JP2003529215A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JP2003529215A JP2003529215A JP2001571432A JP2001571432A JP2003529215A JP 2003529215 A JP2003529215 A JP 2003529215A JP 2001571432 A JP2001571432 A JP 2001571432A JP 2001571432 A JP2001571432 A JP 2001571432A JP 2003529215 A JP2003529215 A JP 2003529215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- voltage
- forming
- solid electrolyte
- electrolyte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 19
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 10
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 9
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 abstract 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- -1 but not limited to Chemical compound 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLGQHZOFMJRAFO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) toluene sulfate Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C.S(=O)(=O)([O-])[O-].[Fe+2] FLGQHZOFMJRAFO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AWRGYUYRFKKAID-UHFFFAOYSA-L iron(2+);phenylmethanesulfonate Chemical compound [Fe+2].[O-]S(=O)(=O)CC1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)CC1=CC=CC=C1 AWRGYUYRFKKAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
固体高分子電解質で作製されたコンデンサ素子は、高分子電解質の連続する層の間の含浸段階の際に、形成電圧の約60％から85％において改質された場合、漏れ電流の減少を示す。
Description
【０００１】発明の分野
本発明は、ドーピングされた（doped）高分子対電極で作製された弁金属コン
デンサとその製造方法に関する。
デンサとその製造方法に関する。
【０００２】発明の背景
現代のコンデンサは、通常はアルミニウムやタンタルの弁金属または膜から始
まる層化構造を有する。この膜の表面は通常、制御条件（「陽極処理（anodizin
g）」）下で酸化され、酸化された陽極金属で作製された高表面積誘電層を形成
する。誘電体上に固体対電極が取り付けられ、かつ対電極上に金属電極が形成さ
れる。
まる層化構造を有する。この膜の表面は通常、制御条件（「陽極処理（anodizin
g）」）下で酸化され、酸化された陽極金属で作製された高表面積誘電層を形成
する。誘電体上に固体対電極が取り付けられ、かつ対電極上に金属電極が形成さ
れる。
【０００３】
陽極処理誘電体を形成するために、タンタルコンデンサは、焼結された粉末コ
ンパクト（compacts）から作製され、適切な電流密度下、電解液中で懸濁、すな
わち陽極処理されることが多い。この陽極処理段階は、通常は鉱酸（mineral ac
id）の希釈された水溶液もしくは混合された水／エチレングリコール溶液また鉱
酸（たとえば、リン酸、硫酸、硝酸または塩酸）の塩から成る電解液中で、部品
の定格電圧の3倍から4倍の印可電圧で、約95℃までの温度で行われうる。最良の
結果（すなわち、最高の誘電品質）をもたらす傾向のある電解液は、50体積％〜
60体積％のエチレングリコールまたはポリエチレングリコールおよび、0.5体積
％〜2体積％またはそれ以上のリン酸とを含むことが多く、80℃から90℃の間の
温度に維持される。陽極処理方法の目的は、陽極の表面上に固体誘電層を形成す
ることである。次いで、誘電体は対電極で覆われ、その後炭素および銀の層で覆
われる。
ンパクト（compacts）から作製され、適切な電流密度下、電解液中で懸濁、すな
わち陽極処理されることが多い。この陽極処理段階は、通常は鉱酸（mineral ac
id）の希釈された水溶液もしくは混合された水／エチレングリコール溶液また鉱
酸（たとえば、リン酸、硫酸、硝酸または塩酸）の塩から成る電解液中で、部品
の定格電圧の3倍から4倍の印可電圧で、約95℃までの温度で行われうる。最良の
結果（すなわち、最高の誘電品質）をもたらす傾向のある電解液は、50体積％〜
60体積％のエチレングリコールまたはポリエチレングリコールおよび、0.5体積
％〜2体積％またはそれ以上のリン酸とを含むことが多く、80℃から90℃の間の
温度に維持される。陽極処理方法の目的は、陽極の表面上に固体誘電層を形成す
ることである。次いで、誘電体は対電極で覆われ、その後炭素および銀の層で覆
われる。
【０００４】
固体対電極層は（誘電層と炭素／銀との間の電気的接続を提供するための）適
切な導電および絶縁（すなわち、さもなくば陽極と電極の間で漏電を引き起こす
誘電層における欠陥の閉じこめ）の間の平衡を表す。工業用の使用においては、
これらの機能は、漏れ電流が電圧とキャパシタンス（マイクロファラド単位）の
積の1％未満、すなわち＜0.01CVで実行される必要がある。漏れ電流は、電流が
誘電層を介して流れるのを可能にするピンホール表面欠陥によってもたらされる
と考えられる。
切な導電および絶縁（すなわち、さもなくば陽極と電極の間で漏電を引き起こす
誘電層における欠陥の閉じこめ）の間の平衡を表す。工業用の使用においては、
これらの機能は、漏れ電流が電圧とキャパシタンス（マイクロファラド単位）の
積の1％未満、すなわち＜0.01CVで実行される必要がある。漏れ電流は、電流が
誘電層を介して流れるのを可能にするピンホール表面欠陥によってもたらされる
と考えられる。
【０００５】
固体対電極として通常使用される材料の1つは、二酸化マンガンである。二酸
化マンガンは、導電率はいくらか低いが、欠陥のために欠陥部位の近傍で短時間
の局所的な加熱が引き起こされた場合、電気絶縁体になる。導電率を相殺するた
めに、二酸化マンガンは導電性の有機複合体と混合されることが多い。米国特許
第5,567,209号を参照されたい。
化マンガンは、導電率はいくらか低いが、欠陥のために欠陥部位の近傍で短時間
の局所的な加熱が引き起こされた場合、電気絶縁体になる。導電率を相殺するた
