭素繊維製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20031027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040220

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20040315

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040323

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040324

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3541939

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080409

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090409

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100409

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110409

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110409

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term