TWI573213B - Adjustment method, computer readable memory media and substrate processing device - Google Patents

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TWI573213B TW101111096A TW101111096A TWI573213B TW I573213 B TWI573213 B TW I573213B TW 101111096 A TW101111096 A TW 101111096A TW 101111096 A TW101111096 A TW 101111096A TW I573213 B TWI573213 B TW I573213B
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Description

調節方法，電腦可讀取的記憶媒體及基板處理裝置
本發明是有關對基板進行預定的處理之複數的處理室的內部的調節方法，在此方法所使用之電腦可讀取的記憶媒體及基板處理裝置。
在半導體裝置的製造過程是對被處理基板的半導體晶圓實施成膜或蝕刻等的預定處理。並且，在FPD(平板顯示器)的製造過程是對FPD用的玻璃基板實施成膜或蝕刻等的預定處理。在該等的處理是使用具備對基板進行預定處理的複數個處理室之多腔室型的基板處理裝置。藉由使用此基板處理裝置，可對基板在一貫的環境下進行複數的處理。
可是，就半導體裝置或FPD的製造過程而言，在基板處理裝置中，有時會連續進行種類不同的複數的工程。一連串的工程可藉由組合條件不同的複數的處理室來進行。例如，可藉由組合在預定的條件下對基板進行處理的處理室、及在與此處理室不同的條件下對基板進行處理的其他處理室，來連續進行種類不同的2個工程。
在專利文獻1是記載：在接觸孔內形成作為接觸層的Ti膜、及作為阻擋層的TiN膜之技術。就專利文獻1而言，為了形成該等的膜，而使用具有藉由化學氣相成長法(CVD法)來形成Ti膜的2個Ti成膜裝置、及藉由CVD 法來形成TiN膜的2個TiN成膜裝置之多腔室型的成膜系統。Ti膜的成膜是將晶圓搬入至Ti成膜裝置來進行。TiN膜的成膜是將形成Ti膜之後的晶圓接著裝入至TiN成膜裝置來進行。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2003-221671號公報
在進行成膜或蝕刻等的處理的處理室的內壁或零件，每重複處理，反應生成物會附著堆積。一旦如此的附著物剝離，則會成為粒子而附著於基板，成為使製品的品質降低的原因。
為了除去上述的附著物，需要洗滌處理室的內部。進行成膜處理的處理室的洗滌是例如在將處理室內的溫度保持於預定的溫度之後，藉由對處理室內供給ClF3氣體、NF3氣體、Cl2氣體等的洗滌氣體來進行。並且，在實施洗滌之後，以使處理條件在後續製程的第1片的晶圓及第2片以後的晶圓一致的目的，進行使薄膜堆積於處理室內的預塗層處理。包含如此的洗滌或預塗層，將整頓處理室內的環境的處理稱為調節。藉由定期性地進行如此的調節，可防止粒子的發生。進行調節的週期是依成膜條件或蝕刻條件而變化。
具備複數個處理室之多腔室型的基板處理裝置是在各處理室中於各時機進行調節。在各處理室中進行調節的時機並非一定要一致。尤其是組合成膜條件不同的複數個處理室，藉此連續進行種類不同的複數個成膜工程時，因為按各處理室進行調節的週期不同，所以在各處理室中進行調節的時機會形成不一致。在連續進行種類不同的複數個成膜工程時，在各處理室中進行調節的時機不一致時，會發生以下那樣的問題。此情況，在先進行成膜處理的處理室(以下稱為前處理室)中進行調節的期間，之後進行成膜處理的處理室(以下稱為後處理室)是未從前處理室搬入基板，因此無法進行基板的成膜處理。並且，在後處理室中進行調節的期間，前處理室是無法搬送基板至後處理室，因此無法進行其次的基板的成膜處理。
如此，若在複數的處理室中的任一個處理室進行調節，則在與進行調節的處理室有關的其他處理室是無法進行基板的成膜處理。因此，各處理室的生產能力(單位時間內可處理的基板的片數)是除了其處理室的調節所必要的時間以外，其他處理室的調節所必要的時間的部分也會造成降低。其結果，基板處理裝置全體的生產能力會降低。
本發明是有鑑於上述的問題點而研發者，其目的是在於提供一種在具備對基板進行預定處理的複數個處理室的基板處理裝置中，週期性地調節處理室的內部之方法，可使基板處理裝置的生產能力提升之調節方法，使用於此方法之電腦可讀取的記憶媒體及基板處理裝置。
本發明的調節方法，係於具備對基板進行預定處理的複數個處理室的基板處理裝置中，調節前述處理室的內部之方法。在本發明的調節方法中，前述複數個處理室係包含被組合而對基板進行一連串的工程之第1及第2處理室，在前述第1處理室，當與基板的處理相關聯而設定的第1累計值到達設定值N1時實行調節。
本發明的調節方法，由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時，前述第2處理室係成為待機狀態，且至少以在前述第2處理室中與基板的處理相關聯而設定的第2累計值為設定值N2以上作為條件，在前述第2處理室中開始第3累計值的計數，當該第3累計值超過設定值N3時實行前述第2處理室的調節。
在本發明的調節方法中，前述一連串的工程係包含：在前述第1處理室中，對於基板進行預定的處理之工程；及在前述第2處理室中，對於在前述第1處理室中被進行預定的處理的基板進行與前述第1處理室不同的處理之工程，前述第1累計值係伴隨前述第1處理室之基板的處理而被累計，且藉由進行前述第1處理室的調節而形成0的值，前述第2累計值係伴隨前述第2處理室之基板的處理 而被累計，且藉由進行前述第2處理室的調節而形成0的值，前述第2處理室係被設定成：當前述第2累計值到達設定值N4時，與前述第1處理室獨立實行調節，且前述設定值N4亦可為比前述設定值N1更大的值。
在本發明的調節方法中，前述第1累計值亦可為在前述第1處理室中前次的調節終了後進行處理之基板的累計片數，前述第2累計值亦可為在前述第2處理室中前次的調節終了後進行處理之基板的累計片數。
在本發明的調節方法中，前述設定值N2亦可為與從前述設定值N4減去前述設定值N1的值相等。
在本發明的調節方法中，前述第3累計值亦可為前述第2處理室的待機狀態的經過時間。
在本發明的調節方法中，前述第1處理室的調節所要的時間亦可比前述第2處理室的調節所要的時間更長。
在本發明的調節方法中，前述設定值N3亦可與從前述第1處理室的調節所要的時間減去前述第2處理室的調節所要的時間之時間相同或更短。或者，設定值N3亦可比從前述第1處理室的調節所要的時間減去前述第2處理室的調節所要的時間之時間更長：對於在前述第1處理室中所被進行的1片基板之預定的處理所要的時間量。
本發明的調節方法，亦可在開始前述第3累計值的計數之前，至少將前述第2累計值與前述設定值N2作比較來判定是否進行前述第2處理室的調節。或者，亦可根據 前述第3累計值是否超過設定值N3，來判定是否進行前述第2處理室的調節。
在本發明的調節方法中，前述調節可為包含：除去前述處理室內的附著物之洗滌、及使薄膜堆積於前述處理室內之預塗層的至少任一方的處理。
本發明之電腦可讀取的記憶媒體為記憶有動作於電腦上的控制程式者。在此電腦可讀取的記憶媒體中，前述控制程式係於具備對基板進行預定處理的複數個處理室的基板處理裝置中，使電腦控制前述基板處理裝置，而使能夠進行調節前述處理室的內部之調節方法。
在本發明的電腦可讀取的記憶媒體中，前述複數個處理室係包含被組合而對基板進行一連串的工程之第1及第2處理室，前述第1處理室係被設定成：當與基板的處理相關聯而設定的第1累計值到達設定值N1時實行調節。
