JPH1036991A - 電解銅箔の製造方法 - Google Patents
電解銅箔の製造方法Info
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- JPH1036991A JPH1036991A JP20768096A JP20768096A JPH1036991A JP H1036991 A JPH1036991 A JP H1036991A JP 20768096 A JP20768096 A JP 20768096A JP 20768096 A JP20768096 A JP 20768096A JP H1036991 A JPH1036991 A JP H1036991A
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- electrolytic copper
- electrolytic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント回路基板の製造に有用な、エッチン
グ性に優れた低プロファイルの電解銅箔を製造するこ
と。 【解決手段】 回転するカソードと該カソードに対向す
るアノードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を
流し電解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅
溶液がチオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐｐｍ以
上含有しかつ液流速を１．５ｍ／ｓｅｃ以上としたこと
を特徴とする。電解銅箔のマット面の表面粗さ（Ｒｚ）
は３μｍ以下である。
グ性に優れた低プロファイルの電解銅箔を製造するこ
と。 【解決手段】 回転するカソードと該カソードに対向す
るアノードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を
流し電解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅
溶液がチオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐｐｍ以
上含有しかつ液流速を１．５ｍ／ｓｅｃ以上としたこと
を特徴とする。電解銅箔のマット面の表面粗さ（Ｒｚ）
は３μｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
（ＰＣＢ）の製造に有用な電解銅箔の製造方法に関する
ものであり、特にはエッチング性に優れた低プロファイ
ルの電解銅箔を製造する方法に関する。
（ＰＣＢ）の製造に有用な電解銅箔の製造方法に関する
ものであり、特にはエッチング性に優れた低プロファイ
ルの電解銅箔を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電解銅箔の製造は、アノード、回転する
カソード、電解液および電流源を包含する電解形式セル
の使用と係る。アノードとカソードの間隔は、ほぼ一定
の距離に保たれており、電解液は銅イオンと硫酸イオン
を含有し、これがアノードとカソードの間を流れる。ア
ノードとカソードの間に電圧が加えられ、そして銅が回
転するカソード上に析出し、析出した銅被膜がはぎ取ら
れて銅箔とされる。銅線またはリサイクルされた銅に代
表される銅の原料を硫酸銅の電解液に溶かして電解液と
する。製造される電解銅箔の特性は、代表的には、例え
ばニカワ、チオ尿素および塩化物イオンを電解液に加え
ることにより制御される。
カソード、電解液および電流源を包含する電解形式セル
の使用と係る。アノードとカソードの間隔は、ほぼ一定
の距離に保たれており、電解液は銅イオンと硫酸イオン
を含有し、これがアノードとカソードの間を流れる。ア
ノードとカソードの間に電圧が加えられ、そして銅が回
転するカソード上に析出し、析出した銅被膜がはぎ取ら
れて銅箔とされる。銅線またはリサイクルされた銅に代
表される銅の原料を硫酸銅の電解液に溶かして電解液と
する。製造される電解銅箔の特性は、代表的には、例え
ばニカワ、チオ尿素および塩化物イオンを電解液に加え
ることにより制御される。
【０００３】電解銅箔は、表面粗さの大きなマット面と
表面粗さの小さなシャイニー面とを有する。そして、電
解銅箔のマット面側をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂上に
接着して形成される銅張積層板の形態でＰＣＢ製造業者
に供給される。銅張積層板の銅箔の部分をＰＣＢの導電
性回路を形成するようにエッチングし、エッチングによ
り形成された銅の導電性回路は、電子部品の種々の部分
間の電気的接続を提供する。