めに、二酸化マンガンは導電性の有機複合体と混合されることが多い。米国特許
第5,567,209号を参照されたい。
【０００６】
二酸化マンガンは、陽極を硝酸マンガンで含浸し、硝酸塩を酸化物へと熱分解
し、陽極を改質することによって、陽極酸化物膜の表面上に固体電解質として形
成される。改質の目的は、制御されたやり方で漏れ電流を減少させることである
。通常、改質は、最初の形成電圧の50％〜55％未満の印可電圧を含む条件で二酸
化マンガンを用いて行われる。
し、陽極を改質することによって、陽極酸化物膜の表面上に固体電解質として形
成される。改質の目的は、制御されたやり方で漏れ電流を減少させることである
。通常、改質は、最初の形成電圧の50％〜55％未満の印可電圧を含む条件で二酸
化マンガンを用いて行われる。
【０００７】
より抵抗率の低い固体電解質を求めて、二酸化マンガンは、ドーパント材料を
含んでも含まなくてもよい導電性膜形成有機材料（たとえば、ポリアセチレン、
ポリ-p-フェニレン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびポリアニリン、な
らびにそれらの誘導体）で置換されている。その開示が参照として本明細書に組
み入れられている、米国特許第5,567,209号および第5,436,796号を参照されたい
。
含んでも含まなくてもよい導電性膜形成有機材料（たとえば、ポリアセチレン、
ポリ-p-フェニレン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびポリアニリン、な
らびにそれらの誘導体）で置換されている。その開示が参照として本明細書に組
み入れられている、米国特許第5,567,209号および第5,436,796号を参照されたい
。
【０００８】
米国特許第5,567,209号では、重合段階の前に、タンタルコンデンサをポリア
ニリン塩単量体溶液で繰り返し含浸する。炭素または黒鉛ペーストを塗布するこ
ともできる。実施例1では、48Vの形成電圧を示し、実施例2では13Vの形成電圧を
同定している。どの実施例においても、改質電圧は使用されていない。
ニリン塩単量体溶液で繰り返し含浸する。炭素または黒鉛ペーストを塗布するこ
ともできる。実施例1では、48Vの形成電圧を示し、実施例2では13Vの形成電圧を
同定している。どの実施例においても、改質電圧は使用されていない。
【０００９】
米国特許第5,436,796号では、より少ないポリアニリン及び10％〜300％の第2
の重合体とを含む導電性複合膜を使用する固体電解コンデンサについて説明され
ている。第2の重合体は、ポリアニリンのみからの漏れ電流（0.1CV〜0.5CV）を0
.001CVまたはそれ以下に低減させるのを助けるといわれている。高分子膜は陽極
表面上に形成され、副生成物が洗浄され、高温で乾燥され、かつ電極パターンが
プリントされる。実施例2〜実施例4では、90％の相対湿度の雰囲気下で、形成さ
れた容量素子に形成電圧の70％の改質電圧を印可すると、キャパシタの漏れ電流
値が低減されることが示される。
の重合体とを含む導電性複合膜を使用する固体電解コンデンサについて説明され
ている。第2の重合体は、ポリアニリンのみからの漏れ電流（0.1CV〜0.5CV）を0
.001CVまたはそれ以下に低減させるのを助けるといわれている。高分子膜は陽極
表面上に形成され、副生成物が洗浄され、高温で乾燥され、かつ電極パターンが
プリントされる。実施例2〜実施例4では、90％の相対湿度の雰囲気下で、形成さ
れた容量素子に形成電圧の70％の改質電圧を印可すると、キャパシタの漏れ電流
値が低減されることが示される。
【００１０】
顕著な資本支出なしで既存の製造ラインと容易に一体化されうる高分子電解質
を含む容量素子の効率的な製造方法を有すると有用であると考えられる。
を含む容量素子の効率的な製造方法を有すると有用であると考えられる。
【００１１】発明の概要
本発明の目的は、現在利用可能な対電極よりも漏れ電流が減少した導電性高分
子固体対電極を含む容量素子を作製する方法を提供することである。
子固体対電極を含む容量素子を作製する方法を提供することである。
【００１２】
他の目的は、製造ラインがわずかに変更されただけで、顕著な資本支出のない
このようなコンデンサを作製することである。
このようなコンデンサを作製することである。
【００１３】
本明細書における説明から明らかになると考えられる本発明のこの目的および
その他の目的によれば、本発明のコンデンサ素子は、以下の段階を含む方法によ
り作製される： a.第1の電解液中で、焼結された弁金属粉末の陽極本体に第1の電圧で形成電流
を与える段階； b.陽極を導電性高分子固体電解質で被覆する段階； c.重合体で被覆された陽極を第2の電解液中で懸濁し、形成電圧の約60％〜85
％の範囲内の改質電圧を印可することによって、重合体で被覆された陽極を改質
する段階；及び d.段階bおよび段階cを少なくとも2回繰り返す段階。
その他の目的によれば、本発明のコンデンサ素子は、以下の段階を含む方法によ
り作製される： a.第1の電解液中で、焼結された弁金属粉末の陽極本体に第1の電圧で形成電流
を与える段階； b.陽極を導電性高分子固体電解質で被覆する段階； c.重合体で被覆された陽極を第2の電解液中で懸濁し、形成電圧の約60％〜85
％の範囲内の改質電圧を印可することによって、重合体で被覆された陽極を改質
する段階；及び d.段階bおよび段階cを少なくとも2回繰り返す段階。
【００１４】
改質段階cを、標準的な製造において、漏れ電流がより減少するという特性を
有する導電性固体電解質を有するコンデンサを形成するのに十分な3回から4回の
反復回数だけ繰り返すことができる。段階dの後、外側重合体層を塗布し、次い
で電極パターンを形成することによって陽極が完成される。
有する導電性固体電解質を有するコンデンサを形成するのに十分な3回から4回の
反復回数だけ繰り返すことができる。段階dの後、外側重合体層を塗布し、次い
で電極パターンを形成することによって陽極が完成される。
【００１５】発明の詳細な説明
本発明のコンデンサ要素は、焼結され、形成電圧で形成され、導電性重合体で
被覆され、形成電圧の約60％〜85％である改質電圧で改質され、少なくともさら
に2回被覆／改質されて仕上げられる、弁金属粉末で作製される。高分子コーテ
ィング形成時の、高い改質電圧および各層間の比較的攻撃的な（aggressive）改
質条件により、現在利用可能な重合体含有容量素子と比べて低い漏れ電流値を示
す重合体に基づく容量素子が得られる。
被覆され、形成電圧の約60％〜85％である改質電圧で改質され、少なくともさら
に2回被覆／改質されて仕上げられる、弁金属粉末で作製される。高分子コーテ
ィング形成時の、高い改質電圧および各層間の比較的攻撃的な（aggressive）改
質条件により、現在利用可能な重合体含有容量素子と比べて低い漏れ電流値を示
す重合体に基づく容量素子が得られる。
【００１６】
図1は、典型的な容量素子の層を示している。焼結された弁金属粉末から調製
された陽極が誘電層で覆われ、その結果該誘電層が導電性重合体で覆われる。銀
および炭素により電極パターンが固体電解質の頂部に塗布される。
された陽極が誘電層で覆われ、その結果該誘電層が導電性重合体で覆われる。銀
