JPH10326731A - 全プロセス集積化用プロセスレシピと調整レシピのチャンバ間同期化 - Google Patents
全プロセス集積化用プロセスレシピと調整レシピのチャンバ間同期化Info
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- JPH10326731A JPH10326731A JP9370072A JP37007297A JPH10326731A JP H10326731 A JPH10326731 A JP H10326731A JP 9370072 A JP9370072 A JP 9370072A JP 37007297 A JP37007297 A JP 37007297A JP H10326731 A JPH10326731 A JP H10326731A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンバ間同期化を達成する信頼性の高い及
び高価でない手法の提供。 【解決手段】 第１チャンバ及び第２チャンバを含む集
積回路製造システムにおいて、該第１チャンバ内で第１
操作を含む第１レシピを行うステップ；及び該第２チャ
ンバ内で該第１操作の終了に応答して終了する第２操作
を含む第２レシピを行うステップを含むコンピュータ実
行方法を用いる。
び高価でない手法の提供。 【解決手段】 第１チャンバ及び第２チャンバを含む集
積回路製造システムにおいて、該第１チャンバ内で第１
操作を含む第１レシピを行うステップ；及び該第２チャ
ンバ内で該第１操作の終了に応答して終了する第２操作
を含む第２レシピを行うステップを含むコンピュータ実
行方法を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理システム
（特にマルチチャンバシステム）における集積回路の製
造に関する。更に詳細には、本発明は、かかるシステム
において一方のチャンバ内で行われる操作ともう一方の
チャンバ内で行われる操作を同期化する手法を提供する
ものである。
（特にマルチチャンバシステム）における集積回路の製
造に関する。更に詳細には、本発明は、かかるシステム
において一方のチャンバ内で行われる操作ともう一方の
チャンバ内で行われる操作を同期化する手法を提供する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】チャンバ操作は、チャンバ内でウェハ
（即ち、基板）と共に行われるプロセス操作か又はチャ
ンバ内にウェハを含めずに行われる調整操作に分類され
る。プロセス操作の一般例としては、堆積、エッチング
及び注入操作が挙げられる。調整操作の一般例として
は、洗浄、シーズニング（即ち、プレコーティング）、
保持、パージ、加熱及び冷却操作が挙げられる。シーズ
ニング操作は、チャンバ壁にコーティングを堆積するた
めに用いられる。保持（又はアイドル）操作は、次の操
作の動作を遅らせるように働き、典型的には、種々のチ
ャンバ条件（圧力及び温度等）を維持する。パージ操作
は、１以上の前の操作から残ったチャンバ毒性又は反応
性ガスを追い出すために用いられる。
（即ち、基板）と共に行われるプロセス操作か又はチャ
ンバ内にウェハを含めずに行われる調整操作に分類され
る。プロセス操作の一般例としては、堆積、エッチング
及び注入操作が挙げられる。調整操作の一般例として
は、洗浄、シーズニング（即ち、プレコーティング）、
保持、パージ、加熱及び冷却操作が挙げられる。シーズ
ニング操作は、チャンバ壁にコーティングを堆積するた
めに用いられる。保持（又はアイドル）操作は、次の操
作の動作を遅らせるように働き、典型的には、種々のチ
ャンバ条件（圧力及び温度等）を維持する。パージ操作
は、１以上の前の操作から残ったチャンバ毒性又は反応
性ガスを追い出すために用いられる。
【０００３】マルチチャンバシステムは、ウェハ処理操
作を行うための２以上のチャンバ、ウェハを処理チャン
バ間で移動させる１以上のロボット、及びロボットを収
容し低大気圧で維持される１以上の移送チャンバを有す
る。かかるシステムは、Maydanらに発行され Applied M
aterials, Inc.に譲渡された米国特許第 4,951,601号に
開示及び記述されており、この明細書の記載は本願明細
書に含まれるものとする。
作を行うための２以上のチャンバ、ウェハを処理チャン
バ間で移動させる１以上のロボット、及びロボットを収
容し低大気圧で維持される１以上の移送チャンバを有す
る。かかるシステムは、Maydanらに発行され Applied M
aterials, Inc.に譲渡された米国特許第 4,951,601号に
開示及び記述されており、この明細書の記載は本願明細
書に含まれるものとする。
【０００４】マルチチャンバシステムは、集積回路の製
造にますます用いられてきている。かかるシステムは、
従来のシステムより有利であり、製造工程の数、ウェハ
処理量及び微粒子に対するウェハ曝露量、サイクル回
数、及び莫大な床スペースの中の１以上の減少が含まれ
る。しかしながら、マルチチャンバシステムの使用は、
典型的には、一連のシングルチャンバユニットからなる
同等の基板処理システムに必要とされるよりも種々のチ
ャンバで行われる操作間の強固な調整が必要である。
造にますます用いられてきている。かかるシステムは、
従来のシステムより有利であり、製造工程の数、ウェハ
処理量及び微粒子に対するウェハ曝露量、サイクル回
数、及び莫大な床スペースの中の１以上の減少が含まれ
る。しかしながら、マルチチャンバシステムの使用は、
典型的には、一連のシングルチャンバユニットからなる
同等の基板処理システムに必要とされるよりも種々のチ
ャンバで行われる操作間の強固な調整が必要である。
【０００５】発明者らに既知の全てのマルチチャンバシ
ステムでは、個々のチャンバは互いに独立した各々のレ
シピを行っている（レシピは分けられないグループとし
て行われる規則正しい操作セットを意味する）。言い換
えれば、１つのチャンバで行われるレシピの動作で生じ
る結果は、他のチャンバで行われるレシピの動作に影響
を及ぼさない。
ステムでは、個々のチャンバは互いに独立した各々のレ
シピを行っている（レシピは分けられないグループとし
て行われる規則正しい操作セットを意味する）。言い換
えれば、１つのチャンバで行われるレシピの動作で生じ
る結果は、他のチャンバで行われるレシピの動作に影響
を及ぼさない。
【０００６】下記に詳細に述べられる種々の動作のため
に、第１チャンバレシピでの操作の終了が第２チャンバ
レシピでの操作の終了と一致することがしばしば望まし
い。例えば、第２チャンバが洗浄操作を行う間は第１チ
ャンバが保持操作（その間、チャンバ条件は維持される
がウェハ処理は保留される）を行うことが望ましい。保
持及び洗浄操作の同時終了を行わせる現在の方法には、
操作の固定長を指定することが必要である。その方法
は、下記のことを含む種々の問題の欠点をもっている。
に、第１チャンバレシピでの操作の終了が第２チャンバ
レシピでの操作の終了と一致することがしばしば望まし
い。例えば、第２チャンバが洗浄操作を行う間は第１チ
ャンバが保持操作（その間、チャンバ条件は維持される
がウェハ処理は保留される）を行うことが望ましい。保
持及び洗浄操作の同時終了を行わせる現在の方法には、
操作の固定長を指定することが必要である。その方法
は、下記のことを含む種々の問題の欠点をもっている。
【０００７】１）適切な洗浄操作に要する時間は、係数
（最後の洗浄から行われるチャンバ操作の数及び種類
等）の範囲に左右され、経時変動すると考えられる。固
定長洗浄操作を指定することは、典型的には、不足洗浄
及び／又は過剰洗浄を引き起こし、前者は後続の処理操
作にマイナスの影響を与え、後者はチャンバハードウェ
アの腐食が生じる（従って、チャンバ寿命が短くなり、
チャンバ交換頻度が大きくなるために全体の処理システ
ムのダウン時間が大きくなる）。従って、可変長洗浄操
作を可能にする手法（洗浄操作の終点がある化学種のチ
ャンバ濃度の急激な変化として検出される終点検出等）
が固定長洗浄操作を用いる手法にしばしば好ましい。
（最後の洗浄から行われるチャンバ操作の数及び種類
等）の範囲に左右され、経時変動すると考えられる。固
定長洗浄操作を指定することは、典型的には、不足洗浄
及び／又は過剰洗浄を引き起こし、前者は後続の処理操
作にマイナスの影響を与え、後者はチャンバハードウェ
アの腐食が生じる（従って、チャンバ寿命が短くなり、
チャンバ交換頻度が大きくなるために全体の処理システ
ムのダウン時間が大きくなる）。従って、可変長洗浄操
作を可能にする手法（洗浄操作の終点がある化学種のチ
ャンバ濃度の急激な変化として検出される終点検出等）
が固定長洗浄操作を用いる手法にしばしば好ましい。
【０００８】２）固定操作時間でさえ、洗浄操作の終了
がある理由で遅れる場合には洗浄及び保持操作の終了が
遅れることがある。例えば、かかる遅れは第２チャンバ
での故障状態の発生に起因することがある。
がある理由で遅れる場合には洗浄及び保持操作の終了が
遅れることがある。例えば、かかる遅れは第２チャンバ
での故障状態の発生に起因することがある。
【０００９】３）第１チャンバ及び第２チャンバを含む
マルチチャンバシステムの使用の変化は、洗浄操作に指
定される時間の変更を必要とするものである。例えば、
第２チャンバが堆積に用いられ膜厚が堆積変化を必要と
する場合には、十分な洗浄に要する時間が変化する。こ
の状態には、洗浄操作に指定される時間を変更し操作を
保持するために人間の介入（高価でもあり間違いもあ
る）が必要である。その問題は、多数の異なる種類の部
品を製造するために用いられる請負鋳造（contract fou
ndries）のような基板処理システムに特に著しい。
マルチチャンバシステムの使用の変化は、洗浄操作に指
定される時間の変更を必要とするものである。例えば、
第２チャンバが堆積に用いられ膜厚が堆積変化を必要と
する場合には、十分な洗浄に要する時間が変化する。こ
の状態には、洗浄操作に指定される時間を変更し操作を
保持するために人間の介入（高価でもあり間違いもあ
る）が必要である。その問題は、多数の異なる種類の部
品を製造するために用いられる請負鋳造（contract fou
ndries）のような基板処理システムに特に著しい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記及び他の類似の問
題があるために、一方のチャンバのレシピでの結果とも
う一方のチャンバのレシピでの結果とを同期化し、第１
チャンバのレシピでの操作（特に、可変長操作）の終了
が第２チャンバのレシピでの操作の終了の引き金になり
得る手法を開発することが望ましい。
題があるために、一方のチャンバのレシピでの結果とも
う一方のチャンバのレシピでの結果とを同期化し、第１
チャンバのレシピでの操作（特に、可変長操作）の終了
が第２チャンバのレシピでの操作の終了の引き金になり
得る手法を開発することが望ましい。
【００１１】他の望ましい種類のチャンバ間同期化は、
一方のチャンバに予定されるべきレシピをもう一方のレ
シピがもう一方のチャンバに予定される度に生じること
を必要とする。例えば、第１チャンバは、最後の洗浄レ
シピからある数（Ｘ）のウェハを処理した後に洗浄レシ
ピを行うものである。第１チャンバが洗浄レシピを行う
度に通常のウェハ処理を保留すること及び第２チャンバ
で調整レシピを行うことが望ましく必要でさえある。そ
の結果を達成する手法は、最後に調整レシピが行われて
から第２チャンバで処理されるウェハ数のカウントを維
持すること、及びそのカウントがＸに達する度に調整レ
シピを行うことを必要とする。
一方のチャンバに予定されるべきレシピをもう一方のレ
シピがもう一方のチャンバに予定される度に生じること
を必要とする。例えば、第１チャンバは、最後の洗浄レ
シピからある数（Ｘ）のウェハを処理した後に洗浄レシ
ピを行うものである。第１チャンバが洗浄レシピを行う
度に通常のウェハ処理を保留すること及び第２チャンバ
で調整レシピを行うことが望ましく必要でさえある。そ
の結果を達成する手法は、最後に調整レシピが行われて
から第２チャンバで処理されるウェハ数のカウントを維
持すること、及びそのカウントがＸに達する度に調整レ
シピを行うことを必要とする。
【００１２】上記手法は、下記の理由で所望の時間に行
われるべき第２チャンバでの調整レシピを生じることが
ない（即ち、第１チャンバが洗浄レシピを行う度に）。
われるべき第２チャンバでの調整レシピを生じることが
ない（即ち、第１チャンバが洗浄レシピを行う度に）。
【００１３】１）最後に調整レシピが行われてから第２
チャンバで処理されるウェハ数のカウントが、最後の洗
浄から第１チャンバで処理されるウェハ数に等しくない
ことがある。これは、１以上のウェハがチャンバの１つ
でのみ処理されてその他のチャンバで処理されない場合
に生じる。
チャンバで処理されるウェハ数のカウントが、最後の洗
浄から第１チャンバで処理されるウェハ数に等しくない
ことがある。これは、１以上のウェハがチャンバの１つ
でのみ処理されてその他のチャンバで処理されない場合
に生じる。
【００１４】２）故障状態には、最後の洗浄からＸウェ
ハが処理される前に第１チャンバの洗浄が必要となる。
ハが処理される前に第１チャンバの洗浄が必要となる。
【００１５】上記問題に対する現在の解決法は、絶え間
のない人間の監視を必要とする。望ましいことは、洗浄
レシピが第１チャンバで行われる度にある調整レシピが
第２チャンバで行われることを確実にする信頼性の高い
及び高価でない手法である。
のない人間の監視を必要とする。望ましいことは、洗浄
レシピが第１チャンバで行われる度にある調整レシピが
第２チャンバで行われることを確実にする信頼性の高い
及び高価でない手法である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】集積回路製造システムに
おいてチャンバ間同期化を達成するコンピュータ実行方
法が開示される。特に、その開示方法は、第１チャンバ
で行われる第１レシピでの第１操作の終了時に第２チャ
ンバで行われる第２レシピでの第２操作を終了するステ
ップが含まれる。その方法で実現される動作の利点は、
１）可変長第１操作；２）固定長第１操作；３）プロセ
ス第１レシピ；４）調整第１レシピ；５）プロセス第２
レシピ；及び６）調整第２レシピを含む種々の場合につ
いて示される。
おいてチャンバ間同期化を達成するコンピュータ実行方
法が開示される。特に、その開示方法は、第１チャンバ
で行われる第１レシピでの第１操作の終了時に第２チャ
ンバで行われる第２レシピでの第２操作を終了するステ
ップが含まれる。その方法で実現される動作の利点は、
１）可変長第１操作；２）固定長第１操作；３）プロセ
ス第１レシピ；４）調整第１レシピ；５）プロセス第２
レシピ；及び６）調整第２レシピを含む種々の場合につ
いて示される。
【００１７】本発明の他の態様は、洗浄操作が第１チャ
ンバに予定される度に第２チャンバでの調整レシピを予
定することにより第１チャンバと第２チャンバ間にチャ
ンバ間同期化を達成するコンピュータ実行方法を含むも
のである。
ンバに予定される度に第２チャンバでの調整レシピを予
定することにより第１チャンバと第２チャンバ間にチャ
ンバ間同期化を達成するコンピュータ実行方法を含むも
のである。
【００１８】本発明の別の態様は、ある時間にチャンバ
内で行われるべき可変長操作の長さを予め計算するコン
ピュータ実行方法を含むものである。その方法は、１）
ある時間の前にある間隔で１以上の操作がそのチャンバ
