JP2004006750A - 有機半導体材料及び有機電子デバイス - Google Patents
有機半導体材料及び有機電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006750A JP2004006750A JP2003084816A JP2003084816A JP2004006750A JP 2004006750 A JP2004006750 A JP 2004006750A JP 2003084816 A JP2003084816 A JP 2003084816A JP 2003084816 A JP2003084816 A JP 2003084816A JP 2004006750 A JP2004006750 A JP 2004006750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound
- ring
- porphyrin
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 0 **C1=C(*2*34*56)C(N)=C(*)C2=C(*)C(C(N)=C2C7NCC7)=*3C2=C(*)C5=C(*)C(O)=C6C(*)=C2*4=C1C(N)=C2* Chemical compound **C1=C(*2*34*56)C(N)=C(*)C2=C(*)C(C(N)=C2C7NCC7)=*3C2=C(*)C5=C(*)C(O)=C6C(*)=C2*4=C1C(N)=C2* 0.000 description 4
- VIKWMUMXODUGBZ-RERQHWPESA-N C(CC1CC2)C2C2=C1C(/C=C(/C1=C3CC4CC=CC1C4)\N/C3=C\C(C1=C3C4CCC1CC4)=N/C3=C1)=NC2Cc2c(C3C=CC4CC3)c4c1[nH]2 Chemical compound C(CC1CC2)C2C2=C1C(/C=C(/C1=C3CC4CC=CC1C4)\N/C3=C\C(C1=C3C4CCC1CC4)=N/C3=C1)=NC2Cc2c(C3C=CC4CC3)c4c1[nH]2 VIKWMUMXODUGBZ-RERQHWPESA-N 0.000 description 1
- NNZACTZVOFWJOQ-ITWJEDJFSA-N C(CC=C1)C(C2)C1=Cc(cc13)c2cc1C(/C=C(/c1cc(C=C2C=CC=CC2C2)c2cc11)\N/C1=C\C(c(c1c2)cc4c2cc(cccc2)c2c4)=N/C1=C1)=N/C3=C\c2c(cc(cc(cccc3)c3c3)c3c3)c3c1[nH]2 Chemical compound C(CC=C1)C(C2)C1=Cc(cc13)c2cc1C(/C=C(/c1cc(C=C2C=CC=CC2C2)c2cc11)\N/C1=C\C(c(c1c2)cc4c2cc(cccc2)c2c4)=N/C1=C1)=N/C3=C\c2c(cc(cc(cccc3)c3c3)c3c3)c3c1[nH]2 NNZACTZVOFWJOQ-ITWJEDJFSA-N 0.000 description 1
- MCOKYQZSQKNNTH-LZSVNHHPSA-N C/C1=C(\c2ccccc22)/N=C2/C(/C)=C(/c2ccccc22)\N/C2=C(/C)\C(c2ccccc22)=N/C2=C(/C)\c2c(cccc3)c3c1[nH]2 Chemical compound C/C1=C(\c2ccccc22)/N=C2/C(/C)=C(/c2ccccc22)\N/C2=C(/C)\C(c2ccccc22)=N/C2=C(/C)\c2c(cccc3)c3c1[nH]2 MCOKYQZSQKNNTH-LZSVNHHPSA-N 0.000 description 1
- CZYKUTJWKWPVRD-RQIOIXBZSA-N CC(/C=C(/C1=C2C=CCC1)\N/C2=C\C(C1=C2CCC=C1)=N/C2=C\C1=C2C=CCCC2C(C2)N1)c1ccccc1C2N Chemical compound CC(/C=C(/C1=C2C=CCC1)\N/C2=C\C(C1=C2CCC=C1)=N/C2=C\C1=C2C=CCCC2C(C2)N1)c1ccccc1C2N CZYKUTJWKWPVRD-RQIOIXBZSA-N 0.000 description 1
- TYDHMONKCBEMIV-HOSBGKOKSA-N CC(C)(C)c(cc1C(/C=C(/c2ccc(C(C)(C)C)cc22)\S/C2=C\C(c2ccc(C(C)(C)C)cc22)=N/C2=C2)=N3)ccc1/C3=C/c1c(cc(C(C)(C)C)cc3)c3c2[s]1 Chemical compound CC(C)(C)c(cc1C(/C=C(/c2ccc(C(C)(C)C)cc22)\S/C2=C\C(c2ccc(C(C)(C)C)cc22)=N/C2=C2)=N3)ccc1/C3=C/c1c(cc(C(C)(C)C)cc3)c3c2[s]1 TYDHMONKCBEMIV-HOSBGKOKSA-N 0.000 description 1
- ZHMRCESFYIDNTC-RVCUWRNESA-N CCC(C(/C=C(/c1c2cccc1)\O/C2=C\C(c1ccccc11)=N/C1=C1)=N2)=C(C)/C2=C/c2c(cccc3)c3c1[s]2 Chemical compound CCC(C(/C=C(/c1c2cccc1)\O/C2=C\C(c1ccccc11)=N/C1=C1)=N2)=C(C)/C2=C/c2c(cccc3)c3c1[s]2 ZHMRCESFYIDNTC-RVCUWRNESA-N 0.000 description 1
- VTUOTLZDWNNAEC-IGCXSVQUSA-N c(cc1)cc(C(/C=C(/c2c3cccc2)\N/C3=C\C(c2ccccc22)=N/C2=C2)=N3)c1/C3=C/c1c(cccc3)c3c2[o]1 Chemical compound c(cc1)cc(C(/C=C(/c2c3cccc2)\N/C3=C\C(c2ccccc22)=N/C2=C2)=N3)c1/C3=C/c1c(cccc3)c3c2[o]1 VTUOTLZDWNNAEC-IGCXSVQUSA-N 0.000 description 1
- BUTKKVCHKHYEBG-LRZXBFRWSA-N c(cc1)cc(C(/C=C(/c2ccccc22)\O/C2=C\C(c2c3cccc2)=N/C3=C2)=N3)c1/C3=C/c1c(cccc3)c3c2[o]1 Chemical compound c(cc1)cc(C(/C=C(/c2ccccc22)\O/C2=C\C(c2c3cccc2)=N/C3=C2)=N3)c1/C3=C/c1c(cccc3)c3c2[o]1 BUTKKVCHKHYEBG-LRZXBFRWSA-N 0.000 description 1
- RKCAIXNGYQCCAL-FCRFJQPZSA-N c1c(/C=C(/C=C2)\N=C2/C=C(/C=C2)\N/C2=C\C(C=C2)=N/C2=C2)[nH]c2c1 Chemical compound c1c(/C=C(/C=C2)\N=C2/C=C(/C=C2)\N/C2=C\C(C=C2)=N/C2=C2)[nH]c2c1 RKCAIXNGYQCCAL-FCRFJQPZSA-N 0.000 description 1