表面粗さの小さなシャイニー面とを有する。そして、電
解銅箔のマット面側をエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂上に
接着して形成される銅張積層板の形態でＰＣＢ製造業者
に供給される。銅張積層板の銅箔の部分をＰＣＢの導電
性回路を形成するようにエッチングし、エッチングによ
り形成された銅の導電性回路は、電子部品の種々の部分
間の電気的接続を提供する。
【０００４】近年、導電性回路の小型化、高密度化のた
め、エッチングにより形成された銅の導電回路部分の幅
をより小さくする必要性が高まっているが、上記の問題
を解決するために、マット面側の表面粗さを小さくす
る、いわゆる低プロファイルの銅箔に対する要求が高ま
っている。ＰＣＢでは、基板である樹脂と銅箔のマット
面側が張り合わされる際、銅箔のマット面側の表面粗さ
が大きいと、樹脂と銅箔の接触部分におけるマット面の
凹凸の凸部がエッチング残として残りやすい。これをエ
ッチングで取り除くためには、エッチング時間を長くす
る方法があるが、この場合には、いわゆるオーバーエッ
チングの状態となる。オーバーエッチングの条件では、
銅の導電回路部分の溶解が進み、導電回路を細くするこ
とは困難となる。このような問題を回避するために、エ
ッチングの条件を緩和する場合、銅箔のマット面側の表
面粗さが大きいと、樹脂と銅箔の接触部分におけるマッ
ト面の凹凸の凸部がエッチング残として残り、隣接する
導電性回路が、電気的に短絡する可能性があり、問題で
ある。
め、エッチングにより形成された銅の導電回路部分の幅
をより小さくする必要性が高まっているが、上記の問題
を解決するために、マット面側の表面粗さを小さくす
る、いわゆる低プロファイルの銅箔に対する要求が高ま
っている。ＰＣＢでは、基板である樹脂と銅箔のマット
面側が張り合わされる際、銅箔のマット面側の表面粗さ
が大きいと、樹脂と銅箔の接触部分におけるマット面の
凹凸の凸部がエッチング残として残りやすい。これをエ
ッチングで取り除くためには、エッチング時間を長くす
る方法があるが、この場合には、いわゆるオーバーエッ
チングの状態となる。オーバーエッチングの条件では、
銅の導電回路部分の溶解が進み、導電回路を細くするこ
とは困難となる。このような問題を回避するために、エ
ッチングの条件を緩和する場合、銅箔のマット面側の表
面粗さが大きいと、樹脂と銅箔の接触部分におけるマッ
ト面の凹凸の凸部がエッチング残として残り、隣接する
導電性回路が、電気的に短絡する可能性があり、問題で
ある。
【０００５】オーバーエッチングの問題を解決するた
め、より表面粗さの小さい銅箔のシャイニー面側とＰＣ
Ｂの基板である樹脂とを張り合わせる方法も考案されて
いるが、複数の基板を重ねて張り合わせる多層板では、
銅箔の両面が基板と張り合わされるため、この方法で
は、問題を解決することができない。
め、より表面粗さの小さい銅箔のシャイニー面側とＰＣ
Ｂの基板である樹脂とを張り合わせる方法も考案されて
いるが、複数の基板を重ねて張り合わせる多層板では、
銅箔の両面が基板と張り合わされるため、この方法で
は、問題を解決することができない。
【０００６】複数の基板を重ねて張り合わせる多層板に
おいても、より細い銅の導電性回路が形成できるよう
に、銅箔のマット面側もシャイニー面側に近い、すなわ
ち、より粗さの小さい銅箔を製造することにより上記の
問題を解決することが可能である。例えば特表平５−５
０２０６２号は、１８０℃で測定した伸び率が５．０％
より大きくそして２３℃における最大引張強度が６０，
０００ｐｓｉより大きいと共に、マット側の表面粗さＲ
tm（５つの連続するサンプリング長さのそれぞれから
の、ピーク部分から谷部分までの垂直距離の平均を云
い、英国のRank TaylorHobson, Ltd.から販売されてい
るSurftronic 3 prifilometer を用いて測定したとされ
る）を４．５〜１８μｍの範囲とした電解銅箔を製造す
るべく、銅イオン及び硫酸イオンを含有しそして２０ｐ
ｐｍ以下の塩化物イオンを含有する電解浴を基本とし、
そして１平方フィート当たり２００〜３０００Ａの電流
密度を用いて電着を行う電解銅箔の製造方法を記載して
いる。電解浴は、更に、１５ｐｐｍまでのチオ尿素のよ
うな活性硫黄含有物質及び２０ｐｐｍまでのニカワに代
表されるゼラチンの一方乃至両方を含むことができると
される。その実施例を参照すると、１００ｇ／ｌ濃度の
銅イオン、８０ｇ／ｌ濃度の硫酸及び５ｐｐｍ濃度の塩
化物イオンを含有し、そして２ｐｐｍ乃至４ｐｐｍのチ
オ尿素を単独添加した電解液を用いて、１平方フィート
当たり１０００Ａ乃至１５００Ａの電流密度そして電極
間の電解液の流速１２４ｃｍ／秒の条件において電解を
行い、得られた銅箔のマット側粗さＲｔｍの測定結果と
