JP2003308743A - Cvケーブルの製造方法 - Google Patents
Cvケーブルの製造方法Info
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Abstract
加温工程を行うのにケーブルコアを巻き取ったドラムご
と運搬する手間をなくし、かつ、ケーブル導体にヒータ
線など特別の機器・構造を設ける必要も無くして工程の
簡単化かつ作業負荷を軽減してコスト低減を図ることが
できるCVケーブルの製造方法を提供する。 【解決手段】 電力ケーブルの製造ラインでは、ケーブ
ル導体にクロスヘッドから内部半導電層、絶縁層、外部
半導電層を押し出し成形する三層同時押し出し成形し、
架橋加熱・冷却したケーブルコア1をドラム巻きして乾
燥室に搬入し、ケーブルコア1の巻き終わり端未1aに
乾燥用空気経路を繋ぐ。そして、乾燥室内で加温乾燥し
ている状態で残留メタンガスを拡散するようにし、乾燥
空気を吹き込んでメタンガスの導体側への拡散を促進し
ている。
Description
電力ケーブル(「CVケーブル」という)の製造に際し
て、架橋工程を終わったCVケーブルコアからメタンガ
スを除去するCVケーブルの製造方法に関する。
電層、架橋ポリエチレン絶縁体層、外部半導電層を三層
同時押し出し成形したCVケーブルコアと、最外層のプ
ラスチック等からなるシースとから構成されている。
るように、前記のCVケーブルの製造においては、架橋
に際して、架橋剤として有機過酸化物を混入して加熱す
ることにより架橋反応を起こさせている。この際、架橋
剤の分解残渣としてメタンガスが発生し、このメタンガ
スが架橋ポリエチレン層中に残留しやすい。従来は、シ
ースで被覆する前のケーブルコアをドラムに巻き取り、
そのドラムごとケーブルコアを50〜60℃の乾燥室に
運搬し、乾燥室で熱風等によりケーブルコアを加熱乾燥
してメタンガスを除去していた。この場合に、メタンガ
スを除去する条件は、内部半導電層、絶縁層、外部半導
電層の肉厚によって、残留メタンガス量が0.1cc/
1ccPE以下になるように温度と時間を決めている。
来の方法では、架橋ポリエチレン層の厚さが増大すると
メタンガス除去に時間がかかり、厚さ20mmを越える
架橋ポリエチレン層では数週間を要することが知られて
いる。加温して目的のメタンガス濃度までメタンガスを
除去する場合、製造リードタイムに大きく影響を及ぼし
ていた。これに対して前記公報記載の技術では、導体の
一部にヒータ線を設けてヒータ線に通電してケーブルコ
アを加熱しメタンガスを除去している。しかるに、これ
では、せっかくメタンガス除去の時間を短縮できたとし
ても、導体中にヒータ線を設ける工程が増えてしまい、
結局、ケーブルのコスト上昇を招く問題点が生じる。
除去を促進でき、かつ、ケーブル導体にヒータ線など特
別の機器・構造を設ける必要も無くして工程の簡単化か
つ作業負荷を軽減してコスト低減を図ることができるC
Vケーブルの製造方法を提供することを目的とする。
部半導電層、絶縁層および外部半導電層を押し出し成形
し、かつ架橋加熱したCVケーブルコアを製造する際
に、架橋後のCVケーブルコアのメタンガス除去工程を
行う時に、該ケーブルコア導体にその端部から露点管理
されたガスを吹き流すようにしたことを特徴とするCV
ケーブルの製造方法である。本発明によれば、CVケー
ブルコアを加温するなどメタンガス除去処理している際
に、ガスをケーブルコア導体に吹き流すことにより、メ
タンガスの拡散スピードを促進し、メタンガス除去時間
の短縮化が可能になる。したがって、CVケーブルコア
のメタンガス除去の促進を促すことができ、かつ、ケー
ブル導体にヒータ線ど特別の機器・構造を設ける必要も
無くして、工程の簡単化かつ作業負荷を軽減してコスト
低減を図ることができる。
コアを加温しつつガスを吹き流すようにしたことが好適
であり、このようにすれば、加温処理で導体側に出てき
たガスを速やかに流すことができる。また、吹き流すガ
スは、空気あるいは窒素ガスとしたことが好適である。
他のガスでも安全に取り扱えるものであれば、どのよう
な種類のガスでも使用できる。また、ガスは乾燥したも
のがケーブルの電気的性能維持の面から好ましい。ま
た、ガスの圧力は0.1kg/cm2〜6kg/cm2
とするのが好ましい。
施形態を詳細に説明する。図1は本発明の実施形態にか
かるCVケーブル製造ラインにおける架橋後のCVケー
ブルコア1の導体にドライエアを吹き流す機器構成例を