在本發明的電腦可讀取的記憶媒體中，前述調節方法係具備：由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時，使前述第2處理室形成待機狀態之步驟；至少在前述第2處理室中判定與基板的處理相關聯而設定的第2累計值是否為設定值N2以上之步驟；當前述第2累計值為設定值N2以上時，在前述第2處理室中，開始第3累計值的計數之步驟；及有關前述第2處理室，當前述第3累計值超過設定值N3時實行調節之步驟。
本發明的基板處理裝置，係具備：對基板進行預定處理的複數個處理室；及控制前述複數個處理室的動作的控制部，處理室的內部會被週期性地調節之基板處理裝置，其特徵為：前述複數的處理室係包含被組合而對基板進行一連串的工程之第1及第2處理室，前述控制部係控制成：在前述第1處理室中，當與基板的處理相關聯而設定的第1累計值到達設定值N1時實行調節，由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時，將前述第2處理室設為待機狀態，且至少以在前述第2處理室中與基板的處理相關聯而設定的第2累計值為設定值N2以上作為條件，在前述第2處理室中開始第3累計值的計數，當該第3累計值超過設定值N3時實行前述第2處理室的調節。
在本發明的基板處理裝置中，前述複數個處理室亦可更包含被組合而對基板進行一連串的工程之第3及第4處理室，在前述第3及第4處理室中，以和前述第1及第2處理室相同的控制來實行調節。
本發明的調節方法、電腦可讀取的記憶媒體或基板處理裝置是可使第2處理室的調節與第1處理室的調節有所關聯來進行。因此，若根據本發明，則可使在第2處理室 中進行調節的時間配合在第1處理室中進行調節的時間。在第1處理室中進行調節的期間，藉由實行第2處理室的調節，可使基板處理的生產能力提升。
以下，參照圖面來詳細說明有關本發明的實施形態。首先，參照圖1來說明有關本發明之一實施形態的基板處理裝置的構成。圖1是表示本實施形態的基板處理裝置的概略構成的平面圖。本實施形態的基板處理裝置1是伴隨連續的複數個動作，例如對半導體裝置製造用的基板W實施成膜處理、擴散處理、蝕刻處理等預定的處理之裝置。
基板處理裝置1是具備對基板W進行預定的處理的複數個製程模組。就本實施形態而言，基板處理裝置1是具備4個的製程模組10A，10B，10C，10D。製程模組10A，10B，10C，10D是分別具有：構成可將其內部空間維持於預定的減壓環境(真空狀態)的處理室、及用以在各處理室內進行處理的裝置。有關製程模組10A，10B，10C，10D的構成會在往後詳細說明。
基板處理裝置1更具備第1搬送室11、及2個裝載鎖定室12A，12B。就本實施形態而言，第1搬送室11是具有6個的側面。製程模組10A，10B，10C，10D及裝載鎖定室12A，12B是分別被配置成與第1搬送室11的各側面鄰接。在圖1所示的例子，製程模組10A，10B，10C， 10D及裝載鎖定室12A，12B是以能夠包圍第1搬送室11的方式，依製程模組10A，10B，10C，10D及裝載鎖定室12B，12A的順序，配置成排列於圖1的順時針方向。第1搬送室11是與製程模組10A，10B，10C，10D的各處理室同樣，構成可保持於預定的減壓環境。
裝載鎖定室12A，12B是構成可將其內部空間切換成大氣壓狀態及真空狀態。在裝載鎖定室12A內配備有載置基板W的基板載置台13A。在裝載鎖定室12B內配備有載置基板W的基板載置台13B。
基板處理裝置1更具備閘閥G1A，G1B，G1C，G1D，G2A，G2B。閘閥G1A是被配置於第1搬送室11與製程模組10A的處理室之間。閘閥G1B是被配置於第1搬送室11與製程模組10B的處理室之間。閘閥G1C是被配置於第1搬送室11與製程模組10C的處理室之間。閘閥G1D是被配置於第1搬送室11與製程模組10D的處理室之間。閘閥G2A是被配置於第1搬送室11與裝載鎖定室12A之間。閘閥G2B是被配置於第1搬送室11與裝載鎖定室12B之間。
閘閥G1A~G1D，G2A，G2B皆具有開閉開口部的機能，該開口部是設在隔開鄰接的2個空間的壁。閘閥G1A~G1D是在閉狀態下氣密地密封製程模組10A，10B，10C，10D的各處理室，且可在開狀態下在各處理室與第1搬送室11之間進行基板W的移送。閘閥G2A，G2B是在閉狀態下維持第1搬送室11的氣密性，且可在開狀態下在 第1搬送室11與裝載鎖定室12A，12B之間進行基板W的移送。
基板處理裝置1更具備第2搬送室14。第2搬送室14是水平方向的剖面在一方向(圖1的左右方向)具有長的矩形形狀，被配置成在與第1搬送室11之間夾著裝載鎖定室12A，12B。第2搬送室14的1個側面是與裝載鎖定室12A，12B鄰接。雖未圖示，但實際第2搬送室14是具有在其內部空間以向下流方式供給例如氮氣體或清淨空氣的循環設備。
基板處理裝置1更具備閘閥G3A，G3B。閘閥G3A是被配置於裝載鎖定室12A與第2搬送室14之間。閘閥G3B是被配置於裝載鎖定室12B與第2搬送室14之間。閘閥G3A，G3B皆具有開閉開口部的機能，該開口部是設在隔開鄰接的2個空間的壁。閘閥G3A，G3B是在閉狀態下維持裝載鎖定室12A，12B的氣密性，且可在開狀態下在裝載鎖定室12A，12B與第2搬送室14之間進行基板W的移送。
基板處理裝置1更具備進行基板W的對位的裝置，亦即定向機構15。定向機構15是被連結至第2搬送室14的長度方向的一方的端部。定向機構15是具有：藉由驅動馬達(未圖示)來旋轉的旋轉板16、及設於此旋轉板16的外周位置，用以檢測出基板W的周緣部的光學感測器17。
基板處理裝置1更具備複數的裝載埠。在圖1所示的 例子，基板處理裝置1是具備3個的裝載埠18A，18B，18C。裝載埠18A，18B，18C是被配置成與和裝載鎖定室12A，12B鄰接的側面相反側的第2搬送室14的側面鄰接。在裝載埠18A，18B，18C分別可載置卡匣容器19A，19B，19C。在各卡匣容器19A，19B，19C內，可上下取間隔來多段地配置基板W。
基板處理裝置1更具備：被配置於第1搬送室11內的第1搬送裝置21、及被配置於第2搬送室14內的第2搬送裝置25。第1搬送裝置21是用以在製程模組10A，10B，10C，10D的各處理室與裝載鎖定室12A，12B之間進行基板W的搬送之裝置。第2搬送裝置25是用以在裝載埠18A，18B，18C的各卡匣容器19A，19B，19C、裝載鎖定室12A，12B、及定向機構15之間進行基板W的搬送之裝置。
第1搬送裝置21是具有：基部22、及被連結於此基部22，配置成彼此對向之一對的搬送臂部23a，23b、及設在搬送臂部23a的前端之叉子24a、及設在搬送臂部23b的前端之叉子24b。搬送臂部23a，23b是分別以基部22的旋轉軸為中心，構成可伸縮及旋轉。叉子24a，24b是具有載置基板W而保持的保持構件之機能。第1搬送裝置21是在將基板W載置於叉子24a，24b的狀態下進行基板W的搬送。
第2搬送裝置25是構成可沿著配備於第2搬送室14內的導軌28來移送於第2搬送室14的長度方向(圖1的 左右方向)。並且，第2搬送裝置25是具有：被配置成上下2段之一對的搬送臂部26a，26b、及設在搬送臂部26a的前端之叉子27a、及設在搬送臂部26b的前端之叉子27b。搬送臂部26a，26b是分別構成可伸縮及旋轉。叉子27a，27b是具有作為載置基板W而保持的保持構件之機能。第2搬送裝置25是在將基板W載置於叉子27a，27b的狀態下進行基板W的搬送。
基板處理裝置1更具備控制部70，其係連接基板處理裝置1的各構成部，且控制各構成部。有關控制部70的構成會在往後敘述。
其次，參照圖2來詳細說明有關製程模組10A，10B，10C，10D的構成。圖2是表示本實施形態的製程模組的構成的剖面圖。在製程模組10A，10B，10C，10D是對基板W進行成膜處理、擴散處理、蝕刻處理等預定的處理。在本實施形態，製程模組10A，10B，10C，10D之中，至少2個的製程模組是進行彼此不同的內容的處理。並且，在本實施形態，製程模組10A，10B，10C，10D是具有相同的構造。以下，有關任意的製程模組是附上符號10來表示。