して、Ｒｔｍ＝４．７４μｍ、５．０４μｍ及び８．４
１μｍが示されている。特表平４−５０１８８７号は、
低プロフィルの銅箔を製造する方法として、ゼラチン成
分と調節された量の活性硫黄成分との両方を含有する電
解液を使用することを記載し、約３．５〜４．５μｍの
Ｒｔｍを実現している。しかしながら、これらの方法で
達成される表面粗さはいまだ大きく、一層の低プロファ
イル化が望まれる。
おいても、より細い銅の導電性回路が形成できるよう
に、銅箔のマット面側もシャイニー面側に近い、すなわ
ち、より粗さの小さい銅箔を製造することにより上記の
問題を解決することが可能である。例えば特表平５−５
０２０６２号は、１８０℃で測定した伸び率が５．０％
より大きくそして２３℃における最大引張強度が６０，
０００ｐｓｉより大きいと共に、マット側の表面粗さＲ
tm（５つの連続するサンプリング長さのそれぞれから
の、ピーク部分から谷部分までの垂直距離の平均を云
い、英国のRank TaylorHobson, Ltd.から販売されてい
るSurftronic 3 prifilometer を用いて測定したとされ
る）を４．５〜１８μｍの範囲とした電解銅箔を製造す
るべく、銅イオン及び硫酸イオンを含有しそして２０ｐ
ｐｍ以下の塩化物イオンを含有する電解浴を基本とし、
そして１平方フィート当たり２００〜３０００Ａの電流
密度を用いて電着を行う電解銅箔の製造方法を記載して
いる。電解浴は、更に、１５ｐｐｍまでのチオ尿素のよ
うな活性硫黄含有物質及び２０ｐｐｍまでのニカワに代
表されるゼラチンの一方乃至両方を含むことができると
される。その実施例を参照すると、１００ｇ／ｌ濃度の
銅イオン、８０ｇ／ｌ濃度の硫酸及び５ｐｐｍ濃度の塩
化物イオンを含有し、そして２ｐｐｍ乃至４ｐｐｍのチ
オ尿素を単独添加した電解液を用いて、１平方フィート
当たり１０００Ａ乃至１５００Ａの電流密度そして電極
間の電解液の流速１２４ｃｍ／秒の条件において電解を
行い、得られた銅箔のマット側粗さＲｔｍの測定結果と
して、Ｒｔｍ＝４．７４μｍ、５．０４μｍ及び８．４
１μｍが示されている。特表平４−５０１８８７号は、
低プロフィルの銅箔を製造する方法として、ゼラチン成
分と調節された量の活性硫黄成分との両方を含有する電
解液を使用することを記載し、約３．５〜４．５μｍの
Ｒｔｍを実現している。しかしながら、これらの方法で
達成される表面粗さはいまだ大きく、一層の低プロファ
イル化が望まれる。
【０００７】特開平７−１８８９６９号は、銅イオン、
硫酸イオン、及び少なくとも１種の有機添加物を含有
し、塩化物イオン濃度を１ｐｐｍ未満とした電解液を用
いて、電流密度０．１〜５Ａ／ｃｍ2 の条件で電着を行
うことにより、円柱状粒子および双晶境界がなくそして
１０ミクロンまでの平均粒子サイズを有する、実質的に
一様でランダムな粒子構造を有する低プロフィル電解銅
箔の製造方法を記載する。有機添加物は約３〜１００ｐ
ｐｍの範囲で添加され、有用な例として、動物ニカワに
代表されるゼラチンを挙げ、その他の例としてチオ尿
素、サッカリン、カフェイン、糖蜜などを例示してい
る。マット側粗さＲｔｍが１〜１０ミクロンの範囲にあ
る銅箔を製造できることを記載し、Ｒｔｍは好ましくは
約６ミクロン未満であり、１つの実施態様では１．５〜
２．０ミクロンであり、他の実施態様では１．０〜２．
０ミクロンである旨記載するが、その実施態様について
の詳しい記載はない。実施例では、０．０３〜０．０５
ｐｐｍ塩素イオン濃度において動物ニカワが９ｍｇ／分
／ｋＡの添加速度で添加された電解液を使用して、１．
５１Ａ／ｃｍ2 の電流密度、２ｍ／秒の電解液流速の条
件において一様なランダムに配向した微細な粒子構造を
実現している。特開平８−５３７８９号は、添加剤とし
て、０．０５〜２．０ｐｐｍのチオ尿素もしくはその誘
導体、０．０８〜１２ｐｐｍの高分子多糖類、及び０．
０３〜４．０ｐｐｍの、分子量１０，０００以下の膠を
含有する電解液を用いて、ロープロファイルの電解銅箔
を製造することを記載する。実施例では、０．１５ｐｐ
ｍのチオ尿素、０．８ｐｐｍのアラビアゴム及び０．４
ｐｐｍの低分子量の膠を添加剤として３．２μｍの表面
粗さＲｚを実現しそして０．３ｐｐｍのチオ尿素、０．
８ｐｐｍのアラビアゴム及び０．４ｐｐｍの低分子量の
膠を添加剤として３．２μｍの表面粗さＲｚを実現して
いる。ここで、Ｒｚは小坂研究所製ＳＥ−３Ｃ型表面粗
さ計を使用した測定値である。
硫酸イオン、及び少なくとも１種の有機添加物を含有
し、塩化物イオン濃度を１ｐｐｍ未満とした電解液を用
いて、電流密度０．１〜５Ａ／ｃｍ2 の条件で電着を行
うことにより、円柱状粒子および双晶境界がなくそして
１０ミクロンまでの平均粒子サイズを有する、実質的に
一様でランダムな粒子構造を有する低プロフィル電解銅