内で行われることを決定するステップ及び２）可変長操
作の長さを計算する決定ステップで得られた情報を使用
するステップが含まれる。
内で行われるべき可変長操作の長さを予め計算するコン
ピュータ実行方法を含むものである。その方法は、１）
ある時間の前にある間隔で１以上の操作がそのチャンバ
内で行われることを決定するステップ及び２）可変長操
作の長さを計算する決定ステップで得られた情報を使用
するステップが含まれる。
【００１９】本発明の特徴及び利点の理解は、明細書の
残りの部分及び図面によって更に認識される。
残りの部分及び図面によって更に認識される。
【００２０】
【発明の実施形態】チャンバ間調整課題に関する本発明
及び実施例を、図１に示される具体的なシステムに対し
て下記に述べる。しかしながら、本発明は、その具体的
なシステムに限定されず、その具体的なチャンバ間調整
課題にも限定されない。
及び実施例を、図１に示される具体的なシステムに対し
て下記に述べる。しかしながら、本発明は、その具体的
なシステムに限定されず、その具体的なチャンバ間調整
課題にも限定されない。
【００２１】Ｉ．マルチチャンバシステムの具体例 図１は、“ポリサイド”構造と呼ばれる加層構造（a la
yered structure）を形成する具体的なマルチチャンバ
システム１０ (Polycide Centura IntegratedSystemと
して既知であり、 Applied Materials社から市販されて
いる) を示す図である。ポリサイド構造は、多結晶シリ
コン（ポリシリコン）層上に堆積した又はそれとの化学
反応によって形成された抵抗率の小さいケイ化タングス
テン（ＷＳｉx ) 膜からなる。システム１０は、２つの
ポリチャンバ１１と１２及び２つのＷＳｉx チャンバ１
３と１４が含まれる。ポリチャンバはポリシリコン層を
堆積するために用いられ、チャンバ１３と１４はタング
ステン（又はケイ化タングステン）を堆積するために用
いられる。ケイ化タングステン（ＷＳｉx ) 層を形成す
る多くの方法が存在する。ある実施態様においては、Ｗ
Ｓｉx 層はジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2)（以後“Ｄ
ＣＳ”と呼ばれる）とＷＦ6 との反応によってチャンバ
１３と１４内で生成される。
yered structure）を形成する具体的なマルチチャンバ
システム１０ (Polycide Centura IntegratedSystemと
して既知であり、 Applied Materials社から市販されて
いる) を示す図である。ポリサイド構造は、多結晶シリ
コン（ポリシリコン）層上に堆積した又はそれとの化学
反応によって形成された抵抗率の小さいケイ化タングス
テン（ＷＳｉx ) 膜からなる。システム１０は、２つの
ポリチャンバ１１と１２及び２つのＷＳｉx チャンバ１
３と１４が含まれる。ポリチャンバはポリシリコン層を
堆積するために用いられ、チャンバ１３と１４はタング
ステン（又はケイ化タングステン）を堆積するために用
いられる。ケイ化タングステン（ＷＳｉx ) 層を形成す
る多くの方法が存在する。ある実施態様においては、Ｗ
Ｓｉx 層はジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2)（以後“Ｄ
ＣＳ”と呼ばれる）とＷＦ6 との反応によってチャンバ
１３と１４内で生成される。
【００２２】システム１０は、移送チャンバ１９（低圧
に維持される）、２つのロードロック１６と１８（その
一方を介して各ウェハがシステム１０に出入りする）、
冷却チャンバ２０（完全に処理されたウェハがロードロ
ック１６と１８の一方によってシステム１０を出る前に
入れられる）及びポリチャンバ及びＷＳｉx チャンバ、
ロードロックと冷却チャンバ間でウェハを移動させるブ
レード１５（ウェハを載置する）を操作するロボット１
７が含まれる。ポリチャンバ１１と１２は、典型的には
各々ＷＳｉx チャンバ１３と１４と対であり、ポリチャ
ンバ１１（１２）で処理されるウェハはＷＳｉx チャン
バ１３（１４）で処理される。
に維持される）、２つのロードロック１６と１８（その
一方を介して各ウェハがシステム１０に出入りする）、
冷却チャンバ２０（完全に処理されたウェハがロードロ
ック１６と１８の一方によってシステム１０を出る前に
入れられる）及びポリチャンバ及びＷＳｉx チャンバ、
ロードロックと冷却チャンバ間でウェハを移動させるブ
レード１５（ウェハを載置する）を操作するロボット１
７が含まれる。ポリチャンバ１１と１２は、典型的には
各々ＷＳｉx チャンバ１３と１４と対であり、ポリチャ
ンバ１１（１２）で処理されるウェハはＷＳｉx チャン
バ１３（１４）で処理される。
【００２３】各ウェハは、ロードロック１６と１８の一
方によって集積システム１０に導入される。ウェハがロ
ードロック内に配置されると、そのロードロックはポン
プで低圧にされる。次に、ロボット１７がウェハをロー
ドロックからポリチャンバの一方まで移動させる。ポリ
チャンバ内での処理が終了した後、ロボット１７はポリ
チャンバと対のＷＳｉx チャンバまでウェハを移動させ
る。ＷＳｉx チャンバ１３と１４の一方がウェハを完全
に処理した後、ロボット１７が冷却チャンバ２０まで、
次にロードロック１６と１８の一方までウェハを移動さ
せる（ウェハを外に放出する前にポンプで大気圧にす
る）。
方によって集積システム１０に導入される。ウェハがロ
ードロック内に配置されると、そのロードロックはポン
プで低圧にされる。次に、ロボット１７がウェハをロー
ドロックからポリチャンバの一方まで移動させる。ポリ
チャンバ内での処理が終了した後、ロボット１７はポリ
チャンバと対のＷＳｉx チャンバまでウェハを移動させ
る。ＷＳｉx チャンバ１３と１４の一方がウェハを完全
に処理した後、ロボット１７が冷却チャンバ２０まで、
次にロードロック１６と１８の一方までウェハを移動さ
せる（ウェハを外に放出する前にポンプで大気圧にす
る）。
【００２４】ＩＩ．システム１０のコンピュータ制御 図１に示されるシステム１０は、システム１０のチャン
バ内で行われる作業及びロボット１７によるウェハの移
動を制御するコントローラ２１が含まれる。コントロー
ラ２１は、プロセッサ２２及びメモリ２３が含まれる。
プロセッサ２２は、メモリ２３のようなコンピュータ判
読メディアムに記憶されたコンピュータプログラムであ
るシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、
メモリ２３はハードディスクドライブであるが、他種の
メモリでもよい。システム制御ソフトウェアは、タイミ
ング、ガスの混合、チャンバ圧、チャンバ温度、高周波
電力レベル、サセプタ位置、個々のプロセスの他のパラ
メータを指令する命令セットが含まれる。フロッピーデ
ィスク又は他の適切なドライブを含む他のメモリデバイ
スに記憶したもののような他のコンピュータプログラム
がコンピュータを操作するために用いられることは当然
のことである。
バ内で行われる作業及びロボット１７によるウェハの移
動を制御するコントローラ２１が含まれる。コントロー
ラ２１は、プロセッサ２２及びメモリ２３が含まれる。
プロセッサ２２は、メモリ２３のようなコンピュータ判
読メディアムに記憶されたコンピュータプログラムであ
るシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、
メモリ２３はハードディスクドライブであるが、他種の
メモリでもよい。システム制御ソフトウェアは、タイミ
ング、ガスの混合、チャンバ圧、チャンバ温度、高周波
電力レベル、サセプタ位置、個々のプロセスの他のパラ
メータを指令する命令セットが含まれる。フロッピーデ
ィスク又は他の適切なドライブを含む他のメモリデバイ
スに記憶したもののような他のコンピュータプログラム
がコンピュータを操作するために用いられることは当然
のことである。
【００２５】システム制御ソフトウェアは、６８０００
アセンブラ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートラン
等の慣用のコンピュータ判読プログラム言語に書き込ま
れる。適切なプログラムコードは、慣用の編集プログラ
ムを用いてシングルファイル又はマルチファイルに入れ
られ、コンピュータのメモリシステムのようなコンピュ
ータ実用メディアムで記憶又は入力される。入力された
コードテキストが高水準言語である場合には、コードは
コンパイルされ、得られたコンパイラコードはプレコン
パイルウィンドライブラリルーチンのオブジェクトコー
ドとリンクする。リンクコンパイルオブジェクトコード
を実行するために、システムユーザはオブジェクトコー
ドを呼び出し、コンピュータシステムがメモリ内にコー
ドをロードさせ、ＣＰＵがコードを読み取り実行してプ
ログラムに同定されたタスクを行う。
アセンブラ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートラン
等の慣用のコンピュータ判読プログラム言語に書き込ま
れる。適切なプログラムコードは、慣用の編集プログラ
ムを用いてシングルファイル又はマルチファイルに入れ
られ、コンピュータのメモリシステムのようなコンピュ
ータ実用メディアムで記憶又は入力される。入力された
コードテキストが高水準言語である場合には、コードは
コンパイルされ、得られたコンパイラコードはプレコン
パイルウィンドライブラリルーチンのオブジェクトコー
ドとリンクする。リンクコンパイルオブジェクトコード
を実行するために、システムユーザはオブジェクトコー
ドを呼び出し、コンピュータシステムがメモリ内にコー
ドをロードさせ、ＣＰＵがコードを読み取り実行してプ
ログラムに同定されたタスクを行う。
【００２６】図２は、個々の実施態様によるシステム制
御コンピュータプログラム１７０の階層制御構造の図解
ブロック図である。プロセスシーケンササブルーチン１
７５は、管理チャンバ（chamber managers）１７７ａ−
ｄによってシステム１０の種々のチャンバの操作を制御
するプログラムコードを含み、シーケンサ１７５からの
指令に応答して各々チャンバ１１、１３、１２及び１４
にレシピを行わせる。レシピは、チャンバにより分けら
れないグループとして行われる規則正しい順序の操作で
ある。各レシピは、各々の操作、チャンバを操作するの
に必要とされる操作パラメーターセット及び所望の操作
を行う支持装置について指定している。個々の操作を行
うための操作パラメーターは、プロセスガス組成及び流
速、温度、圧力、高周波電力レベルのようなプラズマ状
態、及びチャンバ壁温度のようなプロセス状態に関係す
る。
御コンピュータプログラム１７０の階層制御構造の図解
ブロック図である。プロセスシーケンササブルーチン１
７５は、管理チャンバ（chamber managers）１７７ａ−
ｄによってシステム１０の種々のチャンバの操作を制御
するプログラムコードを含み、シーケンサ１７５からの
指令に応答して各々チャンバ１１、１３、１２及び１４
にレシピを行わせる。レシピは、チャンバにより分けら
れないグループとして行われる規則正しい順序の操作で
ある。各レシピは、各々の操作、チャンバを操作するの
に必要とされる操作パラメーターセット及び所望の操作
を行う支持装置について指定している。個々の操作を行
うための操作パラメーターは、プロセスガス組成及び流
速、温度、圧力、高周波電力レベルのようなプラズマ状
態、及びチャンバ壁温度のようなプロセス状態に関係す
る。
【００２７】レシピは、プロセスレシピ又は調整レシピ
として分類される。プロレスレシピは、プロセス操作を
含み、チャンバ内でウェハと共に行われる。調整レシピ
は調整操作を含み、チャンバ内でウェハを含めずに行わ
れる。調整操作の例としては、洗浄、シーズニング（即
ち、プレコーティング）、保持／待機、パージ、加熱及
び冷却操作が挙げられる。プロセス操作の例としては、
堆積、保持／待機、予備調整、エッチング、注入、拡散
及びアニーリング操作が挙げられる。
として分類される。プロレスレシピは、プロセス操作を
含み、チャンバ内でウェハと共に行われる。調整レシピ
は調整操作を含み、チャンバ内でウェハを含めずに行わ
れる。調整操作の例としては、洗浄、シーズニング（即
ち、プレコーティング）、保持／待機、パージ、加熱及
び冷却操作が挙げられる。プロセス操作の例としては、
堆積、保持／待機、予備調整、エッチング、注入、拡散
及びアニーリング操作が挙げられる。
【００２８】管理チャンバサブルーチン１７７ａ−ｄの
各々は、レシピ操作に指定された操作パラメーターセッ
トを達成するのに必要な対応するチャンバの成分の操作
を制御する種々のチャンバ成分サブルーチンの実行を制
御する。管理チャンバ１７７ａによって用いられる（他
の管理チャンバも同様のルーチンを用いる）チャンバ成
分サブルーチンの例は、基板配置サブルーチン１８０、
プロセスガス制御サブルーチン１８３、及び圧力制御サ
ブルーチン１８５である。後者の２つの操作は、プロセ
スレシピ及び調整レシピ双方を行うのに管理チャンバ１
７７ａによって呼び出される。当業者は、どの操作がポ
リチャンバ１１で行われるのに望ましいかにより、他の
チャンバ制御サブルーチンも含まれることを認識するで
あろう。操作上、管理チャンバサブルーチン１７７ａ
は、実行される操作を限定する操作パラメーターセット
に従ってチャンバ成分サブルーチンを選択的に予定又は
呼び出す。典型的には、管理チャンバサブルーチン１７
７ａは、種々のチャンバ成分をモニターするステップ、
実行される操作のパラメーターに基づいて作動するのに
成分が必要であることを決定するステップ、及びモニタ
ーステップ及び決定ステップに応答するチャンバ成分サ
ブルーチンの実行を引き起こすステップが含まれる。
各々は、レシピ操作に指定された操作パラメーターセッ
トを達成するのに必要な対応するチャンバの成分の操作
を制御する種々のチャンバ成分サブルーチンの実行を制
御する。管理チャンバ１７７ａによって用いられる（他
の管理チャンバも同様のルーチンを用いる）チャンバ成
分サブルーチンの例は、基板配置サブルーチン１８０、
プロセスガス制御サブルーチン１８３、及び圧力制御サ
ブルーチン１８５である。後者の２つの操作は、プロセ
スレシピ及び調整レシピ双方を行うのに管理チャンバ１
７７ａによって呼び出される。当業者は、どの操作がポ
リチャンバ１１で行われるのに望ましいかにより、他の
チャンバ制御サブルーチンも含まれることを認識するで
あろう。操作上、管理チャンバサブルーチン１７７ａ
は、実行される操作を限定する操作パラメーターセット
に従ってチャンバ成分サブルーチンを選択的に予定又は
呼び出す。典型的には、管理チャンバサブルーチン１７
７ａは、種々のチャンバ成分をモニターするステップ、
実行される操作のパラメーターに基づいて作動するのに
成分が必要であることを決定するステップ、及びモニタ
ーステップ及び決定ステップに応答するチャンバ成分サ
ブルーチンの実行を引き起こすステップが含まれる。
【００２９】ここで、具体的なチャンバ成分サブルーチ
ンの操作を図２について述べる。基板配置サブルーチン
１８０は、サセプタ上に基板をロードすると共に場合に
よっては基板をチャンバ内の所望の高さに上げて基板と
ガス分配マニホールド間の間隔を制御するために用いら
れるチャンバ成分を制御するプログラムコードを含んで
いる。基板がチャンバにロードされるとき、サセプタは
基板を受け取るために下げられ、その後、チャンバ内の
所望の高さに上げられ、操作中ガス分配マニホールドか
ら最初の距離又は間隔に基板を維持する。操作上、基板
