NL1021816C2

NL1021816C2 - Belichtingswerkwijze en belichtingsinrichting.

Info

Publication number: NL1021816C2
Application number: NL1021816A
Authority: NL
Inventors: Masafumi Asano; Tatsuhiko Higashiki; Tadahito Fujisawa
Original assignee: Toshiba Kk
Priority date: 2001-11-02
Filing date: 2002-11-01
Publication date: 2003-10-14
Also published as: US6813001B2; KR100512838B1; TW588410B; KR20030036084A; NL1021816A1; TW200300269A; US20030090640A1; CN1282040C; CN1416019A; JP4191923B2; JP2003142373A

Description

Korte aanduiding: Belichtingswerkwijze en belichtingsinrichting.

BESCHRIJVING

ACHTERGROND VAN DE UITVINDING 5 1. Gebied van de uitvinding

De onderhavige uitvinding heeft in het bijzonder betrekking op een belichtingswerkwijze welke geschikt wordt uitgevoerd onder optimale scherpstel1ingsvoorwaarden, een belichtingsinrichting, en een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bij de 10 vervaardiging van halfgeleiderelementen, vloeibaarkristalweergeef- inrichtingen en dergelijke.

2. Beschrijving van de stand van de techniek Als een inrichting geschikt voor het verminderen van de diameter van een projectielens en dergelijke, is recent een 15 bel ichtingsinrichting ontworpen gebaseerd op een aftastbelichtingsplan ontwikkeld (hierna een bel ichtingsaftastinrichting genoemd) voor het uitvoeren van belichting door een reticule en een halfgeleiderwafel in tegenovergestelde richtingen te verplaatsen.

Onder verwijzing naar figuur 11 zal een 20 scherpstel1ingsstuurwerkwijze in een aftastbelichtingsinrichting worden beschreven. De oneffen vorm van het oppervlak van de te belichten halfgeleiderwafel 104 in een belichtingsgebied van de halfgeleiderwafel 104 wordt vooraf geobserveerd door een voorwaarts kijkende scherpstellingssensor 112 (112a, 112b en 112c). Een rekenschakelings-25 mechanisme 114 berekent een juist scherpstellingsvlak en de mate van helling in de sleuf en aftastrichtingen uit het geobserveerde resultaat. Op gebruikelijke wijze wordt de aftastbelichting uitgevoerd terwijl een halfgeleiderwafeltrap 105 hellend wordt geplaatst door een Z-as aandrijfmechanisme 111 van een halfgeleiderwafeltrap gebaseerd op het 30 berekende scherpstellingsvlak en de mate van helling. Dat wil zeggen, de helling van de halfgeleiderwafel met betrekking tot het 1 l· ' - ψ 2 scherpstellingsvlak wordt gecorrigeerd. Verwijzend naar figuur 11, verwijzingscijfer 101 geeft een reticule aan; 102 een reticule-trap; en 103 een projectielens.

De figuren 12A tot en met 12C en 3A tot en met 3C tonen 5 gevallen waarin de bovengenoemde scherpstel1ingsstuurwerkwijze wordt toegepast op halfgeleiderwafeloppervlakken. De figuren 12A tot en met 12C zijn aanzichten voor het uiteenzetten van een geval waarin een hal fgel eiderwafel zonder tweede- of hogere-ordecomponent wordt belicht onder toepassing van een gebruikelijke belichtingswerkwijze. De figuren 10 3A tot en met 3C zijn aanzichten voor het uiteenzetten van een geval waarin een halfgeleiderwafel met een tweede- of hogere-ordecomponent wordt belicht onder toepassing van de gebruikelijk belichtingswerkwijze.

Met betrekking tot de relatie tussen een halfgeleiderwafeloppervlak (getrokken lijn) en het scherpstellingsvlak 15 (gestreepte lijn) van de inrichting geldt, dat wanneer er slechts een eerste-ordecomponent in de aftast- en sleufrichtingen (figuur 12A) is, het halfgeleiderwafelvlak wordt opgelijnd met het scherpstellingsvlak middels gebruikelijke correctie (figuur 12B). Als resultaat hiervan, zoals getoond in figuur 12C, wordt de belichting uitgevoerd terwijl het 20 halfgeleideroppervlak onveranderd blijft ten opzichte van het scherpstellingsvlak.

In de praktijk echter, zoals getoond in figuur 3A, bestaat er onvermijdelijk een tweede- of hogere-ordecomponent, anders dan een eerste-ordecomponent, als gevolg van de invloeden van de vlakheid van een 25 halfgeleiderwafel en aberratie van de belichtingsinrichting. Zoals getoond in figuur 3C, kunnen scherpstel!ingsvariaties door gebruikelijke correctie in figuur 3B onvoldoende bevredigend worden onderdrukt.

Deze invloed op een licht gekromd oppervlak kan in de aftastrichting waarin de sleufbreedte klein is worden gecorrigeerd, omdat 30 in de gebruikelijke werkwijze ook de correctie verfijnd wordt herhaald in een aftastbewerking langs de vorm van het oppervlak van de 3 hal fgel eiderwafel. De invloed van het gekromde deel in de sleufrichting kan echter niet worden gecorrigeerd en bijgevolg kunnen scherpstellingsvariaties niet worden verbeterd. Dit veroorzaakt een vermindering in de opbrengst als gevolg van een scherpstellingsfout.

5 KORTE SAMENVATTING VAN DE UITVINDING

(1) Overeenkomstig een aspect van de onderhavige uitvinding is een belichtingswerkwijze voor het uitvoeren van aftastbelichting op een belichtingsoppervlak op een wafel verschaft door het verplaatsen van de wafel met betrekking tot het belichtingslicht dat een optisch stelsel 10 doorloopt synchroon met de verplaatsing van een reticule ten opzichte van het belichtingslicht, omvattende het: meten van een positieverdeling in een optische asrichting van het optische stelsel, op een meetgebiedoppervlak van de wafel dat niet met het belichtingslicht wordt bestraald; 15 berekenen van een hel 1 ingscomponent en een krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak gebaseerd op de gemeten positieverdeling; verwerven van een mate van helling waarmee het meetgebiedoppervlak orthogonaal moet worden gemaakt ten opzichte van de 20 optische asrichting, gebaseerd op de hel 1 ingscomponent; verwerven van een mate van aanpassing voor een beeldkarakteristiek van het optische stelsel gebaseerd op de krommingscomponent; en bestralen van het meetgebied met het belichtingslicht 25 gebaseerd op de verkregen mate van helling en mate van aanpassing terwijl het meetgebiedoppervlak en de beeldkarakteristiek worden aangepast.

