JP2003524078A - 複合銅箔及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 複合銅箔（１０）を構成するキャリア箔（２）を電着により陰極に、キャリア箔（１２）の陰極側が陰極に接して形成され、その反対側が電解液側となるようにして形成する。キャリア箔（１２）の電極側には、極薄分離層（１４）がある。銅電着により形成される薄い機能箔（１６）は表側が分離層（１４）に接し、その反対側が裏側となる。キャリア箔（１２）の電解液側はその面粗さＲｚが３．５μｍ以下である。また、この複合銅箔を製造するための方法も開示される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本発明は、複合銅箔及びその製造方法に関する。この複合箔は、特に印刷回路
基板等の製造に用いられる。

【０００２】

【従来の技術】

このような複合銅箔は、米国特許３９９８６０１に開示されている。その構成
は、キャリア箔上に薄い銅箔（以下、薄い機能箔と云う）を設けたもので、この
キャリア箔には、薄い機能箔がきれいに且つ容易に剥離できるようにする中間の
、極薄分離層が設けられる。キャリア箔を通常の電解技術により作製する場合、
その滑らかな陰極側（光沢側とも云う）が、回転するチタン陰極ドラムに接して
形成され、その反対側が粗い電解液側（マット側とも云う）となる。機能箔の面
は分離層が極めて薄いことから、キャリア箔の面に合致（順応）する。米国特許
３９９８６０１はまた、薄い機能箔をキャリア箔の電解液側に付着させて梨地仕
上の面を得ること、或いはその陰極側に付着させて鏡面仕上の面を得ることを提
案している。

【０００３】 印刷回路基板（ＰＣＢ）の製造には、面粗さが低い、即ち鏡面仕上の方が好ま
しい。従って、実際には、分離層の付着後に薄い機能箔が陰極側で付着されるの
が常である。一般に、面粗さは陰極側に対するＲｚパラメタにより、１．５μｍ
Ｍ≦Ｒｚ≦３．５μｍで与えられる。薄い機能箔の面は陰極側の面に一致するか
ら、その面粗さは陰極側の面粗さに概ね等しい。

【０００４】 そのような複合銅箔は、ＰＣＢの製造に極めて有利なことが分かってきた。実
際、複合銅箔の樹脂製絶縁基板への積層中、薄い機能箔はキャリア箔により樹脂
にじみや面損傷から有効に保護される。従って、キャリア箔の剥離後に、極めて
滑らかな面を持つ銅張り積層板が得られる。

【０００５】 現実及び将来の小型化要求に対しては、単位面積当たりの導通素子の数を多く
し、導通素子の大きさと導通素子間の間隙（ピッチ）を小さくするのが望ましい
。そのような回路パターンを得るには、極高密度回路パターン光解像力と化学エ
ッチング法を極めて滑らかな無欠陥面に適用するしかない。これ等の増大する小
型化要求に対して、既知の複合銅箔が十分に無欠陥な機能箔面を提供しないこと
は理解されよう。実際に、陰極ドラムは一般に表面傷があって、キャリア箔の陰
極側の面に、従ってその上に形成される薄い機能箔の面にも出来る線条の原因と
なる。これ等の線条はこれまで回路パターンの製造に問題があるとは考えられて
いなかったが、将来の小型化仕様に直面するとき、これは最早正しくない。

【０００６】 機能箔の面品質を改善する一つの方法は、面粗さが極めて円滑な、特に表面傷
の無い陰極ドラムにキャリア箔の陰極側を形成することであろう。だが、実際の
技術では、極円滑陰極ドラムを手ごろなコストで製造することは出来ない。その
上、そのような極円滑陰極ドラムは容易に破損するであろうし、その保守は極め
て高価となろう。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】

本発明の目的は、面が超円滑で、高品質な薄い機能箔を持つ複合銅箔を手ごろ
名コストで提供できるようにすることにある。本発明によれば、上記の目的は請
求の範囲請求項１に記載の複合銅箔により達成される。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

