JP2003168637A - 半導体ウエハ処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ処理装置Info
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜処理などを実行する際の各処理室内の状
態を均一にし，半導体ウエハの膜厚の均一性などをより
高精度にする。 【解決手段】 複数の処理室Ａ〜Ｄを備えた半導体ウエ
ハ処理装置において，いずれの処理室についてもコンデ
ィショニング終了から処理開始までの時間が同じになる
ようにディレイ時間（Ｄ１，Ｄ３，Ｄ４）を算出し，各
処理室のコンディショニング開始時間を調整することに
より，コンディショニング終了から処理開始までの時間
のばらつきを解消するようにした。
態を均一にし，半導体ウエハの膜厚の均一性などをより
高精度にする。 【解決手段】 複数の処理室Ａ〜Ｄを備えた半導体ウエ
ハ処理装置において，いずれの処理室についてもコンデ
ィショニング終了から処理開始までの時間が同じになる
ようにディレイ時間（Ｄ１，Ｄ３，Ｄ４）を算出し，各
処理室のコンディショニング開始時間を調整することに
より，コンディショニング終了から処理開始までの時間
のばらつきを解消するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体ウエハに成
膜などの処理を行う半導体ウエハ処理装置に関する。
膜などの処理を行う半導体ウエハ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ処理装置は複数の処理室
（チャンバ）を設け，各処理室に半導体ウエハなどの被
処理体を搬送アームによって搬送して成膜などのプロセ
ス処理を行うようになっている。このような半導体ウエ
ハ処理装置としては，各処理室ごとに異なる処理（例え
ば成膜やエッチングなどの異なる処理や，同じ成膜の処
理であってもＴi，ＴiＮ，Ｗ，ＷＳi など成分の異なる
膜を形成する異なる処理）を可能に構成し半導体ウエハ
を各処理室に順番に搬送して順列処理を行うものや，各
処理室を同様の処理（例えば同様の成膜のプロセス処
理）を可能に構成し各処理室に半導体ウエハを搬送して
並列処理を行うものがある。
（チャンバ）を設け，各処理室に半導体ウエハなどの被
処理体を搬送アームによって搬送して成膜などのプロセ
ス処理を行うようになっている。このような半導体ウエ
ハ処理装置としては，各処理室ごとに異なる処理（例え
ば成膜やエッチングなどの異なる処理や，同じ成膜の処
理であってもＴi，ＴiＮ，Ｗ，ＷＳi など成分の異なる
膜を形成する異なる処理）を可能に構成し半導体ウエハ
を各処理室に順番に搬送して順列処理を行うものや，各
処理室を同様の処理（例えば同様の成膜のプロセス処
理）を可能に構成し各処理室に半導体ウエハを搬送して
並列処理を行うものがある。
【０００３】ところで，いずれの半導体ウエハ処理装置
においても，各処理室に半導体ウエハを搬送アームで搬
入する前に，クリーニング動作，処理室の雰囲気をプロ
セス時と同じにしていったんガスを充満させて処理室内
をコーティングするプリコート動作などを行い，温度や
圧力や処理室内環境などをプロセス処理が可能な状態に
している。このように，各処理室内の状態を予めそれぞ
れの処理が可能な状態にすることをここではコンディシ
ョニングと呼ぶことにする。
においても，各処理室に半導体ウエハを搬送アームで搬
入する前に，クリーニング動作，処理室の雰囲気をプロ
セス時と同じにしていったんガスを充満させて処理室内
をコーティングするプリコート動作などを行い，温度や
圧力や処理室内環境などをプロセス処理が可能な状態に
している。このように，各処理室内の状態を予めそれぞ
れの処理が可能な状態にすることをここではコンディシ
ョニングと呼ぶことにする。
【０００４】このコンディショニングにかかる時間は各
処理室ごとに異なる。これは，例えば各処理室での成膜
温度が異なる場合には温度上昇に必要な時間が異なるか
らである。また，処理室ごとに異なるプロセス処理を行
う場合にはクリーニング時間が異なるのでコンディショ
ニング時間も異なる。さらに，並列処理を行う場合に処
理室で処理された半導体ウエハの枚数に対応してクリー
ニング時間を決定するような場合にも各処理室ごとにク
リーニング時間が異なるのでコンディショニング時間も
異なる。
処理室ごとに異なる。これは，例えば各処理室での成膜
温度が異なる場合には温度上昇に必要な時間が異なるか
らである。また，処理室ごとに異なるプロセス処理を行
う場合にはクリーニング時間が異なるのでコンディショ
ニング時間も異なる。さらに，並列処理を行う場合に処
理室で処理された半導体ウエハの枚数に対応してクリー
ニング時間を決定するような場合にも各処理室ごとにク
リーニング時間が異なるのでコンディショニング時間も
異なる。
【０００５】従って，従来，処理室ごとに異なるプロセ
ス処理を順列して行う半導体ウエハ処理装置において
は，図８に示すようにすべての処理室について同時にコ
ンディショニングを開始し，コンディショニング時間
（Ｓ）が最も長い処理室（Ｄ）についてコンディショニ
ングが終了した時点で最初の処理室（Ａ）へ半導体ウエ
ハの搬送を行ってプロセス処理を実行し，その後はプロ
セス処理が終了するごとに次の処理室へ半導体ウエハの
搬送（Ｃ）を行ってプロセス処理（Ｐ）を実行してい
た。
ス処理を順列して行う半導体ウエハ処理装置において
は，図８に示すようにすべての処理室について同時にコ
ンディショニングを開始し，コンディショニング時間
（Ｓ）が最も長い処理室（Ｄ）についてコンディショニ
ングが終了した時点で最初の処理室（Ａ）へ半導体ウエ
ハの搬送を行ってプロセス処理を実行し，その後はプロ
セス処理が終了するごとに次の処理室へ半導体ウエハの
搬送（Ｃ）を行ってプロセス処理（Ｐ）を実行してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，このよ
うにコンディショニングを一斉に開始するようにしたの
では，コンディショニングが終了してから半導体ウエハ
搬送処理を行うまでに，各処理室ごとに異なる待ち時間
（ＷＡ，ＷＢ，ＷＣ，ＷＤ）が発生してしまう。
うにコンディショニングを一斉に開始するようにしたの
では，コンディショニングが終了してから半導体ウエハ
搬送処理を行うまでに，各処理室ごとに異なる待ち時間
（ＷＡ，ＷＢ，ＷＣ，ＷＤ）が発生してしまう。
【０００７】例えば，最初に処理を行うべき処理室
（Ａ）であっても，コンディショニング時間が短けれ
ば，最も長い時間がかかる処理室（Ｄ）のコンディショ
ニングが終了するまで待ち時間ＷAが発生する。また，
処理室（Ｄ）については，最後にプロセス処理が行われ
るにも拘わらず，最初にコンディショニングが完了して
いるので，他の処理室の処理が終了するまでその状態で
待ち時間ＷDが発生する。
（Ａ）であっても，コンディショニング時間が短けれ
ば，最も長い時間がかかる処理室（Ｄ）のコンディショ
ニングが終了するまで待ち時間ＷAが発生する。また，
処理室（Ｄ）については，最後にプロセス処理が行われ
るにも拘わらず，最初にコンディショニングが完了して
いるので，他の処理室の処理が終了するまでその状態で
待ち時間ＷDが発生する。
【０００８】このように，コンディショニングが終了し
た状態で処理室ごとに異なる待ち時間（ＷＡ，ＷＢ，Ｗ
Ｃ，ＷＤ）が発生すると，半導体ウエハが搬入されるま
でに処理室内の状態が各処理室ごとに微妙に変化してし
まう。特に処理室内の温度（処理室内に設けられたサセ
プタの温度やサセプタからの輻射熱による処理室自体の
温度など）は待ち時間が異なると各処理室ごとに微妙に
変化するため，例えば各処理室で同じ成膜のプロセス処
理を行う場合でも，半導体ウエハの膜厚が各処理室ごと
に微妙に異なるという問題があった。
た状態で処理室ごとに異なる待ち時間（ＷＡ，ＷＢ，Ｗ
Ｃ，ＷＤ）が発生すると，半導体ウエハが搬入されるま
でに処理室内の状態が各処理室ごとに微妙に変化してし
まう。特に処理室内の温度（処理室内に設けられたサセ
プタの温度やサセプタからの輻射熱による処理室自体の
温度など）は待ち時間が異なると各処理室ごとに微妙に
変化するため，例えば各処理室で同じ成膜のプロセス処
理を行う場合でも，半導体ウエハの膜厚が各処理室ごと
に微妙に異なるという問題があった。
【０００９】また，各処理室で同様のプロセス処理を並
列して行う半導体ウエハ処理装置においても，図９に示
すようにすべての処理室について同時にコンディショニ
ングを開始していたので，各処理室ごとに異なる待ち時
間（ＷY，ＷZ）が発生する。このため，順列処理を行う
半導体ウエハ処理装置場合と同様の問題があった。
列して行う半導体ウエハ処理装置においても，図９に示
すようにすべての処理室について同時にコンディショニ
ングを開始していたので，各処理室ごとに異なる待ち時
間（ＷY，ＷZ）が発生する。このため，順列処理を行う
半導体ウエハ処理装置場合と同様の問題があった。
【００１０】このような問題は，複数枚の半導体ウエハ
を連続的に処理する場合における最初の１枚目を各処理
室で処理するときに特に顕著に現れる。これは例えば２
枚目以降の処理室の環境は，１枚目の処理を通じて比較
的安定に維持される一方，１枚目の処理室の環境は未だ
安定していないことがあり得るためと考えられる。
を連続的に処理する場合における最初の１枚目を各処理
室で処理するときに特に顕著に現れる。これは例えば２
枚目以降の処理室の環境は，１枚目の処理を通じて比較