(2) Overeenkomstig een verder aspect van de onderhavige uitvinding is een belichtingswerkwijze verschaft voor het uitvoeren van aftastbelichting op een belichtingsgebied op een wafel, door het 30 verplaatsen van de wafel met betrekking tot het belichtingslicht dat een optisch stelsel doorloopt synchroon met de verplaatsing van een reticule 4 ten opzichte van het belichtingslicht, omvattende het: meten van een positieverdeling in een optische asrichting van het optische stelsel, op een meetgebiedoppervlak van de wafel dat niet met het belichtingslicht wordt bestraald; 5 berekenen van een hel 1ingscomponent en een krommingscomponent van het wafel oppervlak gebaseerd op de positieverdeling op het wafel oppervlak; meten van een positieverdeling in de optische asrichting op een reticule-oppervlak van de reticule dat aan de optische stelselzijde 10 is gelegen; berekenen van een heilingscomponent en een krommingscomponent van het reticule-oppervlak gebaseerd op de positieverdeling op het reticule-oppervlak; verwerven van een mate van helling waarmee het 15 meetgebiedoppervlak orthogonaal moet worden gemaakt ten opzichte van de optische as, gebaseerd op de hel 1ingscomponent van het meetgebiedoppervlak; verwerven van ten minste één mate van aanpassing voor een beeldkarakteristiek van het optische stelsel en de positie van het 20 reticule-oppervlak gebaseerd op krommingscomponenten van het meetgebiedoppervlak en het reticule-oppervlak; en bestralen van het meetgebiedoppervlak met het belichtingslicht gebaseerd op de mate van helling en de mate van aanpassing terwijl het meetgebiedoppervlak en ten minste één van de 25 beeldkarakteristiek en de positie van het reticule-oppervlak worden aangepast.

(3) Overeenkomstig een weer verder aspect van de onderhavige uitvinding is een belichtingsinrichting verschaft omvattende: een optisch stelsel dat een, op een reticule gevormd 30 patroonbeeld op een wafel projecteert; een reticule-trap waarop de reticule is geplaatst en die 1 n O " r.

5 kan worden verplaatst in een richting loodrecht op een optische asrichting van het optische stelsel; een wafeltrap waarop de wafel wordt geplaatst en die in de optische asrichting van het optische stelsel en in een richting loodrecht 5 op de optische asrichting kan worden verplaatst; wafeloppervlakpositiemeetmiddelen ingericht voor het meten van een positie op het wafel oppervlak in de optische asrichting in het optische stelsel; een berekeningsmechani sme dat een hellingscomponent en een 10 krommingscomponent van het wafel oppervlak berekent gebaseerd op de door de wafeloppervlakpositiemeetmiddel en verkregen meetwaarden; aanpassingsmiddelen ingericht om een positie van de wafel in de optische asrichting van het optische stelsel gebaseerd op de hellingscomponent aan te passen; en 15 correctiemiddelen ingericht om een beeldkarakteristiek van het optische stelsel gebaseerd op de krommingscomponent te corrigeren.

(4) Overeenkomstig een nog weer verder aspect van de onderhavige uitvinding is een belichtingsinrichting verschaft omvattende: een optisch stelsel dat een, op een reticule gevormd 20 patroonbeeld op een wafel projecteert; een reticule-trap die in een optische asrichting van het optische stelsel en een richting loodrecht op de optische asrichting kan worden verplaatst; een verticaal verplaatsingsmechanisme dat op de reticule-25 trap is gemonteerd en een positieverdeling van de reticule in de optische asrichting van het optische stelsel verandert; een wafeltrap waarop de wafel is geplaatst en die in de optische asrichting van het optische stelsel en in een richting loodrecht op de optische asrichting van het optische stelsel kan worden verplaatst; 30 wafeloppervlakpositiemeetmiddel en ingericht voor het meten van een positie van een meetgebiedoppervlak van de wafel in de optische 6 asrichting van het optische stelsel; reticule-oppervlakpositiemeetmiddelen ingericht voor het meten van een positie van het reticule-oppervlak gelegen aan de optische stelselzijde in de optische asrichting; 5 een eerste berekeningsmechanisme dat een hel 1ingscomponent en een krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak berekent gebaseerd op het door de wafeloppervlakpositiemeetmiddelen verkregen meetresultaat; een tweede berekeningsmechanisme dat een krommingscomponent van het reticule-oppervlak berekent gebaseerd op het door de 10 wafeloppervlakpositiemeetmiddelen verkregen meetresultaat; aanpassingsmiddelen ingericht voor het aanpassen van een positie van de wafel in de optische asrichting van het optische stelsel gebaseerd op de door het eerste berekeningsmechanisme berekende hel 1ingscomponent; en 15 correctiemiddelen ingericht voor het corrigeren van ten minste één van een beeldkarakteristiek van het optische stelsel en een positieverdeling op het reticule-oppervlak in de optische asrichting gebaseerd op de door de eerste en tweede berekeningsmechanismen berekende krommi ngscomponent.