および炭素により電極パターンが固体電解質の頂部に塗布される。
【００１７】
図2は、本発明による好ましい方法の流れ図である。陽極は既知の方法により
調製される。通常陽極は、電解質内に配置された、焼結されプレスされた粉末か
ら形成され、形成電圧に供される。
調製される。通常陽極は、電解質内に配置された、焼結されプレスされた粉末か
ら形成され、形成電圧に供される。
【００１８】
次いで、陽極が単量体および酸化剤／ドーパントに含浸され、単量体が重合す
るまで加熱される。副生成物は除去される。含浸段階、重合段階、および副生成
物除去段階は、好ましくは約3回から4回繰り返される。次に、陽極は酸性溶液中
に配置され、形成電圧の約60％から85％である改質電圧が印可される。その後、
陽極は含浸段階、重合段階、及び副生成物除去段階の繰り返し、ならびにさらに
数回の改質段階に供される。
るまで加熱される。副生成物は除去される。含浸段階、重合段階、および副生成
物除去段階は、好ましくは約3回から4回繰り返される。次に、陽極は酸性溶液中
に配置され、形成電圧の約60％から85％である改質電圧が印可される。その後、
陽極は含浸段階、重合段階、及び副生成物除去段階の繰り返し、ならびにさらに
数回の改質段階に供される。
【００１９】
最後に、重合体層ならびに炭素・銀塗料が陽極に塗布される。最終産物はエポ
キシで密閉される。
キシで密閉される。
【００２０】
容量素子が形成される弁金属は、好ましくは、アルミニウム、タンタル、また
はニオビウムである。適切な粉末サイズは0.5ミクロンから5ミクロンの範囲内で
ある。理論密度の約30％から70％の密度を持つグリーン（green）陽極本体を形
成するために、これらの粉末は、結合剤を用いて、または結合剤を用いずにプレ
スされる。次いで、グリーン体は約1250℃から1500℃の範囲内の温度で焼結され
る。
はニオビウムである。適切な粉末サイズは0.5ミクロンから5ミクロンの範囲内で
ある。理論密度の約30％から70％の密度を持つグリーン（green）陽極本体を形
成するために、これらの粉末は、結合剤を用いて、または結合剤を用いずにプレ
スされる。次いで、グリーン体は約1250℃から1500℃の範囲内の温度で焼結され
る。
【００２１】
次に、焼結された陽極は、素子の定格電圧の約3倍から4倍の形成電圧において
電解液中で焼結体を懸濁することによって、陽極本体に「形成」される。たとえ
ば、10Vと見積もられた典型的な部品は、30Vから40V、通常は35Vで形成される。
適切な電解液には、濃厚剤、溶剤、助溶剤、表面活性剤、または従来のその他の
添加剤を含んでも含まなくてもよい、リン酸または硝酸アンモニウムが含まれる
。
電解液中で焼結体を懸濁することによって、陽極本体に「形成」される。たとえ
ば、10Vと見積もられた典型的な部品は、30Vから40V、通常は35Vで形成される。
適切な電解液には、濃厚剤、溶剤、助溶剤、表面活性剤、または従来のその他の
添加剤を含んでも含まなくてもよい、リン酸または硝酸アンモニウムが含まれる
。
【００２２】
陽極が形成されると、ドーピングされてもドーピングされなくてもよい1つま
たは複数の導電性重合体層で被覆される。適切な重合体にはポリアニリン、ポリ
チオフェン、ポリフラン、およびポリピロールならびにそれらの誘導体が含まれ
る。最も好ましい重合体はポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)である。
たは複数の導電性重合体層で被覆される。適切な重合体にはポリアニリン、ポリ
チオフェン、ポリフラン、およびポリピロールならびにそれらの誘導体が含まれ
る。最も好ましい重合体はポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)である。
【００２３】
重合体は、適切な単量体と酸化剤を反応させることによって形成される。適切
な単量体にはアニリン、チオフェン、フラン、およびピロール、好ましくは3,4-
エチレンジオキシチオフェンが含まれる。適切な酸化剤にはFe3＋、Ce4＋、過酸
化水素、過硫酸塩が含まれる。
な単量体にはアニリン、チオフェン、フラン、およびピロール、好ましくは3,4-
エチレンジオキシチオフェンが含まれる。適切な酸化剤にはFe3＋、Ce4＋、過酸
化水素、過硫酸塩が含まれる。
【００２４】
導電性重合体と組み合わせることのできる適切な酸化剤／ドーパント（以下、
酸化剤）には、適度に強い酸から強酸までの陰イオンが含まれる。例として、ス
ルホン酸（たとえば、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、及び
カンフルスルホン酸）およびカルボン酸（たとえば、酢酸及びシュウ酸）の陰イ
オンが含まれるが、これらに限定されない。好ましい陰イオンは硫酸鉄トルエン
である。
酸化剤）には、適度に強い酸から強酸までの陰イオンが含まれる。例として、ス
ルホン酸（たとえば、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、及び
カンフルスルホン酸）およびカルボン酸（たとえば、酢酸及びシュウ酸）の陰イ
オンが含まれるが、これらに限定されない。好ましい陰イオンは硫酸鉄トルエン
である。
【００２５】
単量体および任意の酸化剤は、これらに限定されないが、ブタノール、イソプ
ロパノール、及びそれらの混合物などのアルコールなどの溶剤中で溶解される。
次いで溶液が加熱され、単量体が重合する。加熱は一般に、陽極の特性に悪影響
を与えずに単量体を重合させるのに十分な、わずかに高い温度で行われる。適切
な重合温度は、約20℃から約120℃、好ましくは約25℃から70℃の範囲内である
。
ロパノール、及びそれらの混合物などのアルコールなどの溶剤中で溶解される。
次いで溶液が加熱され、単量体が重合する。加熱は一般に、陽極の特性に悪影響
を与えずに単量体を重合させるのに十分な、わずかに高い温度で行われる。適切
な重合温度は、約20℃から約120℃、好ましくは約25℃から70℃の範囲内である
。
【００２６】
加熱後、最終的な容量素子においては望ましくない残留単量体または副生成物
材料が存在しうる。このような材料は、水、溶剤、および／または表面活性剤を
用いて洗浄することによって容易に除去される。
材料が存在しうる。このような材料は、水、溶剤、および／または表面活性剤を
用いて洗浄することによって容易に除去される。
【００２７】
重合は任意の回数だけ繰り返され、所望の量の重合体が蓄積される。一般に、
含浸段階、加熱段階、および洗浄段階を3回から4回繰り返すことによって膜が蓄
積される。
含浸段階、加熱段階、および洗浄段階を3回から4回繰り返すことによって膜が蓄
積される。
【００２８】
重合体で被覆された陽極が形成されたら、陽極の形成時に最初に印可されたDC
電圧の60％から85％の、好ましくは68％から75％の印可DC電圧により酸性溶液中
で改質される。酸は、その陰イオンが重合体中のドーパント、たとえば、トルエ
ンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びカンフルスルホン酸として使
用された有機酸であるのが好ましい。他の適切な酸にはリン酸、硫酸、および硝
酸が含まれる。
電圧の60％から85％の、好ましくは68％から75％の印可DC電圧により酸性溶液中