的安定に維持される一方，１枚目の処理室の環境は未だ
安定していないことがあり得るためと考えられる。
【００１１】近年では，半導体製品の高度化により精度
の高い半導体を製造することが要求されることに伴っ
て，半導体ウエハの膜厚及び膜質の均一性などもより高
精度にすることが要求されるようになっている。
の高い半導体を製造することが要求されることに伴っ
て，半導体ウエハの膜厚及び膜質の均一性などもより高
精度にすることが要求されるようになっている。
【００１２】そこで，本発明は，このような問題に鑑み
てなされたものであり，その目的とするところは，コン
ディショニングが終了してから半導体ウエハが搬送され
る前に処理室内の状態が処理室ごとに変化して不均一と
なることを防止でき，これにより各処理室で形成した膜
厚及び膜質の均一性などを向上させることができる半導
体ウエハ処理装置を提供することにある。
てなされたものであり，その目的とするところは，コン
ディショニングが終了してから半導体ウエハが搬送され
る前に処理室内の状態が処理室ごとに変化して不均一と
なることを防止でき，これにより各処理室で形成した膜
厚及び膜質の均一性などを向上させることができる半導
体ウエハ処理装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明は，請求項１に記載のように，複数の処理室
を備え，コンディショニング終了後に各処理室に半導体
ウエハを搬送し処理を行う半導体ウエハ処理装置におい
て，いずれの処理室についてもコンディショニング終了
から処理開始までの時間が同じになるように各処理室の
コンディショニング開始時間を調整することを特徴とす
る半導体ウエハ処理装置を提供する。これによれば，コ
ンディショニング終了から処理開始までの時間の各処理
室によるばらつきを解消することができる。
に，本発明は，請求項１に記載のように，複数の処理室
を備え，コンディショニング終了後に各処理室に半導体
ウエハを搬送し処理を行う半導体ウエハ処理装置におい
て，いずれの処理室についてもコンディショニング終了
から処理開始までの時間が同じになるように各処理室の
コンディショニング開始時間を調整することを特徴とす
る半導体ウエハ処理装置を提供する。これによれば，コ
ンディショニング終了から処理開始までの時間の各処理
室によるばらつきを解消することができる。
【００１４】また，請求項２に記載のように，少なくと
も異なる処理を行う複数の処理室を備え，コンディショ
ニング終了後に半導体ウエハを各処理室に順次搬送して
処理を行う半導体ウエハ処理装置において，前の処理室
の処理終了に合わせて次の処理室のコンディショニング
が終了するように，次の処理室のコンディショニング開
始時間を調整することを特徴とする半導体ウエハ処理装
置を提供する。これによれば，いずれの処理室について
もコンディショニング終了から処理開始までの時間が同
じになるとともに，コンディショニング終了後の待ち時
間を極力少なくすることができる。さらに，請求項３に
記載のように，ある処理室のコンディショニング時間
が，それまでに処理を行うべき処理室についての半導体
ウエハ搬送時間の総和と処理時間の総和と最初に処理を
行う処理室のコンディショニング時間を加えた時間より
も長いときは，その処理室のコンディショニングを先に
開始するように構成することによって，コンディショニ
ングを先に開始した処理室に半導体ウエハの搬送を行う
までに，それまでの処理室による処理を終了させておく
ことができ，装置全体の処理の効率化を図ることができ
る。
も異なる処理を行う複数の処理室を備え，コンディショ
ニング終了後に半導体ウエハを各処理室に順次搬送して
処理を行う半導体ウエハ処理装置において，前の処理室
の処理終了に合わせて次の処理室のコンディショニング
が終了するように，次の処理室のコンディショニング開
始時間を調整することを特徴とする半導体ウエハ処理装
置を提供する。これによれば，いずれの処理室について
もコンディショニング終了から処理開始までの時間が同
じになるとともに，コンディショニング終了後の待ち時
間を極力少なくすることができる。さらに，請求項３に
記載のように，ある処理室のコンディショニング時間
が，それまでに処理を行うべき処理室についての半導体
ウエハ搬送時間の総和と処理時間の総和と最初に処理を
行う処理室のコンディショニング時間を加えた時間より
も長いときは，その処理室のコンディショニングを先に
開始するように構成することによって，コンディショニ
ングを先に開始した処理室に半導体ウエハの搬送を行う
までに，それまでの処理室による処理を終了させておく
ことができ，装置全体の処理の効率化を図ることができ
る。
【００１５】また，請求項４に記載のように，少なくと
も同様の処理を行う複数の処理室を備え，コンディショ
ニング終了後に各処理室にそれぞれ半導体ウエハを搬送
して処理を行う半導体ウエハ処理装置において，いずれ
かの処理室への半導体ウエハの搬送終了に合わせて次の
処理室のコンディショニングが終了するように，次の処
理室のコンディショニング開始時間を調整することを特
徴とする半導体ウエハ処理装置を提供する。これによれ
ば，いずれの処理室についてもコンディショニング終了
から処理開始までの時間が同じになるとともに，コンデ
ィショニング終了後の待ち時間を極力少なくすることが
できる。さらに，請求項５に記載のように，コンディシ
ョニングにかかる時間が短い処理室から順次コンディシ
ョニングを開始するように構成することによって，装置
全体における処理の時間を短縮することができ，処理の
効率化を図ることができる。
も同様の処理を行う複数の処理室を備え，コンディショ
ニング終了後に各処理室にそれぞれ半導体ウエハを搬送
して処理を行う半導体ウエハ処理装置において，いずれ
かの処理室への半導体ウエハの搬送終了に合わせて次の
処理室のコンディショニングが終了するように，次の処
理室のコンディショニング開始時間を調整することを特
徴とする半導体ウエハ処理装置を提供する。これによれ
ば，いずれの処理室についてもコンディショニング終了
から処理開始までの時間が同じになるとともに，コンデ
ィショニング終了後の待ち時間を極力少なくすることが
できる。さらに，請求項５に記載のように，コンディシ
ョニングにかかる時間が短い処理室から順次コンディシ
ョニングを開始するように構成することによって，装置
全体における処理の時間を短縮することができ，処理の
効率化を図ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１，図２はそれぞれ，複
数の処理室（チャンバ）を備えた，いわゆるマルチチャ
ンバ型の半導体ウエハ処理装置１の概略平面図，概略側
面図である。図１，図２を参照しながらこの処理装置１
の全体構成について説明する。処理装置１では，半導体
ウエハＨのような被処理体を搬送する搬送アーム２を備
えた真空搬送室４の周囲に，第１〜第６ゲートバルブＧ
１〜Ｇ６を介して，第１および第２ロードロック室６，
８と，半導体ウエハに各種処理を施すための第１〜第４
の真空処理室（チャンバまたはプロセスモジュールとも
いう）Ａ〜Ｄが配置されている。
施の形態を詳細に説明する。図１，図２はそれぞれ，複
数の処理室（チャンバ）を備えた，いわゆるマルチチャ
ンバ型の半導体ウエハ処理装置１の概略平面図，概略側
面図である。図１，図２を参照しながらこの処理装置１
の全体構成について説明する。処理装置１では，半導体
ウエハＨのような被処理体を搬送する搬送アーム２を備
えた真空搬送室４の周囲に，第１〜第６ゲートバルブＧ
１〜Ｇ６を介して，第１および第２ロードロック室６，
８と，半導体ウエハに各種処理を施すための第１〜第４
の真空処理室（チャンバまたはプロセスモジュールとも
いう）Ａ〜Ｄが配置されている。
【００１７】第１〜第４の処理室Ａ〜Ｄは，例えばそれ
ぞれ異なる処理を行うことができるように構成される。
具体的には成膜やエッチングなどの異なる処理や，同じ
成膜の処理であってもＴi，ＴiＮ，Ｗ，ＷＳi など成分
の異なる膜を形成する異なる処理ができるように構成さ
れる。このように構成することにより，同じ半導体ウエ
ハを順番に搬送して順列処理を行うことができる。
ぞれ異なる処理を行うことができるように構成される。
具体的には成膜やエッチングなどの異なる処理や，同じ
成膜の処理であってもＴi，ＴiＮ，Ｗ，ＷＳi など成分
の異なる膜を形成する異なる処理ができるように構成さ
れる。このように構成することにより，同じ半導体ウエ
ハを順番に搬送して順列処理を行うことができる。
【００１８】また，第１〜第４の処理室Ａ〜Ｄを同様の
処理を行うことができるように構成してもよい。具体的
にはＴiによる成膜のプロセス処理をすべての処理室で
行うことができるように構成してもよい。
処理を行うことができるように構成してもよい。具体的
にはＴiによる成膜のプロセス処理をすべての処理室で
行うことができるように構成してもよい。
【００１９】第１および第２ロードロック室６，８は，
真空搬送室４内の減圧雰囲気を維持しながら，真空搬送
室４と大気圧雰囲気の真空搬送室４外部との間で半導体
ウエハを搬送（搬入搬出）するためのものである。第１
および第２ロードロック室６，８の下部に設けられてい
る真空ポンプおよびガス供給系から成る圧力調整機構１
８により，第１および第２ロードロック室６，８内の圧
力を適宜設定可能に構成されている。また，第１および
第２ロードロック室６，８の大気側開口部は，それぞれ
第７および第８ゲートバルブＧ７，Ｇ８により開閉自在
