JP2003142373A - 露光方法および露光装置 - Google Patents
露光方法および露光装置Info
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Abstract
補正し、歩留まりの向上を図る。 【解決手段】前記露光光が照射されていない計測領域
の、前記光学系の光軸方向に関する位置分布を測定する
ステップ(S103)と、測定された位置分布を傾斜成
分と2次以上の成分とに分離するステップ(S104)
と、前記露光光が前記計測領域を照射する際、分離され
た傾斜成分に基づいて、被露光領域面の前記光学系の光
軸方向に関する位置を調整すると共に、分離された2次
以上の成分に基づいて、前記光学系の結像特性を補正す
るステップ(S107)とを含む。
Description
示装置等の製造において、特に、露光領域内のフォーカ
ス条件を最適な状態にて行うために適した露光方法、露
光装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
能とするものとして、レチクルとウエハとを相互に逆方
向に移動させて露光を行うスキャン露光方式の光露光装
置(以下、スキャン型露光装置と記す)が開発されてい
る。
御方法を図11を参照して説明する。これから露光しよ
うとするウエハ104の露光エリアをあらかじめ先読み
フォーカスセンサ112(112a,112b,112
c)を用いて、エリア内のウエハ104表面の凹凸形状
をモニタする。演算回路機構114は、モニタ結果か
ら、スリット方向、及び、スキャン方向に対して適切な
フォーカスと傾斜量を算出する。フォーカス&レベリン
グ制御部115により、ウエハステージZ軸駆動機構1
11によって、ウエハステージ105を傾けながらスキ
ャン露光を行い、フォーカスに対して傾斜成分である1
次の補正までが行われていた。なお、101はレチク
ル、102はレチクルステージ、103は投影レンズで
ある。
法をウエハ面に適用した例を示す。図12は、2次以上
の成分がないウエハに対して、従来の露光方法で露光を
行った場合の説明に用いる図である。また、図3は、2
次以上の成分を有するウエハに対して、従来の露光方法
で露光を行った場合の説明に用いる図である。
ス面(点線)との関係が、スキャン方向、及び、スリッ
ト方向に対して傾斜成分しかない場合(図12(a))
には、従来の傾斜補正(図12(b))によりウエハ面
をオートフォーカス面が合わせられる。その結果、図1
2(c)に示すようにフォーカス変動がなく露光するこ
とができた。
露光装置の収差を含めた影響により上記傾斜成分以外に
も湾曲成分等の2次以上の成分がどうしても存在するた
め(図3(a))、従来の傾斜補正(図3(c))だけ
では、図3(c)に示すようにフォーカス変動を押さえ
きることができなかった。
向については、上記従来法でもウエハの表面形状にそっ
て、スキャン中に細かく傾斜補正が繰り返される為、緩
やかな湾曲成分については補正することができた。しか
しながら、スリット方向の湾曲成分については、補正す
ることができないため、フォーカス変動の改善ができな
いという問題があり、フォーカスエラーによる歩留まり
の低下を引き起こしていた。
ャン露光装置で露光を行った場合、でスリット成分の湾
曲成分については補正することができないため、フォー
カス変動の改善ができないという問題があり、フォーカ
スエラーによる歩留まりの低下を引き起こしていたとい
う問題があった。
を補正し、歩留まりの向上を図り得る露光方法及び露光
装置を提供することにある。
成するために以下のように構成されている。
ルが露光光に対して移動するのに同期して、光学系を通
過した露光光に対してウエハが移動することにより、前
記ウエハ上の被露光領域を走査露光する露光方法におい
て、前記露光光が照射されていない計測領域の、前記光
学系の光軸方向に関する位置分布を測定するステップ
と、測定された位置分布を傾斜成分と2次以上の成分と
に分離するステップと、前記露光光が前記計測領域を照
射する際、分離された傾斜成分に基づいて、被露光領域
面の前記光学系の光軸方向に関する位置を調整すると共
に、分離された2次以上の成分に基づいて、前記光学系
の結像特性を補正するステップとを含むことを特徴とす
る。
ルが露光光に対して移動するのに同期して、光学系を通
過した露光光に対してウエハが移動することにより、前
記ウエハ上の被露光領域を走査露光する露光方法におい
て、前記露光光が照射されていない計測領域の、前記光
学系の光軸方向の位置分布を測定するステップと、測定
された計測領域の光軸方向の位置分布を、傾斜成分と2
次以上の成分とに分離するステップと、前記レチクル面
の前記光学系の光軸方向の位置分布を測定する測定ステ
ップと、測定されたレチクル面の光軸方向の位置を、傾
斜成分と2次以上の成分とに分離するステップと、前記
露光光が前記計測領域を照射する際、前記非露光領域面
及びレチクル面の傾斜成分に基づいて、前記ウエハの前
記光学系の光軸方向位置を調整すると共に、前記非露光
領域面及びレチクル面の2次以上の成分に基づいて、前
記光学系の結像特性、及び、前記レチクル面の位置の少
なくとも一方を調整するステップとを含むことを特徴と
する。
を参照して説明する。
けでは押さえることができないスリット方向の2次以上
の湾曲成分を投影レンズの収差補正機能を用いてレンズ
制御を行うことで補正できることに着目した。
スキャン露光装置の縮小投影型光露光装置の概略構成を
示す図である。
学系によりスリット状の矩形の照明領域により、レチク
ルステージ102上に載置されたレチクル101上のパ
ターンが照明され、そのパターンの像が投影レンズ10
3を介して、ウエハステージ105上のウエハ104上
に投影露光される。この露光の際、スリット状の照明領
域に対して、レチクル101がスキャン方向に一定速度
で走査させるのに同期して、ウエハ104がスキャン方
向に走査される。
が相互に逆方向に移動することによって、レチクル10
1の投影レンズ103側の面、つまりパターン面に形成
されている全パターン像が、投影レンズ103により所
定の倍率で縮小されて、ウエハ104上の露光面に投影