で改質される。酸は、その陰イオンが重合体中のドーパント、たとえば、トルエ
ンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びカンフルスルホン酸として使
用された有機酸であるのが好ましい。他の適切な酸にはリン酸、硫酸、および硝
酸が含まれる。
【００２９】
次いで、改質された容量素子が仕上げられ、ストック部品が作製される。仕上
げには通常、ドーピングされた固体対電極重合体の外側コーティングの塗布、及
び、その後の炭素および銀で形成された電極パターン層の塗布が必要となる。最
後に、陽極はリードフレームに取り付けられ、次いでエポキシなどの非導電性材
料で密閉される。
げには通常、ドーピングされた固体対電極重合体の外側コーティングの塗布、及
び、その後の炭素および銀で形成された電極パターン層の塗布が必要となる。最
後に、陽極はリードフレームに取り付けられ、次いでエポキシなどの非導電性材
料で密閉される。
【００３０】
以下の実施例は、本発明を例示するために与えられており、添付の特許請求の
範囲の制限を意図したものではない。
範囲の制限を意図したものではない。
【００３１】実施例 実施例1
タンタル陽極をプレスし、焼結し、リン酸電解液中で35Vおよび80℃で形成し
た。陽極のキャパシタンスは47μfであった（対照）。
た。陽極のキャパシタンスは47μfであった（対照）。
【００３２】
次いで、ブタノールおよびイソプロパノールの溶剤中の3,4-エチレンジオキシ
チオフェンおよび鉄トルエンスルホン酸（iron toluene sulfonate）を含む溶液
中に陽極を浸漬することによって、陽極を含浸した。陽極を炉に入れ、65℃に加
熱して導電性重合体であるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)（PEDT）を形
成し、副生成物を洗浄した。一連の操作をさらに3回繰り返して、適切な厚さのP
EDT層を作製した。PEDTで被覆された陽極をリード線に取り付け、トルエンスル
ホン酸の1％溶液中で24V（形成電圧の69％）の電位を印可して15分間懸濁した。
一連の操作をさらに3回繰り返し、各層間の改質段階によって、合計で4つのPEDT
層を作製した。
チオフェンおよび鉄トルエンスルホン酸（iron toluene sulfonate）を含む溶液
中に陽極を浸漬することによって、陽極を含浸した。陽極を炉に入れ、65℃に加
熱して導電性重合体であるポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)（PEDT）を形
成し、副生成物を洗浄した。一連の操作をさらに3回繰り返して、適切な厚さのP
EDT層を作製した。PEDTで被覆された陽極をリード線に取り付け、トルエンスル
ホン酸の1％溶液中で24V（形成電圧の69％）の電位を印可して15分間懸濁した。
一連の操作をさらに3回繰り返し、各層間の改質段階によって、合計で4つのPEDT
層を作製した。
【００３３】
被覆され改質された陽極の外側に、PEDT分散液および銀電極塗料を塗布した。
【００３４】実施例2
陽極に改質処理を施さなかったことを除いて、実施例1の方法を繰り返した。
【００３５】実施例3
各段階ごとの改質の際の電圧が、1％リン酸中で17V（形成電圧の49％）であっ
たことを除いて、実施例1の方法を繰り返した。
たことを除いて、実施例1の方法を繰り返した。
【００３６】
表1は、実施例1から実施例3により得られたコンデンサのキャパシタンス、損
失係数（DF）、等価直列抵抗（ESR）、および漏れ電流を示している。
失係数（DF）、等価直列抵抗（ESR）、および漏れ電流を示している。
【００３７】
【表１】
【００３８】
表1に示されたように、24Vにおける本発明の改質処理により許容限界内の漏れ
電流（たとえば、4.7μA）が生成された一方で、キャパシタンス、DF、及びESR
が維持された。改質されなかった陽極では、漏れの結果が不十分で、ESRが高く
なった。17V（形成電圧の49％）で改質された陽極は、改質されなかった陽極よ
りも良好な漏れであったが、依然として24Vでの陽極よりも有意に不十分な結果
であった。DF値も24V陽極より高かった。
電流（たとえば、4.7μA）が生成された一方で、キャパシタンス、DF、及びESR
が維持された。改質されなかった陽極では、漏れの結果が不十分で、ESRが高く
なった。17V（形成電圧の49％）で改質された陽極は、改質されなかった陽極よ
りも良好な漏れであったが、依然として24Vでの陽極よりも有意に不十分な結果
であった。DF値も24V陽極より高かった。
【００３９】
本発明の意図及び範囲から逸脱せずに、本発明の組成および方法において様々
な修正および改変が行われうることが、当業者には明らかであると考えられる。
したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその同等物の範囲内である
かぎり、本発明の修正および変法を覆うことが意図されている。
な修正および改変が行われうることが、当業者には明らかであると考えられる。
したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその同等物の範囲内である
かぎり、本発明の修正および変法を覆うことが意図されている。
【図１】 典型的な容量素子の層を示す。
【図２】 本発明による好ましい方法の流れ図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｇ 9/08 Ｈ０１Ｇ 9/02 ３３１Ｅ
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，
ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ
Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ
，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，
ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，
ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ
Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ
，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，
ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ
Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ
，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，
ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，Ｓ
Ｅ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ
，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，
ＺＷ