20 KORTE BESCHRIJVING VAN DE VERSCHILLENDE FIGUREN VAN DE

TEKENING

Figuur 1 is een aanzicht dat de schematische rangschikking van een belichtingsinrichting volgens de eerste uitvoeringsvorm toont; figuur 2 is een stroomschema voor het uiteenzetten van een 25 belichtingswerkwijze volgens de eerste uitvoeringsvorm; figuren 3A t/m 3C zijn aanzichten voor het uiteenzetten van een geval waarin een halfgeleiderwafel met een krommingscomponent door een gebruikelijke belichtingswerkwijze wordt belicht; figuren 4A t/m 4C zijn aanzichten voor het uiteenzetten van 30 een geval waarin een halfgeleiderwafel met een krommingscomponent door een belichtingswerkwijze volgens de eerste uitvoeringsvorm wordt belicht; 7 figuur 5 is een aanzicht dat de schematische rangschikking van een belichtingsinrichting volgens de eerste uitvoeringsvorm toont; figuren 6A t/m 6C zijn aanzichten die de vorm van een reticule tonen met een grote vervorming wanneer deze volgens de tweede 5 uitvoeringsvorm is opgespannen; figuren 7A t/m 7C zijn aanzichten die een reticule-trap, opspanmiddelen en een fijn verticaal verplaatsingsmechanisme tonen aangebracht op het onderste deel van elk opspanorgaan volgens de tweede uitvoeringsvorm; 10 figuren 8A en 8B zijn aanzichten die tonen hoe een reticule wordt vervormd door de fijne verticale verplaatsingsmechanismen op het onderste deel van elk opspanorgaan; figuren 9A t/m 9C zijn aanzichten voor het uiteenzetten van een belichtingswerkwijze onder toepassing van de fijne verticale 15 verplaatsingsmechanismen op het onderste deel van elk opspanorgaan; figuur 10 is een stroomschema voor het uiteenzetten van een belichtingswerkwijze volgens de derde uitvoeringsvorm; figuur 11 is een aanzicht dat de schematische rangschikking van een gebruikelijke aftastbelichtingsinrichting toont; en 20 figuren 12A t/m 12C zijn aanzichten voor het uiteenzetten van een geval waarin een halfgeleiderwafel zonder krommingscomponent door de gebruikelijke belichtingswerkwijze wordt belicht.

GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING VAN DE UITVINDING De uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding zullen 25 onderstaand worden beschreven onder verwijzing naar de verschillende figuren van de bijgesloten tekening.

(Eerste uitvoeringsvorm)

De onderhavige uitvinding besteedt aandacht aan het feit dat een krommi ngscomponent in de sleufrichting, die niet door 30 hel 1ingscorrectie alleen kan worden onderdrukt, gecorrigeerd kan worden door lenssturing onder toepassing van de aberratie-correctiefunctie van 1 Γ. 9 : ·. ’ 'Λ 8 een projectielens.

Figuur 1 is een aanzicht dat de schematische rangschikking van een optische reductieprojectiebelichtingsinrichting toont, hetgeen een aftastbelichtingsinrichting overeenkomstig de eerste uitvoeringsvorm 5 van de onderhavige uitvinding is.

Zoals getoond in figuur 1, wordt een patroon op een reticule 101, geplaatst op een reticule-trap 102, belicht met een sleufachtig rechthoekig belichtingsgebied middels een optisch bel ichtingsstelsel (niet getoond). Het patroonbeeld wordt via een 10 projectielens 103 geprojecteerd/belicht op een halfgeleiderwafel 104 op de halfgeleiderwafeltrap 105. In deze belichtingsbewerking wordt de halfgeleiderwafel 104 in de aftastrichting afgetast met betrekking tot het sleufachtige belichtingsgebied, synchroon met het met constante snelheid in de aftastrichting aftasten van de reticule 101.

15 Tegelijkertijd, wanneer de reticule 101 en de halfgeleiderwafel 104 in tegenovergestelde richtingen bewegen, wordt het volledige patroonbeeld gevormd op het oppervlak van de reticule 101 gelegen aan de zijde van de projectielens 103, dat wil zeggen het patroonoppervlak, op het belichtingsoppervlak op de halfgeleiderwafel 104 20 geprojecteerd, na met een vooraf bepaalde vergroting door de projectielens 103 te zijn gereduceerd.

Het belichtingsoppervlak op de halfgeleiderwafel 104 is met een fotoresistent bekleed. Het via de projectielens 103 geprojecteerde gereduceerde patroon wordt op deze fotoresistent belicht.

25 De reticule 101 is op de reticule-trap 102 geplaatst welke in de X-asrichting loodrecht ten opzichte van de optische asrichting van een lichtbundel (de optische asrichting van de projectielens) en de Y-asrichting kan bewegen. De reticule-trap 102 wordt in de X-asrichting verplaatst, dat wil zeggen de aftastrichting, door middel van een 30 reticule-trap-X-as-aandrijfmechanisme 106. De reticule-trap 102 wordt in de Y-asrichting verplaatst door een reticule-trap-Y-as-aandrijfmechanisme 9 107.

De halfgeleiderwafel 104 is op de halfgeleiderwafeltrap 105 geplaatst. De halfgeleiderwafeltrap 105 kan zijn hellingshoek veranderen ten opzichte van de optische as van een lichtbundel. De 5 halfgeleiderwafeltrap 105 kan ook in de X- en Y-asrichtingen loodrecht op de optische asrichting van een lichtbundel en de Z-asrichting evenwijdig aan de optische asrichting van een lichtbundel bewegen. De halfgeleiderwafeltrap 105 wordt in de X-asrichting (aftastrichting) verplaatst door een halfgeleiderwafeltrap-X-as-aandrijfmechanisme 109. De 10 halfgeleiderwafeltrap 105 wordt in de Y-asrichting (sleufrichting) verplaatst door een halfgeleiderwafeltrap-Y-as-aandrijfmechanisme 110. Verplaatsing van de halfgeleiderwafeltrap 105 in de Z-asrichting en een verandering in de hellingshoek van het belichtingsoppervlak worden uitgevoerd door een halfgeleiderwafeltrap-Z-as-aandrijfmechanisme 111.

15 Een voorwaarts kijkende sensor 112 (112a, 112b en 112c) observeert vooraf de oneffen vorm van het oppervlak van de halfgeleiderwafel 104 in het te belichten belichtingsgebied (meetgebied). De voorwaarts kijkende scherpstellingssensor 112 omvat stralers 112a voor het op een veelheid van posities in een meetgebiedoppervlak uitzenden van 20 belichtingslicht, qua aantal voldoende voor het opnemen van een halfgeleiderwafelvorm in het te belichten gebied en lichtontvangeenheden 112b welke gereflecteerde lichtbundels ontvangen. De voorwaarts kijkende scherpstellingssensor 112 omvat verder een hal fgel eiderwafelvorm-observeringsmechanisme 112c voor het meten van informatie omtrent de 25 hoogteposities van het belichtingsoppervlak van de halfgeleiderwafel op een veelheid van posities op het meetgebiedoppervl ak, dat wil zeggen de posities van het belichtingsoppervlak in de optische asrichting van de lichtbundel (Z-asrichting) uit signalen welke de respectieve, door de lichtontvangeenheden 112b ontvangen gereflecteerde lichtbundels 30 representeren.