に密閉されている。第１〜第８ゲートバルブＧ１〜Ｇ８
の開閉動作は，駆動機構（未図示）により各ゲートバル
ブを構成する弁体を上下動させることにより行われる。
なお，図２は，処理装置１から第１〜第４の処理室Ａ〜
Ｄを取り外した状態を示している。
真空搬送室４内の減圧雰囲気を維持しながら，真空搬送
室４と大気圧雰囲気の真空搬送室４外部との間で半導体
ウエハを搬送（搬入搬出）するためのものである。第１
および第２ロードロック室６，８の下部に設けられてい
る真空ポンプおよびガス供給系から成る圧力調整機構１
８により，第１および第２ロードロック室６，８内の圧
力を適宜設定可能に構成されている。また，第１および
第２ロードロック室６，８の大気側開口部は，それぞれ
第７および第８ゲートバルブＧ７，Ｇ８により開閉自在
に密閉されている。第１〜第８ゲートバルブＧ１〜Ｇ８
の開閉動作は，駆動機構（未図示）により各ゲートバル
ブを構成する弁体を上下動させることにより行われる。
なお，図２は，処理装置１から第１〜第４の処理室Ａ〜
Ｄを取り外した状態を示している。
【００２０】上記処理装置１には，各部を制御する制御
部（未図示）が設けられ，この制御部はその本体を構成
するＣＰＵ（中央処理装置），ＣＰＵが各部を制御する
ためのプログラムデータ等を格納したＲＯＭ（リード・
オンリ・メモリ），ＣＰＵが行う各種データ処理のため
に使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（ランダム
・アクセス・メモリ）等から構成される。
部（未図示）が設けられ，この制御部はその本体を構成
するＣＰＵ（中央処理装置），ＣＰＵが各部を制御する
ためのプログラムデータ等を格納したＲＯＭ（リード・
オンリ・メモリ），ＣＰＵが行う各種データ処理のため
に使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（ランダム
・アクセス・メモリ）等から構成される。
【００２１】ここで，上記第１〜第４の処理室Ａ〜Ｄを
各処理室ごとに異なる処理が可能に構成した処理装置１
により半導体ウエハの順列処理を行う場合の上記制御部
の処理について説明する。
各処理室ごとに異なる処理が可能に構成した処理装置１
により半導体ウエハの順列処理を行う場合の上記制御部
の処理について説明する。
【００２２】半導体ウエハを処理する場合，制御部は各
部を制御して各処理室Ａ〜Ｄに半導体ウエハを搬送アー
ム２によって搬送して成膜などのプロセス処理を行う。
この場合，上記各処理室Ａ〜Ｄに半導体ウエハを搬送ア
ーム２で搬入するのに先立って，クリーニング動作，プ
リコート動作などを行い，温度や圧力や処理室内環境な
どをプロセス処理が可能な状態にするコンディショニン
グを行う。
部を制御して各処理室Ａ〜Ｄに半導体ウエハを搬送アー
ム２によって搬送して成膜などのプロセス処理を行う。
この場合，上記各処理室Ａ〜Ｄに半導体ウエハを搬送ア
ーム２で搬入するのに先立って，クリーニング動作，プ
リコート動作などを行い，温度や圧力や処理室内環境な
どをプロセス処理が可能な状態にするコンディショニン
グを行う。
【００２３】ここでは，半導体ウエハを順列処理によっ
て連続して処理する場合における最初の１枚目の半導体
ウエハを処理する前に行う処理室Ａ〜Ｄのコンディショ
ニング開始処理について説明する。この場合，上記制御
部が行う処理を図３に示し，この処理を適用した例を図
４に示す。図４においてＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は各処
理室Ａ〜Ｄのコンディショニングにかかる時間を示し，
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は各処理室Ａ〜Ｄへ半導体ウエ
ハを搬送するのにかかる時間を示している。また，Ｐ
１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は各処理室Ａ〜Ｄのプロセス処理
にかかる時間を示している。
て連続して処理する場合における最初の１枚目の半導体
ウエハを処理する前に行う処理室Ａ〜Ｄのコンディショ
ニング開始処理について説明する。この場合，上記制御
部が行う処理を図３に示し，この処理を適用した例を図
４に示す。図４においてＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は各処
理室Ａ〜Ｄのコンディショニングにかかる時間を示し，
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は各処理室Ａ〜Ｄへ半導体ウエ
ハを搬送するのにかかる時間を示している。また，Ｐ
１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は各処理室Ａ〜Ｄのプロセス処理
にかかる時間を示している。
【００２４】図３において，上記制御部はＳＴ１〜ＳＴ
１６にて最初にコンディショニングを行うべき処理室を
決定する。すなわち，制御部は先ずＳＴ１にて各処理室
Ａ〜Ｄについて現在の処理室内の状態を検出しこの状態
からプロセス処理が可能な状態に移行するためにかかる
コンディショニング時間Ｓ１〜Ｓ４の算出を行う。例え
ば各処理室Ａ〜Ｄに設けられたヒータ温度を検出して，
現在の温度とプロセス処理が可能な温度との差分と予め
メモりなどに記憶しておいた昇降温レートに基づいてプ
ロセス処理可能までの時間を算出し，これをＳ１〜Ｓ４
とする。
１６にて最初にコンディショニングを行うべき処理室を
決定する。すなわち，制御部は先ずＳＴ１にて各処理室
Ａ〜Ｄについて現在の処理室内の状態を検出しこの状態
からプロセス処理が可能な状態に移行するためにかかる
コンディショニング時間Ｓ１〜Ｓ４の算出を行う。例え
ば各処理室Ａ〜Ｄに設けられたヒータ温度を検出して，
現在の温度とプロセス処理が可能な温度との差分と予め
メモりなどに記憶しておいた昇降温レートに基づいてプ
ロセス処理可能までの時間を算出し，これをＳ１〜Ｓ４
とする。
【００２５】次にＳＴ２にて最初に処理を行う処理室Ａ
のコンディショニング時間Ｓ１と搬送時間Ｃ１及びプロ
セス処理時間Ｐ１の総和（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１）と，次に
処理を行う処理室Ｂのコンディショニング時間Ｓ２との
比較を行う。そして，Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＜Ｓ２のときは
ＳＴ３にて処理室Ｂの各時間の総和（Ｓ２＋Ｃ２＋Ｐ
２）とその次に処理を行う処理室Ｃのコンディショニン
グ時間Ｓ３との比較を行う。
のコンディショニング時間Ｓ１と搬送時間Ｃ１及びプロ
セス処理時間Ｐ１の総和（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１）と，次に
処理を行う処理室Ｂのコンディショニング時間Ｓ２との
比較を行う。そして，Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＜Ｓ２のときは
ＳＴ３にて処理室Ｂの各時間の総和（Ｓ２＋Ｃ２＋Ｐ
２）とその次に処理を行う処理室Ｃのコンディショニン
グ時間Ｓ３との比較を行う。
【００２６】ＳＴ３にてＳ２＋Ｃ２＋Ｐ２＜Ｓ３のとき
はＳＴ４にて処理室Ｃの各時間の総和（Ｓ３＋Ｃ３＋Ｐ
３）と最後に処理を行う処理室Ｄのコンディショニング
時間Ｓ４との比較を行う。そして，Ｓ３＋Ｃ３＋Ｐ３＜
Ｓ４のときはＳＴ５にて最初にコンディショニングを行
う処理室をＤに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｄのコンデ
ィショニングを開始する。この場合，最初に処理室Ｄの
コンディショニングを開始するのは，処理室Ｄのコンデ
ィショニングを行っている間に他の処理室Ａ〜Ｃまでの
すべての処理（成膜，搬送，コンディショニング）を終
了させておくことができるためである。
はＳＴ４にて処理室Ｃの各時間の総和（Ｓ３＋Ｃ３＋Ｐ
３）と最後に処理を行う処理室Ｄのコンディショニング
時間Ｓ４との比較を行う。そして，Ｓ３＋Ｃ３＋Ｐ３＜
Ｓ４のときはＳＴ５にて最初にコンディショニングを行
う処理室をＤに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｄのコンデ
ィショニングを開始する。この場合，最初に処理室Ｄの
コンディショニングを開始するのは，処理室Ｄのコンデ
ィショニングを行っている間に他の処理室Ａ〜Ｃまでの
すべての処理（成膜，搬送，コンディショニング）を終
了させておくことができるためである。
【００２７】また，ＳＴ４にてＳ３＋Ｃ３＋Ｐ３＞Ｓ４
のときはＳＴ６にて最初にコンディショニングを行う処
理室をＣに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｃのコンディシ
ョニングを開始する。この場合，最初に処理室Ｃのコン
ディショニングを開始するのは，処理室Ｃのコンディシ
ョニングを行っている間に処理室Ａ〜Ｂまでの処理を終
了しかつ処理室Ｄのコンディショニングを終了すること
ができるからである。
のときはＳＴ６にて最初にコンディショニングを行う処
理室をＣに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｃのコンディシ
ョニングを開始する。この場合，最初に処理室Ｃのコン
ディショニングを開始するのは，処理室Ｃのコンディシ
ョニングを行っている間に処理室Ａ〜Ｂまでの処理を終