(71)出願人 Ｐ．Ｏ． Ｂｏｘ 5928，Ｈｉｇｈｗａｙ
385，Ｓ．Ｅ．，Ｇｒｅｅｎｖｉｌｌｅ，
Ｓｏｕｔｈ Ｃａｒｏｌｉｎａ 29606，
Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍ
ｅｒｉｃａ
(72)発明者 ウィーラー デイビッド アレキサンダー
アメリカ合衆国 サウスカロライナ州 ウ
ィリアムストン リバー ドライブ 203
(72)発明者 リスナー フィリップ マイケル
アメリカ合衆国 サウスカロライナ州 シ
ンプソンビル サークル スロープ ドラ
イブ 140
Claims (15)
- 【請求項１】 容量素子（capacitive element）を作製する方法であって、 a.第1の電解液中で、焼結された弁金属粉末の陽極本体に第1の電圧で形成電流
を与える段階； b.陽極を導電性高分子固体電解質で被覆する段階； c.重合体で被覆された陽極を第2の電解液中で懸濁し、上記形成電圧の約60％
〜85％の範囲内である改質（reformation）電圧を印可する（apply）ことによっ
て、重合体で被覆された陽極を改質する段階；及び d.段階bおよび段階cを少なくとも2回繰り返す段階 を含む方法。 - 【請求項２】 上記陽極本体がタンタルで作製される、請求項1記載の方法
。 - 【請求項３】 上記第1の電解液がリン酸または硝酸アンモニウムを含む、
請求項1記載の方法。 - 【請求項４】 上記導電性高分子固体電解質が、ポリアニリン、ポリチオフ
ェン、ポリフラン、およびポリピロールからなる群より選択される、請求項1記
載の方法。 - 【請求項５】 上記固体電解質がポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)で
ある、請求項4記載の方法。 - 【請求項６】 被覆段階bが、単量体、任意の酸化剤、および溶剤を含む溶
液に陽極を浸漬させる段階、ならびにその後溶液を約20℃から120℃に加熱して
単量体を重合させる段階を含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項７】 段階bが、段階cの前に少なくとも2回繰り返される、請求項6
記載の方法。 - 【請求項８】 段階bが3回から4回繰り返される、請求項8記載の方法。
- 【請求項９】 単量体が、アニリン、チオフェン、フラン、およびピロール
からなる群より選択される、請求項6記載の方法。 - 【請求項１０】 上記第2の溶液がトルエンスルホン酸を含む、請求項1記載
の方法。 - 【請求項１１】 段階cにおいて、改質電圧が、上記形成電圧の68％から75
％の範囲内である、請求項1記載の方法。 - 【請求項１２】 e.導電性高分子固体電解質の外側コーティングを塗布し、
次いで電極パターンを形成させる段階 をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項１３】 f.密封材を塗布する段階 をさらに含む、請求項12記載の方法。
- 【請求項１４】 密封材がエポキシである、請求項13記載の方法。
- 【請求項１５】 形成電圧が約30Vから40Vの間である、請求項1記載の方法
。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/315,960 US6136176A (en) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | Capacitor with conductive polymer |
| US09/315,960 | 1999-05-21 | ||
| PCT/US2000/013579 WO2001073801A1 (en) | 1999-05-21 | 2000-05-18 | Solid electrolytic capacitor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003529215A true JP2003529215A (ja) | 2003-09-30 |
Family
ID=23226853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001571432A Pending JP2003529215A (ja) | 1999-05-21 | 2000-05-18 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6136176A (ja) |
| JP (1) | JP2003529215A (ja) |
| AU (1) | AU2723001A (ja) |
| CZ (1) | CZ20014174A3 (ja) |
| DE (1) | DE10084610T1 (ja) |
| GB (1) | GB2363681B (ja) |
| IL (1) | IL146236A0 (ja) |
| MX (1) | MXPA01011696A (ja) |
| WO (1) | WO2001073801A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011122133A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-06-23 | Hc Starck Clevios Gmbh | 安定化されたチオフェン誘導体 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6334945B1 (en) | 2000-09-07 | 2002-01-01 | Kemet Electronics Corporation | Aging process for solid electrode capacitor |
| US6731497B2 (en) | 2001-07-11 | 2004-05-04 | Tdk Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| US20030197595A1 (en) | 2002-04-22 | 2003-10-23 | Johnson Controls Technology Company | System and method for wireless control of multiple remote electronic systems |
| US7005088B2 (en) * | 2003-01-06 | 2006-02-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices |
| US7317048B2 (en) * | 2003-01-06 | 2008-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Variable resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in electronic devices |
| US7917217B2 (en) | 2003-05-07 | 2011-03-29 | Medtronic, Inc. | Wet tantalum reformation method and apparatus |