箔の製造方法を記載する。有機添加物は約３〜１００ｐ
ｐｍの範囲で添加され、有用な例として、動物ニカワに
代表されるゼラチンを挙げ、その他の例としてチオ尿
素、サッカリン、カフェイン、糖蜜などを例示してい
る。マット側粗さＲｔｍが１〜１０ミクロンの範囲にあ
る銅箔を製造できることを記載し、Ｒｔｍは好ましくは
約６ミクロン未満であり、１つの実施態様では１．５〜
２．０ミクロンであり、他の実施態様では１．０〜２．
０ミクロンである旨記載するが、その実施態様について
の詳しい記載はない。実施例では、０．０３〜０．０５
ｐｐｍ塩素イオン濃度において動物ニカワが９ｍｇ／分
／ｋＡの添加速度で添加された電解液を使用して、１．
５１Ａ／ｃｍ2 の電流密度、２ｍ／秒の電解液流速の条
件において一様なランダムに配向した微細な粒子構造を
実現している。特開平８−５３７８９号は、添加剤とし
て、０．０５〜２．０ｐｐｍのチオ尿素もしくはその誘
導体、０．０８〜１２ｐｐｍの高分子多糖類、及び０．
０３〜４．０ｐｐｍの、分子量１０，０００以下の膠を
含有する電解液を用いて、ロープロファイルの電解銅箔
を製造することを記載する。実施例では、０．１５ｐｐ
ｍのチオ尿素、０．８ｐｐｍのアラビアゴム及び０．４
ｐｐｍの低分子量の膠を添加剤として３．２μｍの表面
粗さＲｚを実現しそして０．３ｐｐｍのチオ尿素、０．
８ｐｐｍのアラビアゴム及び０．４ｐｐｍの低分子量の
膠を添加剤として３．２μｍの表面粗さＲｚを実現して
いる。ここで、Ｒｚは小坂研究所製ＳＥ−３Ｃ型表面粗
さ計を使用した測定値である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、低プロフ
ァイルの電解銅箔を製造する際の有機添加剤は、従来、
動物ニカワ、あるいは動物ニカワと他の有機添加剤の組
み合わせが用いられてきた。動物ニカワの使用はその性
状が多様であるため管理が面倒である。低濃度の複数種
の添加剤の使用は電解液の濃度管理を非常に困難とす
る。本発明の課題は、動物ニカワ以外の有機添加剤を用
いて３μｍ以下の表面粗さＲｚを有する電解銅箔を製造
する方法を確立することである。
ァイルの電解銅箔を製造する際の有機添加剤は、従来、
動物ニカワ、あるいは動物ニカワと他の有機添加剤の組
み合わせが用いられてきた。動物ニカワの使用はその性
状が多様であるため管理が面倒である。低濃度の複数種
の添加剤の使用は電解液の濃度管理を非常に困難とす
る。本発明の課題は、動物ニカワ以外の有機添加剤を用
いて３μｍ以下の表面粗さＲｚを有する電解銅箔を製造
する方法を確立することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、チオ尿素及
び／又はその誘導体を含む有機添加剤を使用して、電解
液流速を約１．５ｍ／ｓｅｃ以上とすることにより、３
μｍ以下の表面粗さＲｚを有する電解銅箔を製造するこ
とができることを見いだした。この知見に基づいて、本
発明は、回転するカソードと該カソードに対向するアノ
ードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を流し電
解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅溶液が
チオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐｐｍ以上含有
し、かつ、該硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を１．５ｍ／
ｓｅｃ以上としたことを特徴とする低プロファイルの電
解銅箔の製造方法を提供する。
び／又はその誘導体を含む有機添加剤を使用して、電解
液流速を約１．５ｍ／ｓｅｃ以上とすることにより、３
μｍ以下の表面粗さＲｚを有する電解銅箔を製造するこ
とができることを見いだした。この知見に基づいて、本
発明は、回転するカソードと該カソードに対向するアノ
ードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を流し電
解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅溶液が
チオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐｐｍ以上含有
し、かつ、該硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を１．５ｍ／
ｓｅｃ以上としたことを特徴とする低プロファイルの電
解銅箔の製造方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】電解銅箔は、円筒状の回転するカ
ソードとカソードに沿ってカソードとほぼ一定の距離に