配置サブルーチン１８０は、管理チャンバサブルーチン
１７７ａから移される支持体の高さに関係した操作パラ
メーターに応答してサセプタの移動を制御する。
ンの操作を図２について述べる。基板配置サブルーチン
１８０は、サセプタ上に基板をロードすると共に場合に
よっては基板をチャンバ内の所望の高さに上げて基板と
ガス分配マニホールド間の間隔を制御するために用いら
れるチャンバ成分を制御するプログラムコードを含んで
いる。基板がチャンバにロードされるとき、サセプタは
基板を受け取るために下げられ、その後、チャンバ内の
所望の高さに上げられ、操作中ガス分配マニホールドか
ら最初の距離又は間隔に基板を維持する。操作上、基板
配置サブルーチン１８０は、管理チャンバサブルーチン
１７７ａから移される支持体の高さに関係した操作パラ
メーターに応答してサセプタの移動を制御する。
【００３０】プロセスガス制御サブルーチン１８３は、
プロセスガス組成及び流量を制御するプログラムコード
が含まれる。プロセスガス制御サブルーチン１８３は、
運転停止安全弁の開／閉位置を制御すると共にマスフロ
ーコントローラを上／下に傾斜させて所望のガス流量を
得る。プロセスガス制御サブルーチン１８３は、全ての
チャンバ成分サブルーチンである管理チャンバサブルー
チン１７７ａによって呼び出され、所望のガス流量に関
係した管理チャンバサブルーチン操作パラメーターから
受け取る。典型的には、プロセスガス制御サブルーチン
１８３は、ガス供給ラインを開放すること、及び（ｉ）
必要なマスフローコントローラを読み取ること、（ｉ
ｉ）管理チャンバサブルーチンから受け取った所望の流
量に対する読み取りを比較すること、及び（ｉｉｉ）必
要に応じてガス供給ラインの流量を調整することを反復
して作動させる。
プロセスガス組成及び流量を制御するプログラムコード
が含まれる。プロセスガス制御サブルーチン１８３は、
運転停止安全弁の開／閉位置を制御すると共にマスフロ
ーコントローラを上／下に傾斜させて所望のガス流量を
得る。プロセスガス制御サブルーチン１８３は、全ての
チャンバ成分サブルーチンである管理チャンバサブルー
チン１７７ａによって呼び出され、所望のガス流量に関
係した管理チャンバサブルーチン操作パラメーターから
受け取る。典型的には、プロセスガス制御サブルーチン
１８３は、ガス供給ラインを開放すること、及び（ｉ）
必要なマスフローコントローラを読み取ること、（ｉ
ｉ）管理チャンバサブルーチンから受け取った所望の流
量に対する読み取りを比較すること、及び（ｉｉｉ）必
要に応じてガス供給ラインの流量を調整することを反復
して作動させる。
【００３１】あるプロセスでは、アルゴンのような不活
性ガスをチャンバに導入してチャンバ内の圧力を安定化
した後に反応性プロセスガスがチャンバ内に導入され
る。そのプロセスについては、プロセスガス制御サブル
ーチンは、チャンバ内の圧力を安定化するのに必要な間
チャンバに不活性ガスを導入するステップを含むように
プログラムされ、次に、上記のステップが行われる。
性ガスをチャンバに導入してチャンバ内の圧力を安定化
した後に反応性プロセスガスがチャンバ内に導入され
る。そのプロセスについては、プロセスガス制御サブル
ーチンは、チャンバ内の圧力を安定化するのに必要な間
チャンバに不活性ガスを導入するステップを含むように
プログラムされ、次に、上記のステップが行われる。
【００３２】圧力制御サブルーチン１８５は、チャンバ
の排気系のスロットルバルブの開放のサイズを調節する
ことによりチャンバ内の圧力を制御するプログラムを含
んでいる。スロットルバルブの開放のサイズは、全プロ
セスガスフロー、プロセスチャンバのサイズ、及び排気
系のポンピングセットポイント圧に関係した所望レベル
までチャンバ圧を制御するようにセットされる。圧力制
御サブルーチン１８５が呼び出されるとき、所望の又は
目標圧力レベルを管理チャンバサブルーチン１７７ａか
らのパラメーターとして受け取る。圧力制御サブルーチ
ン１８５は、チャンバに接続された１以上の慣用の圧力
マノメータを読み取ることによりチャンバ内の圧力を測
定するために、測定値を目標圧力と比較するために、目
標圧力に対応する記憶圧力表からＰＩＤ（比例、積分及
び微分）値を得るために、及び圧力表から得られたＰＩ
Ｄ値に従ってスロットルバルブを調節するために作動さ
せる。また、圧力制御サブルーチン１８５は、チャンバ
１１を所望の圧力に維持する具体的な開放サイズにスロ
ットルバルブを開放又は閉鎖するように書き込まれる。
更に、圧力ガス制御サブルーチン１８５は、不安全状態
のチャンバ圧をモニターするステップ、及び不安全状態
が検出される場合の停止安全弁を活性化するステップが
含まれる。
の排気系のスロットルバルブの開放のサイズを調節する
ことによりチャンバ内の圧力を制御するプログラムを含
んでいる。スロットルバルブの開放のサイズは、全プロ
セスガスフロー、プロセスチャンバのサイズ、及び排気
系のポンピングセットポイント圧に関係した所望レベル
までチャンバ圧を制御するようにセットされる。圧力制
御サブルーチン１８５が呼び出されるとき、所望の又は
目標圧力レベルを管理チャンバサブルーチン１７７ａか
らのパラメーターとして受け取る。圧力制御サブルーチ
ン１８５は、チャンバに接続された１以上の慣用の圧力
マノメータを読み取ることによりチャンバ内の圧力を測
定するために、測定値を目標圧力と比較するために、目
標圧力に対応する記憶圧力表からＰＩＤ（比例、積分及
び微分）値を得るために、及び圧力表から得られたＰＩ
Ｄ値に従ってスロットルバルブを調節するために作動さ
せる。また、圧力制御サブルーチン１８５は、チャンバ
１１を所望の圧力に維持する具体的な開放サイズにスロ
ットルバルブを開放又は閉鎖するように書き込まれる。
更に、圧力ガス制御サブルーチン１８５は、不安全状態
のチャンバ圧をモニターするステップ、及び不安全状態
が検出される場合の停止安全弁を活性化するステップが
含まれる。
【００３３】ＩＩＩ．チャンバ間同期化 ポリチャンバ１１及びＷＳｉx チャンバ１３は、持続時
間及び頻度の双方が異なる洗浄が要求される。一実施態
様においては、ＷＳｉx チャンバ１３の洗浄は、ポリチ
ャンバ１２の洗浄（例えば、ウェハ３００枚毎に持続時
間４０〜４５分）より頻繁（例えば、ウェハ２５枚毎）
であるが持続時間は短い（例えば、１５〜２０分）。様
々な理由で、チャンバ１１及び１３は他方が洗浄を行っ
ている間は通常の処理を保留することが望ましい。
間及び頻度の双方が異なる洗浄が要求される。一実施態
様においては、ＷＳｉx チャンバ１３の洗浄は、ポリチ
ャンバ１２の洗浄（例えば、ウェハ３００枚毎に持続時
間４０〜４５分）より頻繁（例えば、ウェハ２５枚毎）
であるが持続時間は短い（例えば、１５〜２０分）。様
々な理由で、チャンバ１１及び１３は他方が洗浄を行っ
ている間は通常の処理を保留することが望ましい。
【００３４】例えば、ＷＳｉx チャンバ１３が洗浄操作
を行っている間、ポリチャンバ１１はウェハを処理して
はならない。そうでなければ、ＷＳｉx チャンバ１３が
洗浄を完了する間、非常に高温に維持されるウェハがポ
リチャンバ１１に残ることになる。高温に過剰曝露する
とデバイスの劣化を生じる原因になる。従って、典型的
には、ポリチャンバ１１は新しいウェハの処理を停止
し、代わりに調整レシピを行ってチャンバ１１内の種々
の操作条件を維持し、一方、ＷＳｉx チャンバは洗浄を
行う。
を行っている間、ポリチャンバ１１はウェハを処理して
はならない。そうでなければ、ＷＳｉx チャンバ１３が
洗浄を完了する間、非常に高温に維持されるウェハがポ
リチャンバ１１に残ることになる。高温に過剰曝露する
とデバイスの劣化を生じる原因になる。従って、典型的
には、ポリチャンバ１１は新しいウェハの処理を停止
し、代わりに調整レシピを行ってチャンバ１１内の種々
の操作条件を維持し、一方、ＷＳｉx チャンバは洗浄を
行う。
【００３５】ポリチャンバ１１が洗浄操作を行っている
間（典型的には４０〜４５分）、ＷＳｉx チャンバ１３
はポリチャンバ１１から移されるべき次のウェハを待つ
ホットアイドル状態がまさに保たれる（ポリチャンバ１
１で最後に処理されたウェハを処理した後）。しかしな
がら、システム１０のウェハスループットの改善は、ポ
リチャンバ１１の非常に長い洗浄の間にＷＳｉx チャン
バ１３の洗浄操作を行うことにより達成される。そのこ
とにより、チャンバ１１と１３が通常のウェハ処理を続
行した後にＷＳｉx チャンバ１３の最初に要求される洗
浄が可能な限り遅れる。例えば、ＷＳｉx チャンバ１３
の最後の洗浄の時間と通常のウェハ処理を保留したＷＳ
ｉx チャンバ１３の時間との間に２４枚のウェハを処理
した場合には、ポリチャンバ１１の洗浄後に受け取る最
初のウェハを処理した後にＷＳｉx チャンバ１３の洗浄
（ポリチャンバ１１の洗浄の間に行われない場合）が要
求される。ポリチャンバ１１の洗浄の間にＷＳｉx チャ
ンバ１３の洗浄を行うことにより、ＷＳｉx チャンバ１
３の次の洗浄が２５枚のウェハの分だけ遅れる。
間（典型的には４０〜４５分）、ＷＳｉx チャンバ１３
はポリチャンバ１１から移されるべき次のウェハを待つ
ホットアイドル状態がまさに保たれる（ポリチャンバ１
１で最後に処理されたウェハを処理した後）。しかしな
がら、システム１０のウェハスループットの改善は、ポ
リチャンバ１１の非常に長い洗浄の間にＷＳｉx チャン
バ１３の洗浄操作を行うことにより達成される。そのこ
とにより、チャンバ１１と１３が通常のウェハ処理を続
行した後にＷＳｉx チャンバ１３の最初に要求される洗
浄が可能な限り遅れる。例えば、ＷＳｉx チャンバ１３
の最後の洗浄の時間と通常のウェハ処理を保留したＷＳ
ｉx チャンバ１３の時間との間に２４枚のウェハを処理
した場合には、ポリチャンバ１１の洗浄後に受け取る最
初のウェハを処理した後にＷＳｉx チャンバ１３の洗浄
（ポリチャンバ１１の洗浄の間に行われない場合）が要
求される。ポリチャンバ１１の洗浄の間にＷＳｉx チャ
ンバ１３の洗浄を行うことにより、ＷＳｉx チャンバ１
３の次の洗浄が２５枚のウェハの分だけ遅れる。
【００３６】ポリチャンバ１１の洗浄の間にＷＳｉx チ
ャンバ１３の洗浄を行うほかに、ポリチャンバ１１の洗
浄の終了後の最初のウェハを受け取る直前にＷＳｉx チ
ャンバ１３がプレコーティング操作（実質的にＷＳｉx
チャンバ１３壁にシーズニング層を堆積する操作）を行
うことが好ましい。このプレコーティング操作は、アイ
ドル時間後ＷＳｉx チャンバ１３によって処理された最
初の数ウェハに堆積したＷＳｉx 層を後続の及び以前の
処理ウェハに堆積した層より面積抵抗率を低くする“ア
イドル効果”を最少にすることにより膜質のコンシステ
ンシーを改善することができる。本明細書に述べた他の
実施課題のいくつか（スループット、過剰洗浄及び高温
に過剰曝露することによるデバイス劣化等）と異なり、
アイドル効果はジクロロシラン系ＷＳｉx 適用にのみ関
連する課題である。しかしながら、上記のアイドル効果
に類似した問題は、ある種の適用にも存在することがあ
る。
ャンバ１３の洗浄を行うほかに、ポリチャンバ１１の洗
浄の終了後の最初のウェハを受け取る直前にＷＳｉx チ
ャンバ１３がプレコーティング操作（実質的にＷＳｉx
チャンバ１３壁にシーズニング層を堆積する操作）を行
うことが好ましい。このプレコーティング操作は、アイ
ドル時間後ＷＳｉx チャンバ１３によって処理された最
初の数ウェハに堆積したＷＳｉx 層を後続の及び以前の
処理ウェハに堆積した層より面積抵抗率を低くする“ア
イドル効果”を最少にすることにより膜質のコンシステ
ンシーを改善することができる。本明細書に述べた他の
実施課題のいくつか（スループット、過剰洗浄及び高温
に過剰曝露することによるデバイス劣化等）と異なり、
アイドル効果はジクロロシラン系ＷＳｉx 適用にのみ関
連する課題である。しかしながら、上記のアイドル効果
に類似した問題は、ある種の適用にも存在することがあ
る。
【００３７】図３は、洗浄操作がＷＳｉx チャンバ１３
に要求されるときのある実施態様におけるチャンバ１１
と１３で行われる一連の操作を示す図である。この実施
例においては、ＷＳｉx チャンバ１３での洗浄操作は２
５枚毎のウェハ堆積操作後に要求され、ウェハ堆積操作
２４はＷＳｉx チャンバ１３が最後に洗浄されてから行
った２５番目の操作である。ポリチャンバ１１が堆積操
作２１でウェハの処理を終わった直後の２８のときにプ
ロセスシーケンサ１７５はポリチャンバ１１からＷＳｉ
x チャンバ１３へのウェハの移動を予定する。
に要求されるときのある実施態様におけるチャンバ１１
と１３で行われる一連の操作を示す図である。この実施
例においては、ＷＳｉx チャンバ１３での洗浄操作は２
５枚毎のウェハ堆積操作後に要求され、ウェハ堆積操作
２４はＷＳｉx チャンバ１３が最後に洗浄されてから行
った２５番目の操作である。ポリチャンバ１１が堆積操
作２１でウェハの処理を終わった直後の２８のときにプ
ロセスシーケンサ１７５はポリチャンバ１１からＷＳｉ
x チャンバ１３へのウェハの移動を予定する。
【００３８】移動の完了時に、シーケンサ１７５は、チ
ャンバ１３の最後の洗浄からチャンバ１３で処理された
ウェハ数のカウントを増加する（メモリ２３に記憶され
る）。このカウントは、シーケンサ１７５がウェハをチ
ャンバ１３へ移す度にウェハがロードロック１６と１８
の１つから直接移される場合でさえ、即ち、ポリチャン
バ１１で堆積を受けない場合でさえ増加する。カウント
が２４のとき、次のウェハをチャンバ１３に移す際にシ
ーケンサ１７５はカウントを０にする。
ャンバ１３の最後の洗浄からチャンバ１３で処理された
ウェハ数のカウントを増加する（メモリ２３に記憶され
る）。このカウントは、シーケンサ１７５がウェハをチ
ャンバ１３へ移す度にウェハがロードロック１６と１８
の１つから直接移される場合でさえ、即ち、ポリチャン
バ１１で堆積を受けない場合でさえ増加する。カウント
が２４のとき、次のウェハをチャンバ１３に移す際にシ
ーケンサ１７５はカウントを０にする。
【００３９】シーケンサ１７５がＷＳｉx チャンバ１３
へのウェハ移動（いずれのところからも、即ち、ポリチ
ャンバ１１から或いは直接ロードロック１６と１８の１
つから）を予定する度に、シーケンサ１７５は上記のカ
ウントを呼び出し、カウントが２４の場合には、下記の
ようにチャンバ１１と１３で行われるべき各々の調整レ
シピを予定する。（更に、シーケンサ１７５は、チャン
バ１３の直接洗浄を必要とするチャンバ１３に故障が発
生した際等の他のときにそれらの調整レシピを予定する
ことを決定することができる。） 例えば、ほぼ２８の
ときに、シーケンサ１７５は、上記カウントが２４であ
りウェハがチャンバ１３に移されるように予定されるこ
とを決定する。結果として、プロセスシーケンサ１７５
は、ＷＳｉx チャンバ１３が洗浄する予定であること
（チャンバ１３に移すように予定されたウェハを処理し
た後に）を決定し、チャンバ１３に移されたウェハがｘ
分が必要である固定長堆積操作２４で堆積を受けた後に
チャンバ１３で行う管理チャンバ１７７ｂの調整レシピ
を予定する。この調整レシピは、可変長洗浄操作２５に
続いて長さｙ分の固定プレコーティング操作長２６から
なる。
へのウェハ移動（いずれのところからも、即ち、ポリチ
ャンバ１１から或いは直接ロードロック１６と１８の１
つから）を予定する度に、シーケンサ１７５は上記のカ
ウントを呼び出し、カウントが２４の場合には、下記の
ようにチャンバ１１と１３で行われるべき各々の調整レ
シピを予定する。（更に、シーケンサ１７５は、チャン