される。
トが塗られており、このレジストが、投影レンズ103
を介して投影された縮小パターン像により露光される。
レンズの光軸方向)に垂直なX軸方向、Y軸方向にそれ
ぞれ移動可能なレチクルステージ102上に搭載され
る。レチクルステージ102のX軸方向の移動、つまり
スキャン方向への移動はレチクルX軸駆動機構106に
よって、Y軸方向への移動はレチクルY軸駆動機構10
7によって、それぞれ行われる。
傾斜角の変更、並びに光束の光軸方向に垂直なX軸方
向、Y軸方向及び光束の光軸方向に平行なZ軸方向にそ
れぞれ移動可能なウエハステージ105上に搭載され
る。ウエハステージ105のX軸方向の移動、つまりス
キャン方向への移動はウエハステージX軸駆動機構10
9によって行われる。また、Y軸方向への移動はウエハ
ステージY軸駆動機構110によって行われる。Z軸方
向への移動及び露光面の光軸方向に対する傾斜角の変更
はウエハステージZ軸駆動機構111によって行われ
る。
a,112b,112c)は、これから露光しようとす
る露光エリア(計測領域)内のウエハ104表面の凹凸
形状をあらかじめモニタする。先読みフォーカスセンサ
112は、ウエハのこれから露光する領域の形状を捉え
るのに十分な数だけ計測領域内の複数の位置にそれぞれ
照明光を照射する照射器112aと、それぞれの反射光
を受光する受光器112bとを具備する。先読みフォー
カスセンサ112は、受光器112bが受光した各反射
光の信号から、計測領域の複数の位置におけるウエハの
露光面の高さ位置に関する情報、つまり光束の光軸方向
(Z軸方向)の位置を測定するウエハ形状モニタ機構1
12cを更に具備する。
補正するためのレンズ制御部113が設けられている。
センサ112からのデータから、1次成分の最小2乗平
面と、スリット方向について2次以上の最小2乗曲面と
を求める。そして、求められた2乗曲面から1次の最小
2乗平面成分を差し引きいた2次の湾曲成分と、2次平
面成分である1次の傾斜成分とを求める。
傾斜成分から、スリット方向及びスキャン方向に対して
適切なフォーカスとレベリング量とを演算し、フォーカ
ス&レベリング制御部115にこれを引き渡す。
曲成分を打ち消してフォーカス変動の一番すくない状態
を実現するのに所望となる投影レンズの収差調整量を求
めて、レンズ制御部113にこれを引き渡す。
フローチャートを参照しつつ説明する。
リット状の露光領域に露光光を照射すると共に、レチク
ル101及びウエハ104を移動させてスキャン露光を
開始する。
カスセンサ112を用いて、次露光エリアである計測領
域のウエハ形状データを取得する。
ンサ112で取得された計測領域のウエハ形状データか
ら、演算回路機構114は、ウエハ形状データをスリッ
ト方向及びスキャン方向について最小2乗平面と、スリ
ット方向についての最小2乗曲面とをそれぞれ求め、1
次の傾斜成分と2次以上の湾曲成分とを分離する。
は、分離された傾斜成分がZ軸に対して垂直となるよう
に、光学系の光軸方向と直交するために必要とされるウ
エハステージ105のレベリング量を求める。
離された湾曲成分を打ち消してフォーカス変動の一番少
ない状態を実現するのに所望となる投影レンズ103の
収差調整量を求める。ここで、投影レンズ103の像面
湾曲特性を調整し、ウエハ104の湾曲成分の値を打ち
消す方向に補正する。
に達したら、フォーカス&レベリング制御部115によ
り、演算された傾き調整量に基づいて、ウエハZ軸駆動
機構111を制御すると共に、演算された収差補正パラ
メータに基づいて、レンズ制御部113により投影レン
ズ103の像面湾曲特性の補正を行う。この時、必要に
応じて露光領域にきた際もフォーカスセンサー112は
その場所のウエハ形状データを取得し、リアルタイムに
露光前に得た補正データに対して、更に微調整が施され
ている。
湾曲成分を持った部分を露光する場合、図3(b)に示
したように傾斜補正のみが実施される。従って最終的に
は、図3(c)に示したようにフォーカス変動の主要部
分を占める湾曲成分については、補正することができな
いため、大きなフォーカス変動残差が残ってしまう。
114によって、従来の傾斜補正(図4(a))だけで
はなく、図4(b)に示したように2次以上の湾曲成分
データが形成され、スリット方向に対して、上記湾曲成
分を打ち消すために適切な収差補正量が決定される。そ
して、この求められた収差補正量を基に、レンズ制御部
113において投影レンズの収差の補正が実効され、図
4(c)に示したように湾曲成分についても適切な補正
がなされる。その結果、ウエハ面上での実効的なフォー
カス変動を大きく低減することができた。
置の残存の像面湾曲量についても考慮して、補正すべき
湾曲成分量やそれに相当する収差補正量を求めて補正を
実行すればよい高精度な補正が可能となる。
たように、従来では補正できなかった2次以上の湾曲成
分の補正が可能となり、露光領域内のフォーカスバラツ
キΔfを大幅に軽減することができた。これにより、従
来ではフォーカスバラツキが大きく使用できなかったウ
エハ周辺部のウエハ平坦度が悪い領域についてもフォー
カスを高精度に合わせることができることから、歩留ま
りの向上、生産コストの低減が実現できた。
ン型露光装置を想定しており、スリット方向の傾斜成分
及び湾曲成分についての補正を行ったが、スキャン方向
についても必要に応じて同様な補正をすることも可能で
ある。また、一括露光型の露光装置であれば、X方向及
びY方向の双方について収差補正をすれば効果的であ
り、同様な効果が得られる。
変位についても演算回路機構114に取り込まれて、最
終的なレンズ収差の補正量を決定しても良い。図5に、
スキャン露光時のレチクル形状の変位を測定可能な露光
装置の概略構成を示す。図5に示すように、レチクル平
坦度モニタ120(120a,120b,120c)に
より、スキャン時のレチクル形状の変位が測定される。
そして、測定結果が、演算回路機構114に取り込まれ
て、最終的な投影レンズ103の収差補正量が決定され
る。また、レチクルステージZ軸駆動機構108によ
り、レチクルステージ102を傾けて補正を行っても良
い。さらにレチクルの状態も含めた補正が可能であるこ