面が円滑な機能箔を得る従来の技術に反して、本発明の機能箔は表側が電着形
成されたキャリア箔の光沢側にではなく、極円滑電解液側に形成される。

【０００９】 キャリア箔の電解液側の分離層に機能箔を付着させるので、その表側はキャリ
ア箔の電解液側の面に順応し、従って、面粗さＲｚが電解液側の面粗さと概ね等
しくなる。キャリア箔の電解液側が陰極に形成されないことから、「陰極起因の
」表面傷が出来ない。従って、キャリア箔の電解液側のミラーである薄い機能箔
の表側も、例えば線条としての表面傷が全く出来ない。

【００１０】 この薄い機能箔の欠陥の無い面の第一の利点は、回路パターンの光解像力の改
善が可能になることである。他の利点は化学エッチングの均質性である。面が均
質であればあるほど、エッチングは均質となる。更に、ＰＣＢ製造の工程中、特
に銅メッキ工程中に、機能箔のこの新たな表側が最適条件を提供する。

【００１１】 機能箔は薄いので、その裏側は面粗さが表側の面粗さ、Ｒｚ≦３．５μｍと概
ね等しくなる。従って、裏側の面粗さは均一で、微細な結節（団塊）表面処理に
極めて適している。

【００１２】 その上、キャリア箔の存在は、薄い機能箔を支持し、取り扱いと積層中に極円
滑面を保護するために極めて有効であることから、極めて有利である。

【００１３】 キャリア箔が少なくとも分離層との界面の近傍において、優勢的に等軸結晶か
ら成るようにすると有利である。そのような結晶構造は、極円滑な電解質側の形
成に利する。キャリア箔は、鉄又は黄銅等の、好ましくは廉価な金属又は合金の
電着によって形成されて良い。しかしながら、好ましいのは電着銅箔である。こ
の箔は１８〜１０５μｍの厚さとされる。

【００１４】 薄い機能箔が主として等軸結晶から成るようにすると、下にある極円滑で、均
質な面に、より容易に順応するので有利である。薄い機能箔は面粗さパラメタＲ
ｚが３．５μｍであると良い。好ましくは、薄い機能箔は厚みが２〜１３μｍで
ある。等軸構造をもつ、そのような薄い機能箔は極めて迅速で、精密且つ均質な
エッチングを可能にする。更に、この構造はシャープな角形の導通素子の形成を
容易にする。換言すれば、単位面積あたりの導通素子の数を大きく、導通素子の
大きさを小さく、また導通素子間の間隙（ピッチ）を小さく出来、それにより極
めて高密度の回路パターンの形成を可能にする。その上、厚み３〜５μｍの薄い
機能箔はレーザー装置による直接穿孔が可能である。

【００１５】 分離層とキャリア箔が、同時に剥離されるようにすることが出来る。分離層は
、電着で形成されたクロムベース層で良い。その厚みは、好ましくは１．５μｍ
下、より好ましくは約０．１μｍである。電解液側と表側が極円滑、且つ均質で
あるので、キャリア箔と機能箔間に均質な接着が得られる。分離層とキャリア箔
を同時に剥離するのに要する剥離強度が３０から１５０Ｎ／ｍとなるように、ク
ロム層の厚みを調整すると有利である。これにより、キャリア箔と薄い機能箔間
の十分な接着が保障され、キャリア箔の剥離が容易になるだけでなく、積層及び
異なるＰＣＢ製造工程中に薄い機能箔の表面が最適に保護される。

【００１６】 本発明の他の側面によれば、以下の工程を含む複合銅箔の製造方法が提供され
る： （ａ）キャリア箔を電着により陰極に、その陰極側が陰極に接して形成され、
その反対側が電解液側となるように形成する； （ｂ）キャリア箔の電解液側に極薄分離層を形成する； （ｃ）銅電着により分離層に薄い機能箔を、その表側が分離層に面し、反対側
が裏側となるように形成する。 本発明の重要な特徴に従って、キャリア箔の電着を、電解液側が面粗さ３．５
μｍ以下で形成されるように行う。本発明の方法によれば、線条等の表面欠陥が
全く無く、超円滑で、極めて均質な薄い機能箔の作製が可能となる。

