JP2003152185A5

JP2003152185A5 - 発光装置及び電流記憶回路

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Publication number: JP2003152185A5
Application number: JP2001345273A
Authority: JP
Filing date: 2001-11-09
Publication date: 2005-05-26
Anticipated expiration: 2021-11-09

Description

特にドレインが２個であるマルチドレイントランジスタを、ダブルドレインランジスタと称する。以下では、ポリシリコン薄膜のダブルドレイントランジスタを用いた電流記憶機能つき画素回路の例を中心に、本発明を説明する。

駆動用素子１０２の第１要素トランジスタがダイオードとして動作することで、ソース信号線Ｓｉから画素２０１に入力されるビデオ信号電流は、そのまま書込み用素子１０１、駆動用素子１０２の第１要素トランジスタを介して、電源線Ｖ１〜Ｖｘへ流れることになる。また同時に、ソース信号線Ｓｉから画素２０１に入力されるビデオ信号電流に対応する、駆動用素子１０２の第１要素トランジスタのゲート電圧が、書込み用素子１０１を介して、容量素子１０４に蓄積される。容量素子１０４に蓄積される電圧は、駆動用素子１０２の第１要素トランジスタのゲート・ソース間電圧Ｖ_GSであるから、容量素子１０４の電圧に応じて、駆動用素子１０２の第１要素トランジスタがオンとなる。

以上までが、初期化用素子１０３がない場合には、動作の全容となる。初期化用素子１０３がある場合には、さらに以下の初期化動作を付加することが可能となる。初期化動作がない場合、各コマの画像は連続して表示されることになり、画像の動き方が滑らかさを十分に備えていない、やや低質の動画像表示となってしまう問題がある。初期化動作により、一コマ一コマの間に非表示のインターバルを設けると、簡便かつ効果的に、この動画質の低下を抑制できる。

各画素の階調は、書き込み期間Ｔａ及び表示期間Ｔｄにおいて発光素子１０５に流れる電流の大きさで決定される。そして、この電流値は、ソース信号線駆動回路２０２から画素２０１に入力される、ビデオ信号電流Ｉ_vdにより制御される。そこで、ｎ階調分のビデオ信号電流Ｉ_vdを用意すれば、ｎ階調の画像表示ができる。一般にＯＬＥＤ素子の発光輝度Ｌは、Ｌ＝ｃ（Ｖ）Ｉ（Ｖ）に示されるとおり、ＯＬＥＤ素子に流される電流量Ｉ（Ｖ）に比例するとされる。よって、ｎ階調分のビデオ信号電流Ｉ_vdは、概ね比例配分されたｎ個の値となる。

（実施例３）
本実施例では、接続配線に接続された各不純物領域間に、２つ以上のチャネル形成領域が設けられた、所謂マルチゲート構造を有する本発明の半導体素子について説明する。なお本実施例では、各接続配線間にチャネル形成領域が２つ設けられたダブルゲート構造の半導体素子について説明するが、本発明はダブルゲート構造に限定されず、各接続配線間にチャネル形成領域が３つ以上設けられたマルチゲート構造を有していても良い。

本発明の発光装置は、発光素子を電流駆動することにより、発光表示装置中にある発光素子に流れる電流を、次のような場合においても良好に維持することができる。発光素子の電気抵抗が環境温度に大きく依存する場合、発光素子を電圧駆動すると経時的に発光輝度が低下してしまう場合、など。発光素子に流れる電流を良好に維持することにより、発光輝度を良好に保つことができる。その結果、ＲＧＢの各サブ画素を独立に形成する型のカラー表示装置では、色ずれの発生も回避できる。