バ１３の直接洗浄を必要とするチャンバ１３に故障が発
生した際等の他のときにそれらの調整レシピを予定する
ことを決定することができる。） 例えば、ほぼ２８の
ときに、シーケンサ１７５は、上記カウントが２４であ
りウェハがチャンバ１３に移されるように予定されるこ
とを決定する。結果として、プロセスシーケンサ１７５
は、ＷＳｉx チャンバ１３が洗浄する予定であること
（チャンバ１３に移すように予定されたウェハを処理し
た後に）を決定し、チャンバ１３に移されたウェハがｘ
分が必要である固定長堆積操作２４で堆積を受けた後に
チャンバ１３で行う管理チャンバ１７７ｂの調整レシピ
を予定する。この調整レシピは、可変長洗浄操作２５に
続いて長さｙ分の固定プレコーティング操作長２６から
なる。
【００４０】また、ほぼ２８のときに、プロセスシーケ
ンサ１７５は、管理チャンバ１７７ａにポリチャンバ１
１で調整レシピを行うようにし、そのレシピはポリチャ
ンバ１１の種々の操作条件（温度及び圧力等）を維持す
るように働き、可変長保持／待機操作２２ａに続いて長
さｙ−ｘ分の固定長パージ操作２２ｂからなる。２９の
ときに、ＷＳｉx チャンバ１３での可変長洗浄操作２５
が終了する。ＷＳｉxチャンバ１３での可変洗浄操作長
２５の終了に応答して管理チャンバ１７７ａはポリチャ
ンバ１１の可変長保持／待機操作２２ａを終了させかつ
固定長パージ操作２２ｂを開始させる。
ンサ１７５は、管理チャンバ１７７ａにポリチャンバ１
１で調整レシピを行うようにし、そのレシピはポリチャ
ンバ１１の種々の操作条件（温度及び圧力等）を維持す
るように働き、可変長保持／待機操作２２ａに続いて長
さｙ−ｘ分の固定長パージ操作２２ｂからなる。２９の
ときに、ＷＳｉx チャンバ１３での可変長洗浄操作２５
が終了する。ＷＳｉxチャンバ１３での可変洗浄操作長
２５の終了に応答して管理チャンバ１７７ａはポリチャ
ンバ１１の可変長保持／待機操作２２ａを終了させかつ
固定長パージ操作２２ｂを開始させる。
【００４１】ポリチャンバ１１が固定長パージ操作の実
行を終えた後、プロセスシーケンサ１７５は新しいウェ
ハをチャンバ１３に移動させ、管理チャンバ１７７ａに
その新しいウェハ上の堆積操作２３を行わせるようにす
る（固定長がｘ分である）。３０のときに、ポリチャン
バ１１とＷＳｉx チャンバ１３は各々堆積操作２３とプ
レコーティング操作２６を行うことを終え、ＷＳｉx チ
ャンバ１３はポリチャンバ１１によって堆積操作２３で
使用したウェハ上の堆積操作２７をすぐに行うことがで
きる。
行を終えた後、プロセスシーケンサ１７５は新しいウェ
ハをチャンバ１３に移動させ、管理チャンバ１７７ａに
その新しいウェハ上の堆積操作２３を行わせるようにす
る（固定長がｘ分である）。３０のときに、ポリチャン
バ１１とＷＳｉx チャンバ１３は各々堆積操作２３とプ
レコーティング操作２６を行うことを終え、ＷＳｉx チ
ャンバ１３はポリチャンバ１１によって堆積操作２３で
使用したウェハ上の堆積操作２７をすぐに行うことがで
きる。
【００４２】図３に示された同期化の重要な特徴は、ポ
リチャンバ１１で行われる調整レシピの２つの操作間の
移行（即ち、可変長保持／待機操作２２ａと固定長パー
ジ操作２２ｂ）が、ＷＳｉx チャンバ１３が調節レシピ
の処理中にある状態に達するときに（即ち、可変長洗浄
操作２５の完了時に）引き金になることである。この特
徴は、次の３つの目的を同時に達成させることができ
る。１）ＷＳｉx チャンバ１３の可変長洗浄；２）最大
ウェハスループット（即ち、ＷＳｉx チャンバ１３がプ
レコーティング操作２６を終わった直後にウェハはＷＳ
ｉx チャンバ１３ですぐに処理することができる）；及
び３）“アイドル効果”の最小化（即ち、ＷＳｉx チャ
ンバ１３はプレコーティング操作２６を終えた直後にウ
ェハの処理を開始する。この特徴がなければ、次の代替
法の１つを選ばなければならない。
リチャンバ１１で行われる調整レシピの２つの操作間の
移行（即ち、可変長保持／待機操作２２ａと固定長パー
ジ操作２２ｂ）が、ＷＳｉx チャンバ１３が調節レシピ
の処理中にある状態に達するときに（即ち、可変長洗浄
操作２５の完了時に）引き金になることである。この特
徴は、次の３つの目的を同時に達成させることができ
る。１）ＷＳｉx チャンバ１３の可変長洗浄；２）最大
ウェハスループット（即ち、ＷＳｉx チャンバ１３がプ
レコーティング操作２６を終わった直後にウェハはＷＳ
ｉx チャンバ１３ですぐに処理することができる）；及
び３）“アイドル効果”の最小化（即ち、ＷＳｉx チャ
ンバ１３はプレコーティング操作２６を終えた直後にウ
ェハの処理を開始する。この特徴がなければ、次の代替
法の１つを選ばなければならない。
【００４３】ａ）ＷＳｉx チャンバ１３の固定長洗浄。
これは、不十分な又は過剰な洗浄をきたし、両方とも望
ましくない。更に、過剰な洗浄は最適以下のウェハスル
ープットを生じる。
これは、不十分な又は過剰な洗浄をきたし、両方とも望
ましくない。更に、過剰な洗浄は最適以下のウェハスル
ープットを生じる。
【００４４】ｂ）ポリチャンバ１１によって固定長保持
／待機操作のみ含むように行われた調整レシピ２２を改
良する。ウェハ堆積操作２３がプレコーティング操作２
６の前に完了する可能性（即ち、ＷＳｉx チャンバがポ
リチャンバ１１で新たに処理されたウェハをすぐに受け
取ることができる前に）、及びデバイス劣化の危険（ポ
リチャンバ１１を高温に過剰曝露するために）を避ける
ために、ポリチャンバ１１の固定長保持／待機の長さは
ポリチャンバ１１の可変長洗浄操作２５の可能な最大持
続時間とプレコーティング操作２６の長さの合計に等し
くなければならない。しかしながら、ポリチャンバ１１
の保持／待機の長さがそのような高い値で固定された場
合には、通常プレコーティング操作２６はウェハ堆積操
作２３の前に終わり、最適以下のウェハスループットが
生じ、ＷＳｉx チャンバ１３での大きな“アイドル効
果”が大きくなる。
／待機操作のみ含むように行われた調整レシピ２２を改
良する。ウェハ堆積操作２３がプレコーティング操作２
６の前に完了する可能性（即ち、ＷＳｉx チャンバがポ
リチャンバ１１で新たに処理されたウェハをすぐに受け
取ることができる前に）、及びデバイス劣化の危険（ポ
リチャンバ１１を高温に過剰曝露するために）を避ける
ために、ポリチャンバ１１の固定長保持／待機の長さは
ポリチャンバ１１の可変長洗浄操作２５の可能な最大持
続時間とプレコーティング操作２６の長さの合計に等し
くなければならない。しかしながら、ポリチャンバ１１
の保持／待機の長さがそのような高い値で固定された場
合には、通常プレコーティング操作２６はウェハ堆積操
作２３の前に終わり、最適以下のウェハスループットが
生じ、ＷＳｉx チャンバ１３での大きな“アイドル効
果”が大きくなる。
【００４５】一実施態様においては、ＷＳｉx チャンバ
１３での可変長洗浄操作２５の終了と、可変長保持／待
機操作２２ａと固定長パージ操作２２ｂ間の移行間の同
期化は次の手法：メモリ２３はチャンバ１１〜１４の各
々の各フラグビットを記憶することによって達成され
る。可変洗浄操作２５が管理チャンバ１７７ｂによって
終了するとき、管理チャンバ１７７ｂはポリチャンバ１
１のフラグビットをセットする。管理チャンバ１７７ａ
は可変長保持／待機操作２２ａを開始した後、ポリチャ
ンバ１１のフラグビットを周期的に呼び出す。呼び出し
たフラグビットがセットされるように決定されるとき、
管理チャンバ１７７ａは可変長保持／待機操作２２ａを
終了し、固定長パージ操作２２ｂを開始する。各レシピ
操作の最初に管理チャンバ１７７ａ−ｄの各々は対応す
るチャンバのフラグビットをリセットし、フラグビット
の設定が１を超えるチャンバレシピの移行の引き金にな
らないように防止する。
１３での可変長洗浄操作２５の終了と、可変長保持／待
機操作２２ａと固定長パージ操作２２ｂ間の移行間の同
期化は次の手法：メモリ２３はチャンバ１１〜１４の各
々の各フラグビットを記憶することによって達成され
る。可変洗浄操作２５が管理チャンバ１７７ｂによって
終了するとき、管理チャンバ１７７ｂはポリチャンバ１
１のフラグビットをセットする。管理チャンバ１７７ａ
は可変長保持／待機操作２２ａを開始した後、ポリチャ
ンバ１１のフラグビットを周期的に呼び出す。呼び出し
たフラグビットがセットされるように決定されるとき、
管理チャンバ１７７ａは可変長保持／待機操作２２ａを
終了し、固定長パージ操作２２ｂを開始する。各レシピ
操作の最初に管理チャンバ１７７ａ−ｄの各々は対応す
るチャンバのフラグビットをリセットし、フラグビット
の設定が１を超えるチャンバレシピの移行の引き金にな
らないように防止する。
【００４６】ある状況では、比較的近い将来にチャンバ
１１の洗浄がいずれにしても必要である場合にはチャン
バ１３が洗浄すべきことを決定する際にシーケンサ１７
５がチャンバ１１の洗浄を予定することが望ましい。一
実施態様においては、チャンバ１３がほぼ２８のときに
（上記）洗浄すべきことを決定する際に、シーケンサ１
７５はメモリ２３に記憶されたカウントを呼び出し、チ
ャンバ１１の最後の洗浄からチャンバ１１によって処理
されたウェハ数を表示する。カウントが洗浄間でチャン
バ１１によって処理されたウェハの最大数の９０％を超
える場合には、シーケンサ１７５は管理チャンバ１７７
ａ−ｂに上記図３で述べられた調整レシピの代わりに図
４に示される（及び後述される）各調整レシピ（共に洗
浄操作を含む）をチャンバ１１と１３で行うようにす
る。例えば、洗浄間にチャンバ１１で処理されるウェハ
の最大数が３００である場合には、シーケンサ１７５は
カウントが２７０を超える度に上記作用を取る。
１１の洗浄がいずれにしても必要である場合にはチャン
バ１３が洗浄すべきことを決定する際にシーケンサ１７
５がチャンバ１１の洗浄を予定することが望ましい。一
実施態様においては、チャンバ１３がほぼ２８のときに
（上記）洗浄すべきことを決定する際に、シーケンサ１
７５はメモリ２３に記憶されたカウントを呼び出し、チ
ャンバ１１の最後の洗浄からチャンバ１１によって処理
されたウェハ数を表示する。カウントが洗浄間でチャン
バ１１によって処理されたウェハの最大数の９０％を超
える場合には、シーケンサ１７５は管理チャンバ１７７
ａ−ｂに上記図３で述べられた調整レシピの代わりに図
４に示される（及び後述される）各調整レシピ（共に洗
浄操作を含む）をチャンバ１１と１３で行うようにす
る。例えば、洗浄間にチャンバ１１で処理されるウェハ
の最大数が３００である場合には、シーケンサ１７５は
カウントが２７０を超える度に上記作用を取る。
【００４７】図４は、洗浄操作がポリチャンバ１１に要
求されるときの実施態様においてチャンバ１１と１３で
行われた一連の操作を示す図である。５３のときに、ウ
ェハ堆積操作４１がポリチャンバ１１で開始する。この
実施例においては、ポリチャンバ１１での洗浄操作は３
００枚毎の堆積操作後に要求され、ウェハ堆積操作４１
はポリチャンバ１１が最後の洗浄から行った３００番目
の操作である。
求されるときの実施態様においてチャンバ１１と１３で
行われた一連の操作を示す図である。５３のときに、ウ
ェハ堆積操作４１がポリチャンバ１１で開始する。この
実施例においては、ポリチャンバ１１での洗浄操作は３
００枚毎の堆積操作後に要求され、ウェハ堆積操作４１
はポリチャンバ１１が最後の洗浄から行った３００番目
の操作である。
【００４８】ほぼ５３のときに（及びシーケンサ１７５
がウェハをポリチャンバ１１に移すようにする度に）、
シーケンサはポリチャンバ１１の最後の洗浄からポリチ
ャンバ１１によって処理されたウェハ数のカウント（メ
モリ２３に記憶される）を増加する。そのカウントが３
００に達したことを決定する際に（ほぼ５３のとき
に）、プロセスシーケンサ１７５はカウントを０にし、
管理チャンバ１７７ａにポリチャンバ１１で調整レシピ
を行うようにする。このレシピは第１固定長洗浄操作４
２（ある実施態様においては操作４２が可変長である）
に続いて長さがｙ−ｘ分の第２固定長洗浄操作５３から
なる（ｘ分はポリチャンバ１１で行われる堆積操作の固
定長であり、ｙは下記のＷＳｉx チャンバ１３で行われ
るプレコーティング操作の固定長である）。
がウェハをポリチャンバ１１に移すようにする度に）、
シーケンサはポリチャンバ１１の最後の洗浄からポリチ
ャンバ１１によって処理されたウェハ数のカウント（メ
モリ２３に記憶される）を増加する。そのカウントが３
００に達したことを決定する際に（ほぼ５３のとき
に）、プロセスシーケンサ１７５はカウントを０にし、
管理チャンバ１７７ａにポリチャンバ１１で調整レシピ
を行うようにする。このレシピは第１固定長洗浄操作４
２（ある実施態様においては操作４２が可変長である）
に続いて長さがｙ−ｘ分の第２固定長洗浄操作５３から
なる（ｘ分はポリチャンバ１１で行われる堆積操作の固
定長であり、ｙは下記のＷＳｉx チャンバ１３で行われ
るプレコーティング操作の固定長である）。
【００４９】また、ほぼ５３のときに、プロセスシーケ
ンサ１７５は、固定長堆積操作４４と５４（各々ｘ分が
必要である）を行った後、管理チャンバ１７７ｂにＷＳ
ｉxチャンバ１３で調整レシピを行うようにする。（最
初に固定長堆積操作４４を行わずにＷＳｉx チャンバ１
３での調整レシピが行われ、その結果操作４１中にチャ
ンバ１１で処理されたウェハはチャンバ１３に移されな
い。） この調整レシピは、可変長洗浄操作４５（他の
実施態様では固定長である）に続いて保持／待機操作４
６及び固定長のプレコーティング操作４７（即ち、ｙ
分）からなる。上記のように、ＷＳｉx チャンバ１３の
洗浄はポリチャンバ１１の周期的洗浄中に行われ、ポリ
チャンバ１１がウェハ堆積を続行した後に要求されるＷ
Ｓｉx チャンバ１３の最初の洗浄を可能な限り後にす
る。
ンサ１７５は、固定長堆積操作４４と５４（各々ｘ分が
必要である）を行った後、管理チャンバ１７７ｂにＷＳ
ｉxチャンバ１３で調整レシピを行うようにする。（最
初に固定長堆積操作４４を行わずにＷＳｉx チャンバ１
３での調整レシピが行われ、その結果操作４１中にチャ
ンバ１１で処理されたウェハはチャンバ１３に移されな
い。） この調整レシピは、可変長洗浄操作４５（他の
実施態様では固定長である）に続いて保持／待機操作４
６及び固定長のプレコーティング操作４７（即ち、ｙ
分）からなる。上記のように、ＷＳｉx チャンバ１３の
洗浄はポリチャンバ１１の周期的洗浄中に行われ、ポリ
チャンバ１１がウェハ堆積を続行した後に要求されるＷ
Ｓｉx チャンバ１３の最初の洗浄を可能な限り後にす
る。
【００５０】ポリチャンバ１１が堆積操作４１でウェハ
を処理した直後の４９のときに、堆積操作４４で処理す
るためにロボット１７がポリチャンバ１１からＷＳｉx
チャンバにウェハを移す。また、ほぼ４９のときに、プ
ロセスシーケンサ１７５はチャンバ１３の最後の洗浄か
らＷＳｉx チャンバ１３で処理されたウェハ数のカウン
ト（メモリ２３に記憶される）を０にリセットする。
を処理した直後の４９のときに、堆積操作４４で処理す
るためにロボット１７がポリチャンバ１１からＷＳｉx
チャンバにウェハを移す。また、ほぼ４９のときに、プ
ロセスシーケンサ１７５はチャンバ１３の最後の洗浄か
らＷＳｉx チャンバ１３で処理されたウェハ数のカウン
ト（メモリ２３に記憶される）を０にリセットする。
【００５１】５０のときに、管理チャンバ１７７ａはポ
リチャンバ１１での洗浄操作４２を終了し、ＷＳｉx チ
ャンバ１３のメモリ２３にフラグビットをセットする。
管理チャンバ１７７ｂが保持／待機操作４６を開始した
後、管理チャンバ１７７ｂはチャンバ１３のフラグビッ