【００１７】 キャリア箔の電着を、７０〜１１０ｇ／ｌの銅（硫酸銅として）、８０〜１２
０ｇ／ｌの硫酸、１〜１０ｐｐｍのキャリア剤、１〜１０ｐｐｍの均展剤及び０
．１〜２ｐｐｍの光沢剤を含む電解質溶液で行うことができる。 上記キャリア剤はゼラチン（Ｍｗ＝２，０００〜１００，０００）、ポリアク
リルアミド（Ｍｗ＝５００，０００〜１２，０００，０００）、ポリエチレング
リコール（Ｍｗ＝４００〜１０，０００）、ポリエチレングリコール モノメチ
ルエーテル（Ｍｗ＝３００〜５，０００）ポリエチレングリコールジメチルエー
テル（Ｍｗ＝２５０〜３，０００）、ヒドロキシエチルセルローズ（Ｍｗ＝１０
，０００〜１００，０００）から選ばれた、上記酸に可溶な高分子量ポリマー溶
液で良い。上記均展剤はポリエチレンイミン、ポリ（プロピレン・グリコール−
ｂ−エチレン・グリコール−ｂ−プロピレン・グリコール）ビス（２−アミノプ
ロピル・エーテル）、Ｎ−アリルチオ尿素から選ばれた、窒素原子又は酸素原子
を含有する有機化合物で良い。上記光沢剤は２メルカプトベンジミダゾール、３
−３′チオジプロピオン酸、３メルカプト１プロパンスルフォン酸ナトリウム、
チオジグリコール酸、チオ乳酸から選ばれた硫化物で良い。

【００１８】 好ましくは、主として等軸結晶が、少なくとも分離層との界面近傍で、キャリ
ア箔に形成されるようにして、電解液側が極円滑で、均一且つ無欠陥なキャリア
箔の形成に助するようにする。これは、上記の電解質溶液を用いると共に、電解
液パラメタを制御した状態で操作して達成される。薄い機能箔は、これも好まし
くは制御条件下で電着により形成されるが、これも等軸結晶から成るようするこ
とが出来る。

【００１９】 更なる工程（ｄ）で、薄い機能箔の上側に表面処理を施し、将来の樹脂層又は
基体への結合を高めるようにすると有利である。この表面処理は例えば、裏側に
微細な銅団塊を形成し、樹脂に腐食銅の滑らかで、規則的なくぼみを与えること
である。従って、薄い導通素子に対して接着力は十分に高くなり、エッチング速
度は速くなり、導通素子は微細で、鋭い輪郭を示すようになって、この微細結節
状のしぼは順次的積層に理想的である。

【００２０】 更なる工程（ｅ）で、不動態化処理を薄い機能箔の裏側に、好ましくは表面処
理の後で施すことが出来る。その結果、機能箔は、表側がキャリア箔で保護され
、裏側が不動態化層で保護されて、両側が保護される。

【００２１】 更なる工程（ｆ）で、機能箔の裏側に樹脂層が形成されるようにすると有利で
ある。従って、複合銅箔は銅張り積層版、印刷回路基板、多層印刷回路基板等の
製造に直接用いることができる。

【００２２】

【実施態様】

図１に、本発明による複合銅箔（フォイル）１０の、走査電子顕微鏡（倍率：
１０００Ｘ）で得られた図を示す。この複合銅箔とその特性の理解は、本発明に
よる方法のより好適な実施態様の異なる製造工程の記述により明らかになろう。

【００２３】 第一の製造工程（ａ）において、キャリア箔（フォイル）１２を電解質溶液（
電解液）から銅の電着により、回転するチタン製陰極ドラムに形成する。電解液
は陰極ドラムと、それに近接して配置された陽極との間に循環される。従って、
キャリア箔１２はドラムと接して形成される陰極側と、その反対側の、電解液と
接して形成される電解液側とを有する。キャリア箔１２の電着は、電解液側が３
．５μｍ以下の面粗さＲｚ（Ｒｚ≦３．５μｍ）で形成されるように行われる。
この面粗さは、ＤＩＮ４７６８に従って測定される。好ましくは、電着のパラメ
タを調整してキャリア箔１２を、厚みが１８〜１０５μｍ、例えば３５〜７０μ
ｍとなるように成長させる。