示している。乾燥用空気系として、工場用等の事業所の
工業用エアーをバルブ、圧力計およびオイルフィルター
2と、減圧弁3と、流量計4を介したものとして、ケー
ブルコア1の巻き終わり端未1aに繋ぐ。この場合、ケ
ーブルコア1は、132kv800mm2(絶縁層を2
1mm厚に形成)のもので内部半導電層、絶縁層および
外部半導電層を三層同時押し出し成形したものである。
また、吹き込み圧力が0.6kg/cm2であり、空気
流量は3000cc/分に調整した。また、乾燥度は、
メタンガス0.05〜0.3cc/PE1ccである。
また、露点は−15℃である。
乾燥のみをした場合(従来例)と、前記乾燥空気を吹き
込んだ場合(本発明例)とについて、初期濃度と乾燥過
程のメタンガス濃度とを測定してメタンガス濃度の終点
を想定したものである。コアの表面温度は55℃残留メ
タンガスの濃度目標(管理値)は、0.1cc/1cc
PE以下にしたものである。図2に示すように、残留メ
タンガスが目標濃度になるのが、従来例のように乾燥室
で加温しただけでは、実測0.099cc/PE1cc
になるのに12日間かかったが、前記本発明例のように
空気(ドライエア)を吹き流すと、実測0.097cc
/PE1ccになるのに8日しかかからなかった。
によれば30〜40%程度のメタン除去時間の短縮が可
能になったことが理解される。したがって、CVケーブ
ルコアのメタンガス除去を促進できることが理解され
る。また、このメタンガス除去促進のための構成がケー
ブル導体にヒータ線など特別の機器・構造を設ける必要
も無くなる。よって、本発明により工程の簡単化かつ作
業負荷を軽減してコスト低減を図ることができる。
タンガス除去の促進を促すことができ、かつ、ケーブル
導体にヒータ線など特別の機器・構造を設ける必要も無
くして、工程の簡単化かつ作業負荷を軽減してコスト低
減を図ることができる。
き取り状態のものを乾燥室内に収容して乾燥用空気を吹
き込む状態の説明図である。
濃度の変化状態の説明図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 導体外周に内部半導電層、絶縁層および
外部半導電層を押し出し成形し、かつ架橋加熱したCV
ケーブルコアを製造する際に、 架橋後のCVケーブルコアのメタンガス除去工程を行う
時に、該ケーブルコア導体にその端部から露点管理され
たガスを吹き流すようにしたことを特徴とするCVケー
ブルの製造方法。 - 【請求項2】 メタンガス除去工程では、ケーブルコア
を加温しつつガスを吹き流すようにしたことを特徴とす
る請求項1に記載のCVケーブル製造方法。 - 【請求項3】 吹き流すガスは、空気あるいは窒素ガス
としたことを特徴とする請求項1または2に記載のCV
ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002115689A JP4007844B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | Cvケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002115689A JP4007844B2 (ja) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | Cvケーブルの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003308743A true JP2003308743A (ja) | 2003-10-31 |
JP4007844B2 JP4007844B2 (ja) | 2007-11-14 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4007844B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101916625A (zh) * | 2010-08-25 | 2010-12-15 | 北京亨通斯博通讯科技有限公司 | 一种提高电缆绝缘性能的方法及装置 |
-
2002
- 2002-04-18 JP JP2002115689A patent/JP4007844B2/ja not_active Expired - Fee Related
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