製程模組10是具備：對基板W進行預定的處理的處理室30、及被連結至此處理室30的排氣室40。製程模組10A的處理室30是對應於本發明的第1處理室。製程模組10B的處理室30是對應於本發明的第2處理室。製程模組10C的處理室30是對應於本發明的第3處理室。製 程模組10D的處理室30是對應於本發明的第4處理室。
處理室30是具有：板狀的頂部31及底部33、及連結頂部31與底部33的側壁部32。處理室30是例如形成大略圓筒形狀。雖未圖示，但實際在製程模組10的側壁部32形成有用以在與第1搬送室11(參照圖1)之間進行基板W的搬出入之搬出入口。藉由將配置於製程模組10的處理室30與第1搬送室11之間的閘閥(參照圖1)形成開狀態，可經由此搬出入口來進行基板W的搬出入。在底部33的中央形成有開口部33a。排氣室40是以能夠蓋上開口部33a的方式連結於底部33。
排氣室40是具有：環狀的凸緣部41、板狀的底部43、及連結凸緣部41與底部43的側壁部42。凸緣部41是被連接於處理室30的底部33。在側壁部42形成有排氣孔44。
處理室30及排氣室40是構成可將其內部空間維持於預定的減壓環境(真空狀態)。在處理室30與排氣室40的接合部分、以及構成處理室30及排氣室40的各構件的接合部分，為了確保接合部分的氣密性，配備有作為密封構件的O型環。圖2所示的例子是在處理室30與排氣室40的接合部分，亦即處理室30的底部33與排氣室40的凸緣部41的接合部分配備有環狀的O型環35。並且，在處理室30的頂部31與側壁部32的接合部分配備有環狀的O型環36。
製程模組10更具備：被配置於處理室30及排氣室40 的外部之排氣裝置51、及連接排氣孔44與排氣裝置51的排氣管52、及設在排氣管52的途中之閥53。閥53是在閉狀態下維持處理室30及排氣室40的氣密性，且可在開狀態下進行排氣裝置51之處理室30及排氣室40的減壓。處理室30及排氣室40是藉由使排氣裝置51作動來將其內部空間減壓至預定的真空度。
製程模組10更具備：被配置於處理室30內的基座55、及在處理室30內及排氣室40內支撐基座55的支撐構件56。基座55是水平地支撐基板W的基板載置台。基座55是具有：載置基板W的基板載置面S、及其相反側的下面。支撐構件56的一端部是被固定於基座55的下面的中央部。支撐構件56的另一端部是被固定於排氣室40的底部43。
雖未圖示，但實際基座55是具有設成可對基板載置面S突出縮回的複數個支撐銷。複數個支撐銷是藉由任意的昇降機構來上下變位，在上昇位置，構成可在與第1搬送裝置21之間進行基板W的交接。
製程模組10更具備：加熱器57、加熱器電源58、及熱電偶(在圖2是記載為TC)59。加熱器57及熱電偶59的測溫部分59a是被埋設於基座55。加熱器電源58是被配置於處理室30及排氣室40的外部。加熱器57是例如經由通過支撐構件56的內部的配線來連接至加熱器電源58。加熱器電源58是對加熱器57供給電性輸出，用以將載置於基座55的基板W加熱至預定的溫度。基座55的 溫度是藉由熱電偶59來計測。
製程模組10更具備設在處理室30的頂部31的淋浴頭61。淋浴頭61是具有：形成於其內部的氣體擴散空間61a、及形成從氣體擴散空間61a朝向基座55貫通的複數個氣體吐出孔61b。
製程模組10更具備：設在與淋浴頭61的複數個氣體吐出孔61b相反側，連通至氣體擴散空間61a的氣體導入管62、及被配置於處理室30及排氣室40的外部的氣體供給源63、及連接氣體導入管62與氣體供給源63的氣體配管64、及設於氣體配管64的途中的MFC(質量流控制器)65及未圖示的閥。氣體供給源63是對淋浴頭61供給被使用於成膜處理的成膜原料氣體、用以洗滌處理室30內及排氣室40內的洗滌氣體、用以置換處理室30內及排氣室40內的環境的淨化氣體等。該等的氣體是經由氣體配管64及氣體導入管62來供給至氣體擴散空間61a，從複數的氣體吐出孔61b吐出至處理室30內。
製程模組10更具備：被配置於處理室30及排氣室40的外部之高頻電源66、及連接淋浴頭61與高頻電源66的配線67、及設在配線67的途中之整合器68。高頻電源66是對淋浴頭61供給用以使被供給至處理室30內的成膜原料氣體電漿化的高頻電力。
在以上那樣構成的製程模組10，對於基板W的表面，例如可藉由化學的氣相成長法(以下稱為CVD法)來形成Ti膜、TiN膜等預定的薄膜。在此，說明有關薄膜的 成膜方法之一例。此方法，首先，使處理室30內及排氣室40內形成真空狀態。其次，將基板W載置於基座55。其次，藉由加熱器57來加熱基板W。其次，從淋浴頭61(氣體吐出孔61b)朝基板W供給原料氣體。如此一來，在基板W的表面形成薄膜。另外，為了促進成膜反應，亦可由高頻電源66來對淋浴頭61供給高頻電力。此情況，可經由淋浴頭61來使被供給至處理室30內的原料氣體電漿化而成膜。
圖3及圖4是表示基板處理裝置1的控制系統的概略構成。基板處理裝置1的全體的控制、或構成作為處理室的製程模組10的各構成部亦即終端裝置201的控制是藉由控制部70來進行。在此，終端裝置201例如可舉圖2所示的製程模組10的加熱器電源58、MFC65、高頻電源66、排氣裝置51等。
如圖3所示，控制部70的主要構成是具備：對應於製程模組10而設之個別的控制部，亦即4個的MC(模組控制器)401A，401B，401C，401D(以下有時將模組控制器記載為「MC401」)、及控制基板處理裝置1全體的統括控制部，亦即EC(裝置控制器；Equipment Controller)301、及連接至EC301的使用者介面501。另外，MC401不僅製程模組10，例如在裝載鎖定室12A，12B等也可配備，該等亦統括於EC301之下，但在此是省略圖示及說明。
EC301及各MC401是藉由系統內LAN(Local Area Network)503來連接。系統內LAN503是具有交換集線器(Switching Hub)505。此交換集線器505係按照來自EC301的控制訊號，進行作為EC301的連接對象之MC401的切換。
EC301是統括各MC401來控制基板處理裝置1全體的動作的統括控制部。EC301是具有：CPU(中央運算裝置)303、作為揮發性記憶體的RAM305、及作為記憶部的硬碟裝置(HDD)307。另外，記憶部，並不限於硬碟裝置307，亦可使用其他的不揮發性記憶體。
並且，EC301是經由LAN601來連接至主電腦603，該主電腦603是作為管理設置有基板處理裝置1的工廠全體的製造工程之MES(Manufacturing Execution System)。主電腦603是與控制部70合作，將有關工廠的各種工程的即時資訊反餽至基幹業務系統(圖示省略)，且考慮工廠全體的負荷等來進行有關工程的判斷。
並且，在EC301也連接使用者介面501。使用者介面501是具有：工程管理者為了管理基板處理裝置1而進行指令的輸入操作等的鍵盤、或使基板處理裝置1的運轉狀況可視化顯示的顯示器、對EC301進行指令的機械轉換開關(mechanical switch)等。
EC301是可對電腦可讀取的記憶媒體(以下簡稱為記憶媒體)507記錄資訊，且可由記憶媒體507讀出資訊。上述的控制程式及處方是可藉由安裝於例如以被儲存於記憶媒體507的狀態者作為記憶部的硬碟裝置307來利用。 記憶媒體507例如可使用CD-ROM、硬碟、軟碟、快閃記憶體、DVD等。並且，上述的處方亦可從其他的裝置例如經由專線來隨時傳送，上線利用。
在EC301是CPU303會從硬碟裝置307或記憶媒體507讀出程式(軟體)，該程式係包含：有關在使用者介面501藉由使用者等所指定的基板W的處理方法的處方。然後，從EC301傳送該程式至各MC401，藉此構成可控制製程模組10A~10D的處理。
MC401是作為控制各製程模組10A~10D的動作之個別的控制部而設。MC401A是控制製程模組10A，MC401B是控制製程模組10B，MC401C是控制製程模組10C，MC401D是控制製程模組10D。
MC401是例如圖4所示般，具有CPU403、RAM等的揮發性記憶體部405A、不揮發性記憶體部405B、計數器部407、I/O控制部409、及開關部(SW)410。MC401的不揮發性記憶體部405B是例如藉由SRAM、MRAM、EEPROM、快閃記憶體等的不揮發性記憶體所構成。在不揮發性記憶體部405B中保存有各製程模組10A~10D的各種履歴資訊、例如基板W的處理片數、來自氣體供給源63的各處理氣體的累計供給量等。