とから、図1に示した装置に比べ、さらに高精度の補正
が可能となっている点である。
101の露光領域内のレチクル形状を捉えるのに十分な
数だけ計測領域内の複数の位置にそれぞれ照明光を照射
する照射器120aと、それぞれの反射光を受光する受
光器120bとを具備する。この時に、露光領域内のセ
ンシング位置をレチクル上とウエハ上でそれぞれが対応
する位置をモニタするようにすることが望ましい。レチ
クル平坦度モニタ120は、受光器120bが受光した
各反射光の信号から、計測領域の複数の位置におけるレ
チクルの高さ位置に関する情報、つまり光束の光軸方向
(Z軸方向)の位置を測定するレチクル形状モニタ機構
120cを更に具備する。
の実施形態において説明した装置に対して、特にレチク
ルの形状歪によるフォーカス変動が大きい場合に有効な
手法として、レチクルのチェック板に微小上下動機構を
付加することで、ウエハ面上の実効的なフォーカス変動
を改善する手法を考案した。
いた。第1の実施形態との違いは、レチクル形状が大き
く歪でいる場合、上記収差補正では補正しきれない部分
が存在することである。図6には、上記歪みの大きいレ
チクルをチャックした際のレチクル形状を示した。図6
(a)に示したように、チャック後の形状がレチクルの
端の方で大きく変形しており、収差補正の許容範囲を超
えていた。図6(b)にはレチクル形状の歪みを第1の
実施形態の手法を適用して、傾斜補正、及び、収差補正
を用いた場合のフォーカス変動残差を示している。実線
は、ウエハの傾斜補正実施後として得られたレチクル形
状の歪みによるフォーカス変動残差を、点線は、傾斜補
正に対して、収差補正でできるだけ残差が少なくなるよ
うに調整した限界の補正量を示している。また、図6
(c)に、実線と点線のトータルとして、レチクルの歪
みを傾斜補正と収差補正した後のフォーカス変動残差を
示した。以上の結果から、レチクル形状が悪い場合、特
に、レチクルの端の部分で形状劣化が大きい場合には、
どうしても収差補正だけでは補正しきれない湾曲成分と
してΔfのフォーカス変動が残留してしまった。
PZT等の上下方向に微小変動が可能である変動機構を
設けた。微小上下動機構によって、収差補正だけでは補
正しきれなかったフォーカス変動の湾曲成分を補正し
た。
び、チャック下部に設置した微小上下動機構を示した。
図7(a)はレチクル及びチャックの構成を示す平面
図、図7(b)は図7(a)の矢印方向から見た側面
図、図7(c)はチャック及び微小上下動機構の構成を
示す平面図である。
ルステージ102に微小上下動機構131を介してチャ
ック132が搭載されている。図7(b),(c)に示
すように、各々チャック132下部に6個の微小上下動
機構131a〜131fが設置されている。
構によるフォーカス制御方法を図8,9に従って記載す
る。まず始めに、図5に示したレチクル平坦度モニタ1
20によりレチクル形状を観察しながら、上記記載の計
18個の微小上下動機構131を動かして、レチクル1
01の歪みが収差調整で補正可能な領域になるように調
整した。調整の結果、レチクルチャック後のレチクル1
01の面形状が図8(a)から図8(b)に示したよう
な収差補正で十分フォーカス変動が補正できる状態にな
った。
制御を行った。これから露光しようとするエリアのウエ
ハ形状(段差情報)を先読みフォーカスセンサ112に
より計測がなされる。計測されたデータは演算回路機構
114によって、1次の傾斜補正成分と2次以上の湾曲
成分とに分離される。その後、傾斜補正成分に応じて傾
斜補正がなされ(図9(a))、次に得られた2次以上
の湾曲成分データから、同じく演算回路機構114にお
いて、スリット方向に適切な収差補正量が決定される
(図9(b))。この求められた収差補正量を基にレン
ズ制御部113において投影レンズの収差補正を行い
(図9(c))、露光を実施した。
りの手法により、フォーカス&レベリング制御部115
により、ウエハステージZ軸駆動機構111により、露
光中にウエハステージ105の傾斜を制御し補正が行わ
れている。
ける微小上下動機構の数を6個にしたが、特に6個に限
定するものではない。また、レチクルチャック部以外の
場所でもレチクル表面形状の歪み特性を変えることがで
きる場所に設置すればよい。
示したように、従来では補正できなかった2次以上の湾
曲成分の補正が可能となり、露光領域内のフォーカスバ
ラツキΔfを大幅に軽減することができた。これによ
り、従来ではフォーカスバラツキが大きく使用できなか
ったウエハ周辺部のウエハ平坦度が悪い領域についても
フォーカスを高精度に合わせることができることから、
歩留まりの向上、生産コストの低減が実現できた。
第1及び第2の実施形態の手法をより効率的に行い、ス
ループットを向上させるための制御方法について以下に
記載する。第1及び第2の実施形態では、演算回路機構
114への負担が大きく、スループットを劣化させる要
因になっていた。
ついては、あらかじめ計測されたデータを蓄積してお
き、このデータを用いることを考案した。以下に詳細に
記載する。
て以下に説明する。
じめ露光するウエハについての形状データを取得する。
本実施形態においては、露光装置と同一のチャッキング
状態で平坦度の測定が可能なニコン製のウエハ平坦度測
定装置(NIWF−300)を用いてあらかじめウエハ
平坦度データを求める。尚、上記ウエハ平坦度測定装置
と露光装置が計測するウエハ平坦度データとの相関は十
分得られることを十分に確認したうえで実施している。
おくウエハ形状データは使用する露光装置と同一の構造
のチャック、及び、チャッキング条件で測定されている
ことが重要となる。異なった構造のチャックやチャッキ
ング状態で測定したデータを用いると、実際の露光にお
けるウエハ平坦度と相関が全く得られない場合があり、
返ってフォーカス変動を引き起こす要因となってしま
う。同一条件にそろえることができない場合でも、両者
の相関を十分に確認しその相関を考慮して計測データに
対して補正を加えて実施する必要がある。
み、スキャン露光がスタートする。
同時に、予め測定されているウエハ平坦度データを取得
し、各サイトの形状データを演算する。
