JP2003304014A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003304014A5
JP2003304014A5 JP2002104639A JP2002104639A JP2003304014A5 JP 2003304014 A5 JP2003304014 A5 JP 2003304014A5 JP 2002104639 A JP2002104639 A JP 2002104639A JP 2002104639 A JP2002104639 A JP 2002104639A JP 2003304014 A5 JP2003304014 A5 JP 2003304014A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
compound
bicyclo
organic
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002104639A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2003304014A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002104639A priority Critical patent/JP2003304014A/ja
Priority claimed from JP2002104639A external-priority patent/JP2003304014A/ja
Priority to US10/396,512 priority patent/US7193237B2/en
Publication of JP2003304014A publication Critical patent/JP2003304014A/ja
Publication of JP2003304014A5 publication Critical patent/JP2003304014A5/ja
Priority to US11/671,085 priority patent/US20070145361A1/en
Priority to US12/577,864 priority patent/US8304283B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2002104639A 2002-03-27 2002-04-08 有機電子デバイス及びその作製方法 Withdrawn JP2003304014A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002104639A JP2003304014A (ja) 2002-04-08 2002-04-08 有機電子デバイス及びその作製方法
US10/396,512 US7193237B2 (en) 2002-03-27 2003-03-26 Organic semiconductor material and organic electronic device
US11/671,085 US20070145361A1 (en) 2002-03-27 2007-02-05 Organic semiconductor material and organic electronic device
US12/577,864 US8304283B2 (en) 2002-03-27 2009-10-13 Method for producing organic electronic device including converting a precursor for a semiconductor layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002104639A JP2003304014A (ja) 2002-04-08 2002-04-08 有機電子デバイス及びその作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008323252A Division JP5012783B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 有機電子デバイス及びその作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003304014A JP2003304014A (ja) 2003-10-24
JP2003304014A5 true JP2003304014A5 (enExample) 2005-06-16

Family

ID=29389769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002104639A Withdrawn JP2003304014A (ja) 2002-03-27 2002-04-08 有機電子デバイス及びその作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003304014A (enExample)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079203A (ja) 2003-08-28 2005-03-24 Canon Inc 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP2005150156A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Toshiba Corp 磁気記憶装置
US7491967B2 (en) 2004-03-10 2009-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor, method of producing the same, and method of producing laminated member
JP4401826B2 (ja) 2004-03-10 2010-01-20 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP4401836B2 (ja) 2004-03-24 2010-01-20 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP2005322895A (ja) * 2004-04-09 2005-11-17 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス
US8178397B2 (en) 2004-11-11 2012-05-15 Mitsubishi Chemical Corporation Field effect transistor
JP2006165533A (ja) * 2004-11-11 2006-06-22 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
JP2006303423A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Mitsubishi Chemicals Corp 電界効果トランジスタ
JP4696700B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-08 三菱化学株式会社 有機半導体薄膜の製造方法、有機電子デバイスの製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法
US7435989B2 (en) 2005-09-06 2008-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device with layer containing polysiloxane compound
US7695999B2 (en) * 2005-09-06 2010-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Production method of semiconductor device