トを周期的に呼び出す。呼び出したビットがセットされ
たことを検出する際に（ほぼ５０のときに）、管理チャ
ンバ１７７ｂは保持／待機操作４６を終了しプレコート
操作４７を開始する。洗浄操作５３の終了後の５１のと
きに、ポリチャンバ１１は新しいウェハ上で固定堆積操
作長４３（ｘ分が必要である）を行う。５２のときに、
ポリチャンバ１１とＷＳｉx チャンバ１３は各々堆積操
作４３とプレコーティング操作４７を行うこと終了し、
ＷＳｉxチャンバ１３は堆積操作４３でポリチャンバ１
１によって処理されたウェハ上の堆積操作４８をすぐに
行うことができる。
リチャンバ１１での洗浄操作４２を終了し、ＷＳｉx チ
ャンバ１３のメモリ２３にフラグビットをセットする。
管理チャンバ１７７ｂが保持／待機操作４６を開始した
後、管理チャンバ１７７ｂはチャンバ１３のフラグビッ
トを周期的に呼び出す。呼び出したビットがセットされ
たことを検出する際に（ほぼ５０のときに）、管理チャ
ンバ１７７ｂは保持／待機操作４６を終了しプレコート
操作４７を開始する。洗浄操作５３の終了後の５１のと
きに、ポリチャンバ１１は新しいウェハ上で固定堆積操
作長４３（ｘ分が必要である）を行う。５２のときに、
ポリチャンバ１１とＷＳｉx チャンバ１３は各々堆積操
作４３とプレコーティング操作４７を行うこと終了し、
ＷＳｉxチャンバ１３は堆積操作４３でポリチャンバ１
１によって処理されたウェハ上の堆積操作４８をすぐに
行うことができる。
【００５２】ポリチャンバ１１での洗浄操作４２の完了
をＷＳｉx チャンバ１３に伝達する能力は、ＷＳｉx チ
ャンバ１３でのプレコーティング操作４７がポリチャン
バ１１での堆積操作４３と同時に終了することを可能に
する。３つの目標の１）ウェハスループットを最大にす
る、２）ＷＳｉx チャンバ１３での“アイドル効果”を
最小にする、及び３）デバイス劣化を避ける（ウェハを
ポリチャンバ１１の高温環境に過剰曝露することによ
る）が達成される。図３に示された同期化のように、図
４に示される同期化の重要な特徴は、ポリチャンバ１１
が調整の実行中にある状態に達するときに（即ち、洗浄
操作４２の完了時に）ＷＳｉx チャンバ１３で行われる
調整レシピの２つの操作（即ち、保持／待機操作４６と
プレコート操作４７）間の移行の引き金になることであ
る。
をＷＳｉx チャンバ１３に伝達する能力は、ＷＳｉx チ
ャンバ１３でのプレコーティング操作４７がポリチャン
バ１１での堆積操作４３と同時に終了することを可能に
する。３つの目標の１）ウェハスループットを最大にす
る、２）ＷＳｉx チャンバ１３での“アイドル効果”を
最小にする、及び３）デバイス劣化を避ける（ウェハを
ポリチャンバ１１の高温環境に過剰曝露することによ
る）が達成される。図３に示された同期化のように、図
４に示される同期化の重要な特徴は、ポリチャンバ１１
が調整の実行中にある状態に達するときに（即ち、洗浄
操作４２の完了時に）ＷＳｉx チャンバ１３で行われる
調整レシピの２つの操作（即ち、保持／待機操作４６と
プレコート操作４７）間の移行の引き金になることであ
る。
【００５３】シーケンサ１７５は、管理チャンバ１７７
ａ−ｂにチャンバ１１の直接の洗浄を必要とするチャン
バ１１での故障状態の測定時のような上記以外のときに
（即ち、チャンバ１１の最後の洗浄からチャンバ１１で
３００番目のウェハを処理した後に）図４に示された調
整レシピを行うようにする。
ａ−ｂにチャンバ１１の直接の洗浄を必要とするチャン
バ１１での故障状態の測定時のような上記以外のときに
（即ち、チャンバ１１の最後の洗浄からチャンバ１１で
３００番目のウェハを処理した後に）図４に示された調
整レシピを行うようにする。
【００５４】図３及び図４は調整レシピ間の同期化を示
すが、本発明は２つのプロセスレシピ間の同期化及びプ
ロセスレシピと調整レシピ間の同期化にも同様に適用で
きる。図５は、２つのチャンバ（ＡとＢ）間の同期化案
（scheme）を示し、それによると、チャンバＡで行われ
るプロセスレシピの実行中に生じる結果がチャンバＢで
行われる調整レシピの実行に影響を及ぼす。
すが、本発明は２つのプロセスレシピ間の同期化及びプ
ロセスレシピと調整レシピ間の同期化にも同様に適用で
きる。図５は、２つのチャンバ（ＡとＢ）間の同期化案
（scheme）を示し、それによると、チャンバＡで行われ
るプロセスレシピの実行中に生じる結果がチャンバＢで
行われる調整レシピの実行に影響を及ぼす。
【００５５】各ウェハは、チャンバＡでの堆積に続いて
チャンバＢで堆積を受ける。チャンバＡで行われるプロ
セスレシピは、可変長堆積操作（例えば、操作５１）に
続いて固定長堆積操作（例えば、操作５２）からなる。
（他の実施例においては、操作５１はエッチング操作の
ような他の種類の可変長プロセス操作である。）チャン
バＢでは、その間に固定長堆積操作（例えば、操作５
４）からなるプロセスレシピと可変長保持／待機操作
（例えば、操作５５）に続いて固定長洗浄操作（例え
ば、操作５６）からなる調整レシピが行われる。上記の
同期化手法（即ち、チャンバＡとＢの各フラグビット）
を用いて、次のウェハ上でチャンバＡによって行われる
可変長堆積操作が終了するときにチャンバＢはあるウェ
ハの可変長保持／待機操作を行うことを停止する（例え
ば、５８のときのチャンバＡでの操作５１の終了がチャ
ンバＢでの操作５５から操作５６への移行の引き金にな
る）。このようにして、あるウェハ上のチャンバＡのプ
ロセスレシピの固定長堆積操作と前のウェハ上のチャン
バＢの調整レシピの固定長洗浄操作（設計によって操作
は同じ長さである）が開始し、ほぼ同じときに終わる
（例えば、５９のとき）。結果として、処理したウェハ
をチャンバＡの高温環境に過剰曝露すること及び最適以
下のウェハスループット（共に前者の操作が最初に終了
する場合に生じる）及びチャンバＢ内のアイドル効果の
ための膜質の不一致（後者の操作が最初に終了する場合
に生じる）が避けられる。
チャンバＢで堆積を受ける。チャンバＡで行われるプロ
セスレシピは、可変長堆積操作（例えば、操作５１）に
続いて固定長堆積操作（例えば、操作５２）からなる。
（他の実施例においては、操作５１はエッチング操作の
ような他の種類の可変長プロセス操作である。）チャン
バＢでは、その間に固定長堆積操作（例えば、操作５
４）からなるプロセスレシピと可変長保持／待機操作
（例えば、操作５５）に続いて固定長洗浄操作（例え
ば、操作５６）からなる調整レシピが行われる。上記の
同期化手法（即ち、チャンバＡとＢの各フラグビット）
を用いて、次のウェハ上でチャンバＡによって行われる
可変長堆積操作が終了するときにチャンバＢはあるウェ
ハの可変長保持／待機操作を行うことを停止する（例え
ば、５８のときのチャンバＡでの操作５１の終了がチャ
ンバＢでの操作５５から操作５６への移行の引き金にな
る）。このようにして、あるウェハ上のチャンバＡのプ
ロセスレシピの固定長堆積操作と前のウェハ上のチャン
バＢの調整レシピの固定長洗浄操作（設計によって操作
は同じ長さである）が開始し、ほぼ同じときに終わる
（例えば、５９のとき）。結果として、処理したウェハ
をチャンバＡの高温環境に過剰曝露すること及び最適以
下のウェハスループット（共に前者の操作が最初に終了
する場合に生じる）及びチャンバＢ内のアイドル効果の
ための膜質の不一致（後者の操作が最初に終了する場合
に生じる）が避けられる。
【００５６】チャンバＡのプロセスレシピの第１堆積操
作が固定長である場合さえ、チャンバＡでの操作の終了
とチャンバＢの調整レシピの保持／待機操作の終了とを
同期化することからすぐ上に記載されたものと同様の利
点が生じる。かかる同期化は、ある理由（例えば、ある
種類の故障）でチャンバＡのプロセスレシピの第１堆積
操作の完了が遅れた場合でさえチャンバＡのプロセスレ
シピの第２堆積操作とチャンバＢの調整レシピの洗浄操
作がほぼ同時に終了することを行わせる。
作が固定長である場合さえ、チャンバＡでの操作の終了
とチャンバＢの調整レシピの保持／待機操作の終了とを
同期化することからすぐ上に記載されたものと同様の利
点が生じる。かかる同期化は、ある理由（例えば、ある
種類の故障）でチャンバＡのプロセスレシピの第１堆積
操作の完了が遅れた場合でさえチャンバＡのプロセスレ
シピの第２堆積操作とチャンバＢの調整レシピの洗浄操
作がほぼ同時に終了することを行わせる。
【００５７】図６は、２つのチャンバ（ＡとＢ）間の同
期化案を示し、それによると、チャンバＢによって行わ
れた調整レシピの実行で生じた結果がチャンバＡでのプ
ロセスレシピの実行に影響を及ぼす。各ウェハは、チャ
ンバＡでの堆積に続いてチャンバＢで堆積を受ける。チ
ャンバＡで行われるプロセスレシピは、可変長保持／待
機操作（例えば、操作６１）に続いて固定長堆積操作
（例えば、操作６２）からなる。チャンバＢでは、その
間に固定長堆積操作（例えば、操作６４）からなるプロ
セスレシピと可変長保持／待機操作（例えば、操作６
５）に続いて固定長洗浄操作（例えば、操作６６）から
なる調整レシピが行われる。上記の同期化手法を用い
て、前のウェハ上でチャンバＢによって行われる可変長
洗浄操作が終了するときにチャンバＡはあるウェハの可
変長保持／待機操作を行うことを停止する（例えば、６
８のときのチャンバＢでの操作６５の終了がチャンバＡ
での操作６１から操作６２への移行の引き金になる）。
このようにして、あるウェハ上のチャンバＡのプロセス
レシピの固定長堆積操作と前のウェハ上のチャンバＢの
調整シピの固定長洗浄操作（設計によって操作は同じ長
さである）が開始し、ほぼ同じときに終わる（例えば、
６９のとき）。結果として、処理したウェハをチャンバ
Ａの高温環境に過剰曝露すること（前者の操作が最初に
終了する場合に生じる）及びチャンバＢ内のアイドル効
果のための膜質の不一致（後者の操作が最初に終了する
場合に生じる）が避けられる。
期化案を示し、それによると、チャンバＢによって行わ
れた調整レシピの実行で生じた結果がチャンバＡでのプ
ロセスレシピの実行に影響を及ぼす。各ウェハは、チャ
ンバＡでの堆積に続いてチャンバＢで堆積を受ける。チ
ャンバＡで行われるプロセスレシピは、可変長保持／待
機操作（例えば、操作６１）に続いて固定長堆積操作
（例えば、操作６２）からなる。チャンバＢでは、その
間に固定長堆積操作（例えば、操作６４）からなるプロ
セスレシピと可変長保持／待機操作（例えば、操作６
５）に続いて固定長洗浄操作（例えば、操作６６）から
なる調整レシピが行われる。上記の同期化手法を用い
て、前のウェハ上でチャンバＢによって行われる可変長
洗浄操作が終了するときにチャンバＡはあるウェハの可
変長保持／待機操作を行うことを停止する（例えば、６
８のときのチャンバＢでの操作６５の終了がチャンバＡ
での操作６１から操作６２への移行の引き金になる）。
このようにして、あるウェハ上のチャンバＡのプロセス
レシピの固定長堆積操作と前のウェハ上のチャンバＢの
調整シピの固定長洗浄操作（設計によって操作は同じ長
さである）が開始し、ほぼ同じときに終わる（例えば、
６９のとき）。結果として、処理したウェハをチャンバ
Ａの高温環境に過剰曝露すること（前者の操作が最初に
終了する場合に生じる）及びチャンバＢ内のアイドル効
果のための膜質の不一致（後者の操作が最初に終了する
場合に生じる）が避けられる。
【００５８】チャンバＢの調整レシピの第１洗浄操作が
固定長である場合さえ、チャンバＢでの操作の終了とチ
ャンバＡのプロセスレシピの保持／待機操作の終了とを
同期化することからすぐ上に記載されたものと同様の利
点が生じる。かかる同期化は、ある理由（例えば、ある
種類の故障）でチャンバＢの調整レシピの第１洗浄操作
の完了が遅れた場合でさえチャンバＡのプロセスレシピ
の堆積操作とチャンバＢの調整レシピの第２洗浄操作が
ほぼ同時に終了することを行わせる。
固定長である場合さえ、チャンバＢでの操作の終了とチ
ャンバＡのプロセスレシピの保持／待機操作の終了とを
同期化することからすぐ上に記載されたものと同様の利
点が生じる。かかる同期化は、ある理由（例えば、ある
種類の故障）でチャンバＢの調整レシピの第１洗浄操作
の完了が遅れた場合でさえチャンバＡのプロセスレシピ
の堆積操作とチャンバＢの調整レシピの第２洗浄操作が
ほぼ同時に終了することを行わせる。
【００５９】図７は、２つのチャンバ（ＡとＢ）間の同
期化スキームを示し、それによると、チャンバＡによっ
て行われたプロセスレシピの実行で生じた結果がチャン
バＢでのプロセスレシピの実行に影響を及ぼす。各ウェ
ハは、チャンバＡでの堆積に続いてチャンバＢで堆積を
受ける。チャンバＡで行われるプロセスレシピは、可変
長堆積操作（例えば、操作７１）に続いて固定長堆積操
作（例えば、操作７２）からなる。（他の実施例におい
ては、操作７１はエッチング操作等の他の種類の可変長
プロセス操作である。） チャンバＢは、可変長保持／
待機操作（例えば、操作７４）からなるプロセスレシピ
に続いて固定長予備調整操作（例えば、操作７５）、続
いて固定長堆積操作（例えば、操作７６）を実行する。
期化スキームを示し、それによると、チャンバＡによっ
て行われたプロセスレシピの実行で生じた結果がチャン
バＢでのプロセスレシピの実行に影響を及ぼす。各ウェ
ハは、チャンバＡでの堆積に続いてチャンバＢで堆積を
受ける。チャンバＡで行われるプロセスレシピは、可変
長堆積操作（例えば、操作７１）に続いて固定長堆積操
作（例えば、操作７２）からなる。（他の実施例におい
ては、操作７１はエッチング操作等の他の種類の可変長
プロセス操作である。） チャンバＢは、可変長保持／
待機操作（例えば、操作７４）からなるプロセスレシピ
に続いて固定長予備調整操作（例えば、操作７５）、続
いて固定長堆積操作（例えば、操作７６）を実行する。
【００６０】上記の同期化手法を用いて、次のウェハ上
でチャンバＡによって行われる可変長堆積操作が終了す
るときにチャンバＢはあるウェハの可変長保持／待機操
作を行うことを停止する（例えば、７８のときのチャン
バＡでの操作７１の終了がチャンバＢでの操作７４から
操作７５への移行の引き金になる）。チャンバＡプロセ
スレシピの固定堆積操作の長さは、チャンバＢのプロセ
スレシピの固定長の予備調整操作と堆積操作の長さの合
計に等しいように設計される。このようにして、あるウ
ェハ上のチャンバＡのプロセスレシピの固定長堆積操作
と前のウェハ上のチャンバＢのプロセスレシピの固定長
堆積操作がほぼ同じときに終わる（例えば、７９のと
き）。この同期化の結果として、ウェハスループットが
最大になり、処理したウェハをチャンバＡの高温環境に
過剰曝露することが避けられ（チャンバＢはいつもすぐ
にチャンバＡからの処理したウェハを受け取ることがで
きるため）、チャンバＢでのアイドル効果のために膜質
の不一致（後者の操作が最初に終了した場合に生じる）
が減少する（固定堆積操作の前にチャンバＢのプロセス
レシピ中に行われる固定予備調整操作のため）。
でチャンバＡによって行われる可変長堆積操作が終了す
るときにチャンバＢはあるウェハの可変長保持／待機操
作を行うことを停止する（例えば、７８のときのチャン
バＡでの操作７１の終了がチャンバＢでの操作７４から
操作７５への移行の引き金になる）。チャンバＡプロセ
スレシピの固定堆積操作の長さは、チャンバＢのプロセ
スレシピの固定長の予備調整操作と堆積操作の長さの合
計に等しいように設計される。このようにして、あるウ
ェハ上のチャンバＡのプロセスレシピの固定長堆積操作
と前のウェハ上のチャンバＢのプロセスレシピの固定長
堆積操作がほぼ同じときに終わる（例えば、７９のと
き）。この同期化の結果として、ウェハスループットが
最大になり、処理したウェハをチャンバＡの高温環境に