タをスリット方向とスキャン方向の傾斜成分、及び、湾
曲成分に分離する。
光サイトについて、傾斜成分からレベリング量を決定す
ると共に、湾曲データから収差補正パラメータを決定す
る。
るレベリング量及び収差補正パラメータのデータに基づ
いて補正を行う。
目のウエハの露光中に次のウエハの露光に備えて、ステ
ップS203〜S205,S206は、あらかじめ露光
中に並列して計算処理がなされるようにしても良い。こ
のようにすることで、スループットの向上が図られる。
したように、従来の露光処理にくらべ、処理が増える分
を露光中に処理できることからスループットが低下する
ことなく、従来では補正できなかった2次以上の湾曲成
分の補正が可能となり、露光領域内のフォーカスバラツ
キΔfを大幅に軽減することができた。これにより、従
来ではフォーカスバラツキが大きく使用できなかったウ
エハ周辺部のウエハ平坦度が悪い領域についてもフォー
カスを高精度に合わせることができることから、歩留ま
りの向上、生産コストの低減が実現できる。
06は、露光処理とは別に独立した演算装置を利用する
ことも可能であり、また、あらかじめその演算結果をデ
ータベース上に保存しておき、露光装置は露光時に、そ
れらを呼び出して実行するだけにしておくと、演算処理
時間が短縮できるのでさらにスループットの向上を図る
ことが可能である。
測定しておくための装置としては、露光装置が検出する
ウエハ面形状と相関をもって十分検出できる計測装置で
あればよく、一般的な平坦度計測装置や露光装置のオー
トフォーカス機能を直接使用してもよい。
かじめデータを取得しておき、上記、ウエハ平坦度情報
と合わせて同様に処理することも、ここでは、詳細には
記載していないが当然可能である。
ン型露光装置を想定しており、スリット方向としたが、
スキャン方向についても必要に応じて同様な補正をする
ことも可能である。また、一括露光型の露光装置であれ
ば、X,Y双方について収差補正をすれば効果的であ
り、同様な効果が得られる。
れるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない
範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実
施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示され
る複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々
の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全
構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が
解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発
明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合に
は、この構成要件が削除された構成が発明として抽出さ
れ得る。
リット方向における2次以上の湾曲成分の補正が可能と
なり、露光領域内のフォーカスバラツキΔfを大幅に軽
減することができることから、フォーカスを高精度に合
わせることができ、歩留まりの向上を図ることができ
る。
示す図。
るフローチャートを示す図。
来の露光方法で露光を行った場合の説明に用いる図。
1の実施形態に係わる露光方法で露光を行った場合の説
明に用いる図。
示す図。
をチャックした際のレチクル形状を示した図。
ャック、及び、チャック下部に配置した微小上下動機構
を示す図。
の変形状態を示す図。
の説明に用いる図。
いるフローチャートを示す図。
図。
従来の露光方法で露光を行った場合の説明に用いる図。
Claims (10)
- 【請求項1】レチクルが露光光に対して移動するのに同
期して、光学系を通過した露光光に対してウエハが移動
することにより、前記ウエハ上の被露光領域を走査露光
する露光方法において、 前記露光光が照射されていない計測領域の、前記光学系
の光軸方向に関する位置分布を測定するステップと、 測定された位置分布を傾斜成分と2次以上の成分とに分
離するステップと、 前記露光光が前記計測領域を照射する際、分離された傾
斜成分に基づいて、被露光領域面の前記光学系の光軸方
向に関する位置を調整すると共に、分離された2次以上
の成分に基づいて、前記光学系の結像特性を補正するス
テップとを含むことを特徴とする露光方法。 - 【請求項2】レチクルが露光光に対して移動するのに同
期して、光学系を通過した露光光に対してウエハが移動
することにより、前記ウエハ上の被露光領域を走査露光
する露光方法において、 前記露光光が照射されていない計測領域の、前記光学系
の光軸方向の位置分布を測定するステップと、 測定された計測領域の光軸方向の位置分布を、傾斜成分
と2次以上の成分とに分離するステップと、 前記レチクル面の前記光学系の光軸方向の位置分布を測
定する測定ステップと、 測定されたレチクル面の光軸方向の位置を、傾斜成分と
2次以上の成分とに分離するステップと、 前記露光光が前記計測領域を照射する際、前記被露光領
域面及びレチクル面の傾斜成分に基づいて、前記ウエハ
の前記光学系の光軸方向位置を調整すると共に、前記被
露光領域面及びレチクル面の2次以上の成分に基づい
て、前記光学系の結像特性、及び、前記レチクル面の位
置の少なくとも一方を調整するステップとを含むことを
特徴とする露光方法。 - 【請求項3】結像特性として像面湾曲特性を調整するこ
とを特徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。 - 【請求項4】前記結像特性は、前記ウエハ上に投影する
際に、前記被露光領域面の位置の2次以上の成分を打ち
消す方向に調整することを特徴とする請求項1又は2に
記載の露光方法。 - 【請求項5】前記計測領域の位置分布の測定は、前記ウ
エハに対して走査露光される前に予め行われることを特
徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。 - 【請求項6】請求項1〜5にの何れか1項に記載された
