JP2003203993A5 - - Google Patents
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Claims (27)
- 第1組及び第2組のドライバトランジスタ、ロードトランジスタ及びアクセストランジスタとを備えたメモリセルが半導体基板上に2次元配列されたメモリセルアレーと、
前記2次元配置された各メモリセルに接続され、第1方向に沿って互いに平行に配置された複数のワードラインと、
前記各メモリセルに接続され、前記第1方向と直交する第2方向に沿って互いに平行に配置された複数のビットラインと、
第1組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続し、直線状の側辺を有する長方形状の第1ゲート配線と、
前記アクセストランジスタと接続され、直線状の側辺を有する長方形状の第2ゲート配線と、
前記第1ゲート配線と、第2組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続する第1コネクタと、
前記第2ゲート配線と前記ワードラインとを接続する第2コネクタと
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2ゲート配線は、長手方向がアクセストランジスタのゲート幅方向にわたって延在するようにそれぞれ配列されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線は、それぞれの長手方向が前記第1方向に沿って互いに平行に配列されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1方向で互いに隣接する前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の間隔は、実質的に同一であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2方向で隣接する前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の間隔は、実質的に同一であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線は、実質的に同一長さの短辺を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線とは、基板に平行な面への投影形状が互いに実質的に同一であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線に関して、所定の対称点について点対称に構成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線は、長辺/短辺の値が5以上であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線の短辺の長さは、0.15μm以下であることを特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2コネクタは、タングステン・ダマシンからなることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 第1組及び第2組のドライバトランジスタ、ロードトランジスタ及びアクセストランジスタとを備えたメモリセルが半導体基板上に2次元配列されたメモリセルアレーと、
前記2次元配置された各メモリセルに接続され、第1方向に沿って互いに平行に配置された複数のワードラインと、
前記各メモリセルに接続され、前記第1方向と直交する第2方向に沿って互いに平行に配置された複数のビットラインと、
第1組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続する第1ゲート配線と、
前記アクセストランジスタと接続されている第2ゲート配線と、
を備え、
前記第1及び第2ゲート配線は、それぞれの長手方向が前記第1方向に沿って互いに平行に配列されたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 第1組及び第2組のドライバトランジスタ、ロードトランジスタ及びアクセストランジスタとを備えたメモリセルが半導体基板上に2次元配列されたメモリセルアレーと、
前記2次元配置された各メモリセルに接続され、第1方向に沿って互いに平行に配置された複数のワードラインと、
前記各メモリセルに接続され、前記第1方向と直交する第2方向に沿って互いに平行に配置された複数のビットラインと、
第1組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続する第1ゲート配線と、
前記アクセストランジスタと接続されている第2ゲート配線と、
を備え、
前記第1方向又は前記第2方向のうち、少なくとも一つの方向において互いに隣接する前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の間隔は、実質的に同一であることを特徴とする半導体記憶装置。 - 第1組及び第2組のドライバトランジスタ、ロードトランジスタ及びアクセストランジスタとを備えたメモリセルが半導体基板上に2次元配列されたメモリセルアレーと、
前記2次元配置された各メモリセルに接続され、第1方向に沿って互いに平行に配置された複数のワードラインと、
前記各メモリセルに接続され、前記第1方向と直交する第2方向に沿って互いに平行に配置された複数のビットラインと、
第1組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続する第1ゲート配線と、
前記アクセストランジスタと接続されている第2ゲート配線と、
を備え、
前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線とは、基板に平行な面への投影形状が互いに実質的に同一であることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1ゲート配線と、第2組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続する第1コネクタと、
前記第2ゲート配線と前記ワードラインとを接続する第2コネクタと
をさらに備えることを特徴とする請求項12から14のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。 - 半導体基板を準備する半導体基板準備工程と、
前記半導体基板の所定箇所に素子分離用酸化膜を形成する素子分離酸化膜形成工程と、
前記半導体基板の所定箇所にイオン注入して、Pウエル領域、Nウエル領域、Pウエル領域を第1方向に順に配列するように前記各ウエル領域を形成するウエル領域形成工程と、
前記半導体基板上にゲート酸化膜を堆積させた後、ゲート配線用のポリシリコン配線層を堆積させるポリシリコン配線層形成工程と、
前記ポリシリコン配線層を介して前記半導体基板にイオン注入して、ドライバトランジスタ、ロードトランジスタ及びアクセストランジスタを作成するトランジスタ形成工程と、
前記ポリシリコン配線層のパターニングを行って、前記ドライバトランジスタとロードトランジスタとを接続する第1ゲート配線と前記アクセストランジスタと接続されている第2ゲート配線を形成するゲート配線形成工程と、
平坦化絶縁膜を堆積させ、コネクタ用マスクで平坦化絶縁膜をエッチングするコネクタ用溝形成工程と、
前記コネクタ用溝にタングステンを堆積させ、平坦化して前記溝内にタングステンを残して第1及び第2コネクタを形成するタングステン・ダマシン工程と、
平坦化絶縁膜を堆積させ、スタックビアホール用の孔を開け、タングステンを埋め込み、スタックビアホール以外のタングステンを除去してスタックビアホールを形成するスタックビアホール形成工程と、
全面に第1金属層を堆積させ、第1金属配線用マスクによって所定箇所以外の前記第1金属層を除去して、第1金属配線を形成する第1金属配線形成工程と、
層間絶縁膜を堆積させ、第1ビアホールの孔を開け、タングステンを埋め込み、それ以外のタングステンをエッチングで除去して第1ビアホールを形成する第1ビアホール形成工程と、
第2金属層を堆積させ、所定箇所以外の前記第2金属層を除去して、第2金属配線を形成する第2金属配線工程と
を含み
前記第1及び第2ゲート配線は、前記第1方向に平行な長手方向を有する長方形状であることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 第1組及び第2組のドライバトランジスタ、ロードトランジスタ及びアクセストランジスタとを備えたメモリセルが半導体基板上に2次元配列されたメモリセルアレーと、
前記2次元配置された各メモリセルに接続され、第1方向に沿って互いに平行に配置された複数のワードラインと、
前記各メモリセルに接続され、前記第1方向と直交する第2方向に沿って互いに平行に配置された複数のビットラインと、
第1組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続し、直線状の側辺を有する第1ゲート配線と、
前記アクセストランジスタと接続され、直線状の側辺を有する第2ゲート配線と、
前記第1ゲート配線と、第2組の前記ドライバトランジスタと前記ロードトランジスタとを接続する第1コネクタと、
前記第2ゲート配線と前記ワードラインとを接続する第2コネクタと
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2ゲート配線は、長手方向がアクセストランジスタのゲート幅方向にわたって延在するようにそれぞれ配列されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線は、それぞれの長手方向が前記第1方向に沿って互いに平行に配列されていることを特徴とする請求項17又は18に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1方向で互いに隣接する前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の間隔は、実質的に同一であることを特徴とする請求項17から19のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2方向で隣接する前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の間隔は、実質的に同一であることを特徴とする請求項17から20のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線は、実質的に同一長さの短辺を有することを特徴とする請求項17から21のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線とは、基板に平行な面への投影形状が互いに実質的に同一であることを特徴とする請求項17から22のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線に関して、所定の対称点について点対称に構成されていることを特徴とする請求項17から23のいずれか一項に記載の半導体 記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線は、長辺/短辺の値が5以上であることを特徴とする請求項17から24のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2ゲート配線の短辺の長さは、0.15μm以下であることを特徴とする請求項25に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2コネクタは、タングステン・ダマシンからなることを特徴とする請求項17から26のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
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