Claims

発光素子、第１の半導体素子、第２の半導体素子、ゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２の半導体素子は、それぞれ、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記第１の半導体素子は、ゲート電極が前記ゲート信号線に接続され、３つの不純物領域のうち、１つは前記ソース信号線に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記第２の半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第１の半導体素子に接続された領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されていることを特徴とする発光装置。
発光素子、第１の半導体素子、第２の半導体素子、容量素子、ゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２の半導体素子は、それぞれ、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記第１の半導体素子は、ゲート電極が前記ゲート信号線に接続され、３つの不純物領域のうち、１つは前記ソース信号線に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記第２の半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第１の半導体素子に接続された領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されており、
前記容量素子の一方の電極は前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他方の電極は前記電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
発光素子、第１の半導体素子、第２の半導体素子、トランジスタ、容量素子、第１のゲート信号と、第２のゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２の半導体素子は、それぞれ、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記第１の半導体素子は、ゲート電極が前記第１のゲート信号線に接続され、３つの不純物領域のうち、１つは前記ソース信号線に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記第２の半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第１の半導体素子に接続された領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されており、
前記トランジスタは、ゲート電極が第２のゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他方が前記電源線に接続されていることを特徴とする特徴とする発光装置。
発光素子、第１の半導体素子、第２の半導体素子、トランジスタ、容量素子、第１のゲート信号と、第２のゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２の半導体素子は、それぞれ、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記第１の半導体素子は、ゲート電極が前記第１のゲート信号線に接続され、３つの不純物領域のうち、１つは前記ソース信号線に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記第２の半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第１の半導体素子に接続された領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されており、
前記トランジスタは、ゲート電極が第２のゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他方が前記電源線に接続されおり、
前記容量素子は、一方の電極が前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他方の電極が前記電源線に接続されていることを特徴とする特徴とする発光装置。
請求項１乃至４のいずれか１項において、前記第１の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、低濃度不純物領域を有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至４のいずれか１項において、前記第１の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、オフセット領域を有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至６のいずれか１項において、前記第２の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、低濃度不純物領域を有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至６のいずれか１項において、前記第２の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、オフセット領域を有することを特徴とする発光装置。
発光素子、半導体素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、ゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであり、
前記半導体素子は、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲート電極が前記ゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が第１の半導体素子のゲート電極に接続されており、
前記第２のトランジスタは、ゲート電極が前記ゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が前記半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第２のトランジスタに接続されている領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されていることを特徴とする発光装置。
発光素子、半導体素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、容量素子、ゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであり、
前記半導体素子は、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲート電極が前記ゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が第１の半導体素子のゲート電極に接続されており、
前記第２のトランジスタは、ゲート電極が前記ゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が前記半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第２のトランジスタに接続されている領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されており、
前記容量素子の一方の電極は前記第１の半導体素子のゲート電極に接続され、他方の電極は前記電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
発光素子、半導体素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第１のゲート信号線、第２のゲート信号線、ソース信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであり、
前記半導体素子は、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
第１のトランジスタは、ゲート電極が前記第１のゲート信号線に、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が第１の半導体素子のゲート電極に接続されており、
第２のトランジスタは、ゲート電極が前記第１のゲート信号線に、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が前記半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
第３のトランジスタは、ゲート電極が第２のゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記半導体素子のゲート電極に、他方が前記電源線に接続されており、
前記半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第２のトランジスタに接続されている領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されていることを特徴とする発光装置。
発光素子、半導体素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量素子、第１のゲート信号線、第２のゲート信号線、ソース信号線と及び電源線を有し、
前記第１及び第２のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであり、
前記半導体素子は、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
第１のトランジスタは、ゲート電極が前記第１のゲート信号線に、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が第１の半導体素子のゲート電極に接続されており、
第２のトランジスタは、ゲート電極が前記第１のゲート信号線に、ソース及びドレインの一方が前記ソース信号線に、他方が前記半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
第３のトランジスタは、ゲート電極が第２のゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が前記半導体素子のゲート電極に、他方が前記電源線に接続されており、
前記半導体素子は、３つの不純物領域のうち、前記第２のトランジスタに接続されている領域を除いて、他の１つは前記電源線に接続され、他の１つは前記発光素子に接続されており、
前記容量素子の一方の電極は前記第１の半導体素子のゲート電極に接続され、他方の電極は前記電源線に接続されていることを特徴とする発光装置。
請求項９乃至１２のいずれか１項において、前記半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、低濃度不純物領域を有することを特徴とする発光装置。
請求項９乃至１２のいずれか１項において、前記半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、オフセット領域を有することを特徴とする発光装置。
請求項１乃至１４のいずれか１項において、前記発光素子は、有機発光ダイオードであることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至１４のいずれか１項において、前記発光素子は、無機発光ダイオードであることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至１４のいずれか１項において、前記発光素子は、ＦＥＤ素子であることを特徴とする発光装置。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする携帯情報端末。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とするナビゲーションシステム。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする画像再生装置。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とするＴＶ放送受信用表示装置。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とするパソコン用表示装置。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とするデジタルスチルカメラ。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とするビデオカメラ。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とするパーソナルコンピュータ。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする携帯電話。
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、半導体素子、容量素子、選択信号線、電流データ入力信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであり、
前記半導体素子は、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記容量素子は、一方の電極が前記半導体素子のゲート電極に接続され、他方の電極が前記電源線に接続されており、
第１のトランジスタは、ゲート電極が前記選択信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が電流データ入力信号線に、他方が前記半導体素子のゲート電極に接続されており、
第２のトランジスタは、ゲート電極が前記選択信号線に接続され、ソース及びドレインの一方が電流データ入力信号線に、他方が前記半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記半導体素子において、３つの不純物領域のうち前記第２のトランジスタに接続された領域を除いて、他の１つの不純物領域は前記電源線に接続されており、他の１つの不純物領域から出力される電流を回路の出力に用いることを特徴とする電流記憶回路。
請求項２７において、前記半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、低濃度不純物領域を有することを特徴とする電流記憶回路。
請求項２７において、前記半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、オフセット領域を有することを特徴とする電流記憶回路。
第１の半導体素子、第２の半導体素子、容量素子、選択信号線、電流データ入力信号線及び電源線を有し、
前記第１及び第２の半導体素子は、それぞれ、チャネル形成領域と、同じ導電型を示す３つの不純物領域と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なるゲート電極を有し、
前記容量素子は、一方の電極が前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他方の電極が前記電源線に接続されており、
前記第１の半導体素子は、ゲート電極が選択線に接続され、３つの不純物領域のうち、１つは前記電流データ入力信号線に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子のゲート電極に接続され、他の１つは前記第２の半導体素子の不純物領域の１つに接続されており、
前記第２の半導体素子において、３つの不純物領域のうち前記第２のトランジスタに接続された領域を除いて、他の１つの不純物領域は前記電源線に接続されており、他の１つの不純物領域から出力される電流を回路の出力に用いることを特徴とする電流記憶回路。
請求項３０において、前記第１の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、低濃度不純物領域を有することを特徴とする電流記憶回路。
請求項３０において、前記第１の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、オフセット領域を有することを特徴とする電流記憶回路。
請求項３０乃至３２のいずれか１項において、前記第２の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、低濃度不純物領域を有することを特徴とする電流記憶回路。
請求項３０乃至３２のいずれか１項において、前記第２の半導体素子は、チャネル形成領域と３つの不純物領域の間の少なくとも一箇所に、オフセット領域を有することを特徴とする電流記憶回路。
請求項２７乃至３４のいずれか１項に記載の電流記憶回路をソース信号線駆動回路のバッファー回路に用いたことを特徴とする発光装置。