露光方法に基づいた半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】レチクルに形成されたパターン像をウエハ
上に投影する光学系と、 前記レチクルが搭載され、前記光学系の光軸方向に対し
て垂直な方向に移動可能なレチクルステージと、 前記ウエハが搭載され、前記光学系の光軸方向および前
記光学系の光軸方向と垂直な方向に移動可能なウエハス
テージと、 前記ウエハ面の前記光学系の光軸方向の位置を測定する
ウエハ面位置測定手段と、 このウエハ面位置測定手段により得られた測定値を傾斜
成分と2次以上の成分に分離する演算機構と、 この演算機能により分離された傾斜成分に基づいて、前
記ウエハの前記光学系の光軸方向位置を調整する調整手
段と、 前記演算機能により分離された2次以上の成分に基づい
て、前記光学系の結像特性を補正する手段とを具備する
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項8】レチクルに形成されたパターン像をウエハ
上に投影する光学系と、 前記レチクルが搭載され、前記光学系の光軸方向および
前記光軸方向と垂直な方向に移動可能なレチクルステー
ジと、 前記ウエハが搭載され、前記光学系の光軸方向および前
記光学系の光軸方向と垂直な方向に移動可能なウエハス
テージと、 前記ウエハ面の前記光学系の光軸方向の位置を測定する
ウエハ面位置測定手段と、 前記レチクル面の前記光学系の光軸方向の位置を測定す
るレチクル面位置測定手段と、 このウエハ面位置測定手段、及び、レチクル面位置測定
手段の双方から得られた測定値を傾斜成分と2次以上の
成分に分離する演算機構と、 前記傾斜成分にもとづいて、前記ウエハの前記光学系の
光軸方向位置を調整する調整手段と、 前記2次以上の成分に基づいて、前記光学系の結像特
性、及び、前記レチクルステージ上に配置された微小上
下動機構の少なくとも一方を補正する補正手段とを具備
することを特徴とする露光装置。 - 【請求項9】前記補正手段は、像面湾曲特性を補正する
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。 - 【請求項10】前記補正手段は、前記ウエハ上に投影す
る際に、前記ウエハの前記光学系の光軸方向位置を前記
2次以上の成分の値を打ち消す方向に補正することを特
徴とする請求項7又は8に記載の露光装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031169A (ja) * | 2007-07-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 位置検出装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
US7535551B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Projection lens unit with focus and level control, related exposure apparatus and method |
JP2010129567A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010187002A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系 |
JP2011192987A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4833211B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-12-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ |
JP2013135215A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP5278719B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2013-09-04 | 株式会社ニコン | 計測方法及び露光方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3780221B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-05-31 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
JP4174324B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2008-10-29 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
JP2004296939A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Toshiba Corp | 位置歪み補正装置、露光システム、露光方法及び位置歪み補正プログラム |
JP4125177B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
TW201806001A (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
EP1513012B1 (en) * | 2003-09-05 | 2008-02-20 | ASML MaskTools B.V. | Method and apparatus for performing model based placement of phase-balanced scattering bars for sub-wavelength optical lithography |
JP4684563B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2011-05-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び方法 |