【００２４】 第二工程ｂ）において、極薄分離（剥離）層１４をキャリア箔１２の電解液側
に形成する。

【００２５】 第三工程において、薄い機能箔（フォイル）１６を銅電着により分離層１４上
に形成する。この薄い機能層１６は分離層１４に接する表側と、その反対側の裏
側を有する。好ましくは、電着のパラメタを調整して機能箔１６を、厚みが２〜
１３μｍとなるように成長させる。例えば、機能箔１６は３、５、９又は１２μ
ｍの厚さまで成長させる。

【００２６】 工程（ａ）で述べたように、キャリア箔１２の電着は、電解液側の面粗さＲｚ
が３．５μｍ以下のキャリア箔１２が得られるように行われる。従来の技術では
電解液側の面粗さは大きく、特に陰極側の面粗さより大きく、機能銅箔は陰極側
に形成される。そして極薄層である分離層は、陰極側の面に順応する。その結果
、分離層上に形成される機能箔の表側は陰極側の面に順応する。従来の慣行では
、機能箔の形成のため陰極側が、その面粗さが電解液側より低いと云う理由で用
いられる。実際に、回路パターンの微細で、シャープな光化学エッチングには滑
らかな面が望ましい。陰極側は陰極ドラムに接して形成されるので、その面粗さ
は陰極ドラムの面粗さに依存する。従って、陰極側の面粗さは陰極ドラム面の面
粗さより低くはなり得ず、従来の陰極側は、その上に表側が極円滑な機能層を形
成するには粗すぎた。更に、陰極ドラムは一般に表面傷があって、これ等の表面
傷が陰極側に生ずる線条（図２（倍率：１０００Ｘ）参照）となり、従って薄い
機能箔の表側にも生ずる線条の原因となる。

【００２７】 本発明方法により、面粗さＲｚ≦３．５μｍの電解液側を持つキャリア箔を形
成することにより、機能箔１６の形成のための、高品質支持層が得られる。従っ
て、この電解液側に形成される機能箔１６の表側も高品質、即ち極円滑、均質、
且つ無欠陥のものとなる。更に、機能箔１６は薄いので、その裏側の面粗さは表
側の面粗さに略等しい。

【００２８】 電着操作パラメタ及び電解液組成は、超微細粒子状仕上げ、好ましくは等軸結
晶微粒子の電着キャリア箔１２が得られるように制御されるべきである。等軸微
粒子又は結晶は微粒子のアスペクト比が略１に等しく、滑らかで、均一な面の形
成を促進するので、柱状結晶より良い。従って、少なくとも分離層１４との界面
近傍では、薄い機能層１６を支持する面を形成するところの、等軸結晶であるこ
とが望ましい。

【００２９】 そのようなキャリア箔を得るため、工程（ａ）で電着を、７０〜１１０ｇ／ｌ
の銅（硫酸銅として）、８０〜１２０ｇ／ｌの硫酸、及びキャリア箔１２に主と
して等軸結晶を形成すべく３種の有機添加物を含んで成る電解液を用いて行う。
よって、用いる電解液は、 １） １〜１０ｐｐｍのキャリア剤であって、このキャリア剤はゼラチン（Ｍ
ｗ＝２，０００〜１００，０００）、ポリアクリルアミド（Ｍｗ＝５００，００
０〜１２，０００，０００）、ポリエチレングリコール（Ｍｗ＝４００〜１０，
０００）、ポリエチレングリコール モノメチルエーテル（Ｍｗ＝３００〜５，
０００）ポリエチレングリコールジメチルエーテル（Ｍｗ＝２５０〜３，０００
）、ヒドロキシエチルセルローズ（Ｍｗ＝１０，０００〜１００，０００）から
選ばれた、上記酸に可溶な高分子量ポリマー溶液； ２） １〜１０ｐｐｍの均展剤であって、この均展剤はポリエチレンイミン、
ポリ（プロピレン・グリコール−ｂ−エチレン・グリコール−ｂ−プロピレン・
グリコール）ビス（２−アミノプロピル・エーテル）、Ｎ−アリルチオ尿素から
選ばれた、窒素原子又は酸素原子を含有する有機化合物；及び ３） ０．１〜２ｐｐｍの光沢剤であって、この光沢剤は２メルカプトベンジ
ミダゾール、３−３′−チオジプロピオン酸、３メルカプト１プロパンスルフォ
ン酸ナトリウム、チオジグリコール酸、チオ乳酸から選ばれた硫化物を組成とす
る。

