JP2003527355A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 樹脂バインダおよび組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量のジアゾジスルホン光反応性酸発生剤組成物含むフォトレジスト組成物であって、
この光反応性酸発生剤組成物には、以下のものからなる群より選択される1または複数の置換基が含まれ、それらの置換基が、1または複数の電子吸引性リング置換基を有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;および任意に置換されたテトラヒドロフルフリルである、フォトレジスト組成物。
【請求項2】 光反応性酸発生剤が次の化学式Iで示され:
【化1】
RおよびR1はそれぞれ独立して、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルであるが;
RおよびR1の少なくとも一つが、フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルである、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項3】 RまたはR1のうち少なくとも一つがアリサイクリックである請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項4】 RまたはR1のうち少なくとも一つがアダマンチルである請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項5】 RまたはR1のうち少なくとも一つがオルト−トリフルオロメチルフェニルである請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項6】 樹脂バインダおよび組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量のα,α−メチレンジスルホン光反応性酸発生剤組成物を含むフォトレジスト組成物。
【請求項7】 光反応性酸発生剤化合物が二つのスルホン基にはさまれたメチレン基を有し、そのメチレンが水素以外の少なくとも一つの基によって置換される請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項8】 光反応性酸発生剤が次の化学式IIで示され:
【化2】
RおよびR1は同一または異なった非水素の置換基であり;
R2およびR3は同一であっても異なっていてもよく、水素または水素以外の置換基であってよい請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項9】 光反応性酸発生剤が次の化学式で示され:
【化3】
RおよびR1は独立して、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基であり;
R2およびR3は独立して、水素、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基である請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項10】 R2およびR3のうち少なくとも一つが水素ではない請求項8または9に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項11】 樹脂バインダおよび組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量のジスルホンヒドラジン光反応性酸発生剤組成物を含むフォトレジスト組成物。
【請求項12】 光反応性酸発生剤が次の化学式IIIで示され:
【化4】
RおよびR1は同一または異なっているが水素以外のものであり;
R2およびR3は同一または異なっていて、水素であっても非水素の置換基であってもよい請求項11に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項13】 光反応性酸発生剤が次の化学式で示され:
【化5】
RおよびR1は独立して、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基であり;
R2およびR3は独立して水素;任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基である請求項11に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項14】 R2およびR3のうち少なくとも一つが水素である請求項12または13に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項15】 樹脂および次の化学式IVAの光反応性酸発生剤を含むフォトレジスト組成物であって:
【化6】
XとYは異なっていて、以下のものからなる群より選択されるが、それらは、任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;ペンタフルオロフェニル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたアダマンチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたシクロヘキシル;および、任意に置換されたt−ブチルであるが、ただしXがカンホリルでYがナフチルである場合を除くフォトレジスト組成物。
【請求項16】 樹脂および次の化学式IVBの光反応性酸発生剤を含むフォトレジスト組成物であって:
【化7】
X’とY’は同一であって、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたアダマンチル;および、任意に置換されたt−ブチルである、フォトレジスト組成物。
【請求項17】 組成物がポジ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項18】 組成物が化学増幅ポジ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項19】 樹脂バインダがフェノリック単位および光反応性酸で不安定となるアルキルアクリレート単位を含むポリマーを含む請求項18に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項20】 樹脂バインダが、1)フェノリック単位、2)フェニル単位、および3)光反応性酸で不安定となるアルキルアクリレート単位を含むポリマーを含む請求項18に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項21】 フォトレジストに芳香族単位を含むポリマーが実質的に含まれない請求項18に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項22】 組成物がネガ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項23】 組成物が化学増幅ネガ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項24】 基板上にフォトレジストレリーフ像を形成させるための方法であって:
(a)基板上に請求項1から23までのいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物からなる被膜層を塗布し、そして、
(b)パターンを有する活性化照射によりフォトレジスト被膜層を露光させ、露光したフォトレジスト層を現像してレリーフ像を得る方法。
【請求項25】 フォトレジスト被膜層を波長が約300nm未満の照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項26】 フォトレジスト被膜層を波長が約248nmの照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項27】 フォトレジスト被膜層を、長が約200nm未満の照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項28】 フォトレジスト被膜層を波長が約193nmの照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項29】 少なくとも一つの面に請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物の被膜層を有する製造物品。