US7474384B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-01-06 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus |
US7221434B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
US7525638B2 (en) * | 2005-03-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8194242B2 (en) * | 2005-07-29 | 2012-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
JP2007048794A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ投影装置 |
US20070165131A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-07-19 | Ess Technology, Inc. | System and method for measuring tilt of a sensor die with respect to the optical axis of a lens in a camera module |
KR100711003B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-04-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 노광 장치용 웨이퍼 스테이지의 경사 조정 장치 및 그 조정방법 |
US7894038B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, lithographic apparatus, and a computer program |
US7924405B2 (en) * | 2007-07-27 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Compensation of reticle flatness on focus deviation in optical lithography |
DE102010041556A1 (de) | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Abbildung |
DE102010041562A1 (de) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung |
NL2008083A (nl) * | 2011-03-02 | 2012-09-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
US9389520B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-07-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for lithography with leveling sensor |
WO2015162147A1 (en) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Liteq B.V. | Photolithography apparatus comprising projection system for control of image size |
CN105185703B (zh) * | 2014-06-18 | 2019-09-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆边缘找平的方法 |
TWI782698B (zh) * | 2016-03-30 | 2022-11-01 | 日商尼康股份有限公司 | 圖案描繪裝置、圖案描繪方法、以及元件製造方法 |
US10664714B2 (en) * | 2016-12-21 | 2020-05-26 | Rudolph Technologies, Inc. | Substrate handling and identification mechanism |
JP7137363B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-09-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、物品の製造方法及び計測方法 |
CN111060294B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-04-12 | 茂莱(南京)仪器有限公司 | 一种荧光显微物镜综合测试平台 |
KR20220078755A (ko) | 2020-12-03 | 2022-06-13 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정 방법, 오버레이 보정에 대한 평가 방법 및 오버레이 보정 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3374991B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影光学系の調整方法、露光方法、及び露光装置 |
US6333776B1 (en) * | 1994-03-29 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3261960B2 (ja) | 1995-12-15 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JPH09180989A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 露光装置および露光方法 |