計數器部407是如後述般，將各製程模組10的終端裝置201維持於待機狀態不動，計數作為第3累計值的時間經過。
MC401的I/O控制部409是對後述的I/O模組413送 出各種的控制訊號，或自I/O模組413接受有關各終端裝置201的狀態資訊等的訊號。
MC401的各終端裝置201的控制是經由I/O(輸出入)模組413來進行。I/O模組413是進行對各終端裝置201的控制訊號及來自終端裝置201的輸入訊號的傳達。各MC401是分別經由網路411來連接至I/O模組413。被連接至各MC401的網路411是例如具有頻道CH0，CH1，CH2之類的複數個系統。
I/O模組413是具有被連接至構成製程模組10A~10D的各終端裝置201之複數的I/O板415(在圖3是僅圖示4個)。I/O模組413的數位訊號、類比訊號及串聯訊號的輸出入控制是在該等的I/O板415進行。另外，在圖3中，基於說明的方便起見，僅代表性地圖示一部分的終端裝置201與I/O板415的連接。
在I/O板415中所被管理的輸出入資訊是含數位．輸入資訊DI、數位．輸出資訊DO、類比．輸入資訊AI、類比．輸出資訊AO的4種。數位．輸入資訊DI是有關從位於控制系統的下位的各終端裝置201往位於控制系統的上位的MC401輸入的數位資訊。數位．輸出資訊DO是有關從位於控制系統的上位的MC401往位於控制系統的下位的各終端裝置201輸出的數位資訊。類比．輸入資訊AI是有關從各終端裝置201往MC401輸入的類比資訊。類比．輸出資訊AO是有關從MC401往各終端裝置201輸出的類比資訊。
在數位．輸入資訊DI及類比．輸入資訊AI中是例如包含有關各終端裝置201的狀態的資訊。在數位．輸出資訊DO及類比．輸出資訊AO中是例如包含有關對各終端裝置201的設定製程條件等的指令(command)。另外，數位資訊，例如有加熱器電源58的ON/OFF、MFC65的閥(未圖示)的開閉、高頻電源66的ON/OFF、排氣裝置51的ON/OFF或在排氣系統的閥(未圖示)的開閉等的資訊。又，類比資訊，例如有加熱器57的設定溫度、在MFC65的設定流量等的資訊。
在具有以上構成的控制部70，被連接至複數的終端裝置201的I/O板415會被模組化而構成I/O模組413。而且，此I/O模組413會經由MC401及交換集線器505來連接至EC301。如此，複數的終端裝置201不會直接被連接至EC301，藉由使介在I/O模組413及MC401來連接的構成，可實現控制系統的階層化。
其次，參照圖5來說明有關基板處理裝置1的動作。圖5是表示基板處理裝置1的動作的說明圖。在圖5中，附上符號P1，P2，P3，P4，P5，P6的箭號是表示基板W的路徑。在本實施形態中，對基板W之一連串的工程是藉由組合製程模組10A，10B來進行。並且，對基板W之一連串的工程亦可藉由組合製程模組10C，10D來進行。在本實施形態中，製程模組10C，10D之一連串的工程是與製程模組10A，10B之一連串的工程相同。在以下的說明是以該等的一連串的工程為代表，說明有關製程模組 10A，10B之一連串的工程。並且，對基板W之一連串的工程，是舉藉由CVD法來對基板W的表面連續形成Ti膜及TiN膜的工程為例進行說明。
對基板W之一連串的工程是包含：在製程模組10A中對於基板W進行形成Ti膜的成膜處理(以下稱為第1成膜處理)之工程、及在製程模組10B中對於在製程模組10A中進行第1成膜處理後的基板W進行形成TiN膜的成膜處理(以下稱為第2成膜處理)之工程。
如圖5所例示般，此一連串的工程，首先，藉由第2搬送裝置25(參照圖1)來從卡匣容器19A取出1片的基板W，接著，將基板W搬入至定向機構15(路徑P1)。其次，在定向機構15中，進行基板W的對位。其次，藉由第2搬送裝置25來從定向機構15搬出基板W，接著，將基板W搬入至裝載鎖定室12A(路徑P2)。基板W是被載置於基板載置台13A。
其次，藉由第1搬送裝置21(參照圖1)來從裝載鎖定室12A搬出被載置於基板載置台13A的基板W，接著，將基板W搬入至製程模組10A的處理室30(路徑P3)。基板W是被載置於製程模組10A的基座55。其次，在製程模組10A中，對基板W進行第1成膜處理。
其次，藉由第1搬送裝置21來從製程模組10A的處理室30搬出基板W，接著，將基板W搬入至製程模組10B的處理室30(路徑P4)。基板W是被載置於製程模組10B的基座55。其次，在製程模組10B中，對基板W 進行第2成膜處理。
其次，藉由第1搬送裝置21來從製程模組10B的處理室30搬出基板W，接著，將基板W搬入至裝載鎖定室12A(路徑P5)。基板W是被載置於基板載置台13A。其次，藉由第2搬送裝置25來從裝載鎖定室12A搬出被載置於基板載置台13A的基板W，接著，將基板W收納於卡匣容器19A(路徑P6)。
另外，製程模組10C，10D可與製程模組10A，10B的上述一連串的工程並行，對其他的基板W進行與此一連串的工程同樣的工程。
其次，說明有關本實施形態的調節方法。本實施形態的調節方法是在取間隔(最好是按預定的週期)重複調節製程模組10的處理室30的內部時，當製程模組10A的調節開始，一連串的工程被中斷時，在適當的時機針對形成一連串的工程組的製程模組10B進行調節的方法(以下有時記載為「關聯調節」)。在此，作為一連串的工程是舉在製程模組10A中，對基板W進行前述的第1成膜處理，在製程模組10B中，對基板W進行前述的第2成膜處理時為例進行說明。另外，在製程模組10A或製程模組10B中，分別將在某調節之後到下次的調節之間(未進行調節)處理的基板W的片數設為「連續處理片數」。
製程模組10的洗滌是為了除去因為成膜處理而附著於處理室30及排氣室40的內壁或處理室30內及排氣室40內所配置的各構件之反應生成物。處理室30及排氣室 40的內部的洗滌是例如在將處理室30內及排氣室40內的溫度保持於預定的溫度之後，從淋浴頭61(氣體吐出孔61b)來對處理室30內及排氣室40內供給ClF3氣體等的洗滌氣體。實施洗滌後，以使處理條件在後續製程的第1片的基板W及第2片以後的基板W一致之目的，進行使薄膜堆積於處理室30內的預塗層。預塗層是藉由從淋浴頭61(氣體吐出孔61b)供給成膜原料氣體來進行。由如此的洗滌及預塗層所構成的調節是在處理複數片的基板W之後，取間隔進行。通常的調節是與基板W的處理相關聯而設定的值，例如以基板W的處理片數、處理氣體的累計流量等為基準來設定其間隔。
[累計值、設定值]
在此，針對有關製程模組10A，10B的調節之累計值及設定值來說明。在本實施形態中，有關製程模組10A，10B的調節，規定第1~第3累計值、及4個設定值N1~N4。第1累計值是在製程模組10A中，與基板W的處理相關聯而設定的值。第2累計值是在製程模組10B中，與基板W的處理相關聯而設定的值。在本實施形態中「與基板W的處理相關聯而設定的值」，例如可舉基板W的處理片數，使用在複數的基板W的處理之氣體的累計流量，往複數的基板W上之成膜的累計膜厚等。另外，一連串的工程包含蝕刻處理時，「與基板W的處理相關聯而設定的值」，例如亦可使用對複數的基板W之累計的 蝕刻量。就本實施形態而言，第1累計值及第2累計值是分別依據從前次的調節起連續被處理的基板W的片數而規定者。例如，第1累計值是在製程模組10A中，每處理1片的基板W而累計，且藉由進行製程模組10A的調節而形成0。第2累計值是在製程模組10B中，每處理1片的基板W而累計，且藉由進行製程模組10B的調節而形成0。另外，有關第1累計值、第2累計值的資訊是例如被保持於MC401的不揮發性記憶體部405B。
設定值N1是對應於第1累計值者，與基板W的處理相關聯而設定的值。在製程模組10A中，當第1累計值到達設定值N1時實行調節。在本實施形態中，設定值N1是在製程模組10A中，相當於某調節與其次的調節之間所被處理的基板W的片數。