過剰曝露することが避けられ（チャンバＢはいつもすぐ
にチャンバＡからの処理したウェハを受け取ることがで
きるため）、チャンバＢでのアイドル効果のために膜質
の不一致（後者の操作が最初に終了した場合に生じる）
が減少する（固定堆積操作の前にチャンバＢのプロセス
レシピ中に行われる固定予備調整操作のため）。
【００６１】チャンバＡのプロセスレシピの第１堆積操
作が固定長である場合さえ、チャンバＡでの操作の終了
とチャンバＢの調整レシピの保持／待機操作の終了とを
同期化することからすぐ上に記載されたものと同様の利
点が生じる。かかる同期化は、ある理由（例えば、ある
種類の故障）でチャンバＡのプロセスレシピの第１堆積
操作の完了が遅れた場合でさえチャンバＡのプロセスレ
シピの第２堆積操作とチャンバＢの堆積レシピの堆積操
作がほぼ同時に終了することを行わせる。
作が固定長である場合さえ、チャンバＡでの操作の終了
とチャンバＢの調整レシピの保持／待機操作の終了とを
同期化することからすぐ上に記載されたものと同様の利
点が生じる。かかる同期化は、ある理由（例えば、ある
種類の故障）でチャンバＡのプロセスレシピの第１堆積
操作の完了が遅れた場合でさえチャンバＡのプロセスレ
シピの第２堆積操作とチャンバＢの堆積レシピの堆積操
作がほぼ同時に終了することを行わせる。
【００６２】上記のチャンバ間同期化手法は、上記の例
に示されていない点の第１チャンバの結果を第２チャン
バでのレシピの動作に影響を及ぼすようにすることが所
望される状態に応用される（即ち、たいてい第２チャン
バのレシピの一部として行われる２つの所定の操作間の
移行を引き起こす以外の影響）。
に示されていない点の第１チャンバの結果を第２チャン
バでのレシピの動作に影響を及ぼすようにすることが所
望される状態に応用される（即ち、たいてい第２チャン
バのレシピの一部として行われる２つの所定の操作間の
移行を引き起こす以外の影響）。
【００６３】図８は、そのような状態を示す図である。
上記のチャンバ間同期化手法を用いて、チャンバＡでの
可変長プロセス操作８１の終了がチャンバＢでの可変保
持／待機操作８４の終了の引き金になる。操作８４の終
了時に、チャンバＢの管理チャンバは操作８４の長さを
決定する。操作８４の長さが所定の閾値より大きい場合
には、チャンバＢで起こりうるアイドル効果を最小にす
るためにチャンバＢの管理チャンバが固定予備調整操作
８７を開始する。そうでなければチャンバＢの管理チャ
ンバは固定パージ操作８６を開始する。この例では、第
１チャンバの結果が第２チャンバでの操作の移行のタイ
ミングに単に働きかけるだけでなく第２チャンバレシピ
の操作が行われることも決定する。
上記のチャンバ間同期化手法を用いて、チャンバＡでの
可変長プロセス操作８１の終了がチャンバＢでの可変保
持／待機操作８４の終了の引き金になる。操作８４の終
了時に、チャンバＢの管理チャンバは操作８４の長さを
決定する。操作８４の長さが所定の閾値より大きい場合
には、チャンバＢで起こりうるアイドル効果を最小にす
るためにチャンバＢの管理チャンバが固定予備調整操作
８７を開始する。そうでなければチャンバＢの管理チャ
ンバは固定パージ操作８６を開始する。この例では、第
１チャンバの結果が第２チャンバでの操作の移行のタイ
ミングに単に働きかけるだけでなく第２チャンバレシピ
の操作が行われることも決定する。
【００６４】可変長洗浄の持続時間の計算 上記のチャンバ間同期化の例には可変長洗浄操作が含ま
れるものがある（例えば、図３の操作２５、図４の操作
４５）。かかる操作の長さを求めるために用いられる共
通の手法は終点検出である。終点検出は、洗浄プロセス
の終わりを合図するある化学種のチャンバ濃度の変化に
よる。典型的には、濃度の変化は光学シグナルの急激な
変化として反映する。しかしながら、ある種類の洗浄操
作（熱洗浄）は発光を伴わず、終点検出化学種のチャン
バ濃度の劇的な変化を検出するために非常に高価な手段
（質量分析計等）が必要とされる。他の種類の洗浄操作
は信頼できる終点検出基準を与えさえしないものであ
る。
れるものがある（例えば、図３の操作２５、図４の操作
４５）。かかる操作の長さを求めるために用いられる共
通の手法は終点検出である。終点検出は、洗浄プロセス
の終わりを合図するある化学種のチャンバ濃度の変化に
よる。典型的には、濃度の変化は光学シグナルの急激な
変化として反映する。しかしながら、ある種類の洗浄操
作（熱洗浄）は発光を伴わず、終点検出化学種のチャン
バ濃度の劇的な変化を検出するために非常に高価な手段
（質量分析計等）が必要とされる。他の種類の洗浄操作
は信頼できる終点検出基準を与えさえしないものであ
る。
【００６５】可変長洗浄操作の長さを求めるために用い
られた他の手法（信頼できる終点検出基準又はその基準
を測定する経済的に実行可能な方法のない場合）は、最
後の洗浄からチャンバ内で行われた操作の知識を用いる
洗浄操作長のチャンバオペレータ、及び操作に対して必
要とされる洗浄時間の推定値（チャンバ内での実験によ
って以前に求められた）による優先計算を必要とする。
この手法は、人間の介入を必要とし、高価で間違いやす
い。
られた他の手法（信頼できる終点検出基準又はその基準
を測定する経済的に実行可能な方法のない場合）は、最
後の洗浄からチャンバ内で行われた操作の知識を用いる
洗浄操作長のチャンバオペレータ、及び操作に対して必
要とされる洗浄時間の推定値（チャンバ内での実験によ
って以前に求められた）による優先計算を必要とする。
この手法は、人間の介入を必要とし、高価で間違いやす
い。
【００６６】本発明者らは、可変長洗浄操作の長さを計
算するシステム制御ソフトウェアを用いる信頼できかつ
安価な方法を開発した。この方法は、最後の洗浄からチ
ャンバ内で行われた種々の操作のソフトウェアがもつ知
識に基づくものである。一例を図４に示す。
算するシステム制御ソフトウェアを用いる信頼できかつ
安価な方法を開発した。この方法は、最後の洗浄からチ
ャンバ内で行われた種々の操作のソフトウェアがもつ知
識に基づくものである。一例を図４に示す。
【００６７】シーケンサ１７５が管理チャンバ１７７ａ
にポリチャンバ１１内で洗浄レシピを行うようにしかつ
管理チャンバ１７７ｂにＷＳｉx チャンバ１３内で調整
レシピを行うようにしなければならない（操作４５〜４
７からなる）ことを決定するほぼ４９のときに、シーケ
ンサ１７５はＲ＊Ｘの積（ここで、Ｒはウェハ堆積に対
して要した概算洗浄時間（メモリ２３に記憶されてい
る）を示し、Ｘはチャンバ１３の最後の洗浄からＷＳｉ
x チャンバで行われたウェハ堆積の現在のカウント値
（これもメモリ２３に記憶されている）を示す）を出す
ことにより操作４５の長さのフロアを計算する。一実施
例においては、シーケンサ１７５はＲ＊Ｘの積にチャン
バ１３の最後の洗浄からＷＳｉx チャンバで行われたプ
レコーティング操作のために要した所定の洗浄時間を追
加する。他の実施例においては、更に、オフセット（チ
ャンバ１３の最後の洗浄からＷＳｉx チャンバ１３で行
われる他の種類の操作に対応する）も可変長洗浄操作の
最終の長さの計算に合計される。この提案された手法
は、洗浄操作以外の様々な種類の可変長操作の長さを計
算するのに応用される。
にポリチャンバ１１内で洗浄レシピを行うようにしかつ
管理チャンバ１７７ｂにＷＳｉx チャンバ１３内で調整
レシピを行うようにしなければならない（操作４５〜４
７からなる）ことを決定するほぼ４９のときに、シーケ
ンサ１７５はＲ＊Ｘの積（ここで、Ｒはウェハ堆積に対
して要した概算洗浄時間（メモリ２３に記憶されてい
る）を示し、Ｘはチャンバ１３の最後の洗浄からＷＳｉ
x チャンバで行われたウェハ堆積の現在のカウント値
（これもメモリ２３に記憶されている）を示す）を出す
ことにより操作４５の長さのフロアを計算する。一実施
例においては、シーケンサ１７５はＲ＊Ｘの積にチャン
バ１３の最後の洗浄からＷＳｉx チャンバで行われたプ
レコーティング操作のために要した所定の洗浄時間を追
加する。他の実施例においては、更に、オフセット（チ
ャンバ１３の最後の洗浄からＷＳｉx チャンバ１３で行
われる他の種類の操作に対応する）も可変長洗浄操作の
最終の長さの計算に合計される。この提案された手法
は、洗浄操作以外の様々な種類の可変長操作の長さを計
算するのに応用される。
【００６８】上記の説明は、例示であり限定するもので
はない。例えば、本発明は、エッチング操作のような上
記の例に含まれる種類以外の操作の終了を同期化するの
に適用できる。例えば、本発明は、ＳｉＯ2 堆積及びエ
ッチバック操作を各々行うチャンバを含むマルチチャン
バシステムでの堆積／エッチバック／堆積用に応用され
る。
はない。例えば、本発明は、エッチング操作のような上
記の例に含まれる種類以外の操作の終了を同期化するの
に適用できる。例えば、本発明は、ＳｉＯ2 堆積及びエ
ッチバック操作を各々行うチャンバを含むマルチチャン
バシステムでの堆積／エッチバック／堆積用に応用され
る。
【００６９】更に、本発明は、２以上のシングルチャン
バシステムで実行される同期化レシピにも適用できる。
従って、本発明の範囲は上記説明に対して決定されるべ
きでなく、前述の特許請求の範囲に対してその等価物の
十分な範囲と共に決定されるべきである。
バシステムで実行される同期化レシピにも適用できる。
従って、本発明の範囲は上記説明に対して決定されるべ
きでなく、前述の特許請求の範囲に対してその等価物の
十分な範囲と共に決定されるべきである。
【図１】マルチチャンバシステムを示す図である。
【図２】図１のシステムを操作するために用いられる制
御ソフトウェアを示すブロック図である。
御ソフトウェアを示すブロック図である。
【図３】洗浄操作がＷＳｉx チャンバに予定される度に
ポリチャンバとＷＳｉx チャンバで行われる操作を同期
化するために用いられるチャンバ間同期化手法を示す図
である。
ポリチャンバとＷＳｉx チャンバで行われる操作を同期
化するために用いられるチャンバ間同期化手法を示す図
である。
【図４】洗浄操作がポリチャンバに予定される度にポリ
チャンバとＷＳｉx チャンバで行われる操作を同期化す
るために用いられるチャンバ間同期化手法を示す図であ
る。
チャンバとＷＳｉx チャンバで行われる操作を同期化す
るために用いられるチャンバ間同期化手法を示す図であ
る。
【図５】２つのチャンバ（Ａ及びＢ）で行われる操作を
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われるプロ
セスレシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われる
調整レシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化手法
を示す図である。
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われるプロ
セスレシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われる
調整レシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化手法
を示す図である。
【図６】２つのチャンバ（Ａ及びＢ）で行われる操作を
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われる調整
レシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われるプロ
セスレシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化手法
を示す図である。
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われる調整
レシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われるプロ
セスレシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化手法
を示す図である。
【図７】２つのチャンバ（Ａ及びＢ）で行われる操作を
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われるプロ
セスレシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われる
プロセスレシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化
手法を示す図である。
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われるプロ
セスレシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われる
プロセスレシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化
手法を示す図である。
【図８】２つのチャンバ（Ａ及びＢ）で行われる操作を
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われるプロ
セスレシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われる
プロセスレシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化
手法を示す図である。
同期化するために用いられ、チャンバＡで行われるプロ
セスレシピの実行で生じる結果がチャンバＢで行われる
プロセスレシピの実行に影響を与えるチャンバ間同期化
手法を示す図である。
１０…マルチチャンバシステム、１１、１２…ポリチャ
ンバ、１３、１４…ＷＳｉx チャンバ、１５…ブレー
ド、１６…ロードロック、１７…ロボット、１８…ロー
ドロック、１９…移送チャンバ、２０…冷却チャンバ、
２１…コントローラ、２２…プロセッサ、２３…メモ
リ。
ンバ、１３、１４…ＷＳｉx チャンバ、１５…ブレー
ド、１６…ロードロック、１７…ロボット、１８…ロー
ドロック、１９…移送チャンバ、２０…冷却チャンバ、
２１…コントローラ、２２…プロセッサ、２３…メモ
リ。
フロントページの続き (72)発明者 コリー ザーニック アメリカ合衆国， カリフォルニア州， マウンテン ヴュー， クレストヴュー ドライヴ 1033， ナンバー303
Claims (38)
- 【請求項１】 第１チャンバ及び第２チャンバを含む集
積回路製造システムにおいてチャンバ間同期化を達成す
るコンピュータ実行方法であって、 該第１チャンバ内で、第１操作を含む第１レシピを行う
ステップ；及び該第２チャンバ内で、該第１操作の終了
に応答して終了する第２操作を含む第２レシピを行うス
テップ：を含む方法。 - 【請求項２】 該第１チャンバ及び該第２チャンバがマ
ルチチャンバシステム内に２つのチャンバを含む、請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 該第１操作が可変長操作を含む、請求項
１記載の方法。 - 【請求項４】 該第１レシピがプロセスレシピを含み、
該第２レシピが調整レシピを含む、請求項３記載の方
法。 - 【請求項５】 該第１レシピが調整レシピを含み、該第
２レシピがプロセスレシピを含む、請求項３記載の方
法。 - 【請求項６】 該第１レシピ及び該第２レシピがプロセ
スレシピを含む、請求項３記載の方法。 - 【請求項７】 該第１レシピ及び該第２レシピが調整レ