了しかつ処理室Ｄのコンディショニングを終了すること
ができるからである。
【００２８】ＳＴ３にてＳ２＋Ｃ２＋Ｐ２＞Ｓ３のとき
は，ＳＴ７にて処理室Ｂのコンディショニング時間Ｓ２
と処理室Ｂ，Ｃの搬送時間及びプロセス処理時間の総和
（Ｓ２＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３）と処理室Ｄのコンデ
ィショニング時間Ｓ４との比較を行う。そして，Ｓ２＋
Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３＜Ｓ４のときはＳＴ８にて最初
にコンディショニングを行う処理室をＤに決定し，ＳＴ
１７にて処理室Ｄのコンディショニングを開始する。ま
た，ＳＴ７にてＳ２＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３＞Ｓ４の
ときはＳＴ９にて最初にコンディショニングを行う処理
室をＢに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｂのコンディショ
ニングを開始する。
は，ＳＴ７にて処理室Ｂのコンディショニング時間Ｓ２
と処理室Ｂ，Ｃの搬送時間及びプロセス処理時間の総和
（Ｓ２＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３）と処理室Ｄのコンデ
ィショニング時間Ｓ４との比較を行う。そして，Ｓ２＋
Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３＜Ｓ４のときはＳＴ８にて最初
にコンディショニングを行う処理室をＤに決定し，ＳＴ
１７にて処理室Ｄのコンディショニングを開始する。ま
た，ＳＴ７にてＳ２＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３＞Ｓ４の
ときはＳＴ９にて最初にコンディショニングを行う処理
室をＢに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｂのコンディショ
ニングを開始する。
【００２９】上記ＳＴ２にてＳ１＋Ｃ１＋Ｐ１＞Ｓ２の
ときは，ＳＴ１０にて処理室Ａのコンディショニング時
間Ｓ１と処理室Ａ，Ｂの搬送時間及びプロセス処理時間
の総和（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２）と処理室Ｃの
コンディショニング時間Ｓ３との比較を行う。そして，
Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＜Ｓ３のときはＳＴ１１
にて処理室Ｃの各時間の総和（Ｓ３＋Ｃ３＋Ｐ３）と処
理室Ｄのコンディショニング時間Ｓ４との比較を行う。
ときは，ＳＴ１０にて処理室Ａのコンディショニング時
間Ｓ１と処理室Ａ，Ｂの搬送時間及びプロセス処理時間
の総和（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２）と処理室Ｃの
コンディショニング時間Ｓ３との比較を行う。そして，
Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＜Ｓ３のときはＳＴ１１
にて処理室Ｃの各時間の総和（Ｓ３＋Ｃ３＋Ｐ３）と処
理室Ｄのコンディショニング時間Ｓ４との比較を行う。
【００３０】ＳＴ１１にてＳ３＋Ｃ３＋Ｐ３＜Ｓ４のと
きは，ＳＴ１２にて最初にコンディショニングを行う処
理室をＤに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｄのコンディシ
ョニングを開始する。また，ＳＴ１１にてＳ３＋Ｃ３＋
Ｐ３＞Ｓ４のときはＳＴ１３にて最初にコンディショニ
ングを行う処理室をＣに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｃ
のコンディショニングを開始する。
きは，ＳＴ１２にて最初にコンディショニングを行う処
理室をＤに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｄのコンディシ
ョニングを開始する。また，ＳＴ１１にてＳ３＋Ｃ３＋
Ｐ３＞Ｓ４のときはＳＴ１３にて最初にコンディショニ
ングを行う処理室をＣに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ｃ
のコンディショニングを開始する。
【００３１】ＳＴ１０にてＳ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ
２＞Ｓ３のときはＳＴ１４にて処理室Ａのコンディショ
ニング時間Ｓ１と処理室Ａ，Ｂ，Ｃの搬送時間及びプロ
セス処理時間の総和（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＋
Ｃ３＋Ｐ３）と処理室Ｃのコンディショニング時間Ｓ４
との比較を行う。そして，Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ
２＋Ｃ３＋Ｐ３＜Ｓ４のときは，ＳＴ１５にて最初にコ
ンディショニングを行う処理室をＤに決定し，ＳＴ１７
にて処理室Ｄのコンディショニングを開始する。また，
ＳＴ１４にてＳ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ
３＞Ｓ４のときは，ＳＴ１６にて最初にコンディショニ
ングを行う処理室をＡに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ａ
のコンディショニングを開始する。
２＞Ｓ３のときはＳＴ１４にて処理室Ａのコンディショ
ニング時間Ｓ１と処理室Ａ，Ｂ，Ｃの搬送時間及びプロ
セス処理時間の総和（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＋
Ｃ３＋Ｐ３）と処理室Ｃのコンディショニング時間Ｓ４
との比較を行う。そして，Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ
２＋Ｃ３＋Ｐ３＜Ｓ４のときは，ＳＴ１５にて最初にコ
ンディショニングを行う処理室をＤに決定し，ＳＴ１７
にて処理室Ｄのコンディショニングを開始する。また，
ＳＴ１４にてＳ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ
３＞Ｓ４のときは，ＳＴ１６にて最初にコンディショニ
ングを行う処理室をＡに決定し，ＳＴ１７にて処理室Ａ
のコンディショニングを開始する。
【００３２】こうして，ＳＴ１７にて最初に決定した処
理室のコンディショニングを開始した後，ＳＴ１８にて
他の処理室のコンディショニング開始待ちをするディレ
イ時間Ｄの算出を行う。このディレイ時間Ｄは最初にコ
ンディショニング処理を行う処理室が決定すれば，各処
理室Ａ〜Ｄのコンディショニング時間Ｓ１〜Ｓ４，搬送
時間Ｃ１〜Ｃ４，プロセス処理時間Ｐ１〜Ｐ４はすべて
分かっているので，基準とする時間を決めれば，その基
準時間から算出できる。例えば，図４に示す例では，処
理室Ｃのプロセス処理終了時間を基準時間Ｔとしてい
る。これにより，処理室Ａのディレイ時間はＤ１＝Ｔ−
（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３）として
求められ，処理室Ｃのディレイ時間はＤ３＝Ｔ−（Ｓ３
＋Ｃ３＋Ｐ３）として求められる。また，処理室Ｄのデ
ィレイ時間はＤ４＝Ｔ−Ｓ４として求められる。 続い
てＳＴ１９にて他の処理室について，算出したディレイ
時間Ｄだけ待ってからそれぞれコンディショニングを開
始する。
理室のコンディショニングを開始した後，ＳＴ１８にて
他の処理室のコンディショニング開始待ちをするディレ
イ時間Ｄの算出を行う。このディレイ時間Ｄは最初にコ
ンディショニング処理を行う処理室が決定すれば，各処
理室Ａ〜Ｄのコンディショニング時間Ｓ１〜Ｓ４，搬送
時間Ｃ１〜Ｃ４，プロセス処理時間Ｐ１〜Ｐ４はすべて
分かっているので，基準とする時間を決めれば，その基
準時間から算出できる。例えば，図４に示す例では，処
理室Ｃのプロセス処理終了時間を基準時間Ｔとしてい
る。これにより，処理室Ａのディレイ時間はＤ１＝Ｔ−
（Ｓ１＋Ｃ１＋Ｐ１＋Ｃ２＋Ｐ２＋Ｃ３＋Ｐ３）として
求められ，処理室Ｃのディレイ時間はＤ３＝Ｔ−（Ｓ３
＋Ｃ３＋Ｐ３）として求められる。また，処理室Ｄのデ
ィレイ時間はＤ４＝Ｔ−Ｓ４として求められる。 続い
てＳＴ１９にて他の処理室について，算出したディレイ
時間Ｄだけ待ってからそれぞれコンディショニングを開
始する。
【００３３】このような制御部の処理によって制御した
例を図４に示す。上記ＳＴ１〜ＳＴ１７による処理によ
って処理室Ｂのコンディショニングが最初に開始され
る。その後は，処理室Ａのコンディショニングはディレ
イ時間Ｄ１だけ待ってから開始され，処理室Ｃのコンデ
ィショニングはディレイ時間Ｄ３だけ待ってから開始さ
れ，処理室Ｄのコンディショニングはディレイ時間Ｄ４
だけ待ってから開始される。
例を図４に示す。上記ＳＴ１〜ＳＴ１７による処理によ
って処理室Ｂのコンディショニングが最初に開始され
る。その後は，処理室Ａのコンディショニングはディレ
イ時間Ｄ１だけ待ってから開始され，処理室Ｃのコンデ
ィショニングはディレイ時間Ｄ３だけ待ってから開始さ
れ，処理室Ｄのコンディショニングはディレイ時間Ｄ４
だけ待ってから開始される。
【００３４】このように，各コンディショニング時間Ｓ