設定值N2是對應於第2累計值者，與基板W的處理相關聯而設定的值。設定值N2是當製程模組10A的調節開始，一連串的工程被中斷時，在製程模組10B中，為了在適當的時機進行關聯調節而被使用。具體而言，以第2累計值為設定值N2以上為條件，作為用以在製程模組10B中實行調節的預備階段，開始第3累計值的計數。在此，設定值N2為了使製程模組10A的調節週期與製程模組10B的調節週期不會大幅度地偏離，最好是與設定值N1同值(N2=N1)。
第3累計值是在製程模組10B中，當製程模組10A的調節開始，一連串的工程被中斷時，在製程模組10B形成 停機狀態(待機狀態)的期間所被計數的經過時間的累計值。第3累計值的計數是例如在MC401的計數器部407中進行。設定值N3是對應於第3累計值者，有關經過時間的值。設定值N3是當製程模組10A的調節開始，一連串的工程被中斷時，在製程模組10B中，為了在適當的時機進行關聯調節而被使用。當第3累計值超過設定值N3時，在製程模組10B中實行調節。
設定值N4是對應於第2累計值者，與基板W的處理相關聯而設定的值。在製程模組10B中，當第2累計值到達設定值N4時，與製程模組10A的調節獨立實行調節。在本實施形態中，設定值N4是在製程模組10B中，與製程模組10A的調節獨立實行調節時，相當於某調節與下次的調節之間所被處理的基板W的片數。
如上述般，在本實施形態中，製程模組10A的調節是在與基板W的處理相關聯而設定的第1累計值到達設定值N1時被實行。並且，在本實施形態中，製程模組10B的調節是被區別成二個的形式。第1形式是當製程模組10A的調節開始，一連串的工程被中斷時，使用前述第2及第3累計值以及設定值N3在適當的時機進行的關聯調節。第2形式是使用前述第2累計值及設定值N4來進行的通常的調節。另外，本實施形態的調節方法是最好被適用於：在製程模組10A中不進行調節而被處理的基板W的片數亦即設定值N1要比在製程模組10B中不進行調節而被處理的基板W的片數亦即設定值N4更小(N1<N4) 的情況。例如，可舉製程模組10A的設定值N1為500片，製程模組10B的設定值N4為1000片的情況。
並且，在本實施形態中，設定值N2最好是使用從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1的值。若按照上述例，則設定值N2是500片[N4(1000片)-N1(500片)]。另外，有關使設定值N2形成與從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1之值相等的理由會在往後敘述。
其次，在製程模組10B中具體說明有關是否進行關聯調節的判定。在此是針對製程模組10A的設定值N1為500片，製程模組10B的設定值N4為1000片時進行說明。如前述般，在製程模組10B中是否進行關聯調節的判定是藉由控制部70來進行。
圖6是模式性地表示製程模組10A，10B的處理的流程的說明圖。在圖6中，(a)是表示製程模組10A的處理的流程。在圖6中，(b)是表示製程模組10B的處理的流程。符號81a，81b是表示在製程模組10A中，對複數的基板W重複進行第1成膜處理的期間。符號82a，82b是表示進行製程模組10A的調節的期間。符號83a，83b是表示在製程模組10B中，對複數的基板W重複進行第2成膜處理的期間。符號84a，84b是表示進行製程模組10B的調節的期間。在圖6中，未進行第1及第2成膜處理以及調節的期間是製程模組10A或製程模組10B成為停機狀態(待機狀態)的期間。
在製程模組10A中，1次的調節所要的時間(以下稱為「第1調節時間Pc1」)是依第1成膜處理的成膜條件等而變化。同樣，在製程模組10B中，1次的調節所要的時間(以下稱為「第2調節時間Pc2」)是依第2成膜處理的成膜條件等而變化。在進行第1成膜處理的製程模組10A中，第1調節時間Pc1是例如形成6.5小時。並且，在進行第2成膜處理的製程模組10B中，第2調節時間Pc2是例如形成3.5小時。
如此，就本實施形態而言，第1調節時間Pc1是形成比第2調節時間Pc2更長。此情況，製程模組10B的調節是至少製程模組10A的調節開始一連串的工程被中斷的時間點起，從第1調節時間Pc1減去第2調節時間Pc2的時間(Pc1-Pc2)經過的時間點T1起實行為理想。就上述例而言，製程模組10B的調節是至少製程模組10A的調節開始的時間點起，在經過3小時的時間點實行為理想。其結果，可使製程模組10A，10B的調節大致同時完了，因此可不停滯地移至調節後的下個成膜處理。
在製程模組10A的連續處理片數例如到達設定值N1的時間點，如圖6所示，在製程模組10A開始調節(符號82a)。控制部70一旦檢測到製程模組10A的調節開始，則將形成一連串的工程組的其他製程模組之製程模組10B設為停機狀態。在製程模組10B是至少以製程模組10B的連續處理片數為設定片數(設定值N2)以上為條件，若停機狀態持續預定的時間(就上述例而言是3小時)，則 開始製程模組10B的調節(符號84a)。製程模組10A，10B的調節完了後，在製程模組10A開始下個循環的第1成膜處理(符號81b)，幾乎同步，在製程模組10B開始下個循環的第2成膜處理(符號83b)。其次，在製程模組10A的連續處理片數到達設定值N1的時間點，在製程模組10A開始調節(符號82b)，控制部70將製程模組10B設為停機狀態。在製程模組10B是停機狀態會持續預定的時間。此預定的時間經過後，製程模組10B的連續處理片數為設定片數(設定值N2)以上時，開始製程模組10B的調節(符號84b)。
在製程模組10B中實行關聯調節的時機是如以下般藉由控制部70來決定。圖7是表示包含在製程模組10B中所被進行的關聯調節的處理程序的流程圖。
前提是使用上述第1累計值及設定值N1，開始製程模組10A的調節。以此資訊為基礎，EC301辨識與製程模組10A成組的製程模組10B，針對製程模組10B，以能夠將模組的狀態變更成停機狀態的方式，對MC401B送出指令。
在STEP1，MC401B會接受來自EC301的指令，使製程模組10B形成停機狀態(停機控制)。此處理是在基板處理裝置1中成為既定的設定，在此省略詳細說明。
其次，在STEP2，MC401B會判定是否符合用以實行關聯調節的條件(關聯調節實行條件)。在此，關聯調節實行條件是至少含製程模組10B的連續處理片數是否為設 定片數(設定值N2)以上的判斷。在理想的形態中，關聯調節實行條件是含以下所例示的項目之中，(1)為必須且2個以上，更理想的形態是可包含(1)~(5)的全部。
(1)製程模組10B的連續處理片數為設定片數(設定值N2)以上。
(2)製程模組10B為停機狀態。
(3)製程模組10A為調節中。
(4)關聯調節的機能為有效(ON)。
(5)製程模組10B的處理室30內不是不需要調節的狀態(清淨狀態)。在此，清淨狀態，例如可舉處理基板W之前的預塗層完了的狀態。
符合上述關聯調節實行條件(Yes)時，MC401B開始第3累計值的計數，作為在STEP3開始製程模組10B的調節為止的經過時間。藉由進行第3累計值的計數，可使製程模組10B的關聯調節的開始時間點延遲，最好是使製程模組10A的調節的終了與製程模組10B的調節的終了幾乎同步。因此，在製程模組10A及10B中，可使調節後的成膜處理不停滯開始。並且，即使不使製程模組10A的調節的終了與製程模組10B的調節的終了同期時，還是可藉由第3累計值的計數(及設定值N3的值)來任意地調節製程模組10B之調節的開始及終了的時機，因此可適當地進行製程模組10B之調節的時間管理。例如，藉由使製程模組10B之調節的終期延遲在製程模組10A的1片基板 W的處理所要的時間量，可調合製程模組10B的調節終了的時間與製程模組10A的調節後對第1片的基板W的處理終了的時間。而且，在先開始調節的製程模組10A，萬一發生錯誤，調節中斷時，藉由停止第3累計值的計數，亦具有不會在製程模組10B進行徒勞無用的調節之優點。此STEP3的處理是在MC401B的計數器部407中進行。另外，在STEP3中，已經進行第3累計值的計數時，就那樣繼續計數。