| US7169284B1 (en) * | 2003-09-22 | 2007-01-30 | Pacesetter, Inc. | High surface area cathode for electrolytic capacitors using conductive polymer |
| US20050239947A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-10-27 | Greenhill David A | Polymeric silver layer |
| US20080019080A1 (en) * | 2004-09-13 | 2008-01-24 | Showa Denko K.K. | Solid Electrolytic Capacitor Element, Solid Electrolytic Capacitor and Production Method Thereof |
| US8238350B2 (en) | 2004-10-29 | 2012-08-07 | Emc Corporation | Message batching with checkpoints systems and methods |
| US8055711B2 (en) | 2004-10-29 | 2011-11-08 | Emc Corporation | Non-blocking commit protocol systems and methods |
| DE102005043828A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| US7797283B2 (en) * | 2005-10-21 | 2010-09-14 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for maintaining distributed data |
| US7788303B2 (en) * | 2005-10-21 | 2010-08-31 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for distributed system scanning |
| TWI306461B (en) * | 2005-10-28 | 2009-02-21 | Ind Tech Res Inst | Oxidizing agent useful for oxidative polymerization of high conductive polymers |
| US9156923B2 (en) | 2005-10-28 | 2015-10-13 | Industrial Technology Research Institute | Oxidizing agent useful for oxidative polymerization of high conductive polymers |
| US7848261B2 (en) | 2006-02-17 | 2010-12-07 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for providing a quiescing protocol |
| DE102006014577A1 (de) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Epcos Ag | Verfahren zur Reinigung eines elektrisch leitfähigen Polymers und Herstellungsverfahren für ein elektrisches Bauelement mit dem Reinigungsverfahren |
| US7899800B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-03-01 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for providing nonlinear journaling |
| US7882071B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-02-01 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for a snapshot of data |
| US7822932B2 (en) | 2006-08-18 | 2010-10-26 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for providing nonlinear journaling |
| JP5896591B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2016-03-30 | パーカー ハネフィン コーポレイションＰａｒｋｅｒ Ｈａｎｎｉｆｉｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 容量性構造体、その製造方法およびその作動方法ならびに容量性構造体を備えたシステム |
| US8286029B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-10-09 | Emc Corporation | Systems and methods for managing unavailable storage devices |
| US7900015B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-03-01 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods of quota accounting |
| US8966080B2 (en) | 2007-04-13 | 2015-02-24 | Emc Corporation | Systems and methods of managing resource utilization on a threaded computer system |
| US20080283409A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Qingping Chen | Use of conjugated oligomer as additive for forming conductive polymers |
| US7882068B2 (en) | 2007-08-21 | 2011-02-01 | Isilon Systems, Inc. | Systems and methods for adaptive copy on write |
| CN101587778B (zh) * | 2009-06-18 | 2011-01-19 | 天津大学 | 聚乙撑二氧噻吩定向阵列层薄膜电极材料及其制备方法 |