【請求項30】 少なくとも一つに面に請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトレジストの被膜層を有するマイクロエレクトロニクスウェーハまたはフラットパネルディスプレイ基板を含む製造物品。
【請求項31】 少なくともその一つに面に請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトレジストの被膜層を有するプリント回路基板を含む製造物品。
【請求項32】 ジアゾジスルホン光反応性酸発生剤化合物であって、以下のものからなる群より選択した1または複数の置換基を含むが、それらが、1または複数の電子吸引性環置換基を有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;および、任意に置換されたテトラヒドロフラニルである光反応性酸発生剤化合物。
【請求項33】 光反応性酸発生剤化合物が次の化学式Iで示され:
【化8】
RおよびR1はそれぞれ独立して、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルであるが;
RおよびR1の少なくとも一つが、フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルである請求項32に記載の光反応性酸発生剤化合物。
【請求項34】 α,α−メチレンジスルホン光反応性酸発生剤化合物であって、組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量で存在する光反応性酸発生剤化合物。
【請求項35】 光反応性酸発生剤化合物が二つのスルホン基にはさまれたメチレン基を有し、そのメチレンが水素以外の少なくとも一つの基によって置換される請求項34に記載の光反応性酸発生剤組成物。
【請求項36】 光反応性酸発生剤化合物が次の化学式IIで示され:
【化9】
ここでRおよびR1は同一または異なった非水素の置換基であり;
R2およびR3は同一であっても異なっていてもよく、水素または水素以外の置換基であってよい、請求項34に記載の光反応性酸発生剤化合物。
【請求項37】 ジスルホンヒドラジン化合物である光反応性酸発生剤化合物。
【請求項38】 光反応性酸発生剤化合物が次の化学式IIIで示され:
【化10】
RおよびR1は同一であっても異なっていてもよく、水素以外のものであり;
R2およびR3は同一であっても異なっていてもよく、水素または水素以外の置換基であってよい請求項37に記載の光反応性酸発生剤化合物。
【請求項39】 以下の化学式IVAで示される光反応性酸発生剤化合物であって:
【化11】
XとYは異なっていて、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、任意に置換されたナフチル;ペンタフルオロフェニル;任意に置換されたチエニル;ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたアダマンチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたシクロヘキシル;および、任意に置換されたt−ブチルであるが、ただしXがカンホリルでYがナフチルである場合を除く光反応性酸発生剤組成物。
【請求項40】 以下の化学式IVBで示される光反応性酸発生剤化合物であって:
【化12】
X’とY’は同一であって、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたアダマンチル;および、任意に置換されたt−ブチルである光反応性酸発生剤化合物。
【請求項1】 樹脂バインダおよび組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量のジアゾジスルホン光反応性酸発生剤組成物含むフォトレジスト組成物であって、
この光反応性酸発生剤組成物には、以下のものからなる群より選択される1または複数の置換基が含まれ、それらの置換基が、1または複数の電子吸引性リング置換基を有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;および任意に置換されたテトラヒドロフルフリルである、フォトレジスト組成物。
【請求項2】 光反応性酸発生剤が次の化学式Iで示され:
【化1】
RおよびR1はそれぞれ独立して、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルであるが;
RおよびR1の少なくとも一つが、フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルである、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項3】 RまたはR1のうち少なくとも一つがアリサイクリックである請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項4】 RまたはR1のうち少なくとも一つがアダマンチルである請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項5】 RまたはR1のうち少なくとも一つがオルト−トリフルオロメチルフェニルである請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項6】 樹脂バインダおよび組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量のα,α−メチレンジスルホン光反応性酸発生剤組成物を含むフォトレジスト組成物。
【請求項7】 光反応性酸発生剤化合物が二つのスルホン基にはさまれたメチレン基を有し、そのメチレンが水素以外の少なくとも一つの基によって置換される請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項8】 光反応性酸発生剤が次の化学式IIで示され:
【化2】
RおよびR1は同一または異なった非水素の置換基であり;
R2およびR3は同一であっても異なっていてもよく、水素または水素以外の置換基であってよい請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項9】 光反応性酸発生剤が次の化学式で示され:
【化3】
RおよびR1は独立して、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基であり;
R2およびR3は独立して、水素、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基である請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項10】 R2およびR3のうち少なくとも一つが水素ではない請求項8または9に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項11】 樹脂バインダおよび組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量のジスルホンヒドラジン光反応性酸発生剤組成物を含むフォトレジスト組成物。
【請求項12】 光反応性酸発生剤が次の化学式IIIで示され:
【化4】
RおよびR1は同一または異なっているが水素以外のものであり;
R2およびR3は同一または異なっていて、水素であっても非水素の置換基であってもよい請求項11に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項13】 光反応性酸発生剤が次の化学式で示され:
【化5】
RおよびR1は独立して、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基であり;
R2およびR3は独立して水素;任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたアルキルスルフィニル;任意に置換されたアルキルスルホニル;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;または、任意に置換されたアリサイクリック基である請求項11に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項14】 R2およびR3のうち少なくとも一つが水素である請求項12または13に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項15】 樹脂および次の化学式IVAの光反応性酸発生剤を含むフォトレジスト組成物であって:
【化6】
XとYは異なっていて、以下のものからなる群より選択されるが、それらは、任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;ペンタフルオロフェニル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたアダマンチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたシクロヘキシル;および、任意に置換されたt−ブチルであるが、ただしXがカンホリルでYがナフチルである場合を除くフォトレジスト組成物。
【請求項16】 樹脂および次の化学式IVBの光反応性酸発生剤を含むフォトレジスト組成物であって:
【化7】
X’とY’は同一であって、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたアダマンチル;および、任意に置換されたt−ブチルである、フォトレジスト組成物。
【請求項17】 組成物がポジ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項18】 組成物が化学増幅ポジ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項19】 樹脂バインダがフェノリック単位および光反応性酸で不安定となるアルキルアクリレート単位を含むポリマーを含む請求項18に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項20】 樹脂バインダが、1)フェノリック単位、2)フェニル単位、および3)光反応性酸で不安定となるアルキルアクリレート単位を含むポリマーを含む請求項18に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項21】 フォトレジストに芳香族単位を含むポリマーが実質的に含まれない請求項18に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項22】 組成物がネガ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項23】 組成物が化学増幅ネガ型フォトレジストである請求項1から16のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項24】 基板上にフォトレジストレリーフ像を形成させるための方法であって:
(a)基板上に請求項1から23までのいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物からなる被膜層を塗布し、そして、
(b)パターンを有する活性化照射によりフォトレジスト被膜層を露光させ、露光したフォトレジスト層を現像してレリーフ像を得る方法。
【請求項25】 フォトレジスト被膜層を波長が約300nm未満の照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項26】 フォトレジスト被膜層を波長が約248nmの照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項27】 フォトレジスト被膜層を、長が約200nm未満の照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項28】 フォトレジスト被膜層を波長が約193nmの照射線で露光させる請求項24に記載の方法。
【請求項29】 少なくとも一つの面に請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物の被膜層を有する製造物品。
【請求項30】 少なくとも一つに面に請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトレジストの被膜層を有するマイクロエレクトロニクスウェーハまたはフラットパネルディスプレイ基板を含む製造物品。
【請求項31】 少なくともその一つに面に請求項1〜23のいずれか一項に記載のフォトレジストの被膜層を有するプリント回路基板を含む製造物品。
【請求項32】 ジアゾジスルホン光反応性酸発生剤化合物であって、以下のものからなる群より選択した1または複数の置換基を含むが、それらが、1または複数の電子吸引性環置換基を有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;および、任意に置換されたテトラヒドロフラニルである光反応性酸発生剤化合物。
【請求項33】 光反応性酸発生剤化合物が次の化学式Iで示され:
【化8】
RおよびR1はそれぞれ独立して、任意に置換されたアルキル;任意に置換されたアルコキシ;任意に置換されたアルキルチオ;任意に置換されたカルボサイクリックアリール;任意に置換されたアラルキル;任意に置換されたヘテロアリール;任意に置換されたヘテロアリサイクリック;フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルであるが;
RおよびR1の少なくとも一つが、フェニル環電子吸引性置換基を1以上有するフェニル;任意に置換されたアリサイクリック基;任意に置換されたナフチル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたクマリニル;任意に置換されたキノリニル;任意に置換されたフリル;任意に置換されたチアゾリル;任意に置換されたオキサゾリル;任意に置換されたベンゾフラニル;任意に置換されたベンゾチアゾリル;または、任意に置換されたテトラヒドロフラニルである請求項32に記載の光反応性酸発生剤化合物。
【請求項34】 α,α−メチレンジスルホン光反応性酸発生剤化合物であって、組成物の露光された被膜層が現像されるに充分な量で存在する光反応性酸発生剤化合物。
【請求項35】 光反応性酸発生剤化合物が二つのスルホン基にはさまれたメチレン基を有し、そのメチレンが水素以外の少なくとも一つの基によって置換される請求項34に記載の光反応性酸発生剤組成物。
【請求項36】 光反応性酸発生剤化合物が次の化学式IIで示され:
【化9】
ここでRおよびR1は同一または異なった非水素の置換基であり;
R2およびR3は同一であっても異なっていてもよく、水素または水素以外の置換基であってよい、請求項34に記載の光反応性酸発生剤化合物。
【請求項37】 ジスルホンヒドラジン化合物である光反応性酸発生剤化合物。
【請求項38】 光反応性酸発生剤化合物が次の化学式IIIで示され:
【化10】
RおよびR1は同一であっても異なっていてもよく、水素以外のものであり;
R2およびR3は同一であっても異なっていてもよく、水素または水素以外の置換基であってよい請求項37に記載の光反応性酸発生剤化合物。
【請求項39】 以下の化学式IVAで示される光反応性酸発生剤化合物であって:
【化11】
XとYは異なっていて、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、任意に置換されたナフチル;ペンタフルオロフェニル;任意に置換されたチエニル;ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたアダマンチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたシクロヘキシル;および、任意に置換されたt−ブチルであるが、ただしXがカンホリルでYがナフチルである場合を除く光反応性酸発生剤組成物。
【請求項40】 以下の化学式IVBで示される光反応性酸発生剤化合物であって:
【化12】
X’とY’は同一であって、以下のものからなる群より選択されるが、それらが、ペルフルオロアルキル;2,2,2−トリフルオロエチル;任意に置換されたカンホリル;任意に置換されたo−(トリフルオロメチル)フェニル;任意に置換されたチエニル;任意に置換されたアダマンチル;および、任意に置換されたt−ブチルである光反応性酸発生剤化合物。
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