另一方面，在STEP2未符合關聯調節實行條件(No)時，在STEP6，MC401B是使製程模組10B的停機狀態繼續。此情況，使有關第3累計值的計數器部407的計數器(未圖示)重設成0(零)。未符合上述關聯調節條件(1)時，可想像製程模組10B是例如前次的調節實施後的基板W的處理片數少，不需要調節的狀態。因此，在此階段藉由不實施關聯調節，可省去洗滌氣體或消費電力等的浪費。
其次，在STEP4，MC401B會判定對應於經過時間的第3累計值是否會超過預定的設定值N3。在此，設定值N3是如上述般可考慮第1調節時間Pc1及第2調節時間Pc2來設定成任意的時間，但最好是設定成與從第1調節時間Pc1減去第2調節時間Pc2的時間(Pc1-Pc2)相同[N3=(Pc1-Pc2)]。藉由如此決定設定值N3，可使製程模組10A，10B的調節幾乎同時終了。並且，藉由將設定值N3設定成比從第1調節時間Pc1減去第2調節時間Pc2 的時間更短，可使製程模組10B的調節比製程模組10A的調節先完了。並且，相反的，藉由將設定值N3設定成比從第1調節時間Pc1減去第2調節時間Pc2的時間更長在製程模組10A的1片基板W的處理所要的時間量，亦可使製程模組10B的調節的終了與在製程模組10A的調節後的第1片的基板W的處理的終了一致。
在STEP4，當第3累計值超過設定值N3(Yes)時，控制部70會在STEP5使製程模組10B的調節實行(調節實行控制)。此STEP5的處理是在基板處理裝置1中形成既定的設定，在此雖省略詳細，但例如可藉以下的程序來進行。首先，控制部70的MC401B會將製程模組10B的調節的實行要求送出至EC301。EC301會接受此要求，從作為記憶部的硬碟裝置307讀出含調節條件的處方，與調節實行的許可指令一起對MC401B送出。MC401B會按照所被讀出的處方來實行製程模組10B的調節。此時間點是形成實行製程模組10B的調節的時機。另一方面，在STEP4，當第3累計值未超過設定值N3(No)時，至第3累計值超過設定值N3為止，重複上述STEP2~STEP4。
就本實施形態的調節方法而言，是否進行調節的最終判定，可在STEP2的判斷的時間點進行，或在STEP4的判斷的時間點進行。以在STEP2符合調節實行條件(Yes)的情形作為是否進行調節的最終判定時，STEP4的第3累計值是否超過設定值N3的判斷可定位成形式性者。另一方面，以在STEP4第3累計值超過設定值N3(Yes)的 情形作為是否進行調節的最終判定時，是否符合STEP2的調節實行條件的判斷可定位成預備性者。
在此，成為是否進行製程模組10B的關聯調節的基準之設定值N2，可舉從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1之片數，亦即500片時為例，針對關聯調節來更具體地說明。
在關聯調節的機能有效的狀態下，在初次實行製程模組10A的調節時，製程模組10B的連續處理片數是500片，形成與設定值N2相等，因此控制部70會判定成進行製程模組10B的關聯調節。並且，在其次實行製程模組10A的調節時，再度製程模組10B的連續處理片數是500片，形成與設定值N2相等，因此控制部70會判定成進行製程模組10B的調節。就此例而言，製程模組10B的調節是以和製程模組10A的調節相同的週期進行。
就上述的例子而言，製程模組10B的連續處理片數，基本上是與製程模組10A的連續處理片數一致。但，基於某些的原因，有時該等的片數會不一致。其原因，例如可舉在製程模組10A，10B重複進行一連串的處理的途中採用本實施形態的關聯調節方法時。亦即，在適用關聯調節以前，製程模組10A是根據第1累計值及設定值N1來實施通常的調節，與此獨立，製程模組10B是根據第2累計值及設定值N4來實施通常的調節時。又，亦可舉在製程模組10A中進行第1成膜處理的期間發生某些的異常，在製程模組10A中被處理的基板W未被搬送至製程模組 10B時。此情況，製程模組10B的連續處理片數是形成比製程模組10A的連續處理片數更少。其結果，在實行製程模組10A的調節時，製程模組10B的連續處理片數是形成比500片更少。例如，在實行製程模組10A的調節時的製程模組10B的連續處理片數為475片時，因為連續處理片數比設定值N2更少，所以控制部70在製程模組10B中不使關聯調節實行。但，至其次製程模組10A的調節被實行的期間，製程模組10B的連續處理片數是在此期間處理的基板W的片數(例如500片)會被累計，而形成比設定值N2更多(例如975片)。因此，在其次製程模組10A的調節被實行時，控制部70會在製程模組10B中使關聯調節實行。
在此，說明有關使上述的設定值N2形成與從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1之片數相等為理想的理由。
當判定成控制部70不進行製程模組10B的調節(以下稱為第1次的調節)時，至進行製程模組10A的下次的調節(以下稱為第2次的調節)的期間，須要使製程模組10B的連續處理片數不會超過製程模組10B的設定值N4。在製程模組10A的調節被實行之前，若超過製程模組10B的設定值N4，則會與製程模組10A的調節獨立實施製程模組10B的通常的調節。製程模組10B的調節的期間是無法在製程模組10B處理在製程模組10A處理過的基板，因此製程模組10A也會形成停機狀態，生產能力會降低 。
判定成控制部70不進行製程模組10B的調節之時間點的製程模組10B的連續處理片數是當然比設定值N2更少。在此，若以記號nB1來表示此時間點的連續處理片數，則連續處理片數nB1與設定值N2的關係是以下記的式(1)來表示。
nB1<N2………(1)
並且，從此時間點到進行第2次的調節之間，製程模組10B所處理的基板W的片數是形成製程模組10A的設定值N1以下。在此，以記號nB2來表示在進行第2次的調節的時間點的製程模組10B的連續處理片數。由設定值N1及連續處理片數nB1，nB2的關係可取得下記的式(2)。
nB2≦nB1+N1 nB1≧nB2-N1………(2)
由式(1)，(2)可取得下記的式(3)。
nB2-N1≦nB1<N2………(3)
在此，設定值N2是假設與從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1之片數相等者。設定值N2與設定值N1，N4的關係是以下記的式(4)來表示。
N2=N4-N1………(4)
若在式(3)中代入式(4)，則可取得下記的式(5)。
nB2-N1≦nB1<N4-N1 nB2≦nB1+N1<N4………(5)
由式(5)理解般，若使設定值N2形成與從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1之片數相等，則可使連續處理片數nB2形成比最大處理片數N4更小。當連續處理片數nB2為設定值N2以上時，控制部70會判定成進行製程模組10B的調節。並且，當連續處理片數nB2為未滿設定值N2未滿時，控制部70會再度判定成不進行製程模組10B的調節。此情況，根據與參照式(1)~(5)的上述說明相同的理由，在進行製程模組10A的第3次的調節的時間點的製程模組10B的連續處理片數是形成比設定值N4更小。
如此，藉由使設定值N2形成與從製程模組10B的設定值N4減去製程模組10A的設定值N1之片數相等，可防止製程模組10B的連續處理片數超過製程模組10B的設定值N4。藉此，在製程模組10B中實行調節時，製程模組10A的調節不被實行的情形變無，可使基板處理裝置1的生產能力提升。
另外，參照式(1)~(5)的上述說明亦可適用在取代設定值N1，使用比設定值N1更少的任意片數時。因此，上述的說明亦可適用在製程模組10A的連續處理片數比製程模組10A的設定值N1更小時。