- GZEFZLXJPGMRSP-IGCXSVQUSA-N c1cc2c(/C=C3\N=C(/C=C(/c4ccccc44)\N/C4=C\C(c4ccccc44)=N/C4=C4)c5ccccc35)[nH]c4c2cc1 Chemical compound c1cc2c(/C=C3\N=C(/C=C(/c4ccccc44)\N/C4=C\C(c4ccccc44)=N/C4=C4)c5ccccc35)[nH]c4c2cc1 GZEFZLXJPGMRSP-IGCXSVQUSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003084816A JP2004006750A (ja) | 2002-03-27 | 2003-03-26 | 有機半導体材料及び有機電子デバイス |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002089425 | 2002-03-27 | ||
| JP2003084816A JP2004006750A (ja) | 2002-03-27 | 2003-03-26 | 有機半導体材料及び有機電子デバイス |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008205635A Division JP2008270843A (ja) | 2002-03-27 | 2008-08-08 | 有機半導体材料及び有機電子デバイス |
| JP2009124554A Division JP2009283943A (ja) | 2002-03-27 | 2009-05-22 | 有機半導体材料及びその製造方法、並びに有機電子デバイス |
| JP2009124553A Division JP4973689B2 (ja) | 2002-03-27 | 2009-05-22 | 有機半導体材料及びその製造方法、並びに有機電子デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004006750A true JP2004006750A (ja) | 2004-01-08 |
| JP2004006750A5 JP2004006750A5 (enExample) | 2005-06-16 |
Family
ID=30446141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003084816A Withdrawn JP2004006750A (ja) | 2002-03-27 | 2003-03-26 | 有機半導体材料及び有機電子デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004006750A (enExample) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005223049A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 |
| JP2005223048A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 |
| JP2005236278A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Kyoto Univ | 有機光電変換デバイス及び有機太陽電池 |
| JP2005259965A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Canon Inc | 有機半導体素子およびその製造方法 |
| JP2005268715A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよびその製造方法 |
| JP2005277203A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界効果トランジスタ |
| JP2005294809A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-10-20 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法、積層体の製造方法 |
| JP2005322895A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-11-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス |
| JP2006032914A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子素子の製造方法および電子素子 |
| JP2006131574A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポルフィリン化合物の製造方法 |
| JP2006151827A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリフィリン化合物の製造方法 |
| JP2006261225A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体材料、それを用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2006339604A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機半導体薄膜の製造方法及び有機半導体薄膜、並びにそれを用いた有機電子デバイス及び有機電界効果トランジスタ |
| US7199237B2 (en) | 2004-08-31 | 2007-04-03 | Sony Corporation | Organic crystal |
| JP2007224019A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-09-06 | Ehime Univ | ビシクロポルフィリン化合物、ビシクロピロール化合物、化合物の製造方法、有機半導体及びその製造方法 |
| JP2007243048A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Sony Corp | 有機半導体素子及び有機半導体薄膜 |
| WO2007126102A1 (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子 |
| WO2008016085A1 (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | イソインドール類およびそれから得られる化合物、並びにそれらの製造方法 |
| US7435989B2 (en) | 2005-09-06 | 2008-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound |
| JP2008266287A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-11-06 | Ehime Univ | π共役環状化合物およびその製造方法 |
| US7491967B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member |
| JP2009059796A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子及びその製造方法 |
| WO2009034971A1 (ja) | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Fujifilm Corporation | 置換基脱離化合物の製造方法、有機半導体膜およびその製造方法 |
| US7586117B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing same |
| JP2010251472A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機縦型トランジスタ |