保たれて配置されるアノードとの間に銅イオンと硫酸イ
オンを含有する硫酸酸性硫酸銅溶液から成る電解液を流
し、カソードに銅が電析するように有効な量の電圧を印
加し、回転するカソード周囲に銅を電着していくことに
より製造される。所定の厚さとなった薄膜はカソードか
らはぎ取られる。カソード面側がシャイニー面を構成し
そして電着面側がマット面を構成する。本発明は、マッ
ト面側の表面粗さＲｚ≦３μｍである、制御された低プ
ロファイルの電解銅箔の製造方法を提供する。
ソードとカソードに沿ってカソードとほぼ一定の距離に
保たれて配置されるアノードとの間に銅イオンと硫酸イ
オンを含有する硫酸酸性硫酸銅溶液から成る電解液を流
し、カソードに銅が電析するように有効な量の電圧を印
加し、回転するカソード周囲に銅を電着していくことに
より製造される。所定の厚さとなった薄膜はカソードか
らはぎ取られる。カソード面側がシャイニー面を構成し
そして電着面側がマット面を構成する。本発明は、マッ
ト面側の表面粗さＲｚ≦３μｍである、制御された低プ
ロファイルの電解銅箔の製造方法を提供する。
【００１１】本発明に従えば、電解液としての硫酸酸性
硫酸銅溶液がチオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐ
ｐｍ以上、好ましくは０．５〜１０ｐｐｍ、より好まし
くは１〜５ｐｐｍを含有し、かつ、硫酸酸性硫酸銅溶液
の液流速を１．５ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは２．０〜
５ｍ／ｓｅｃとする。チオ尿素は（ＮＨ2 ）2 Ｃ＝Ｓで
示される硫黄含有物質である。硫黄原子が硫酸銅溶液中
の銅イオンと反応して銅錯体が形成されることにより、
或いはメッキ界面に作用して過電圧を上昇させることに
より銅の結晶を微細化し、凹凸の少ない電着面を形成す
るものと考えられる。マット面側の表面粗さＲｚ≦３μ
ｍを実現するには、０．５ｐｐｍ以上のチオ尿素が必要
である。１０ｐｐｍを超えてチオ尿素を添加しても、Ｒ
ｚを下げる効果は飽和する。チオ尿素誘導体としては、
ジエチルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿
素、ジメチルチオ尿素、チオセミカルバジド等が好適例
である。Ｒｚ≦３μｍを実現するには、カソードとアノ
ードのと間に流される硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を
１．５ｍ／ｓｅｃ以上とすることが必要である。適正濃
度のチオ尿素及び／又はその誘導体を含む硫酸酸性硫酸
銅溶液が電着界面に存在して、チオ尿素及び／又はその
誘導体の作用を発揮させる。５ｍ／ｓｅｃを超える液流
速は設備設計上実用的ではない。
硫酸銅溶液がチオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐ
ｐｍ以上、好ましくは０．５〜１０ｐｐｍ、より好まし
くは１〜５ｐｐｍを含有し、かつ、硫酸酸性硫酸銅溶液
の液流速を１．５ｍ／ｓｅｃ以上、好ましくは２．０〜
５ｍ／ｓｅｃとする。チオ尿素は（ＮＨ2 ）2 Ｃ＝Ｓで
示される硫黄含有物質である。硫黄原子が硫酸銅溶液中
の銅イオンと反応して銅錯体が形成されることにより、
或いはメッキ界面に作用して過電圧を上昇させることに
より銅の結晶を微細化し、凹凸の少ない電着面を形成す
るものと考えられる。マット面側の表面粗さＲｚ≦３μ
ｍを実現するには、０．５ｐｐｍ以上のチオ尿素が必要
である。１０ｐｐｍを超えてチオ尿素を添加しても、Ｒ
ｚを下げる効果は飽和する。チオ尿素誘導体としては、
ジエチルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿
素、ジメチルチオ尿素、チオセミカルバジド等が好適例
である。Ｒｚ≦３μｍを実現するには、カソードとアノ
ードのと間に流される硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を
１．５ｍ／ｓｅｃ以上とすることが必要である。適正濃
度のチオ尿素及び／又はその誘導体を含む硫酸酸性硫酸
銅溶液が電着界面に存在して、チオ尿素及び／又はその
誘導体の作用を発揮させる。５ｍ／ｓｅｃを超える液流
速は設備設計上実用的ではない。
【００１２】硫酸酸性硫酸銅溶液の銅イオン濃度は一般
に７０〜１２０ｇ／ｌでありそして硫酸濃度は一般に５
０〜１２０ｇ／ｌである。硫酸酸性硫酸銅溶液には、塩
化物イオンが不可避的に混入している。塩化物イオンは
水その他の成分の汚染物質として存在する。塩化物イオ
ンは室温における伸び率の高い銅箔を製造するのに好作
用するが、多過ぎると、最大引張強度及び高温での伸び
に悪影響を与える。塩化物イオンは、通常、１００ｐｐ
ｍ以下、特には１〜６０ｐｐｍの範囲に管理される。電