其次，說明有關本實施形態的基板處理裝置1及調節方法的效果。本實施形態的基板處理裝置1是具備分別對基板W進行預定的處理的製程模組10A，10B，10C，10D 、及控制製程模組10A，10B，10C，10D的動作的控制部70。製程模組10A，10B是被組合而對基板W進行一連串的工程者。製程模組10C，10D是被組合而對基板W進行一連串的工程者。可是，在製程模組10B中進行調節的期間，在製程模組10A是無法搬送基板W至製程模組10B，因此無法對其次的基板W進行第1成膜處理。因此，假設若形成一連串的工程組的製程模組10A及製程模組10B的調節完全無關地被實行，則製程模組10A的生產能力是除了因為製程模組10A的調節所產生的時間以外，因為製程模組10B的調節所產生的時間的部分也會造成降低。
於是，本實施形態的關聯調節是在與製程模組10B形成一連串的工程組的製程模組10A的調節開始，一連串的工程被中斷時，進行判定是否進行製程模組10B的調節。因此，若根據本實施形態，則可使製程模組10B中進行調節的期間配合製程模組10A中進行調節的期間。亦即，在關聯調節中，可使製程模組10A及製程模組10B的調節期間重複，因此在製程模組10A中進行調節的期間，可實行製程模組10B的調節。其結果，在製程模組10A中，至第1累計值到達設定值N1為止，不會有因製程模組10B的調節而被中斷的情形，可連續進行一連串的工程之基板W的處理。藉此，可使製程模組10A及10B的生產能力提升。如此，若根據本實施形態，則藉由使製程模組10A及10B的生產能力提升，可使基板處理裝置1的生產能力提 升。
並且，在本實施形態中，是否進行製程模組10B的調節的判定是利用第2累計值來進行，該第2累計值是隨著製程模組10B之基板W的處理而累計，且藉由製程模組10B的調節而形成0。具體而言，製程模組10B的調節是在上述的第2累計值為預定的設定值N2以上時進行。因此，當製程模組10B的處理片數少，處理室30內為不須要調節的清淨狀態時，不實行關聯調節。藉此，可抑制比較高價的洗滌氣體的使用量。
並且，在本實施形態中，上述的第2累計值是在製程模組10B中被處理的基板W的片數的累計值，是否進行製程模組10B的調節的判定是利用第2累計值及設定值N2來進行。在此，最好設定值N2是從製程模組10B中未進行調節而被處理的基板W的片數亦即設定值N4減去製程模組10A中未進行調節而被處理的基板W的片數亦即設定值N1之值相等。藉此，若根據本實施形態，則根據參照式(1)~(5)所說明的理由，可防止在製程模組10B中未進行調節而被處理的基板W的片數(連續處理片數)超過製程模組10B的設定值N4(亦即在製程模組10B獨立實行通常的調節)。
並且，在本實施形態中，製程模組10A的調節所要的時間亦即第1調節時間Pc1是比製程模組10B的調節所要的時間亦即第2調節時間Pc2更長。因此，若根據本實施形態，則在製程模組10A中進行調節的期間，藉由實行製 程模組10B的調節，至製程模組10A的調節完了的期間，可使製程模組10B的調節完了。藉此，若根據本實施形態，則可使只起因於製程模組10B的調節之停機時間實質上形成0。
並且，在本實施形態中，製程模組10B的調節是至少從製程模組10A的調節開始的時間點起，第3累計值超過設定值N3的時間點以後被實行。藉由將設定值N3設定成與從第1調節時間Pc1減去第2調節時間Pc2的時間相同或更短或長，可使製程模組10B的調節與製程模組10A的調節的終了幾乎同時或在其前後的所望的時間點終了。如此，若根據本實施形態，則可使起因於上述製程模組10B的調節之生產能力的降低形成0。並且，最好可調合製程模組10A的調節完了的時機與製程模組10B的關聯調節完了的時機。因此，可使製程模組10A及10B不停滯地移至其次進行的第1成膜處理及第2成膜處理，可防止生產能力的降低。
另外，有關上述製程模組10A，10B的說明在製程模組10C，10D也適用。
並且，在本實施形態中，製程模組10C，10D之一連串的工程是與製程模組10A，10B之一連串的工程相同。因此，若根據本實施形態，則在進行製程模組10A，10B的調節的期間，可藉由製程模組10C，10D來對基板W進行一連串的工程。藉此，若根據本實施形態，則可使基板處理裝置1的生產能力提升。
其次，一邊與比較例的調節方法作比較，一邊更詳細說明有關本實施形態的調節方法的效果。圖8是模式性地表示比較例的製程模組10A，10B的處理流程的說明圖。在圖8中，(a)是表示製程模組10A的處理的流程。在圖8中，(b)是表示製程模組10B的處理的流程。符號91a，91b1，91b2是表示在製程模組10A中進行第1成膜處理的期間。符號92a，92b是表示進行製程模組10A的調節的期間。符號93a1，93a2，93b1是表示在製程模組10B中進行第2成膜處理的期間。符號94a是表示進行製程模組10B的調節的期間。在圖8中，未進行第1及第2成膜處理以及調節的期間是製程模組10A或製程模組10B成為停機狀態(待機狀態)的期間。
就比較例而言，製程模組10A的調節是在製程模組10A的連續處理片數到達製程模組10A的設定值N1(例如500片)時進行。並且，製程模組10B的調節是只在製程模組10B的連續處理片數到達製程模組10B的設定值N4(例如1000片)時進行(通常的調節)。
在製程模組10A的連續處理片數到達設定值N1的時間點，當製程模組10B的連續處理片數為設定值N4以下(例如975片)時，如圖8所示般，在製程模組10A是開始調節(符號92a)，在製程模組10B是停止第2成膜處理(符號93a1)。在製程模組10A被調節的期間，製程模組10B是形成停機狀態。製程模組10A的調節完了後，在製程模組10A開始下個循環的第1成膜處理(符號 91b1)，在製程模組10B再開始第2成膜處理(符號93a2)。
其次，在製程模組10B的連續處理片數到達設定值N4的時間點，當製程模組10A的連續處理片數為設定值N1以下(例如25片)時，在製程模組10A停止第1成膜處理(符號91b1)，在製程模組10B開始調節(符號94a)。在製程模組10B被調節的期間，製程模組10A是形成停機狀態。製程模組10B的調節完了後，在製程模組10A再開始第1成膜處理(符號91b2)，在製程模組10B開始下個循環的第2成膜處理(符號93b1)。其次，在製程模組10A的連續處理片數到達設定值N1的時間點，當製程模組10B的連續處理片數為設定值N4以下(例如475片)時，在製程模組10A開始調節(符號92b)，在製程模組10B停止第2成膜處理(符號93b1)。
如此，比較例的調節方法是無法使製程模組10B的調節的期間配合製程模組10A的調節的期間。因此，就比較例的調節方法而言，在製程模組10A被調節的期間，製程模組10B是形成停機狀態，在製程模組10B被調節的期間，製程模組10A是形成停機狀態。其結果，生產能力會降低。
相對的，就本實施形態而言，如參照圖6來說明那樣，在製程模組10A被調節的期間，製程模組10B的調節也被實行。其結果，若根據本實施形態，則相較於比較例的調節方法，可使製程模組10A及製程模組10B的生產能力 提升。
另外，本發明並非限於上述實施形態，亦可實施各種的變更。例如，在實施形態是說明有關基板處理裝置1具備4個製程模組10的情況，但製程模組10的數量是只要2個以上即可。並且，對基板W之一連串的工程亦可為組合3個以上的製程模組10來進行者。而且，製程模組10C，10D之一連串的工程亦可與製程模組10A，10B之一連串的工程相異。
並且，在實施形態是說明有關對基板W之一連串的工程為依製程模組10A，10B的順序來進行的情況，但對基板W之一連串的工程亦可為依製程模組10B，10A的順序來進行者。又，對基板W之一連串的工程亦可含成膜處理以外的處理者。
又，本發明並非限於圖1所示的構成的基板處理裝置1，亦可適用於各種構成的基板處理裝置。並且，在基板處理裝置1作為處理對象的基板W，並非限於半導體裝置製造用的基板，亦可例如為平板顯示器製造用的玻璃基板、太陽電池面板製造用的基板等。
1‧‧‧基板處理裝置
10，10A，10B，10C，10D‧‧‧製程模組
11‧‧‧第1搬送室
12A，12B‧‧‧裝載鎖定室
14‧‧‧第2搬送室
21‧‧‧第1搬送裝置
25‧‧‧第2搬送裝置
30‧‧‧處理室
40‧‧‧排氣室
51‧‧‧排氣裝置
55‧‧‧基座
61‧‧‧淋浴頭
63‧‧‧氣體供給源
66‧‧‧高頻電源
