JP2005532595A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 厚さ１〜５０μmの支持フィルム上に光硬化性樹脂組成物を形成し、場合によっては、前記光硬化性組成物層の上に保護フィルムを積層してドライフィルムレジストを得ることによってドライフィルムレジストを調製する方法であって、
前記光硬化性樹脂が、
（ａ）アルカリ性可溶性バインダーオリゴマー又はポリマー２０〜９０重量％、
（ｂ）成分（ａ）のオリゴマー及びポリマーと適合性がある１種以上の光重合性モノマー５〜６０重量％、
（ｃ）１種以上の光開始剤０．０１〜２０重量％、
（ｄ）添加物及び／又は助剤０〜２０重量％、及び
（ｅ）式Ｉ
（式中、
Ｒ1は、
から選択される残基であり、
Ｒ2は、Ｃ1〜Ｃ12アルキルであるか、又はＣ1〜Ｃ6アルキル、トリフルオロメチル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ6アルキルチオ、ハロゲン及びニトロによって一、二又は三置換されていてもよいフェニルであり、
Ｒ3は、水素又はＣ1〜Ｃ12アルキルであり、
Ｒ4〜Ｒ9は、互いに独立して、水素又はＣ1〜Ｃ12アルキルであり、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ又はＮ−Ｃ1〜Ｃ12アルキルである）
のロイコトリフェニルメタン染料０．１〜１０重量％
を含む（（ａ）〜（ｅ）で１００重量％）均質混合物から形成されるものである方法。 - 式Ｉ中、
Ｒ1が、
から選択される残基であり、
Ｒ2が非置換フェニルであり、
Ｒ3がＣ1〜Ｃ4アルキルであり、
Ｒ4が水素であり、
Ｒ5及びＲ7がＣ1〜Ｃ4アルキルである、請求項１記載の方法。 - 前記ロイコトリフェニルメタン染料が、式
の４，４′−［（９−ブチル−９Ｈ−カルバゾル−３−イル）メチレン］ビス［Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアニリンである、請求項１記載の方法。 - 成分ｄ）が、式
（式中、
Ｘは、分岐鎖状のＣ3〜Ｃ20アルキル又はＣ3〜Ｃ8シクロアルキルであり、
Ｘ1は、水素、直鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル、分岐鎖状のＣ3〜Ｃ20アルキル又はＣ3〜Ｃ8シクロアルキルであり、ただし、Ｘ及びＸ1中の炭素原子の合計は少なくとも４であり、
Ｙは、直鎖状のＣ1〜Ｃ10アルキル、分岐鎖状のＣ3〜Ｃ10アルキル又はＣ3〜Ｃ8シクロアルキルであり、
Ａ-は、群（ＢＦ4）-、（ＳｂＦ6）-、（ＰＦ6）-、（Ｂ（Ｃ6Ｆ5））4 -、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホネート、Ｃ2〜Ｃ20ハロアルキルスルホネート、非置換のＣ6〜Ｃ10アリールスルホネート、ショウノウスルホネート、Ｃ1〜Ｃ20ペルフルオロアルキルスルホニルメチド、Ｃ1〜Ｃ20ペルフルオロアルキルスルホニルイミド及びハロゲン、ＮＯ2、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12ハロアルキル、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ又はＣＯＯＲ1によって置換されているＣ6〜Ｃ10アリールスルホネートから選択される非求核性アニオンであり、
Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、フェニル、ベンジルであるか、又はＣ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシもしくはハロゲンによって一又は多置換されているフェニルである）
のジアリールヨードニウムを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。 - 請求項１〜４のいずれか１項記載の方法によって得ることができるドライフィルムレジスト。
- ドライフィルムレジスト要素を調製する方法であって、
（Ａ）厚さ１〜５０μmの支持フィルム上に先に定義した成分（ａ）〜（ｅ）でできた光硬化性樹脂組成物層を形成し、前記光硬化性組成物層の上に保護フィルムを積層してドライフィルムレジストを得る工程と、
（Ｂ）使用前に前記保護フィルムを除去し、前記ドライフィルムレジストの適用が望まれる基材の表面に前記光硬化性組成物層を１００〜１５０℃で加熱積層する工程と、
（Ｃ）マスクを介して又は直接レーザ照射によって放射線に露光させる工程と、
（Ｄ）前記支持フィルムを除去し、現像によって非露光（非硬化）区域を洗い落とす工程と
を含む方法。 - 請求項６記載の方法によって得ることができるドライフィルムレジスト要素。
- 前記ドライフィルムレジストの適用が望まれる基材の表面に光硬化性組成物層を１００〜１５０℃で加熱積層する間に望ましくない発色を避けるための、請求項１記載の光硬化性樹脂組成物（ａ）〜（ｅ）の使用。
- 前記ドライフィルムレジストの適用が望まれる基材の表面に光硬化性組成物層を１００〜１５０℃で加熱積層する間に望ましくない発色を避けるための、請求項１記載の光硬化性樹脂組成物を形成するための式
の４，４′−［（９−ブチル−９Ｈ−カルバゾル−３−イル）メチレン］ビス［Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアニリンの使用。 - 印刷回路板及びＬＳＩパッケージングの銅回路パターンを形成するため、たとえばエッチングレジスト及びめっきレジストのため、はんだレジストのため、また、種々のフラットディスプレーパネル用途でセル又は電極パターンを形成するための、請求項７記載のドライフィルムレジスト要素の使用。
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