流密度Ｄｋは特には限定されず、通常範囲、５０〜２０
０Ａ／ｄｍ2 、特には１００〜１５０Ａ／ｄｍ2 で十分
である。硫酸酸性硫酸銅溶液の液温度もまた特には限定
されるものではなく、通常４０〜８０℃、特には５０〜
６０℃範囲に管理される。
に７０〜１２０ｇ／ｌでありそして硫酸濃度は一般に５
０〜１２０ｇ／ｌである。硫酸酸性硫酸銅溶液には、塩
化物イオンが不可避的に混入している。塩化物イオンは
水その他の成分の汚染物質として存在する。塩化物イオ
ンは室温における伸び率の高い銅箔を製造するのに好作
用するが、多過ぎると、最大引張強度及び高温での伸び
に悪影響を与える。塩化物イオンは、通常、１００ｐｐ
ｍ以下、特には１〜６０ｐｐｍの範囲に管理される。電
流密度Ｄｋは特には限定されず、通常範囲、５０〜２０
０Ａ／ｄｍ2 、特には１００〜１５０Ａ／ｄｍ2 で十分
である。硫酸酸性硫酸銅溶液の液温度もまた特には限定
されるものではなく、通常４０〜８０℃、特には５０〜
６０℃範囲に管理される。
【００１３】以上の条件で電解を実施することにより、
ＰＣＢ応用品に適応可能なタイプの、より品質の高い銅
箔を製造することができる。得られる銅箔は、マット面
側の表面粗さＲｚ≦３μｍ、好ましくは１〜３μｍであ
る、制御された低プロファイルの電解銅箔である。この
箔の低く制御されたプロファイルは、エッチング性及び
インピーダンス特性を向上させることができる。ここ
で、表面粗さＲｚは、表面粗さ曲線の基準線に対する山
部と谷部と偏倚量の平均値であり、市販の表面粗さ計に
より測定することができる。Ｒｚが３μｍを超えるとエ
ッチング残が生じ、１μｍ未満の場合には、樹脂基板と
の充分な接着強度を確保することが困難となる。
ＰＣＢ応用品に適応可能なタイプの、より品質の高い銅
箔を製造することができる。得られる銅箔は、マット面
側の表面粗さＲｚ≦３μｍ、好ましくは１〜３μｍであ
る、制御された低プロファイルの電解銅箔である。この
箔の低く制御されたプロファイルは、エッチング性及び
インピーダンス特性を向上させることができる。ここ
で、表面粗さＲｚは、表面粗さ曲線の基準線に対する山
部と谷部と偏倚量の平均値であり、市販の表面粗さ計に
より測定することができる。Ｒｚが３μｍを超えるとエ
ッチング残が生じ、１μｍ未満の場合には、樹脂基板と
の充分な接着強度を確保することが困難となる。
【００１４】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を示す。いずれ
も、銅イオン濃度は７０ｇ／ｌでありそして硫酸濃度は
１００ｇ／ｌである。表面粗さＲｚは（株）ミツトヨ
製、Ｓｕｒｆｔｅｓｔ−４２０により測定した。
も、銅イオン濃度は７０ｇ／ｌでありそして硫酸濃度は
１００ｇ／ｌである。表面粗さＲｚは（株）ミツトヨ
製、Ｓｕｒｆｔｅｓｔ−４２０により測定した。
【００１５】［実施例１及び比較例］表−１は、有機添
加剤として動物ニカワおよびチオ尿素を単独でもしくは
組み合わせて用い、電解液温度：５７℃、液流速：２ｍ
／ｓｅｃとした場合のマット面側の粗さＲｚを調べた結
果である。塩化物イオン濃度及び電流密度は表に示した
通りである。電解銅箔を製造する際の有機添加剤は、従
来、動物ニカワ、あるいは動物ニカワと他の有機添加剤
の組み合わせが用いられてきた。動物ニカワを用いた場
合、さらにチオ尿素を添加すると、マット面側の粗さが
小さくなる傾向が見られたが、表−１からわかるよう
に、有機添加剤としてチオ尿素のみを用いる場合に、マ
ット面側の粗さＲｚ≦３μｍとなる。
加剤として動物ニカワおよびチオ尿素を単独でもしくは
組み合わせて用い、電解液温度：５７℃、液流速：２ｍ
／ｓｅｃとした場合のマット面側の粗さＲｚを調べた結
果である。塩化物イオン濃度及び電流密度は表に示した
通りである。電解銅箔を製造する際の有機添加剤は、従
来、動物ニカワ、あるいは動物ニカワと他の有機添加剤
の組み合わせが用いられてきた。動物ニカワを用いた場
合、さらにチオ尿素を添加すると、マット面側の粗さが
小さくなる傾向が見られたが、表−１からわかるよう
に、有機添加剤としてチオ尿素のみを用いる場合に、マ
ット面側の粗さＲｚ≦３μｍとなる。
【００１６】
【表１】
【００１７】［実施例２］表−２は、有機添加剤として
チオ尿素誘導体であるジエチルチオ尿素を用い、電解液
温度：５７℃、液流速：２ｍ／ｓｅｃとした場合のマッ
ト面側の粗さＲｚを調べた結果である。いずれも３μｍ
以下のマット面側の粗さＲｚを実現している。
チオ尿素誘導体であるジエチルチオ尿素を用い、電解液
温度：５７℃、液流速：２ｍ／ｓｅｃとした場合のマッ
ト面側の粗さＲｚを調べた結果である。いずれも３μｍ
以下のマット面側の粗さＲｚを実現している。
【００１８】
【表２】
【００１９】［実施例３］表−３は、有機添加剤として