De projectielens 103 wordt gevormd door een veelheid van 10 lenselementen. Sommige van de veelheid van lenselementen worden fijn aangedreven in de optische asrichting en de heilingsrichting door middel van aandrijfelementen (bijvoorbeeld piëzo-elektrische elementen) (niet getoond). De aandrijfspanning (mate van aandrijving) van elk 5 aandrijfelement wordt door een lensstuureenheid 113 gestuurd. De beeldkarakteristieken, bijvoorbeeld de kromming van het veld, distorsie en versterking van de projectielens 103 worden gecorrigeerd in overeenstemming met de mate van aandrijving van elk aandrijfelement.

Een rekenschakel ingsmechanisme 114 berekent het kleinste-10 kwadratenvlakoppervlak van het meetgebiedoppervlak door kleinste- kwadratenbenadering van de data van de voorwaarts kijkende scherpstellingssensor 112, middels een eerste-ordefunctie. Het rekenschakelingsmechanisme 114 berekent het kleinste-kwadraten krommingsoppervlak van het meetgebiedoppervlak door kleinste-15 kwadratenbenadering van de data van de vooruitkijk scherpstel 1 ingssensor 112 middels een tweede- of hogere-ordefunctie.

De eerste-ordetermcoëfficiënt van het kleinste-kwadratenvlakoppervlak wordt verkregen als een hellingscomponent. De 0de-orde (constante term) van het kleinste-kwadratenvlakoppervlak wordt 20 verkregen als een offset op de scherpstel1ingspositie. De tweede- of hoger-ordetermcoëfficiënt van het kleinste-kwadratenkrommingsoppervlak wordt verkregen als een krommingscomponent.

Het rekenschakelingsmechanisme 114 berekent een mate van scherpstel1ing en helling in de sleuf en aftastrichtingen uit de 25 verkregen hellingscomponent en draagt deze over aan een scherpstel1i ngs&hel1ingstuureenheid 115.

Het rekenschakelingsmechanisme 114 verwerft een mate van aberratieaanpassing voor de projectielens welke vereist is voor het opheffen van de verworven krommingscomponent en realiseert een toestand 30 waarin de scherpstellingsvariatie is geminimaliseerd en draagt deze over aan de lensstuureenheid 113. Merk op dat het rekenschakelingsmechanisme 11 114 ten minste de krommingscomponent in de sleufrichting kan opheffen zonder opheffing van de krommingscomponent in de aftastrichting.

Een belichtingsstuurwerkwijze zoals toegepast bij deze belichtingsinrichting zal worden beschreven onder verwijzing naar het 5 stroomschema van figuur 2.

(Stap S101)

Een sleufachtig belichtingsgebied op een reticule wordt bestraald met belichtingslicht en tegelijkertijd worden de reticule 101 en de halfgeleiderwafel 104 verplaatst voor het starten van de 10 belichtingsaftasting.

(Stap S102)

Als eerste worden halfgeleiderwafelvormdata verworven van een meetgebiedoppervlak dat een belichtingsoppervlak is door toepassing van de vooruitkijk scherpstel 1 ingssensor 112.

15 (Stap S103)

Het rekenschakelingsmechanisme 114 verwerft het kleinste-kwadratenvlakoppervlak en het kleinste-kwadratenkrommingsoppervlak van het meetgebiedoppervlak gebaseerd op de halfgeleiderwafelvormdata van het meetgebiedoppervlak verworven door de voorwaarts kijkende 20 scherpstel1ingssensor 112. Het rekenschakelingsmechanisme 114 berekent dan de hel lings- en krommingscomponenten van het meetgebiedoppervlak uit het kleinste-kwadratenvlakoppervlak en het kleinste-kwadratenkrommingsoppervlak.

Het kleinste-kwadratenvlakoppervlak wordt verworven door 25 kleinste-kwadraten benadering van de halfgeleiderwafelvormdata van het meetgebiedoppervlak middels een eerste-ordefunctie. Het kleinste-kwadratenkrommingsoppervlak wordt verkregen door kleinste-kwadratenbenadering van de halfgeleiderwafelvormdata van het meetgebiedoppervlak middels een multi-ordefunctie.

30 Merk op dat het meetgebiedoppervlak kan worden benaderd met een tweede- of hogere-ordefunctie, en de eerste-ordetermcoëfficiënt en

' ; ' P ! B

12 tweede- of hogere-ordetermcoëfficiënt van de benaderingsfunctie kunnen respectievelijk worden gebruikt als een hel 1 ingscomponent en krommi ngscomponent.

(Stap S104) 5 Het rekenschakelingsmechanisme 114 verwerft de mate van helling van de halfgeleiderwafeltrap 105 welke nodig is opdat de afzonderlijke hel 1ingscomponent orthogonaal wordt met de optische asrichting van het optische stelsel, teneinde loodrecht te zijn op de Z-as.

10 (Stap S1Q5)

Het rekenschakelingsmechanisme 114 verwerft een mate van aberratieaanpassing voor de projectielens 103 welke vereist is voor het opheffen van de berekende krommingscomponent en realiseert een toestand waarin de scherpste!lingsvariatie is geminimaliseerd. In dit geval worden 15 de veldkrommingskarakteristieken van de projectielens 103 aangepast en gecorrigeerd in een richting waarin de waarde van de krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak van de halfgeleiderwafel 104 is opgeheven. De krommingscomponent kan in de sleufrichting worden gecorrigeerd.