に応じて，最初にコンディショニングを開始する処理室
を決定するとともに（ＳＴ１〜ＳＴ１６）他の処理室に
ついてはディレイ時間Ｄを算出することにより（ＳＴ１
８），前の処理室のプロセス処理終了時間に合わせて次
の処理室のコンディショニングが終了するように，コン
ディショニングを開始時間（開始タイミング）を調整す
る（ＳＴ１７，ＳＴ１９）。
に応じて，最初にコンディショニングを開始する処理室
を決定するとともに（ＳＴ１〜ＳＴ１６）他の処理室に
ついてはディレイ時間Ｄを算出することにより（ＳＴ１
８），前の処理室のプロセス処理終了時間に合わせて次
の処理室のコンディショニングが終了するように，コン
ディショニングを開始時間（開始タイミング）を調整す
る（ＳＴ１７，ＳＴ１９）。
【００３５】これにより，コンディショニング終了から
プロセス処理開始までの時間のばらつきを解消すること
ができるので，コンディショニングが終了してから半導
体ウエハが搬送される前に処理室内の状態が処理室ごと
に変化して不均一となることを防止できる。従って，例
えば各処理室で成膜処理を行う場合は膜厚及び膜質の均
一性を向上させることができる。
プロセス処理開始までの時間のばらつきを解消すること
ができるので，コンディショニングが終了してから半導
体ウエハが搬送される前に処理室内の状態が処理室ごと
に変化して不均一となることを防止できる。従って，例
えば各処理室で成膜処理を行う場合は膜厚及び膜質の均
一性を向上させることができる。
【００３６】また，ここではすべての処理室Ａ〜Ｄにつ
いて半導体ウエハの搬送直前にコンディショニングを完
了させるように，ディレイ時間Ｄを算出し（ＳＴ１
８），コンディショニング開始時間を調整している。こ
れにより，いずれの処理室についてもコンディショニン
グ終了後の待ち時間を極力少なくすることができる。
いて半導体ウエハの搬送直前にコンディショニングを完
了させるように，ディレイ時間Ｄを算出し（ＳＴ１
８），コンディショニング開始時間を調整している。こ
れにより，いずれの処理室についてもコンディショニン
グ終了後の待ち時間を極力少なくすることができる。
【００３７】本発明を適用した図４に示す例と図８に示
す従来例とを比較すると，従来はコンディショニング終
了後に各処理室ごとに異なる待ち時間（ＷＡ，ＷＢ，Ｗ
Ｃ，ＷＤ）が存在していたのに対して，図４に示す例で
は，ディレイ時間Ｄで調整することにより待ち時間（Ｗ
Ａ，ＷＢ，ＷＣ，ＷＤ）がなくなっていることがわか
る。
す従来例とを比較すると，従来はコンディショニング終
了後に各処理室ごとに異なる待ち時間（ＷＡ，ＷＢ，Ｗ
Ｃ，ＷＤ）が存在していたのに対して，図４に示す例で
は，ディレイ時間Ｄで調整することにより待ち時間（Ｗ
Ａ，ＷＢ，ＷＣ，ＷＤ）がなくなっていることがわか
る。
【００３８】また，ある処理室のコンディショニング時
間（図４に示す例ではＳ２）が，それまでに処理を行う
べき処理室（図４に示す例では処理室Ａ）についての半
導体ウエハ搬送時間の総和とプロセス処理時間の総和と
最初にプロセス処理を行う処理室のコンディショニング
時間を加えた時間（図４に示す例ではＳ１＋Ｃ１＋Ｐ
１）よりも長いときは，その処理室（図４に示す例では
処理室Ｂ）のコンディショニングを先に開始するように
したので，先に開始した処理室（Ｂ）のコンディショニ
ングが終了するまでには，それまでに処理すべき処理室
（Ａ）のプロセス処理まで終了しているため，処理の効
率化を図ることができ，装置全体のスループットを向上
させることができる。
間（図４に示す例ではＳ２）が，それまでに処理を行う
べき処理室（図４に示す例では処理室Ａ）についての半
導体ウエハ搬送時間の総和とプロセス処理時間の総和と
最初にプロセス処理を行う処理室のコンディショニング
時間を加えた時間（図４に示す例ではＳ１＋Ｃ１＋Ｐ
１）よりも長いときは，その処理室（図４に示す例では
処理室Ｂ）のコンディショニングを先に開始するように
したので，先に開始した処理室（Ｂ）のコンディショニ
ングが終了するまでには，それまでに処理すべき処理室
（Ａ）のプロセス処理まで終了しているため，処理の効
率化を図ることができ，装置全体のスループットを向上
させることができる。
【００３９】次に，上記第１〜第４の処理室Ａ〜Ｄを同
様の処理が可能に構成した処理装置１により複数の半導
体ウエハの並列処理を行う場合の上記制御部の処理につ
いて説明する。半導体ウエハの並列処理を行う場合であ
っても，上述した順列処理を行う場合と同様に上記各処
理室Ａ〜Ｄに半導体ウエハを搬送アーム２で搬入するの
に先立って，コンディショニングを行う。
様の処理が可能に構成した処理装置１により複数の半導
体ウエハの並列処理を行う場合の上記制御部の処理につ
いて説明する。半導体ウエハの並列処理を行う場合であ
っても，上述した順列処理を行う場合と同様に上記各処
理室Ａ〜Ｄに半導体ウエハを搬送アーム２で搬入するの
に先立って，コンディショニングを行う。
【００４０】特に，処理装置１のように１つの搬送アー
ム２で複数の半導体ウエハを各処理室へ搬送しなければ
ならない場合には，ある処理室へのウエハ搬送終了まで
に次に処理を行う処理室のコンディショニングを終了す
れば，いずれの処理室についてもコンディショニング終
了からプロセス処理開始までの時間を同じにすることが
できるとともに，効率よく半導体ウエハを搬送すること
ができる。
ム２で複数の半導体ウエハを各処理室へ搬送しなければ
ならない場合には，ある処理室へのウエハ搬送終了まで
に次に処理を行う処理室のコンディショニングを終了す
れば，いずれの処理室についてもコンディショニング終
了からプロセス処理開始までの時間を同じにすることが
できるとともに，効率よく半導体ウエハを搬送すること
ができる。
【００４１】このような観点に基づき，半導体ウエハを
並列処理によって連続して処理する場合における各処理
室について最初の１枚目の半導体ウエハを処理する前に
行う処理室Ａ〜Ｄのコンディショニング開始処理につい
て説明する。この場合，制御部が行う処理を図５及び図
６に示し，この処理を適用した例を図７に示す。なお，
図７においてＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３は各処理室Ｘ〜Ｚ
のコンディショニングにかかる時間を示し，Ｃ１１，Ｃ
１２，Ｃ１３は各処理室Ｘ〜Ｚへ半導体ウエハを搬送す
るのにかかる時間を示している。また，Ｐ１１，Ｐ１
２，Ｐ１３は各処理室Ｘ〜Ｚのプロセス処理にかかる時
間を示している。
並列処理によって連続して処理する場合における各処理
室について最初の１枚目の半導体ウエハを処理する前に
行う処理室Ａ〜Ｄのコンディショニング開始処理につい
て説明する。この場合，制御部が行う処理を図５及び図
６に示し，この処理を適用した例を図７に示す。なお，
図７においてＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３は各処理室Ｘ〜Ｚ
のコンディショニングにかかる時間を示し，Ｃ１１，Ｃ
１２，Ｃ１３は各処理室Ｘ〜Ｚへ半導体ウエハを搬送す
るのにかかる時間を示している。また，Ｐ１１，Ｐ１
２，Ｐ１３は各処理室Ｘ〜Ｚのプロセス処理にかかる時
間を示している。
【００４２】上記制御部は，先ず最初にコンディショニ
ングを開始する処理室を決定するため，図５に示すよう
にコンディショニング時間Ｓの比較処理を行う。すなわ
ち，ＳＴ２１にて図３に示すＳＴ１の場合と同様に各処
理室Ｘ〜Ｚのコンディショニング時間Ｓ１１，Ｓ１２，
Ｓ１３を算出する。続いて，ＳＴ２２にて各Ｓ１１，Ｓ
１２，Ｓ１３を比較し，コンディショニング時間が短い
順にする。
ングを開始する処理室を決定するため，図５に示すよう
にコンディショニング時間Ｓの比較処理を行う。すなわ
ち，ＳＴ２１にて図３に示すＳＴ１の場合と同様に各処
理室Ｘ〜Ｚのコンディショニング時間Ｓ１１，Ｓ１２，
Ｓ１３を算出する。続いて，ＳＴ２２にて各Ｓ１１，Ｓ
１２，Ｓ１３を比較し，コンディショニング時間が短い
順にする。
【００４３】そして，コンディショニング時間Ｓが短い
順にコンディショニングを開始する。その際，処理室の
半導体ウエハの搬送終了に合わせて次の処理室のコンデ
ィショニングが終了するように，次の処理室についてデ
ィレイ時間Ｄを算出しディレイ時間Ｄだけ待ってからコ
ンディショニングを開始することにより，コンディショ
ニング開始時間を調整する。
順にコンディショニングを開始する。その際，処理室の
半導体ウエハの搬送終了に合わせて次の処理室のコンデ
ィショニングが終了するように，次の処理室についてデ
ィレイ時間Ｄを算出しディレイ時間Ｄだけ待ってからコ
ンディショニングを開始することにより，コンディショ
ニング開始時間を調整する。
【００４４】図５によるＳＴ２２の結果によってディレ
イ時間の算出処理が異なるが，その一例としてＳ１３＜
Ｓ１２＜Ｓ１１となる場合のコンディショニング開始処
理を図６に示す。制御部は先ずＳＴ２３にて最もコンデ
ィショニング時間が短い処理室Ｚのコンディショニング
を開始する。続いて，ＳＴ２４にて処理室Ｚのコンディ
ショニング時間と搬送時間との総和（Ｓ１３＋Ｃ１３）
と次に処理を行う処理室Ｙのコンディショニング時間Ｓ
１２とを比較する。
イ時間の算出処理が異なるが，その一例としてＳ１３＜
Ｓ１２＜Ｓ１１となる場合のコンディショニング開始処
理を図６に示す。制御部は先ずＳＴ２３にて最もコンデ
ィショニング時間が短い処理室Ｚのコンディショニング
を開始する。続いて，ＳＴ２４にて処理室Ｚのコンディ