US9385333B2 (en) 2006-01-06 2016-07-05 Fuji Electric Co., Ltd. Process for producing thin film field-effect transistor
JP5044226B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-10 国立大学法人愛媛大学 ビシクロポルフィリン化合物、ビシクロピロール化合物、化合物の製造方法、有機半導体及びその製造方法
JP5243714B2 (ja) * 2006-11-29 2013-07-24 三菱化学株式会社 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
JP2007324587A (ja) * 2006-05-02 2007-12-13 Mitsubishi Chemicals Corp 有機光電変換素子の製造方法
KR101165656B1 (ko) * 2006-05-02 2012-07-16 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 유기 광전 변환 소자의 제조 방법 및 유기 광전 변환 소자
JP2008016834A (ja) * 2006-06-09 2008-01-24 Mitsubishi Chemicals Corp 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
US7829375B2 (en) 2007-07-18 2010-11-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor
CN101855740A (zh) 2007-09-12 2010-10-06 富士胶片株式会社 制造脱取代的化合物的方法、有机半导体膜和其制造方法
JP2009105336A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Mitsubishi Chemicals Corp 膜の製造方法、有機電子素子の製造方法及びナフタロシアニン膜
JP4992975B2 (ja) 2008-06-16 2012-08-08 東レ株式会社 パターニング方法およびこれを用いたデバイスの製造方法ならびにデバイス
WO2010016331A1 (ja) 2008-08-05 2010-02-11 東レ株式会社 デバイスの製造方法
JP5531243B2 (ja) * 2009-01-23 2014-06-25 三菱化学株式会社 半導体デバイスの製造方法及び太陽電池
EP2418684A4 (en) 2009-04-10 2016-12-14 Mitsubishi Chem Corp FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR ITS MANUFACTURE AND ELECTRONIC DEVICE THEREFOR
JP2011074161A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Mitsubishi Chemicals Corp ジアザポルフィリン化合物又はその塩、半導体材料、膜、電子デバイス、電界効果トランジスタ、及び光電変換素子
KR20120113747A (ko) 2009-12-03 2012-10-15 도레이 카부시키가이샤 도너 기판, 패터닝 방법 및 디바이스의 제조 방법
WO2011125570A1 (ja) 2010-03-31 2011-10-13 東レ株式会社 転写用ドナー基板、デバイスの製造方法および有機ｅｌ素子
JP2012231149A (ja) * 2012-06-05 2012-11-22 Mitsubishi Chemicals Corp 有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
CN105190909A (zh) 2013-04-12 2015-12-23 Selmo日本娱乐公司 光电转换元件、具有蓄放电功能的光电转换元件以及二次电池
JP6455007B2 (ja) 2013-08-29 2019-01-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ゲート絶縁膜、有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
JP6455008B2 (ja) 2013-08-29 2019-01-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ゲート絶縁膜、有機薄膜トランジスタ、及び有機薄膜トランジスタの製造方法
WO2018025914A1 (ja) * 2016-08-03 2018-02-08 日本碍子株式会社 反応生成物の製法
CN113659076A (zh) * 2021-07-27 2021-11-16 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 畴壁存储器的制备方法以及畴壁存储器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003304014A (ja) 有機電子デバイス及びその作製方法
US8304283B2 (en) Method for producing organic electronic device including converting a precursor for a semiconductor layer
JP2004006750A (ja) 有機半導体材料及び有機電子デバイス
JP5840197B2 (ja) 有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料
JPWO2003016599A1 (ja) 有機半導体素子
CN101432904B (zh) 有机光电转换元件的制造方法和有机光电转换元件
JP2005328030A (ja) 半導体デバイス作製用インク、及びそれを用いた半導体デバイスの作製方法
JP6558777B2 (ja) 有機化合物及びその用途
JP2008226959A (ja) 有機電界効果トランジスタの製造方法、及び、有機電界効果トランジスタ
JP4415541B2 (ja) 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP5180723B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ
JP4961660B2 (ja) 銅ポルフィリン化合物を用いた電界効果トランジスタ
JP6592758B2 (ja) 新規な縮合多環芳香族化合物及びその用途
JP2005079204A (ja) 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
KR101192615B1 (ko) 전계 효과 트랜지스터
JP4973689B2 (ja) 有機半導体材料及びその製造方法、並びに有機電子デバイス
JP2009033126A (ja) 有機トランジスタ材料および有機電界効果型トランジスタ
JP5012783B2 (ja) 有機電子デバイス及びその作製方法
JP4401826B2 (ja) 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP4506228B2 (ja) 有機電界効果トランジスタ、表示素子及び電子ペーパー
JP2006165533A (ja) 電界効果トランジスタ
JP4736352B2 (ja) 電界効果トランジスタ
JP2005322895A (ja) 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス
JP2006303423A (ja) 電界効果トランジスタ
JP2005079203A (ja) 電界効果型トランジスタおよびその製造方法