(Stap S106) 20 Wanneer het meetgebiedoppervlak het te belichten oppervlak bereikt, stuurt de scherpstellings&hellingsstuureenheid 115 het Z-as-aandrijfmechanisme 111 van de halfgeleiderwafeltrap gebaseerd op de berekende mate van helling en corrigeert de lensstuureenheid 113 de veldkrommingseigenschappen van de projectielens 103 gebaseerd op de 25 berekende mate van aberratieaanpassing. Vervolgens wordt de belichting uitgevoerd.

Tegelijkertijd verwerft de scherpste!lingssensor 112 halfgeleiderwafelvormdata van het belichtingsgebied. De correctiedata worden verworven voordat de belichting verder fijn wordt aangepast 30 gebaseerd op de verworven data.

Overeenkomstig de gebruikelijke correct!ewerkwijze, wanneer

' G

13 een deel met een krommingscomponent moet worden belicht, wordt alleen hel 1ingscorrectie uitgevoerd zoals die, zoals getoond in figuur 3B. Omdat een krommingscomponent welke het hoofddeel van de scherpstel1ingsvariatie in beslag neemt niet kan worden gecorrigeerd, blijft uiteindelijk een 5 groot scherpstel1ingsvariatieresidu over, zoals getoond in figuur 3C.

In tegenstelling hiermee, overeenkomstig deze uitvoeringsvorm, berekent het rekenschakel ingsmechanisme 114 een krommingscomponent zoals getoond in figuur 4B en voert gebruikelijke heilingscorrectie uit (figuur 4A). Een mate van aberratieaanpassing 10 geschikt voor het opheffen van de krommingscomponent in de sleufrichting wordt bepaald gebaseerd op de krommingscomponent. De lensstuureenheid 113 voert dan de aberratiecorrectie van de projectielens uit gebaseerd op deze verkregen mate van aberratieaanpassing. Als resultaat, zoals getoond in figuur 4C, is de krommingscomponent eveneens geschikt gecorrigeerd. 15 Dit maakt het mogelijk om de effectieve scherpstel1ingsvariatie op het halfgel eiderwafeloppervlak grotendeels te reduceren.

Bovendien kan correctie met een hogere precisie worden gemaakt, wanneer deze wordt uitgevoerd door het verwerven van de te corrigeren mate van de krommingscomponent en een corresponderende mate 20 van aberratieaanpassing, niet alleen rekening houdende met de vorm van de halfgeleiderwafel maar ook met de mate van het veldkrommingsresidu van de bel i chti ngsi nri chti ng.

Door het toepassen van de bovenstaande werkwijze, zoals getoond in de figuren 4A t/m 4C, kan een tweede- of hogere-25 ordekrommingscomponent welke in de stand van de techniek niet kan worden gecorrigeerd nu wel worden gecorrigeerd, en kan een scherpstel1ingsvariatie Af in het belichtingsgebied grotendeels worden gereduceerd. Dit maakt het mogelijk om een accurate scherpstelling te verkrijgen op een gebied aan een omtreksdeel van een halfgeleiderwafel, 30 hetgeen niet kan worden gebruikt in de stand van de techniek vanwege een slechte halfgeleiderwafelvlakheid, waardoor bijgevolg een toename in de 14 opbrengst en een vermindering in de vervaardigingskosten worden bereikt.

Deze uitvoeringsvorm is gebaseerd op een aftastbelichtingsinrichting, waarbij hellings- en krommingscomponenten in de sleufri chti ng worden gecorrigeerd. Indien nodig kan echter ook een 5 soortgelijke correctie in de aftastrichting worden uitgevoerd. Bovendien, voor zover het een blokbelichtingsinrichting betreft, kan een effectieve werking worden uitgevoerd door aberratieaanpassing in zowel de X-richting als de Y-richting uit te voeren en kunnen dezelfde effecten zoals boven beschreven worden verkregen.

10 De verplaatsing van een reticule-vorm ten tijde van de aftastbelichting kan bovendien in het rekenschakelingsmechanisme 114 worden opgenomen voor het bepalen van een uiteindelijke lensaberratie. Figuur 5 toont de schematische opstelling van een beli chti ngsi nri chting geschikt voor het meten van de verplaatsing van een reticule-vorm ten 15 tijde van de aftastbelichting. Zoals getoond in figuur 5, meet een reticule-vlakheidsmonitor 120 (120a, 120b en 120c) de verplaatsing van een reticul e-vorm ten tijde van het aftasten. De reticule-vlakheidsmonitor 120 meet de vorm van een oppervlak van de reticule dat aan de optische stelselzijde is gelegen. Het meetresultaat wordt dan in 20 het rekenschakelingsmechanisme 114 geladen, dat op zijn beurt de hellings- en krommingscomponenten van het reticule-oppervlak berekent. Een uiteindelijke mate van aberratieaanpassing voor de projectielens 103 wordt uit de berekende hellings- en krommingscomponenten bepaald. Correctie kan worden uitgevoerd door de reticule-trap 102 te hellen onder 25 toepassing van een Z-as-aandrijfmechanisme 108 van de reticule-trap gebaseerd op de hel 1 ingscomponent. Bovendien, omdat correctie kan worden uitgevoerd omvattende de toestand van de reticule, kan een hogere precisiecorrectie worden uitgevoerd in vergelijking tot de in figuur 1 getoonde inrichting. Merk op dat, omdat de werkwijze van het berekenen 30 van de hellings- en krommingscomponenten van een reticule-oppervlak hetzelfde is als de werkwijze van het berekenen van de hellings- en -r /-ï ; , q 15 krommingscomponenten van een meetgebiedoppervlak, een beschrijving daarvan zal worden weggelaten.

De reticule-vlakheidsmonitor 120 omvat stralers 120a voor het uitzenden van belichtingslicht op een veelheid van posities in een 5 meetgebiedoppervlak in aantal voldoende voor het opnemen van een reticule-vorm in het stralingsgebied van de reticule 101, en licht-ontvangeenheden 120b welke gereflecteerde lichtbundels ontvangen. Tegelijkertijd verdient het de voorkeur om, als aftastposities in het belichtingsgebied, de posities op de reticule en de halfgeleiderwafels 10 welke met elkaar corresponderen te observeren. De reticule- vlakheidsmonitor 120 omvat verder een reticule-vorm-observeringsmechanisme 120c voor het meten van informatie omtrent de hoogteposities van de reticule op de veelheid van posities op het meetgebiedoppervlak, dat wil zeggen de posities in de optische asrichting 15 van een lichtbundel (Z-asrichting) uit signalen welke de, door de betreffende 1 ichtontvangeenheden 102 ontvangen gereflecteerde lichtbundels representeren.