【００３０】 上記電解液を用いる際、操作電流密度は約５〜８０Ａ／ｄｍ^２の範囲とすべき
である。操作温度は３０〜７０℃の範囲とすべきである。

【００３１】 図３に、上記操作条件下で得られたキャリア箔１２の電解液側のＳＥＭ図（倍
率：１０００Ｘ）を示す。図２との差は顕著である、即ち線条は全く無く、面は
均質で、円滑である。

【００３２】 次いで、工程（ｂ）で、極薄分離層をキャリア箔の電解液側に形成する。この
極薄分離層１４は好ましくは、厚みが約０．１μｍのクロムベース層である。厚
さ０．１μｍは測定で得られるのではなく、単位面積当たりの付着クロムの重量
とクロムの密度からの計算によるものであるが理解されよう。この分離層は一般
に、１８０〜３００ｇ／ｌのクロム酸（ＣｒＣｏ_３として計算される）と１．８
〜３ｇ／ｌの硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）を含有するクロム浴で形成される。電流密度は
５〜４０Ａ／ｄｍ^２の範囲、浴温度は１８〜６０℃の範囲とすべきである。

【００３３】 分離層１４により、キャリア箔１２の分離（剥離）が容易になり、きれいで、
欠陥の無い表側が残るようにすることが出来る。尚、分離層１４が提供する密着
力は、複合銅箔１０が通過する多くのＰＣＢ工程中にキャリア箔１２が剥がれる
のを阻止するのに十分であるべきである。かかるＰＣＢ工程には、絶縁性樹脂に
よる被覆工程、複合銅箔をロール巻きからシート状にするサイジング工程、位置
合わせ穴打ち抜き工程、レイアップ及び積層工程、トリミング工程、キャリア箔
をドリルビットエントリーとして用いるスルーホール穿孔工程等、種々の工程が
ある。

【００３４】 尚、分離層１４と機能箔１６の間の界面は超円滑、且つ均質であることから、
キャリア箔１２を剥離するのに必要な剥離力は均質であり、且つ機能箔との界面
に粗い、同一厚さの分離層に対するものと比較して、全界面に亘って比較的低い
。これは特に、機能箔１６を樹脂状の基体に密着させるのに必要な熱処理のため
、剥離力が通常増大する積層に対して、有利である。従って、剥離力は、ガラス
転移温度の高いポリマーをもってしても、従来技術におけるより低くなろう。ク
ロム層の厚みは、キャリア層を剥がすのに必要な剥離力が３０〜１５０Ｎ／ｍの
範囲になるように調節されるべきである。

【００３５】 次の工程（ｃ）では、電解液から銅を電着して薄い機能箔１６を分離層１４上
に形成する。ここでも、超円滑な面の形成を促進するため、等軸結晶構造が得ら
れるように電着を制御すれば有利である。機能銅箔１６はエピタキシャル層とし
て成長するので（別の銅層上に付着；クロムベース分離層１４は一般にその構造
を課すには薄すぎる）、この構造はキャリア箔１２に対して課される。従って、
３０〜１１０ｇ／ｌの銅（硫酸銅として）と３０〜１２０ｇ／ｌの硫酸を含有す
る電解液から、機能箔に等軸構造を得ることが出来る。操作電流密度は５〜６０
Ａ／ｄｍ^２の範囲、温度は３０〜７０℃の範囲とすべきである。