ショニング時間と搬送時間との総和（Ｓ１３＋Ｃ１３）
と次に処理を行う処理室Ｙのコンディショニング時間Ｓ
１２とを比較する。
【００４５】そして，ＳＴ２４にてＳ１３＋Ｃ１３＜Ｓ
１２のときはＳＴ２５にて処理室Ｙのコンディショニン
グを開始し，ＳＴ２６にて処理室Ｙのコンディショニン
グ時間と搬送時間との総和（Ｓ１２＋Ｃ１２）と次に処
理を行う処理室Ｘのコンディショニング時間Ｓ１１とを
比較する。そしてＳ１２＋Ｃ１２＜Ｓ１１のときはＳＴ
２７にて処理室Ｘのコンディショニングを開始してこの
コンディショニング開始処理を終了する。また，ＳＴ２
６にてＳ１２＋Ｃ１２＞Ｓ１１のときはＳＴ２８にて処
理室Ｘのディレイ時間Ｄ１１をＤ１１＝Ｓ１２＋Ｃ１２
−Ｓ１１により算出し，ＳＴ２９にてディレイ時間Ｄ１
１だけ待ってから処理室Ｘのコンディショニングを開始
する。
１２のときはＳＴ２５にて処理室Ｙのコンディショニン
グを開始し，ＳＴ２６にて処理室Ｙのコンディショニン
グ時間と搬送時間との総和（Ｓ１２＋Ｃ１２）と次に処
理を行う処理室Ｘのコンディショニング時間Ｓ１１とを
比較する。そしてＳ１２＋Ｃ１２＜Ｓ１１のときはＳＴ
２７にて処理室Ｘのコンディショニングを開始してこの
コンディショニング開始処理を終了する。また，ＳＴ２
６にてＳ１２＋Ｃ１２＞Ｓ１１のときはＳＴ２８にて処
理室Ｘのディレイ時間Ｄ１１をＤ１１＝Ｓ１２＋Ｃ１２
−Ｓ１１により算出し，ＳＴ２９にてディレイ時間Ｄ１
１だけ待ってから処理室Ｘのコンディショニングを開始
する。
【００４６】また，上記ＳＴ２４にてＳ１３＋Ｃ１３＞
Ｓ１２のときはＳＴ３０にて処理室Ｙのディレイ時間Ｄ
１２をＤ１２＝Ｓ１３＋Ｃ１３−Ｓ１２により算出し，
ＳＴ３１にてディレイ時間Ｄ１２だけ待ってから処理室
Ｙのコンディショニングを開始する。
Ｓ１２のときはＳＴ３０にて処理室Ｙのディレイ時間Ｄ
１２をＤ１２＝Ｓ１３＋Ｃ１３−Ｓ１２により算出し，
ＳＴ３１にてディレイ時間Ｄ１２だけ待ってから処理室
Ｙのコンディショニングを開始する。
【００４７】そして，ＳＴ３２にて処理室Ｙのディレイ
時間とコンディショニング時間と搬送時間との総和（Ｄ
１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２）と次に処理を行う処理室Ｘのコ
ンディショニング時間Ｓ１１とを比較する。ＳＴ３２に
てＤ１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２＜Ｓ１１のときはＳＴ３３に
て処理室Ｘのコンディショニングを開始する。また，Ｓ
Ｔ３２にてＤ１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２＞Ｓ１１のときはＳ
Ｔ３４にて処理室Ｘのディレイ時間Ｄ１１をＤ１１＝Ｄ
１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２−Ｓ１１により算出し，ＳＴ３５
にてディレイ時間Ｄ１１だけ待ってから処理室Ｘのコン
ディショニングを開始する。
時間とコンディショニング時間と搬送時間との総和（Ｄ
１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２）と次に処理を行う処理室Ｘのコ
ンディショニング時間Ｓ１１とを比較する。ＳＴ３２に
てＤ１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２＜Ｓ１１のときはＳＴ３３に
て処理室Ｘのコンディショニングを開始する。また，Ｓ
Ｔ３２にてＤ１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２＞Ｓ１１のときはＳ
Ｔ３４にて処理室Ｘのディレイ時間Ｄ１１をＤ１１＝Ｄ
１２＋Ｓ１２＋Ｃ１２−Ｓ１１により算出し，ＳＴ３５
にてディレイ時間Ｄ１１だけ待ってから処理室Ｘのコン
ディショニングを開始する。
【００４８】このように，各コンディショニング時間Ｓ
に応じて，最初にコンディショニングを開始する処理室
を決定するとともに（ＳＴ２１〜ＳＴ２２）他の処理室
についてはディレイ時間Ｄを算出することにより（ＳＴ
２８，ＳＴ３０，ＳＴ３４），いずれかの処理室への半
導体ウエハの搬送終了に合わせて次の処理室のコンディ
ショニングが終了するように，その処理室のコンディシ
ョニング開始時間を調整する（ＳＴ２３，ＳＴ２５，Ｓ
Ｔ２７，ＳＴ２９，ＳＴ３１，ＳＴ３３，ＳＴ３５）。
これにより，コンディショニング終了からプロセス処理
開始までの時間のばらつきを解消することができるの
で，コンディショニングが終了してから半導体ウエハが
搬送される前に処理室内の状態が処理室ごとに変化して
不均一となることを防止できる。従って，例えば各処理
室で成膜処理を行う場合は膜厚及び膜質の均一性を向上
させることができる。
に応じて，最初にコンディショニングを開始する処理室
を決定するとともに（ＳＴ２１〜ＳＴ２２）他の処理室
についてはディレイ時間Ｄを算出することにより（ＳＴ
２８，ＳＴ３０，ＳＴ３４），いずれかの処理室への半
導体ウエハの搬送終了に合わせて次の処理室のコンディ
ショニングが終了するように，その処理室のコンディシ
ョニング開始時間を調整する（ＳＴ２３，ＳＴ２５，Ｓ
Ｔ２７，ＳＴ２９，ＳＴ３１，ＳＴ３３，ＳＴ３５）。
これにより，コンディショニング終了からプロセス処理
開始までの時間のばらつきを解消することができるの
で，コンディショニングが終了してから半導体ウエハが
搬送される前に処理室内の状態が処理室ごとに変化して
不均一となることを防止できる。従って，例えば各処理
室で成膜処理を行う場合は膜厚及び膜質の均一性を向上
させることができる。
【００４９】また，ここではすべての処理室Ａ〜Ｄにつ
いて半導体ウエハの搬送直前にコンディショニングを完
了させるように，ディレイ時間Ｄを算出し（ＳＴ２８，
ＳＴ３０，ＳＴ３４），コンディショニング開始時間を
調整している。これにより，いずれの処理室についても
コンディショニング終了後の待ち時間を極力少なくする
ことができるとともに，１つの搬送アーム２を効率よく
動作させることができるので装置全体の処理効率を向上
させることができる。
いて半導体ウエハの搬送直前にコンディショニングを完
了させるように，ディレイ時間Ｄを算出し（ＳＴ２８，
ＳＴ３０，ＳＴ３４），コンディショニング開始時間を
調整している。これにより，いずれの処理室についても
コンディショニング終了後の待ち時間を極力少なくする
ことができるとともに，１つの搬送アーム２を効率よく
動作させることができるので装置全体の処理効率を向上
させることができる。
【００５０】本発明を適用した図７に示す例と図９に示
す従来例とを比較すると，従来はコンディショニング終
了後に各処理室ごとに異なる待ち時間（ＷY，ＷZ）が存
在していたのに対して，図４に示す例ではディレイ時間
Ｄで調整することにより待ち時間（ＷY，ＷZ）がなくな
っていることがわかる。
す従来例とを比較すると，従来はコンディショニング終
了後に各処理室ごとに異なる待ち時間（ＷY，ＷZ）が存
在していたのに対して，図４に示す例ではディレイ時間
Ｄで調整することにより待ち時間（ＷY，ＷZ）がなくな
っていることがわかる。
【００５１】また，コンディショニングにかかる時間が
短い処理室から順番にコンディショニングを開始するよ
うにしたので，処理の効率化を図ることができ，装置全
体のスループットを向上させることができる。
短い処理室から順番にコンディショニングを開始するよ
うにしたので，処理の効率化を図ることができ，装置全
体のスループットを向上させることができる。
【００５２】なお，本実施の形態においては，順列処
理，並列処理いずれの場合であっても，半導体ウエハ処
理装置１の搬送アーム２が，真空搬送室４の中心に位置
しロードロック室６，８及び各処理室Ａ〜Ｄとほぼ等距
離にあるため，ウエハの搬送時間Ｃ１〜Ｃ４，Ｃ１１〜
Ｃ１３はほぼ等しいものとしている。しかしながら，例
えばこれらの値が大きく異なっていた場合，あるいは厳
密にコンディショニング終了からプロセス開始までの時
間を揃えたい場合などにおいては，以下のようにしても
よい。例えば順列処理においては，図３，図４において
Ｃ１〜Ｃ４のうちの最大値をＣmaxとした場合，Ｃ１＝
Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ４＝Ｃmaxとする。こうすることによ
り，コンディショニング終了からプロセス開始までの時
間が多少長くなる処理室も出てくるが，これらの時間は
各処理室で厳密に合わせ込むことができる。更にＣ１＝
Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ４＝Ｃmax＋ΔＣとし，このΔＣの値を
変えることにより，これらの時間は任意に調整すること
もできる。また，並列処理においても，図６，図７にお
いてＣ１１〜Ｃ１３のうちの最大値をＣ１maxとした場
合に， Ｃ１１＝Ｃ１２＝Ｃ１３＝Ｃmaxとしてもよ
い。これにより，並列処理においても上記順列処理と同
様に，コンディショニング終了からプロセス開始までの
時間を各処理室で厳密に合わせ込むことができる。
理，並列処理いずれの場合であっても，半導体ウエハ処
理装置１の搬送アーム２が，真空搬送室４の中心に位置
しロードロック室６，８及び各処理室Ａ〜Ｄとほぼ等距
離にあるため，ウエハの搬送時間Ｃ１〜Ｃ４，Ｃ１１〜
Ｃ１３はほぼ等しいものとしている。しかしながら，例
えばこれらの値が大きく異なっていた場合，あるいは厳
密にコンディショニング終了からプロセス開始までの時