(Tweede uitvoeringsvorm)

Als een effectieve werkwijze in het geval waarin een grote 20 scherpstellingsvariatie wordt veroorzaakt in de, in de eerste uitvoeringsvorm beschreven inrichting door de vervorming van een reticule-vorm, zal in het bijzonder een werkwijze voor het verbeteren van de effectieve scherpstellingsvariatie op een hal gel eiderwafeloppervlak door het aan een opspanorgaan voor een reticule toevoegen van kleine 25 verticale verplaatsingsmechanismen in het navolgende worden beschreven.

Een inrichting met de in figuur 5 getoonde opstelling wordt gebruikt. De tweede uitvoeringsvorm verschilt van de eerste uitvoeringsvorm daarin, dat indien een reticule-vorm grotendeels is vervormd, er een deel overblijft dat niet met de bovengenoemde aberratie-30 aanpassing kan worden gecorrigeerd. De figuren 6A t/m 6C tonen een reticule-vorm wanneer de bovengenoemde, grotendeels vervormde, reticule 16 is opgespannen. Zoals getoond in figuur 6A, nadat de reticule is opgespannen, is de vorm hiervan aan de einden van de reticule grotendeels vervormd. Deze vervorming overschrijdt het toelaatbare bereik van aberratieaanpassing. Figuur 6B toont het scherpstel 1ingsvariatieresidu 5 wanneer hel 1ingscorrectie en aberratieaanpassing zijn uitgevoerd met betrekking tot de vervorming van de reticule-vorm onder toepassing van de werkwijze volgens de eerste uitvoeringsvorm. Nu verwijzend naar figuur 6B, de getrokken lijn geeft het scherpstel 1 ingsvariatieresidu aan als gevolg van de reticule-vormvervorming welke is verkregen na 10 heilingscorrectie voor de halfgeleiderwafel. Verwijzend naar figuur 6B, de gestreepte lijn geeft de maximale mate van correctie aan welke kan worden verkregen door het uitvoeren van aberratieaanpassing voor het minimaliseren van het residu. Figuur 6C toont het totale resultaat gebaseerd op de door de gestreepte lijn en de getrokken lijn 15 gerepresenteerde karakteristieken, dat wil zeggen het scherpstellings- aberratieresidu nadat heilingscorrectie en aberratieaanpassing voor de reticule-vervorming zijn uitgevoerd.

Zoals uit de bovenstaande beschrijving zal worden begrepen, wanneer de vorm van de reticule slecht is, en meer in het bijzonder, een 20 grote vormvervorming aan de einddelen van de reticule is opgetreden, er een scherpstellingsvariatie Af overblijft als een krommingscomponent welke niet enkel door aberratieaanpassing volledig kan worden gecorrigeerd.

Om deze reden zijn verplaatsingsmechanismen vervaardigd van 25 PZT of dergelijke, welke fijn verticaal kunnen bewegen, bevestigd aan een opspanorgaan voor het houden van een reticule. Door toepassing van dergelijke fijne verticale verplaatsingsmechanismen kan een krommingscomponent van een scherpstellingsvariatie worden gecorrigeerd welke niet enkel door aberratieaanpassing kan worden gecorrigeerd.

30 De figuren 7A en 7B tonen een reticule-trap, opspanmiddelen en fijne verticale verplaatsingsmechanismen gemonteerd aan het onderste 17 deel van de opspanmiddelen. Figuur 7A is een bovenaanzicht dat de rangschikking van een reticule en opspanmiddelen toont. Figuur 7B is een zijaanzicht in een door de pijl in figuur 7A aangegeven richting. Figuur 7C is een bovenaanzicht dat de rangschikking van opspanmiddelen en fijne 5 verticale verplaatsingsmechanismen toont.

Zoals getoond in de figuren 7A en 7B is een opspanorgaan 132 door middel van een fijn verticaal verplaatsingsmechanisme 131 op een reticule-trap 102 gemonteerd. Zoals getoond in de figuren 7B en 7C zijn zes fijne verticale verplaatsingsmechanismen 131a t/m 131f op het 10 onderste deel van elke opspanorgaan 132 gerangschikt.

Een scherpste!1ingsstuurwerkwijze welke gebruikmaakt van de fijne verticale verplaatsingsmechanismen op het onderste deel van elke opspanorgaan in de figuren 7A en 7B zal nu worden beschreven onder verwijzing naar de figuren 8A, 8B en 9A t/m 9C.

15 Als eerste verplaatst een bedieningspersoon in totaal 18 fijne verticale verplaatsingsmechanismen 131 tijdens het observeren van een reticule-vorm met een reticule-vlakheidsmonitor 120 in figuur 5, voor het aldus uitvoeren van aanpassingen voor het instellen van de vervorming van een reticule 101 in een gebied waarin deze door aberratieaanpassing 20 kan worden gecorrigeerd. Als resultaat van deze aanpassing wordt de oppervlaktevorm van de reticule 101 na het opspannen van de reticule in een toestand gezet waarin de scherpstellingsvariatie voldoende kan worden gecorrigeerd door aberratieaanpassing zoals die getoond in de figuren 8A en 8B.

25 Vervolgens wordt gestuurd in overeenstemming met de procedure volgens de eerste uitvoeringsvorm. De halfgeleiderwafelvorm (mate van verschil informatie) van een te belichten gebied (meetgebied-oppervlak) wordt door een voorwaarts kijkende scherpstellingssensor 112 gemeten. Een rekenschakelingsmechanisme 114 berekent hellings- en 30 krommingscomponenten gebaseerd op de gemeten data. Hel 1ingscorrectie wordt dan uitgevoerd in overeenstemming met de heilingscomponent (figuur j Λ —" * ;· 1 18 9A). Het rekenschakelingsmechanisme 114 berekent ook uit de verkregen krommingscomponent een geschikte mate van aberratieaanpassing in de sleufrichting (figuur 9B). Een lensstuureenheid 113 voert aberratieaanpassing uit voor de projectielens gebaseerd op de verkregen 5 mate van aberratieaanpassing (figuur 9C), voor het aldus uitvoeren van de belichting.