【００３６】 図４に従来技術で得られた機能箔の表側のＳＥＭ図（倍率：２０００Ｘ）を示
し、一方、図５は図３で示した、電解液側に形成の機能箔１６の表側のＳＥＭ図
（倍率：２０００Ｘ）を示す。機能箔１６の表側の表面品質は、図４の従来型表
側のものより明らかに良い。図５に示された表側には線条が無いことが分かる。
更に、この面は面粗さが低く（Ｒｚ≦３．５μｍ）、均一である。既述の通り、
裏側は表側と、略同等に滑らかである（Ｒｚ≦３．５μｍ）。従って、機能箔１
６は薄く、両面が極円滑である。そのような機能箔１６は極めて速く、均質なエ
ッチングを、そして極めて高密度な回路パターンの形成を可能にする。更に、等
軸構造によりシャープで、角形成形の導通素子の形成が有利になる。

【００３７】 更なる製造工程）ｄ）において、機能箔１６の裏側に表面処理が有利に施され
る。この表面処理は裏側に微細な銅の団塊を形成し、樹脂状の基体に対する機能
箔１６の結合、即ち密着力を高めることにある。図６に、従来通りに処理された
裏側を示す。団塊は粗く、エッチング時間を長くし、樹脂状の基体に粗い団塊状
のしぼを生じさせている（図８参照）。導通素子の精細度は良くなく、順次的積
層が妨げられる。極めて微細な団塊形成処理が、この滑らかな裏側に対して発現
していることが図７から分かる。微細な銅団塊がエッチング後の規則的な面と、
微細な団塊状のしぼを保証することを図９は示している。従って、導通素子は細
密で、シャープな輪郭を見せ、微細団塊状しぼは順次的積層に対して理想的であ
る。

【００３８】 もう一つの製造工程（ｅ）において、亜鉛及びクロムベースの不動態化層が表
面処理された裏側に形成される。機能箔１６の両側はいまや保護されている、即
ち、表側がキャリア箔１２により、裏側が不動態化層により保護されている。同
様の不動態化処理をキャリア箔の電極側にも施し、青色の窓枠酸化を回避するこ
とが出来る。

【００３９】 最後に、更なる製造工程（ｆ）において、樹脂層１８を薄い機能箔１６の裏側
に形成する。これにより、ＰＣＢの製造、特に順次的積層による多層ＰＣＢの製
造における複合銅箔１０の直接使用、即ちコアー合板への直接積層が可能となる
。複合銅箔１０は多くのＰＣＢ製造法、特に順次積層による多層ＰＣＢ製造に使
用可能である。薄い機能箔１６が３〜５μｍであれば、例えば微細通路穿孔に対
して、レーザービームによる直接穿孔が可能である。

【００４０】 尚、分離層への薄い機能箔の形成は銅電着によるものとして記載したが、薄い
機能箔の形成はこの方法に限定されない。例えば、銅をＰＶＤ法又はＣＶＤ法に
より分離層に付着させ、次いで電着によりこの薄い機能箔の厚みを増すようにし
ても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による複合銅箔の断面ＳＥＭ図である。