間を揃えたい場合などにおいては，以下のようにしても
よい。例えば順列処理においては，図３，図４において
Ｃ１〜Ｃ４のうちの最大値をＣmaxとした場合，Ｃ１＝
Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ４＝Ｃmaxとする。こうすることによ
り，コンディショニング終了からプロセス開始までの時
間が多少長くなる処理室も出てくるが，これらの時間は
各処理室で厳密に合わせ込むことができる。更にＣ１＝
Ｃ２＝Ｃ３＝Ｃ４＝Ｃmax＋ΔＣとし，このΔＣの値を
変えることにより，これらの時間は任意に調整すること
もできる。また，並列処理においても，図６，図７にお
いてＣ１１〜Ｃ１３のうちの最大値をＣ１maxとした場
合に， Ｃ１１＝Ｃ１２＝Ｃ１３＝Ｃmaxとしてもよ
い。これにより，並列処理においても上記順列処理と同
様に，コンディショニング終了からプロセス開始までの
時間を各処理室で厳密に合わせ込むことができる。
【００５３】また，上述した本発明の実施の形態におい
ては，コンディショニングとしてクリーニング動作，プ
リコート動作などを行い，温度や圧力や処理室内環境な
どをプロセス処理が可能な状態にする場合について述べ
たが，必ずしもこれに限定されるものではなく，コンデ
ィショニングとして各処理室内の状態をそれぞれの処理
が可能な状態にする処理であれば，他の動作を含んでも
よく，また上記動作をすべて含む必要もない。また，本
発明にかかる半導体ウエハ処理装置としては，異なる処
理を行う複数の処理室の他に同様の処理を行う処理室が
含まれていてもよく，同様の処理を行う複数の処理室の
他に異なる処理を行う処理室が含まれていてもよい。
ては，コンディショニングとしてクリーニング動作，プ
リコート動作などを行い，温度や圧力や処理室内環境な
どをプロセス処理が可能な状態にする場合について述べ
たが，必ずしもこれに限定されるものではなく，コンデ
ィショニングとして各処理室内の状態をそれぞれの処理
が可能な状態にする処理であれば，他の動作を含んでも
よく，また上記動作をすべて含む必要もない。また，本
発明にかかる半導体ウエハ処理装置としては，異なる処
理を行う複数の処理室の他に同様の処理を行う処理室が
含まれていてもよく，同様の処理を行う複数の処理室の
他に異なる処理を行う処理室が含まれていてもよい。
【００５４】また，上述した本発明の実施の形態では，
複数枚の半導体ウエハを連続的に処理する場合における
最初の１枚目を各処理室に搬送する場合において，各処
理室のコンディショニングの開始タイミングを調整する
ものについて説明したが，必ずしもこれに限定されるも
のではなく，半導体ウエハの搬送前にコンディショニン
グが必要な場合であれば，２枚目以降の半導体ウエハの
処理に適用してもよく，半導体ウエハを連続処理しない
場合に適用してもよい。但し，複数枚の半導体ウエハを
連続的に処理する場合における最初の１枚目を各処理室
に搬送する場合に本発明を適用すれば特に有効である。
また，本実施の形態では，複数の処理室を設けた場合に
ついて説明したが，必ずしもこれに限定されるものでは
なく，コンディショニング開始時間の調整は単一の処理
室を設けた半導体ウエハ処理装置に適用してもよい。具
体的には，コンディショニング開始時間を調整すること
により，コンディショニング終了からプロセス処理開始
までの時間を極力短くすることができる。この場合も複
数枚の半導体ウエハを連続的に処理する場合における最
初の１枚目を各処理室に搬送する場合に適用すれば特に
有効である。
複数枚の半導体ウエハを連続的に処理する場合における
最初の１枚目を各処理室に搬送する場合において，各処
理室のコンディショニングの開始タイミングを調整する
ものについて説明したが，必ずしもこれに限定されるも
のではなく，半導体ウエハの搬送前にコンディショニン
グが必要な場合であれば，２枚目以降の半導体ウエハの
処理に適用してもよく，半導体ウエハを連続処理しない
場合に適用してもよい。但し，複数枚の半導体ウエハを
連続的に処理する場合における最初の１枚目を各処理室
に搬送する場合に本発明を適用すれば特に有効である。
また，本実施の形態では，複数の処理室を設けた場合に
ついて説明したが，必ずしもこれに限定されるものでは
なく，コンディショニング開始時間の調整は単一の処理
室を設けた半導体ウエハ処理装置に適用してもよい。具
体的には，コンディショニング開始時間を調整すること
により，コンディショニング終了からプロセス処理開始
までの時間を極力短くすることができる。この場合も複
数枚の半導体ウエハを連続的に処理する場合における最
初の１枚目を各処理室に搬送する場合に適用すれば特に
有効である。
【００５５】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に相当し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に相当し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００５６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば，い
ずれの処理室についてもコンディショニング終了からプ
ロセス処理開始までの時間が同じになるように各処理室
のコンディショニング開始時間を調整することにより，
コンディショニング終了から処理開始までの時間のばら
つきを解消することができる。これにより，コンディシ
ョニングが終了してから半導体ウエハが搬送される前に
処理室内の状態が処理室ごとに変化して不均一となるこ
とを防止できる。
ずれの処理室についてもコンディショニング終了からプ
ロセス処理開始までの時間が同じになるように各処理室
のコンディショニング開始時間を調整することにより，
コンディショニング終了から処理開始までの時間のばら
つきを解消することができる。これにより，コンディシ
ョニングが終了してから半導体ウエハが搬送される前に
処理室内の状態が処理室ごとに変化して不均一となるこ
とを防止できる。
【００５７】さらに，異なるプロセス処理を行う複数の
処理室で半導体ウエハを順次搬送して処理する場合にお
いても，前の処理室の処理終了に合わせて次の処理室の
コンディショニングが終了するように，次の処理室のコ
ンディショニング開始時間を調整することによって，い
ずれの処理室についてもコンディショニング終了から処
理開始までの時間を同じにすることができるとともに，
コンディショニング終了後の待ち時間を極力少なくする
ことができる。また，コンディショニングを先に開始し
た処理室に半導体ウエハの搬送を行うまでに，それまで
の処理室による処理を終了させておけば，装置全体の処
理の効率化を図ることができる。
処理室で半導体ウエハを順次搬送して処理する場合にお
いても，前の処理室の処理終了に合わせて次の処理室の
コンディショニングが終了するように，次の処理室のコ
ンディショニング開始時間を調整することによって，い
ずれの処理室についてもコンディショニング終了から処
理開始までの時間を同じにすることができるとともに，
コンディショニング終了後の待ち時間を極力少なくする
ことができる。また，コンディショニングを先に開始し
た処理室に半導体ウエハの搬送を行うまでに，それまで
の処理室による処理を終了させておけば，装置全体の処
理の効率化を図ることができる。
【００５８】また，同様のプロセス処理を行う複数の処
理室でそれぞれ半導体ウエハを搬送して処理する場合に
おいても，いずれかの処理室への半導体ウエハの搬送終
了に合わせて次の処理室のコンディショニングが終了す
るように，次の処理室のコンディショニング開始時間を
調整することによって，いずれの処理室についてもコン
ディショニング終了からプロセス処理開始までの時間を
同じにすることができるとともに，コンディショニング
終了後の待ち時間を極力少なくすることができる。さら
に，コンディショニングにかかる時間が短い処理室から
順番にコンディショニングを開始することによって，装
置全体における処理の時間を短縮することができ，処理
の効率化を図ることができる。
理室でそれぞれ半導体ウエハを搬送して処理する場合に
おいても，いずれかの処理室への半導体ウエハの搬送終
了に合わせて次の処理室のコンディショニングが終了す
るように，次の処理室のコンディショニング開始時間を
調整することによって，いずれの処理室についてもコン
ディショニング終了からプロセス処理開始までの時間を
同じにすることができるとともに，コンディショニング
終了後の待ち時間を極力少なくすることができる。さら
に，コンディショニングにかかる時間が短い処理室から
順番にコンディショニングを開始することによって，装
置全体における処理の時間を短縮することができ，処理
の効率化を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体ウエハ処理
装置の概略平面図。
装置の概略平面図。
【図２】同実施の形態における半導体ウエハ処理装置の
概略側面図。
概略側面図。
【図３】同実施の形態における異なる処理を行う処理室
を設けた半導体ウエハ処理装置で順列処理を行う場合に
おける各処理室のコンディショニング開始処理を示す流
れ図。
を設けた半導体ウエハ処理装置で順列処理を行う場合に
おける各処理室のコンディショニング開始処理を示す流
れ図。
【図４】図３の処理を適用した場合の例を示すタイミン
グ図。
グ図。
【図５】同実施の形態における同様の処理を行う処理室