| US7838872B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic thin film transistor array panel |
| US7863081B2 (en) | 2003-08-28 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of manufacturing the same |
| US7960716B2 (en) | 2004-03-10 | 2011-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing the same |
| JP2012180294A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | テトラビシクロポルフィリンバナジル錯体の製造方法、半導体層形成用組成物、電子デバイスの製造方法、太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2014212308A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 接続構造及びその製造方法、半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207975A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Seiko Epson Corp | 分子エレクトロニクス装置 |
| JPH09116163A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH10125924A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子 |
| JP2003327588A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-11-19 | Canon Inc | 新規化合物とその合成方法、インク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置、記録方法、液体組成物、パターン形成方法、物品、環境履歴検知方法及び記録媒体 |
-
2003
- 2003-03-26 JP JP2003084816A patent/JP2004006750A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207975A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Seiko Epson Corp | 分子エレクトロニクス装置 |
| JPH09116163A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH10125924A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子 |
| JP2003327588A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-11-19 | Canon Inc | 新規化合物とその合成方法、インク、インクカートリッジ、記録ユニット、インクジェット記録装置、記録方法、液体組成物、パターン形成方法、物品、環境履歴検知方法及び記録媒体 |
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7863081B2 (en) | 2003-08-28 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of manufacturing the same |
| JP2005236278A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Kyoto Univ | 有機光電変換デバイス及び有機太陽電池 |
| JP2005223049A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 |
| JP2005223048A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置 |
| US8021915B2 (en) | 2004-03-10 | 2011-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member |
| JP2005294809A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-10-20 | Canon Inc | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法、積層体の製造方法 |
| US7491967B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member |
| US7960716B2 (en) | 2004-03-10 | 2011-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing the same |
| JP2005259965A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Canon Inc | 有機半導体素子およびその製造方法 |
| JP2005268715A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよびその製造方法 |
| US7791069B2 (en) | 2004-03-24 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing same |
| US7586117B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor and method of producing same |
| JP2005277203A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界効果トランジスタ |
| JP2005322895A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-11-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス |
| JP2006032914A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-02-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子素子の製造方法および電子素子 |
| US7199237B2 (en) | 2004-08-31 | 2007-04-03 | Sony Corporation | Organic crystal |
| US7790879B2 (en) | 2004-08-31 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Organic crystal |
| JP2006131574A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポルフィリン化合物の製造方法 |
| JP2006151827A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリフィリン化合物の製造方法 |
| US7838872B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic thin film transistor array panel |