シピを含む、請求項３記載の方法。 - 【請求項８】 該第１レシピの可変長操作が洗浄操作を
含み；該第２操作が可変長調整操作を含む：請求項７記
載の方法。 - 【請求項９】 該第１レシピが固定長ｙ分のプレコーテ
ィングステップを含み；該第２レシピが該第２操作の終
了時に開始するパージステップである第３操作を含み；
該第３操作が終了した後、該第２チャンバ内のウェハ上
で固定長ｘ分の堆積操作を行うステップ；該洗浄操作が
終了した後、該第１チャンバ内で該プレコーティング操
作を行い、該第３操作の固定長がｙ−ｘ分であり、それ
によって、該第２チャンバ内での該堆積操作が該第１チ
ャンバ内での該プレコーティング操作とほぼ同時に終了
するステップ；及び該第２チャンバ内で該堆積操作が終
了した後、該第１チャンバに該ウェハを移しかつ該第１
チャンバ内の該ウェハ上で堆積操作を行うステップ：を
更に含む請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 該第１操作が固定長操作を含む、請求
項１記載の方法。 - 【請求項１１】 該第１レシピがプロセスレシピを含
み、該第２レシピが調整レシピを含む、請求項１０記載
の方法。 - 【請求項１２】 該第１レシピが調整レシピを含み、該
第２レシピがプロセスレシピを含む、請求項１０記載の
方法。 - 【請求項１３】 該第１レシピ及び該第２レシピがプロ
セスレシピを含む、請求項１０記載の方法。 - 【請求項１４】 該第１レシピ及び該第２レシピが調整
レシピを含む、請求項１０記載の方法。 - 【請求項１５】 該第１操作が洗浄操作を含み；該第２
操作が可変長調整操作を含む：請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 該第２レシピが、固定長操作ｙ分のプ
レコーティング操作を含む第３操作を含み、 該第１操作が終了した後、該第１チャンバ内で固定長操
作ｙ−ｘ分の洗浄操作を行い、次に、ウェハ上で固定長
ｘ分の堆積操作を行い、該第１チャンバ内の該堆積操作
が該第２チャンバ内での該プレコーティング操作とほぼ
同時に終了するステップ；及び該第１チャンバ内での該
堆積操作が終了した後、該第２チャンバに該ウェハを移
しかつ該第２チャンバ内の該ウェハ上で堆積操作を行う
ステップ：を含む請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 該第２レシピが第３操作及び第４操作
を含み；該第２レシピを行うステップが該第２操作の長
さが所定値を超える場合には該第２操作の終了時に該第
３操作を開始するステップ；及び該第２操作の長さが該
所定値を超えない場合には該第２操作の終了時に第４操
作を開始するステップ：を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１８】 第１チャンバ及び第２チャンバを含む
集積回路製造システムにおいてチャンバ間同期化を達成
するコンピュータ実行方法であって、 複数時に該第１チャンバ内での洗浄操作を予定するステ
ップ；該第１チャンバ内での洗浄操作の各予定に応答し
て該第２チャンバ内で調整レシピを予定するステップ：
を含む方法。 - 【請求項１９】 該調整レシピが保持／待ち操作を含
む、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 該調整レシピが洗浄操作を含む、請求
項１８記載の方法。 - 【請求項２１】 該調整レシピがプレコート操作を含
む、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２２】 該第１チャンバが最後に洗浄されてか
ら最初のウェハ数が該第１チャンバ内で処理される度に
洗浄操作が該第１チャンバ内で行われ；該複数時のうち
の１つで該第１チャンバが最後に洗浄されてから最初の
ウェハ数が該第１チャンバ内で処理されることが決定さ
れる：請求項１８記載の方法。 - 【請求項２３】 該第１チャンバが最後に洗浄されてか
ら最初のウェハ数（a first number of wafers）が該第
１チャンバ内で処理される度に洗浄操作が該第１チャン
バ内で行われ；該複数時のうちの１つで（at one of th
e times）該第１チャンバが最後に洗浄されてから最初
のウェハ数を超えないウェハ数が該第１チャンバ内で処
理されること、及びウェハが該第１チャンバに移される
ように予定されること、が決定される：請求項１８記載
の方法。 - 【請求項２４】 該第２チャンバが最後に洗浄されてか
ら最初のウェハ数が該第２チャンバ内で処理される度に
洗浄操作が該第２チャンバ内で行われ；該複数時のうち
の１つで該第２チャンバが最後に洗浄されてから該第１
ウェハ数より少ない第２のウェハ数を超えるウェハ数が
該第２チャンバ内で処理されることを決定するステッ
プ；及び該決定するステップに応答して調整レシピに洗
浄操作を含むステップ：を含む請求項１８記載の方法。 - 【請求項２５】 チャンバを含む集積回路製造システム
において、特定時間に該チャンバ内で行われる可変長操
作の長さを計算するコンピュータ実行方法であって、 １以上の操作が該チャンバ内で該特定時間の前に特定間
隔で行われることを決定するステップ；及び該可変長操
作の長さを計算する該決定するステップで得られた情報
を使用するステップ：を含む方法。 - 【請求項２６】 該可変長操作が洗浄操作を含み；該あ
る間隔が、該チャンバが最後に洗浄された時間に開始し
かつ該特定時間に終了し；該チャンバがウェハ堆積に用
いられ；該決定ステップが、ウェハ堆積数、Ｘが該チャ
ンバ内で該特定間隔で行われることを決定することを含
み；該使用ステップが該可変長操作の長さの最小値を示
すＲ＊Ｘの積（ここで、Ｒはウェハ堆積に対して要した
概算洗浄時間である。）を計算することを含む：請求項
２５記載の方法。 - 【請求項２７】 該可変長操作の長さが、Ｒ＊Ｘと、該
特定間隔で該チャンバ内で行われる１以上の調整操作の
ために要する追加洗浄時間を示すオフセットとの合計と
して計算される、請求項２６記載の方法。 - 【請求項２８】 該１以上の調整操作がプレコーティン
グ操作を含む、請求項２７記載の方法。 - 【請求項２９】 第１チャンバ；第２チャンバ；及び該
第１チャンバと該第２チャンバにおいて各々第１レシピ
と第２レシピを行うコンピュータ判読命令を記憶し、該
第１レシピが第１操作を含み、該第２レシピが第２操作
を含み、該第２操作が該第１操作に応答して終了するメ
モリを含むコントローラ：を含む基板処理システム。 - 【請求項３０】 該システムがマルチチャンバシステム
を含む、請求項２９記載のシステム。 - 【請求項３１】 該第１操作が可変長操作を含む、請求
項２９記載のシステム。 - 【請求項３２】 第１チャンバ；第２チャンバ；及び該
第１チャンバ内での洗浄操作を周期的に予定するコンピ
ュータ判読命令及び該第１チャンバ内での洗浄操作が予
定される度に該第２チャンバ内での調整レシピを予定す
るコンピュータ判読命令を記憶するメモリを含むコント
ローラ：を含む基板処理システム。 - 【請求項３３】 該第１チャンバが最後に洗浄されてか
ら最初のウェハ数が処理される度に洗浄操作が該第１チ
ャンバで行われる、請求項３２記載のシステム。 - 【請求項３４】 該第２チャンバが最後に洗浄されてか
ら最初のウェハ数が処理される度に洗浄操作が該第２チ
ャンバで行われ；該メモリが、該第１チャンバでの洗浄
操作が予定される度に該第２チャンバが最後に洗浄され
てから第２のウェハ数を超えないウェハが該第２チャン
バ内で処理されるか否かを決定するコンピュータ判読命
令、及び該第２チャンバが最後に洗浄されてから該第２
ウェハ数を超えるウェハが該第２チャンバ内処理される
場合に該調整レシピに洗浄操作を含むコンピュータ判読
命令を記憶し；該第２ウェハ数が該第１ウェハ数より少
ない：請求項３２記載のシステム。 - 【請求項３５】 可変長操作がある時間に行われるチャ
ンバ；及び操作が該チャンバ内で該ある時間の前にある
間隔で行われることを決定するコンピュータ判読命令及
び該チャンバ内で該ある間隔で行われるように決定され
た操作の関数として該可変長操作の長さを計算するコン
ピュータ判読命令を記憶するメモリを含むコントロー
ラ：を含む基板処理システム。 - 【請求項３６】 該可変長操作が洗浄操作を含み；該特
定間隔が、該チャンバが最後に洗浄された時間に開始し
かつ該特定時間に終了し；該チャンバがウェハ堆積に用
いられ；該メモリが、ウェハ堆積数、Ｘが該チャンバ内
で該特定間隔で行われることを決定するコンピュータ判
読命令及び該可変長操作の長さの最小値を示すＲ＊Ｘの
積（ここで、Ｒはウェハ堆積に対して要した概算洗浄時
間である。）を計算するコンピュータ判読命令を記憶す
る：請求項３５記載のシステム。 - 【請求項３７】 該メモリが、Ｒ＊Ｘと、該ある間隔で
該チャンバ内で行われる１以上の調整操作のために要す
る追加洗浄時間を示すオフセットとの合計として該可変
長操作の長さを計算するコンピュータ判読命令を記憶す
る、請求項３６記載のシステム。 - 【請求項３８】 該１以上の調整操作がプレコンピュー
タ操作を含む、請求項３７記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/770625 | 1996-12-19 | ||
| US08/770,625 US5943230A (en) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Computer-implemented inter-chamber synchronization in a multiple chamber substrate processing system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326731A true JPH10326731A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=25089200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9370072A Withdrawn JPH10326731A (ja) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | 全プロセス集積化用プロセスレシピと調整レシピのチャンバ間同期化 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5943230A (ja) |
| JP (1) | JPH10326731A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278531A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 工程管理システム、工程管理方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR100633890B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2006-10-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 장치 |
| WO2007091555A1 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御プログラム |
| JP2012216630A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | コンディショニング方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体及び基板処理装置 |
| WO2012176914A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理時間設定方法及び記憶媒体 |
| JPWO2020188743A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2021-12-09 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10329069A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-12-15 | Daihen Corp | 搬送システムの制御方法 |
| KR19990065483A (ko) * | 1998-01-14 | 1999-08-05 | 윤종용 | 반도체 제조설비 관리시스템의 설비 유닛상태 관리방법 |
| WO1999047864A1 (en) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Asyst Technologies, Inc. | Intelligent minienvironment |
| US6254717B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-07-03 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| JP2000094233A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 収容装置 |
| US6459949B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for corrective action tracking in semiconductor processing |
| US6768930B2 (en) | 1998-12-31 | 2004-07-27 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for resolving conflicts in a substrate processing system |
| US6418356B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-07-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for resolving conflicts in a substrate processing system |
| US6678572B1 (en) * | 1998-12-31 | 2004-01-13 | Asml Holdings, N.V. | Recipe cascading in a wafer processing system |
| US6865437B1 (en) * | 1998-12-31 | 2005-03-08 | Asml Holdings N.V. | Robot pre-positioning in a wafer processing system |
| US6438441B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-08-20 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor factory automation system and method for resetting process recipe by employing trace file |