JP3495868B2 (ja) | 1996-12-11 | 2004-02-09 | キヤノン株式会社 | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3728613B2 (ja) | 1996-12-06 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
US6549271B2 (en) * | 1997-01-28 | 2003-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
US6522386B1 (en) * | 1997-07-24 | 2003-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element |
JP2001168000A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001338169A patent/JP4191923B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-30 US US10/283,252 patent/US6813001B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2002-11-04 CN CNB021461953A patent/CN1282040C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9217932B2 (en) | 2004-08-06 | 2015-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective for microlithography |
US9568838B2 (en) | 2004-08-06 | 2017-02-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective for microlithography |
US8212988B2 (en) | 2004-08-06 | 2012-07-03 | Carl Zeiss GmbH | Projection objective for microlithography |
JP4833211B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-12-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ |
US8102509B2 (en) | 2004-09-02 | 2012-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Focus and level control method for projection lens unit by comparing intensities of measurement light and reference light |
US7535551B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Projection lens unit with focus and level control, related exposure apparatus and method |
JP5278719B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2013-09-04 | 株式会社ニコン | 計測方法及び露光方法 |
JP2009031169A (ja) * | 2007-07-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 位置検出装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2010129567A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US9678440B2 (en) | 2009-02-12 | 2017-06-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
JP2016164675A (ja) * | 2009-02-12 | 2016-09-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系 |
JP2010187002A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系 |
US8873022B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-10-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
US9036129B2 (en) | 2009-02-12 | 2015-05-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
JP2011192987A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US8755030B2 (en) | 2010-03-11 | 2014-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2013135215A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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