【図２】 従来のキャリア箔の陰極側のＳＥＭ図である。

【図３】 図１に示した複合銅箔のキャリア箔の電解液側のＳＥＭ図である。

【図４】 従来の機能箔の表側のＳＥＭ図である。

【図５】 図１に示した複合銅箔の機能箔の表側のＳＥＭ図である。

【図６】 従来の塊状表面処理で処理された裏側のＳＥＭ図である。

【図７】 微細塊状表面処理で処理された図１の複合銅箔の裏側のＳＥＭ図である。

【図８】 図６の従来型処理の裏側の樹脂内くぼみのＳＥＭ図である。

【図９】 微細塊状表面処理で処理された図７の裏側の樹脂内くぼみのＳＥＭ図である。

【符号の説明】

１０…複合銅箔、１２…キャリア箔、１４…極薄分離層、１６…薄い機能層、
１８…樹脂層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ランナーズ、ルネ ルクセンブルグ、エル−8606 ベットボル ン、ウム レンメルビエルグ ９ (72)発明者 ストリール、ミッチェル ベルギー、ビー−6662、ホウフファライ ズ、ヴィススウル 35 (72)発明者 鈴木 昭利 栃木県宇都宮市細谷１−７−28 Ｆターム(参考） 4E351 BB01 BB32 BB33 CC06 DD04 DD17 GG20 4F100 AB17A AB22B AB33A AH03A AH04A AJ06A AK01E AK26A AK36A AK54A AR00C AR00D AS00B BA04 BA05 BA07 BA10C BA10D BA10E EH71 EH712 GB43 JA07A JA11A JA11D JK14A JK14D JL01 JL14A JL14D YY00A YY00B YY00D 4K024 AA02 AA09 AB02 AB03 BA09 BA12 BB11 CA01 CA02 CA04 CA06 5E346 AA15 CC32 DD12 DD24 HH33