| US8039296B2 (en) | 2005-03-09 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| JP2006261225A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Ricoh Co Ltd | 有機半導体材料、それを用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2006339604A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機半導体薄膜の製造方法及び有機半導体薄膜、並びにそれを用いた有機電子デバイス及び有機電界効果トランジスタ |
| US7435989B2 (en) | 2005-09-06 | 2008-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound |
| JP2007224019A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-09-06 | Ehime Univ | ビシクロポルフィリン化合物、ビシクロピロール化合物、化合物の製造方法、有機半導体及びその製造方法 |
| JP2007243048A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Sony Corp | 有機半導体素子及び有機半導体薄膜 |
| WO2007126102A1 (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子 |
| WO2008016085A1 (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | イソインドール類およびそれから得られる化合物、並びにそれらの製造方法 |
| JP2008266287A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-11-06 | Ehime Univ | π共役環状化合物およびその製造方法 |
| JP2009059796A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光電変換素子及びその製造方法 |
| WO2009034971A1 (ja) | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Fujifilm Corporation | 置換基脱離化合物の製造方法、有機半導体膜およびその製造方法 |
| JP2010251472A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機縦型トランジスタ |
| JP2012180294A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | テトラビシクロポルフィリンバナジル錯体の製造方法、半導体層形成用組成物、電子デバイスの製造方法、太陽電池及び太陽電池モジュール |
| JP2014212308A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-11-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 接続構造及びその製造方法、半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8304283B2 (en) | Method for producing organic electronic device including converting a precursor for a semiconductor layer | |
| JP2004006750A (ja) | 有機半導体材料及び有機電子デバイス | |
| US8236998B2 (en) | Polyacene compound and organic semiconductor thin film | |
| JP2003304014A (ja) | 有機電子デバイス及びその作製方法 | |
| JP2003304014A5 (enExample) | ||
| JP5840197B2 (ja) | 有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料 | |
| WO2010058833A1 (ja) | 新規な複素環式化合物及びその利用 | |
| JP2014522393A (ja) | 有機半導体材料 | |
| JP6558777B2 (ja) | 有機化合物及びその用途 | |
| JPWO2012115218A1 (ja) | ジアントラ［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェンの製造方法並びにその用途 | |
| JP4415541B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP6592758B2 (ja) | 新規な縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
| JP4973689B2 (ja) | 有機半導体材料及びその製造方法、並びに有機電子デバイス | |
| JP2005079204A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP4961660B2 (ja) | 銅ポルフィリン化合物を用いた電界効果トランジスタ | |
| JP5044226B2 (ja) | ビシクロポルフィリン化合物、ビシクロピロール化合物、化合物の製造方法、有機半導体及びその製造方法 | |
| JP2009215547A (ja) | 有機顔料前駆体及びそれを用いた有機顔料の製造方法、有機顔料を用いた有機電子素子の製造方法、並びに新規な化合物 | |
| WO2013031468A1 (ja) | 複素環式化合物及びその利用 | |
| JP4401826B2 (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP6592863B2 (ja) | 有機化合物及びその用途 | |
| JP6572473B2 (ja) | 有機化合物及びその用途 | |
| JPWO2012165612A1 (ja) | 有機半導体材料及び有機エレクトロニクスデバイス | |
| JP5012783B2 (ja) | 有機電子デバイス及びその作製方法 | |
| JP2005277029A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| 中原勝正 | Synthesis of Oxygen-Bridged π-Electronic Materials and Their Application to Organic Electronic Devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040914 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080808 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090331 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090522 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090602 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090710 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110720 |