チオ尿素を用い、電流密度：１２０Ａ／ｄｍ2 、電解液
温度：５７℃とし、液流速を変えた場合のマット面側の
粗さＲｚを調べた結果である。液流速が大きくなるほど
マット面側の粗さは小さくなる。３μｍ以下のマット面
側の粗さＲｚを実現するには、１．５ｍ／ｓｅｃの液流
速が必要であることがわかる。
チオ尿素を用い、電流密度：１２０Ａ／ｄｍ2 、電解液
温度：５７℃とし、液流速を変えた場合のマット面側の
粗さＲｚを調べた結果である。液流速が大きくなるほど
マット面側の粗さは小さくなる。３μｍ以下のマット面
側の粗さＲｚを実現するには、１．５ｍ／ｓｅｃの液流
速が必要であることがわかる。
【００２０】
【表３】
【００２１】
【発明の効果】動物ニカワ以外の有機添加剤としてチオ
尿素及び／又はその誘導体を用いて３μｍ以下の表面粗
さＲｚを有する、制御された低プロファイルの電解銅箔
を製造する方法を確立した。この箔の低く制御されたプ
ロファイルは、エッチング性およびインピーダンス特性
を向上させることができる。
尿素及び／又はその誘導体を用いて３μｍ以下の表面粗
さＲｚを有する、制御された低プロファイルの電解銅箔
を製造する方法を確立した。この箔の低く制御されたプ
ロファイルは、エッチング性およびインピーダンス特性
を向上させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 恒男 埼玉県戸田市新曽南３丁目17番35号株式会 社ジャパンエナジー内
Claims (3)
- 【請求項１】 回転するカソードと該カソードに対向す
るアノードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を
流し電解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅
溶液がチオ尿素及び／又はその誘導体を０．５ｐｐｍ以
上含有し、かつ、該硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を１．
５ｍ／ｓｅｃ以上としたことを特徴とする低プロファイ
ルの電解銅箔の製造方法。 - 【請求項２】 電解銅箔のマット面の表面粗さ（Ｒ
ｚ）：３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
の電解銅箔の製造方法。 - 【請求項３】 回転するカソードと該カソードに対向す
るアノードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を
流し電解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅
溶液がチオ尿素及び／又はその誘導体を０．５〜１０ｐ
ｐｍ含有し、かつ、該硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を
２．０〜５ｍ／ｓｅｃとし、得られる電解銅箔のマット
面の表面粗さ（Ｒｚ）：３μｍ以下としたことを特徴と
する低プロファイルの電解銅箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768096A JPH1036991A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 電解銅箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768096A JPH1036991A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 電解銅箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036991A true JPH1036991A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16543801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20768096A Pending JPH1036991A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 電解銅箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1036991A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001048272A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Trace metallique cuivre electrolytique |