を設けた半導体ウエハ処理装置で並列処理を行う場合に
おける各処理室のコンディショニング時間の比較処理を
示す流れ図。
を設けた半導体ウエハ処理装置で並列処理を行う場合に
おける各処理室のコンディショニング時間の比較処理を
示す流れ図。
【図６】図５の処理の結果，Ｓ１３＜Ｓ１２＜Ｓ１１と
なった場合における各処理室のコンディショニング時間
の比較処理を示す流れ図。
なった場合における各処理室のコンディショニング時間
の比較処理を示す流れ図。
【図７】図５，図６の処理を適用した場合の例を示すタ
イミング図。
イミング図。
【図８】従来の半導体ウエハ処理装置における半導体ウ
エハの処理を示すタイミング図。
エハの処理を示すタイミング図。
【図９】従来の半導体ウエハ処理装置における半導体ウ
エハの処理を示すタイミング図。
エハの処理を示すタイミング図。
１…半導体ウエハ処理装置
２…搬送アーム
４…真空搬送室
６…第１ロードロック室
８…第２ロードロック室
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ…処理室
Ｈ…半導体ウエハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 望月 正弘
東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放
送センター 東京エレクトロン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の処理室を備え，コンディショニン
グ終了後に各処理室に半導体ウエハを搬送し処理を行う
半導体ウエハ処理装置において，いずれの処理室につい
てもコンディショニング終了から処理開始までの時間が
同じになるように各処理室のコンディショニング開始時
間を調整することを特徴とする半導体ウエハ処理装置。 - 【請求項２】 少なくとも異なる処理を行う複数の処理
室を備え，コンディショニング終了後に半導体ウエハを
各処理室に順次搬送して処理を行う半導体ウエハ処理装
置において，前の処理室の処理終了に合わせて次の処理
室のコンディショニングが終了するように，次の処理室
のコンディショニング開始時間を調整することを特徴と
する半導体ウエハ処理装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体ウエハ処理装置で
あって，ある処理室のコンディショニング時間が，それ
までに処理を行うべき処理室についての各半導体ウエハ
搬送時間と各処理時間と最初に処理を行う処理室のコン
ディショニング時間を加えた時間よりも長いときは，そ
の処理室のコンディショニングを先に開始することを特
徴とする半導体ウエハ処理装置。 - 【請求項４】 少なくとも同様の処理を行う複数の処理
室を備え，コンディショニング終了後に各処理室にそれ
ぞれ半導体ウエハを搬送して処理を行う半導体ウエハ処
理装置において，いずれかの処理室への半導体ウエハの
搬送終了に合わせて次の処理室のコンディショニングが
終了するように，次の処理室のコンディショニング開始
時間を調整することを特徴とする半導体ウエハ処理装
置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体ウエハ処理装置で
あって，コンディショニングにかかる時間が短い処理室
から順次コンディショニングを開始することを特徴とす
る半導体ウエハ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001365247A JP4076762B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ処理装置 |
| KR1020047008213A KR100633890B1 (ko) | 2001-11-29 | 2002-11-29 | 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 장치 |
| PCT/JP2002/012549 WO2003046960A1 (fr) | 2001-11-29 | 2002-11-29 | Procede et dispositif permettant de traiter une tranche semi-conductrice |
| US10/496,980 US6999830B2 (en) | 2001-11-29 | 2002-11-29 | Method and device for processing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001365247A JP4076762B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP4076762B2 JP4076762B2 (ja) | 2008-04-16 |
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ID=19175299
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001365247A Expired - Fee Related JP4076762B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ処理装置 |
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| KR (1) | KR100633890B1 (ja) |
| WO (1) | WO2003046960A1 (ja) |
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| JP2012216630A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | コンディショニング方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体及び基板処理装置 |
| KR20190008374A (ko) * | 2016-05-31 | 2019-01-23 | 캐논 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 물품 제조 방법 |
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| JP2006278531A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 工程管理システム、工程管理方法及び半導体装置の製造方法 |
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| US9606532B2 (en) * | 2014-01-29 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Method and manufacturing system |
| JP6999410B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH04143819A (ja) * | 1989-12-15 | 1992-05-18 | Hitachi Ltd | 消費電力制御方法、半導体集積回路装置およびマイクロプロセツサ |
| US5473572A (en) * | 1993-02-16 | 1995-12-05 | Chips And Technologies, Inc. | Power saving system for a memory controller |
| JPH07335616A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
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| US6038673A (en) * | 1998-11-03 | 2000-03-14 | Intel Corporation | Computer system with power management scheme for DRAM devices |
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-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001365247A patent/JP4076762B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
- 2002-11-29 KR KR1020047008213A patent/KR100633890B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-29 US US10/496,980 patent/US6999830B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-29 WO PCT/JP2002/012549 patent/WO2003046960A1/ja active Application Filing
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