| JP2001118904A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Canon Inc | ロードロック室を備えた基板処理装置および被処理基板の搬送方法 |
| US6417014B1 (en) * | 1999-10-19 | 2002-07-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing wafer to wafer deposition variation |
| US6524449B1 (en) * | 1999-12-03 | 2003-02-25 | James A. Folta | Method and system for producing sputtered thin films with sub-angstrom thickness uniformity or custom thickness gradients |
| US20020152046A1 (en) * | 2001-04-13 | 2002-10-17 | Velichko Sergey A. | Concurrent control of semiconductor parametric testing |
| JP2003031639A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置 |
| JP2003045947A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | 基板処理装置及び露光装置 |
| JP4751538B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| US7162386B2 (en) | 2002-04-25 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Dynamically adaptable semiconductor parametric testing |
| JP4040499B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | ロードロック室、処理システム及び処理方法 |
| US6830996B2 (en) * | 2003-03-24 | 2004-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device performance improvement by heavily doped pre-gate and post polysilicon gate clean |
| JP4468021B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-05-26 | キヤノン株式会社 | ロードロックシステム及び露光処理システム並びにデバイスの製造方法 |
| US7010451B2 (en) * | 2003-04-17 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Dynamic creation and modification of wafer test maps during wafer testing |
| JP4450664B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
| US6933157B2 (en) * | 2003-11-13 | 2005-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor wafer manufacturing methods employing cleaning delay period |
| US20050233477A1 (en) * | 2004-03-05 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
| US7150673B2 (en) * | 2004-07-09 | 2006-12-19 | Ebara Corporation | Method for estimating polishing profile or polishing amount, polishing method and polishing apparatus |
| US20060075968A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Applied Materials, Inc. | Leak detector and process gas monitor |
| US20060135049A1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Petersen John G | Millwork sanding sponge |
| KR100719375B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비의 페일오버 시스템 및 방법 |
| US7869888B2 (en) * | 2006-05-31 | 2011-01-11 | Tokyo Electron Limited | Information processing apparatus, semiconductor manufacturing system, information processing method, and storage medium |
| US7522968B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Scheduling method for processing equipment |
| US20080051930A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-02-28 | Oh Hilario L | Scheduling method for processing equipment |
| WO2008008727A2 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-17 | Applied Materials, Inc. | Scheduling method for processing equipment |
| CN103173739B (zh) * | 2006-07-31 | 2015-09-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、程序、存储介质和决定是否需要调节的方法 |
| US7883745B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods |
| DE102009046751A1 (de) * | 2008-12-31 | 2010-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System zum Synchronisieren der Prozesskammerabschaltzeiten durch Steuern der Transportreihenfolge in eine Prozessanlage |
| US8655472B2 (en) * | 2010-01-12 | 2014-02-18 | Ebara Corporation | Scheduler, substrate processing apparatus, and method of transferring substrates in substrate processing apparatus |
| US20110265884A1 (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Twin chamber processing system with shared vacuum pump |
| JP7296726B2 (ja) * | 2015-08-17 | 2023-06-23 | アイコール・システムズ・インク | 流体制御システム |
| JP6704008B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2020-06-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3812947A (en) * | 1969-07-29 | 1974-05-28 | Texas Instruments Inc | Automatic slice processing |
| US3765763A (en) * | 1969-07-29 | 1973-10-16 | Texas Instruments Inc | Automatic slice processing |
| US4733631B1 (en) * | 1986-09-30 | 1993-03-09 | Apparatus for coating substrate devices | |
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| JPH0616475B2 (ja) * | 1987-04-03 | 1994-03-02 | 三菱電機株式会社 | 物品の製造システム及び物品の製造方法 |
| US5286296A (en) * | 1991-01-10 | 1994-02-15 | Sony Corporation | Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means |
| JPH05275511A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
| US5376212A (en) * | 1992-02-18 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Reduced-pressure processing apparatus |
| US5458732A (en) * | 1992-04-14 | 1995-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for identifying process conditions |
| ES2090893T3 (es) * | 1993-01-28 | 1996-10-16 | Applied Materials Inc | Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada. |
| JP2949547B2 (ja) * | 1993-02-08 | 1999-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| US5486080A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-23 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High speed movement of workpieces in vacuum processing |
| US5561669A (en) * | 1994-10-26 | 1996-10-01 | Cisco Systems, Inc. | Computer network switching system with expandable number of ports |
-
1996
- 1996-12-19 US US08/770,625 patent/US5943230A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-12-19 JP JP9370072A patent/JPH10326731A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100633890B1 (ko) * | 2001-11-29 | 2006-10-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 처리 방법 및 장치 |
| JP2006278531A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 工程管理システム、工程管理方法及び半導体装置の製造方法 |
| WO2007091555A1 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御プログラム |
| US7987012B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-07-26 | Tokyo Electron Limited | Control device of substrate processing apparatus and control program therefor |
| JP4796574B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御プログラム |
| JP2012216630A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | コンディショニング方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体及び基板処理装置 |
| US8980366B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-03-17 | Tokyo Electron Limited | Conditioning method, computer readable storage medium and substrate processing apparatus |
| WO2012176914A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理時間設定方法及び記憶媒体 |
| US9389607B2 (en) | 2011-06-24 | 2016-07-12 | Tokyo Electron Limited | Method for setting substrate-treatment time, and storage medium |
| JPWO2020188743A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2021-12-09 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
| US11990359B2 (en) | 2019-03-19 | 2024-05-21 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5943230A (en) | 1999-08-24 |
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