| WO2001049903A1 (fr) * | 2000-01-06 | 2001-07-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Feuille de cuivre electrolytique, technique de controle des proprietes physiques de ladite feuille, et lamine sur lequel cette feuille de cuivre est utilisee comme revetement |
| LU90532B1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-27 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Comosite copper foil and manufacturing method thereof |
| JP2016507652A (ja) * | 2013-01-21 | 2016-03-10 | 福建清景▲銅▼箔有限公司 | 硫酸銅溶液の逆流による電解銅箔の生産方法及びシステム |
| WO2016208858A1 (ko) | 2015-06-26 | 2016-12-29 | 엘에스엠트론 주식회사 | 리튬 이차전지용 전해동박 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP20768096A patent/JPH1036991A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001048272A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Trace metallique cuivre electrolytique |
| US6544663B1 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrodeposited copper foil |
| WO2001049903A1 (fr) * | 2000-01-06 | 2001-07-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Feuille de cuivre electrolytique, technique de controle des proprietes physiques de ladite feuille, et lamine sur lequel cette feuille de cuivre est utilisee comme revetement |
| LU90532B1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-27 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Comosite copper foil and manufacturing method thereof |
| WO2001063016A1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-30 | Circuit Foil Luxembourg Trading S.A R.L. | Composite copper foil and manufacturing method thereof |
| JP2003524078A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-12 | サーキット フォイル ルクセンブルグ トレーディング エス．エイ アール．エル． | 複合銅箔及びその製造方法 |
| US7153590B2 (en) | 2000-02-24 | 2006-12-26 | Circuit Foil Luxembourg Trading S.A.R.L. | Composite copper foil and manufacturing method thereof |
| JP2016507652A (ja) * | 2013-01-21 | 2016-03-10 | 福建清景▲銅▼箔有限公司 | 硫酸銅溶液の逆流による電解銅箔の生産方法及びシステム |
| WO2016208858A1 (ko) | 2015-06-26 | 2016-12-29 | 엘에스엠트론 주식회사 | 리튬 이차전지용 전해동박 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 |
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