| CN103951674A (zh) * | 2009-09-30 | 2014-07-30 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 选定色数的单体和用其制备的电容器 |
| EP2305686B1 (en) | 2009-09-30 | 2013-04-03 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Monomers of selected colour numbers and capacitors prepared therefrom |
| EP2305685B1 (en) | 2009-09-30 | 2014-05-21 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Stabilised thiophene derivatives |
| KR20110035990A (ko) * | 2009-09-30 | 2011-04-06 | 하.체.스타르크 클레비오스 게엠베하 | 선택된 색수를 갖는 모노머 및 그들로부터 제조된 커패시터 |
| US9928964B1 (en) | 2013-08-28 | 2018-03-27 | Kemet Electronics Corporation | Preparation of conjugated dimer and products formed therefrom |
| CN104419961A (zh) * | 2013-09-02 | 2015-03-18 | 浩盟车料（上海）有限公司 | 铝合金表面处理方法及该方法制成的铝合金 |
| TWI506031B (zh) * | 2014-11-05 | 2015-11-01 | Ind Tech Res Inst | 鐵鹽氧化劑組合物、固態電容器、及其製造方法 |
| US10199175B2 (en) | 2015-04-08 | 2019-02-05 | Kemet Electronics Corporation | Method of producing solid electrolytic capacitor and capacitor made thereby |
| KR102389784B1 (ko) | 2018-03-05 | 2022-04-22 | 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. | 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터 |
| EP3746240A2 (en) | 2018-03-05 | 2020-12-09 | Global Advanced Metals USA, Inc. | Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same |
| WO2020040851A1 (en) * | 2018-07-26 | 2020-02-27 | Kemet Electronics Corporation | A process for forming an electrolytic capacitor having a higher cap recovery and lower esr |
| CA3120873A1 (en) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Craig M. Sungail | Spherical niobium alloy powder, products containing the same, and methods of making the same |
| TW202106893A (zh) | 2019-07-19 | 2021-02-16 | 美商環球高級金屬美國公司 | 球形鉭－鈦合金粉末，包含彼之產品及製備彼之方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722075B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-03-08 | 日通工株式会社 | 固体電解コンデンサの半導体層形成方法 |
| JP2859940B2 (ja) * | 1990-08-22 | 1999-02-24 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2765462B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH0745481A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3694038B2 (ja) * | 1993-09-09 | 2005-09-14 | 日東電工株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2580980B2 (ja) * | 1993-10-20 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | タンタル固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2765453B2 (ja) * | 1993-11-04 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2937716B2 (ja) * | 1993-11-18 | 1999-08-23 | 日本電気株式会社 | タンタル固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3070408B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2536458B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ジスルホン酸化合物、それをド―パントとする導電性高分子、導電材およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
| US5567356A (en) * | 1994-11-07 | 1996-10-22 | Monsanto Company | Emulsion-polymerization process and electrically-conductive polyaniline salts |
| EP0714108B1 (en) * | 1994-11-25 | 1999-11-03 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor having two solid electrolyte layers and method of manufacturing the same |
| US6001281A (en) * | 1998-09-04 | 1999-12-14 | Kemet Electronics Corporation | Preparation of conductive polymers from stabilized precursor solutions |
-
1999