Met betrekking tot het corrigeren van een mate van helling, veroorzaakt een scherpstellings&hellingseenheid 115 dat een Z-as-aandrijfmechanisme 111 van de halfgeleiderwafeltrap de helling van een 10 halfgeleiderwafeltrap 105 tijdens belichting stuurt en corrigeert middels dezelfde werkwijze zoals gebruikt in de stand van de techniek.

In dit geval zijn voor elke opspanorgaan zes fijne verticale verplaatsingsmechanismen verschaft. Het aantal fijne verticale verplaatsingsmechanismen is echter niet tot zes beperkt. Bovendien kunnen 15 fijne verticale verplaatsingsmechanismen worden gemonteerd op andere posities dan posities op een reticule-opspandeel, waarmee de vervormingskarakteristieken van de vorm van een reticule-oppervlak kunnen worden veranderd.

Zoals getoond in de figuren 8A en 8B en 9A t/m 9C, door 20 toepassing van de bovengenoemde werkwijze, kan een tweede- of hogere-orde krommingscomponent worden gecorrigeerd welke in de stand van de techniek niet kan worden gecorrigeerd, en kan de scherpstellingsvariatie Af in een belichtingsgebied grotendeels worden gereduceerd. Dit maakt het mogelijk om een nauwkeurige scherpstelling te verkrijgen zelfs op een 25 gebied aan een omtreksdeel van een halfgeleiderwafel, dat in de stand van de techniek niet kan worden gebruikt vanwege slechte halfgeleiderwafel-vlakheid, waardoor bijgevolg een toename in de opbrengst en een reductie in de vervaardigingskosten worden bereikt.

(Derde uitvoeringsvorm) 30 In de derde uitvoeringsvorm zal onderstaand een stuurwerkwijze voor het verbeteren van de doorvoer worden beschreven, ] ; 19 door het effectief uitvoeren van de werkwijzen volgens de eerste en tweede uitvoeringsvormen. In de eerste en tweede uitvoeringsvormen is de zware belasting welke op het rekenschakelingsmechanisme 114 wordt gelegd een factor welke de doorvoer vermindert.

5 Onder deze omstandigheden heeft de onderhavige uitvinder een techniek bedacht voor opslag van data welke vooraf door meting zijn verkregen als vlakheidsdata omtrent halfgeleiderwafels en de toepassing van de opgeslagen data. Deze techniek zal onderstaand gedetailleerd worden beschreven.

10 Onderstaand zal onder verwijzing naar figuur 10 een scherpstellingsstuurwerkwijze worden beschreven.

(Stap S201)

Ten eerste worden vormdata van een te belichten hal fgel eiderwafel vooraf verworven. In deze uitvoeringsvorm worden 15 halggeleiderwafelvlakheidsdata vooraf verkregen door toepassing van een halfgeleiderwafelvlakheidsmeetinrichting (NIWF-300) beschikbaar van

Nikon, welke vlakheid kan meten in dezelfde opgespannen toestand als die van de belichtingsinrichting. Merk op dat bovengenoemde meting wordt uitgevoerd nadat voldoende bevestigd is dat een voldoende correlatie 20 tussen de hal fgel eiderwafelvlakheidsdata gemeten door de bovengenoemde halfgeleiderwafelvlakheidsmeetinrichting en die gemeten door de belichtingsinrichting tot stand kan worden gebracht.

Merk in het bijzonder op dat het belangrijk is dat vooraf te verwerven hal fgeleiderwafelvormdata worden gemeten door een 25 opspanorgaan welke dezelfde structuur heeft als die van een te gebruiken belichtingsinrichting onder dezelfde opgespannen condities. Wanneer de data gemeten door een opspanorgaan met een andere structuur onder verschillende opgespannen condities worden gebruikt, kan geen correlatie worden verkregen met betrekking tot de hal fgel eiderwafelvlakheid in een 30 werkelijke belichtingsbewerking, hetgeen resulteert in een factor welke een scherpstellingsvariatie veroorzaakt. Zelfs wanneer dezelfde condities i 20 kunnen worden ingesteld, dient de correlatie tussen de beide data voldoende te worden gecontroleerd en dienen de gemeten data te worden gecorrigeerd met betrekking tot de correlatie.

(Stap S202) 5 Een belichtingsplan wordt geladen en een aftastbelichting wordt gestart.

(Stap S203)

Gelijktijdig met stap S202, worden de vooraf gemeten halfgelei derwafelvlakhei dsdata verworven, en worden op elke plaats 10 vormdata berekend.

(Stap S204)

Uit de berekende vormdata worden hellings- en krommingscomponenten berekend.

(Stappen S205 en S206) 15 Uit de hel 1ingscomponenten in de betreffende belichtings- plaatsen wordt achtereenvolgens de mate van helling bepaald en uit de krommingscomponenten wordt de mate van aberratieaanpassing bepaald.

Op basis van de mate van helling en de mate van aberratieaanpassing in de betreffende belichtingsplaatsen wordt een correctie 20 uitgevoerd.

In dit geval, teneinde het verwerkingsrendement te verbeteren, kunnen de berekeningen in de stappen S203 t/m S205 en S206 gelijktijdig worden uitgevoerd tijdens belichting op de eerste hal fgeleiderwafel, ter voorbereiding van belichting op de volgende 25 halfgeleiderwafel. Dit maakt het mogelijk om de doorvoer te vergroten.

Door toepassing van de bovenstaande werkwijze, zoals getoond in figuur 10, omdat aanvullende verwerking met betrekking tot de gebruikelijke belichtingsverwerking tijdens belichting kan worden uitgevoerd, kan een krommingscomponent worden gecorrigeerd welke in de 30 stand van de techniek niet kan worden gecorrigeerd en kan de scherpstellingsvariatie Af in het belichtingsgebied grotendeels worden 21 gereduceerd zonder vermindering van de doorvoer. Dit maakt het mogelijk nauwkeurige scherpstel1ing te verwerven zelfs op een gebied met een omtreksdeel van een halfgeleiderwafel dat in de stand van de techniek als gevolg van slechte halfgelei derwafel vlakheid niet kan worden gebruikt, 5 zodat een toename in de opbrengst en een reductie in de vervaardigingskosten worden bereikt.