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電着により陰極に形成され、陰極側が該陰極に接して形成さ
   れ、その反対側が電解液側であるキャリア箔（１２）と、 上記キャリア箔（１２）の電解液側にある極薄分離層（１４）と 銅の付着によって形成され、上記分離層（１４）と接する表側、及びその反対
   側である裏側を有する薄い機能箔（１６）と を備える複合銅箔（１２）であって、 上記キャリア箔の電解液側の面粗さＲｚが３．５μｍ以下であることを特徴と
   する複合銅箔（１０）。
2. 【請求項２】 前記キャリア箔（１２）が、少なくとも前記分離層（１４）
   との界面近傍において、主として等軸結晶から成ることを特徴とする請求項１に
   記載の複合銅箔。
3. 【請求項３】 前記薄い機能箔（１６）が主として等軸結晶から成ることを
   特徴とする請求項１又は２に記載の複合銅箔。
4. 【請求項４】 前記キャリア箔（１２）が電着銅箔であり、その厚みが１８
   μｍ〜１０５μｍであることを特徴とする前記請求項の何れか一つに記載の複合
   銅箔。
5. 【請求項５】 前記薄い機能箔（１６）の表側の面粗さが３．５μｍ以下で
   あることを特徴とする前記請求項の何れか一つに記載の複合銅箔。
6. 【請求項６】 前記薄い機能箔（１６）の裏側の面粗さが３．５μｍ以下で
   あることを特徴とする請求項５に記載の複合銅箔。
7. 【請求項７】 前記薄い機能箔が電着で形成されたものであり、その厚みが
   ２〜３μｍである前記請求項の何れか一つに記載の複合銅箔。
8. 【請求項８】 前記分離層（１４）と前記キャリア箔（１２）が同時に剥離
   可能である前記請求項の何れか一つに記載の複合銅箔。
9. 【請求項９】 前記分離層（１４）が電着されたクロームベース層である前
   記請求項の何れか一つに記載の複合銅箔。
10. 【請求項１０】 前記分離層（１４）は厚みが１．５μｍ下、好ましくは０
    ．１μｍである請求項９に記載の複合銅箔。
11. 【請求項１１】 前記分離層（１４）と前記キャリア箔（１２）を同時に剥
    離するのに必要な剥離力が３０〜１５０Ｎ／ｍになるように前記クロムベース層
    の厚みが調整される請求項９又は１０に記載の複合銅箔。
12. 【請求項１２】 前記薄い機能箔の裏側に微細銅団塊を設けて成る前記請求
    項の何れか一つに記載の複合銅箔。
13. 【請求項１３】 前記薄い機能銅層（１６）の裏側に樹脂層（１８）を設け
    て成る前記請求項の何れか一つに記載の複合銅箔。
14. 【請求項１４】 複合銅箔（１０）を製造する方法であって、次の工程、即
    ち （ａ）電着により陰極にキャリア箔（１２）が、キャリア箔（１２）の陰極側
    が上記陰極に接して形成され、その反対側が電解液側となるように形成する工程
    と、 （ｂ）上記キャリア箔（１２）の上記電解液側に極薄分離層（１４）を形成す
    る工程と、 （ｃ）銅電着により薄い機能箔（１６）を、該機能箔（１６）の表側が上記分
    離層（１４）に接して形成され、その反対側が裏側となるように形成する工程と
    を含んで成り、 上記キャリア箔（１２）の上記電着を、面粗さＲｚが３．５μｍ以下である電
    解液側が形成されるように行うことを特徴とする方法。
15. 【請求項１５】 工程（ａ）の前記電着を、７０〜１１０ｇ／ｌの銅（硫酸
    銅として）、８０〜１２０ｇ／ｌの硫酸、１〜１０ｐｐｍのキャリア剤、１〜１
    ０ｐｐｍの均展剤及び０．１〜２ｐｐｍの光沢剤を含む電解質溶液を用いて行い
    、 上記キャリア剤がゼラチン（Ｍｗ＝２，０００〜１００，０００）、ポリアク
    リルアミド（Ｍｗ＝５００，０００〜１２，０００，０００）、ポリエチレング
    リコール（Ｍｗ＝４００〜１０，０００）、ポリエチレングリコール モノメチ
    ルエーテル（Ｍｗ＝３００〜５，０００）ポリエチレングリコールジメチルエー
    テル（Ｍｗ＝２５０〜３，０００）、ヒドロキシエチルセルローズ（Ｍｗ＝１０
    ，０００〜１００，０００）から選ばれた、上記酸に可溶な高分子量ポリマー溶
    液であり、 上記均展剤がポリエチレンイミン、ポリ（プロピレン・グリコール−ｂ−エチ
    レン・グリコール−ｂ−プロピレン・グリコール）ビス（２−アミノプロピル・
    エーテル）、Ｎ−アリルチオ尿素から選ばれた、窒素原子又は酸素原子を含有す
    る有機化合物であり、 上記光沢剤が２メルカプトベンジミダゾール、３−３′チオジプロピオン酸、
    ３メルカプト１プロパンスルフォン酸ナトリウム、チオジグリコール酸、チオ乳
    酸から選ばれた硫化物である ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
16. 【請求項１６】 少なくとも前記分離層（１４）との界面の近傍で、前記キ
    ャリア箔（１２）に主として等軸結晶が形成されるように工程（ａ）の電着を行
    うことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の方法。
17. 【請求項１７】 前記キャリア箔（１２）が電着で形成された銅箔であり、
    その厚みが１８〜１０５μｍであることを特徴とする請求項１４〜１６の何れか
    一つに記載の方法。
18. 【請求項１８】 前記機能箔（１６）が電着により形成され、その厚みが２
    〜１３μｍであることを特徴とする請求項１４〜１７の何れか一つに記載の方法
    。
19. 【請求項１９】 前記薄い機能箔（１６）に主として等軸結晶が形成される
    ように工程（ｃ）の電着を行うことを特徴とする請求項１４〜１８の何れか一つ
    に記載の方法。
20. 【請求項２０】 前記分離層（１４）が電着によるクロムベース層であるこ
    とを特徴とする請求項１４〜１９の何れか一つに記載の方法。
21. 【請求項２１】 前記分離層は厚みが１．５μｍ下、好ましくは０．１μｍ
    であることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
22. 【請求項２２】 前記薄い機能箔（１６）の裏側に表面処理を施して、その
    表面結合性を高める工程（ｄ）を更に含んで成ることを特徴とする請求項１４〜
    ２１の何れか一つに記載の方法。
23. 【請求項２３】 前記表面処理が、前記薄い機能箔（１６）の裏側に超微細
    団塊を形成することを特徴とする請求項２２に記載の方法。
24. 【請求項２４】 前記薄い機能箔（１６）の表面処理された裏側に不動態化
    層を形成する工程（ｅ）を更に含んで成ることを特徴とする請求項２２又は２３
    に記載の方法。
25. 【請求項２５】 前記薄い機能箔（１６）の裏側上の前記不動態化層に樹脂
    層を形成する工程（ｆ）を更に含んで成る請求項２４に記載の方法。
26. 【請求項２６】 請求項１から１３の何れか一つに記載の複合箔を、銅張り
    積層板、印刷回路基板、多層印策回路基板の製造、特に順次的積層による製造に
    用いること。