圖1是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的概略構成的平面圖。
圖2是表示本發明之一實施形態的製程模組的構成的剖面圖。
圖3是表示圖1的基板處理裝置的控制部的全體構成例的圖面。
圖4是表示圖1的基板處理裝置的控制部的一部分的構成例的圖面。
圖5是表示本發明之一實施形態的基板處理裝置的動作說明圖。
圖6是模式性地表示本發明之一實施形態的製程模組的處理流程的說明圖。
圖7是表示包含本發明之一實施形態的調節方法的控制程序的一例的流程圖。
圖8是模式性地表示比較例的製程模組的處理流程的說明圖。
1‧‧‧基板處理裝置
10，10A，10B，10C，10D‧‧‧製程模組
11‧‧‧第1搬送室
12A，12B‧‧‧裝載鎖定室
14‧‧‧第2搬送室
21‧‧‧第1搬送裝置
25‧‧‧第2搬送裝置
70‧‧‧控制部
G1A~G1D‧‧‧閘閥
G2A、G2B‧‧‧閘閥
G3A、G3B‧‧‧閘閥
13A、13B‧‧‧基板載置台
15‧‧‧定向機構
16‧‧‧旋轉板
17‧‧‧光學感測器
18A~18C‧‧‧裝載埠
19A~19C‧‧‧卡匣容器
22‧‧‧基部
23a、23b‧‧‧搬送臂部
24a、24b‧‧‧叉子
26a、26b‧‧‧搬送臂部
27a、27b‧‧‧叉子
28‧‧‧導軌
W‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種調節方法，係於具備對基板進行預定處理的複數個處理室的基板處理裝置中，調節前述處理室的內部之方法，其特徵為：前述複數個處理室係包含被組合而對基板進行一連串的工程之第1及第2處理室，前述一連串的工程係包含：在前述第1處理室中，對於基板進行預定的處理之工程，及在前述第2處理室中，對於在前述第1處理室中被進行預定的處理的基板進行與前述第1處理室不同的處理之工程，在前述第1處理室中，當在該第1處理室中前次的調節終了後進行處理的基板的累計片數，隨著基板的處理而被累計，藉由進行該第1處理室的調節而形成0的第1累計值到達設定值N1時實行調節，在前述第2處理室中，由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時成為待機狀態，且至少以在該第2處理室中前次的調節終了後進行處理的基板的累計片數，隨著基板的處理而被累計，藉由進行該第2處理室的調節而形成0的第2累計值為設定值N2以上作為條件，開始第3累計值的計數，當該第3累計值超過設定值N3時實行調節，而且，在前述第2處理室中，當前述第2累計值到達設定值N4時，被設定成與前述第1處理室獨立實行調節， 前述設定值N4為比前述設定值N1更大的值，且前述設定值N2係與從前述設定值N4減去前述設定值N1的值相等。
  2. 如申請專利範圍第1項之調節方法，其中，前述第3累計值為前述第2處理室的待機狀態的經過時間。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之調節方法，其中，前述第1處理室的調節所要的時間係比前述第2處理室的調節所要的時間更長。
  4. 如申請專利範圍第3項之調節方法，其中，前述設定值N3係與從前述第1處理室的調節所要的時間減去前述第2處理室的調節所要的時間之時間相同或更短。
  5. 如申請專利範圍第3項之調節方法，其中，前述設定值N3係比從前述第1處理室的調節所要的時間減去前述第2處理室的調節所要的時間之時間更長：對於在前述第1處理室中所被進行的1片基板之預定的處理所要的時間量。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之調節方法，其中，在開始前述第3累計值的計數之前，至少將前述第2累計值與前述設定值N2作比較來判定是否進行前述第2處理室的調節。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之調節方法，其中，根據前述第3累計值是否超過設定值N3，來判定是否進行前述第2處理室的調節。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之調節方法，其中，前 述調節為包含：除去前述處理室內的附著物之洗滌、及使薄膜堆積於前述處理室內之預塗層的至少任一方的處理。
  9. 一種電腦可讀取的記憶媒體，係記憶有動作於電腦上的控制程式，其特徵為：前述控制程式係於具備對基板進行預定處理的複數個處理室的基板處理裝置中，使電腦控制前述基板處理裝置，而使能夠進行調節前述處理室的內部之調節方法，前述複數個處理室係包含被組合而對基板進行一連串的工程之第1及第2處理室，前述一連串的工程係包含：在前述第1處理室中，對於基板進行預定的處理之工程，及在前述第2處理室中，對於在前述第1處理室中被進行預定的處理的基板進行與前述第1處理室不同的處理之工程，前述第1處理室係被設定成：當在該第1處理室中前次的調節終了後進行處理的基板的累計片數，隨著基板的處理而被累計，藉由進行該第1處理室的調節而形成0的第1累計值到達設定值N1時實行調節，前述第2處理室係被設定成：由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時成為待機狀態，且至少以在該第2處理室中前次的調節終了後進行處理的基板的累計片數，隨著基板的處理而被累計，藉由進行該第2處理室的調節而形成0的第2累計值為設定值N2以上作為條件，開始第3累計值的計數，當該第3累計值超過設定值N3時實行調節， 而且，在前述第2處理室中，當前述第2累計值到達設定值N4時，被設定成與前述第1處理室獨立實行調節，前述設定值N4為比前述設定值N1更大的值，且前述設定值N2係被設定成與從前述設定值N4減去前述設定值N1的值相等，前述調節方法係具備：由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時，使前述第2處理室形成前述待機狀態之步驟；至少在前述第2處理室中判定前述第2累計值是否至少為前述設定值N2以上之步驟；當前述第2累計值為前述設定值N2以上時，在前述第2處理室中，開始前述第3累計值的計數之步驟；及有關前述第2處理室，當前述第3累計值超過前述設定值N3時實行調節之步驟。
  10. 一種基板處理裝置，係具備：對基板進行預定處理的複數個處理室；及控制前述複數個處理室的動作的控制部，處理室的內部會被週期性地調節之基板處理裝置，其特徵為：前述複數的處理室係包含被組合而對基板進行一連串的工程之第1及第2處理室，前述一連串的工程係包含：在前述第1處理室中，對 於基板進行預定的處理之工程，及在前述第2處理室中，對於在前述第1處理室中被進行預定的處理的基板進行與前述第1處理室不同的處理之工程，前述控制部，係在前述第1處理室中，當前次的調節終了後進行處理的基板的累計片數，隨著基板的處理而被累計，藉由進行該第1處理室的調節而形成0的第1累計值到達設定值N1時前述第1處理室的實行調節，由於前述第1處理室的調節的開始，前述一連串的工程被中斷時，將前述第2處理室設為待機狀態，且至少以在該第2處理室中前次的調節終了後進行處理的基板的累計片數，隨著基板的處理而被累計，藉由進行該第2處理室的調節而形成0的第2累計值為設定值N2以上作為條件，在前述第2處理室中開始第3累計值的計數，當該第3累計值超過設定值N3時實行前述第2處理室的調節，而且，在前述第2處理室中，當前述第2累計值到達設定值N4時，被控制成與前述第1處理室獨立實行調節，前述設定值N4為比前述設定值N1更大的值，且前述設定值N2係被設定成與從前述設定值N4減去前述設定值N1的值相等。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，前述複數個處理室更包含被組合而對基板進行一連串的工程之第3及第4處理室，在前述第3及第4處理室中，以和前述第1及第2處理室相同的控制來實行調節。
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