- 1999-05-21 US US09/315,960 patent/US6136176A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-18 DE DE10084610T patent/DE10084610T1/de not_active Withdrawn
- 2000-05-18 GB GB0126532A patent/GB2363681B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-18 CZ CZ20014174A patent/CZ20014174A3/cs unknown
- 2000-05-18 JP JP2001571432A patent/JP2003529215A/ja active Pending
- 2000-05-18 WO PCT/US2000/013579 patent/WO2001073801A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-05-18 IL IL14623600A patent/IL146236A0/xx unknown
- 2000-05-18 MX MXPA01011696A patent/MXPA01011696A/es not_active Application Discontinuation
- 2000-05-18 AU AU27230/01A patent/AU2723001A/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011122133A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-06-23 | Hc Starck Clevios Gmbh | 安定化されたチオフェン誘導体 |
| KR101516838B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2015-05-07 | 헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게 | 안정화된 티오펜 유도체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2363681A (en) | 2002-01-02 |
| US6136176A (en) | 2000-10-24 |
| DE10084610T1 (de) | 2002-05-02 |
| WO2001073801A1 (en) | 2001-10-04 |
| CZ20014174A3 (cs) | 2002-04-17 |
| IL146236A0 (en) | 2002-07-25 |
| GB2363681B (en) | 2003-02-26 |
| MXPA01011696A (es) | 2002-11-07 |
| AU2723001A (en) | 2001-10-08 |
| GB0126532D0 (en) | 2002-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003529215A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US11081290B2 (en) | Process for forming an electrolytic capacitor having a higher cap recovery and lower ESR | |
| EP1927119B1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrolytkondensatoren mit hoher nennspannung | |
| JP5305569B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法および電解コンデンサ | |
| JP4873572B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| WO2012112680A2 (en) | Process for producing electrolytic capacitors and capacitors made thereby | |
| JPH07135126A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH09293639A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3202668B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| CN112585707B (zh) | 形成具有较高cap恢复率和较低esr的电解电容器的方法 | |
| JP3296727B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001102255A (ja) | タンタル固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2005252213A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3671828B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4915875B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3362600B2 (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JP2001148330A (ja) | 金属酸化物電極上に伝導性高分子被膜を形成する方法およびこれを利用した固体電解コンデンサーの製造方法 | |
| JP2001250743A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3451176B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3568382B2 (ja) | 有機固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3907358B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2000297142A (ja) | 固体電解質形成用重合液と製造方法、およびこれらを用いた固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001044079A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JP3750476B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001167980A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050412 |