De stappen S203 t/m S205 en S206 kunnen worden uitgevoerd door toepassing van een rekeninrichting onafhankelijk van de belichtingsverwerking. Bovendien, wanneer berekeningsresultaten in een 10 databestand worden opgeslagen en de belichtingsinrichting belichting uitvoert door het uitlezen van de data, kan de berekeningsverwerkingstijd worden verkort. Dit verhoogt verder de doorvoer.

Als inrichting voor het vooraf meten van vormdata van een halfgeleiderwafeloppervlak, kan een meetinrichting worden gebruikt die 15 data met een voldoende correlatie kan meten met het halfgeleiderwafel- vormoppervlak zoals gedetecteerd door de belichtingsinrichting. Er kan een algemene vlakheidsmeetinrichting worden toegepast, of de automatische scherpstellingsfunctie van de belichtingsinrichting kan direct worden gebrui kt.

20 Hoewel niet gedetailleerd beschreven, zal het duidelijk zijn dat data omtrent de vlakheid van een reticule vooraf kunnen worden verworven en samen met de halfgeleiderwafelvlakheidsinformatie kunnen worden verwerkt.

Deze uitvoeringsvorm is gebaseerd op een aftast-25 belichtingsinrichting waarbij hel lings- en krommingscomponenten in de sleufrichting worden gecorrigeerd. Voorzover nodig kan een soortgelijke correctie echter ook in de aftastinrichting worden uitgevoerd. Bovendien, voorzover het een blokbelichtingsinrichting betreft, kan een effectieve verwerking worden uitgevoerd door zowel in de X-richting als in de Y-30 richting aberratieaanpassing uit te voeren en kunnen dezelfde effecten als die zoals boven beschreven worden verkregen.

1 n :

I U

22

Merk op dat de onderhavige uitvinding niet beperkt is tot de bovenstaande uitvoeringsvormen en in de uitvoeringstrap op verschillende manieren kan worden gewijzigd binnen de gedachte en omvang van de uitvinding. De bovenstaande uitvoeringsvormen omvatten 5 uitvindingen op verschillende trappen en verschillende uitvindingen kunnen worden geëxtraheerd door geschikte combinaties van een veelheid van geopenbaarde samenstellende elementen. Wanneer bijvoorbeeld de in de "ACHTERGROND VAN DE UITVINDING" beschreven problemen kunnen worden opgelost en de in de "KORTE SAMENVATTING VAN DE UITVINDING" beschreven 10 effecten kunnen worden verkregen zelfs wanneer samenstellende elementen van alle samenstellende elementen in elke uitvoeringsvorm worden weggelaten, kan de opstelling van waaruit deze samenstellende elementen zijn weggelaten als een uitvinding worden geëxtraheerd.

Aanvullende voordelen en wijzigingen zullen voor 15 deskundigen voor de hand liggen. De uitvinding in zijn breedste aspecten is bijgevolg niet beperkt tot de specifieke details en hierin getoonde en beschreven representatieve uitvoeringsvormen. Bijgevolg kunnen verschillende wijzigingen worden uitgevoerd zonder af te wijken van de gedachte of omvang van het algehele inventieve concept, zoals 20 gedefinieerd door de bijgesloten conclusies en hun equivalenten.

23

Li.ist verwi.izinqsci.ifers 106 X-as-aandrijfmechanisme reticule-trap 107 Y-as-aandrijfmechanisme reticule-trap 109 X-as-aandrijfmechanisme wafel trap 5 110 Y-as-aandrijfmechanisme wafel trap 111 Z-as-aandrijfmechanisme wafel trap 112c Wafelvorm-observeringsmechanisme 113 Lensstuureenheid 114 Rekenschakelingsmechanisme 10 115 Scherpstel1ings&hel1ingsstuureenheid 116 Aftastrichting 117 Sleufrichting 118 Scherpstellingsvariatie Af 119 Fijne verticale verplaatsingsmechanismen op opspanorgaan 15 120c Reticulevorm-observeringsmechanisme 121 Correctie gebaseerd op eerste-orde 122 Bepaling van de mate van aberratiecorrectie gebaseerd op tweede-of hogere-orde S101 Verwerven vormdata omtrent gehele wafel oppervlak 20 S102 Aftastbelichting 5103 Bereken vormdata op elke belichtingsplaats 5104 Bereken hel lings- en krommingscomponenten 5105 Bepaal de mate van helling van de wafel trap uit de hellings-component 25 S106 Bepaal de mate van aberratiecorrectie van de projectielens uit de krommingscomponent S107 Uitvoeren van hel 1ingssturing/mate van correctie veldkromming 5201 Verwerven vormdata van gehele wafel oppervlak 5202 Aftastbelichting 30 S203 Bereken vormdata op elke belichtingsplaats 5204 Bereken hellings- en krommingscomponenten 5205 Bepaal de mate van helling van de wafel trap uit de hellingscomponent 5206 Bepaal de mate van aberratiecorrectie van de projectielens uit de 35 krommingscomponent 5207 Uitvoeren van hellingssturing/mate van correctie veldkromming 1 r>9 1 ft 1 6

Claims

1. Belichtingswerkwijze voor het uitvoeren van aftastbelichting op een belichtingsoppervlak op een wafel door het 5 verplaatsen van de wafel met betrekking tot het belichtingslicht dat een optisch stelsel doorloopt synchroon met de verplaatsing van een reticule ten opzichte van het belichtingslicht, gekenmerkt door het: meten van een positieverdeling in een optische asrichting van het optische stelsel, op een meetgebiedoppervlak van de wafel dat 10 niet met het belichtingslicht wordt bestraald; berekenen van een hellingscomponent en een krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak gebaseerd op de gemeten posi tieverdeling; verwerven van een mate van helling waarmee het 15 meetgebiedoppervlak orthogonaal moet worden gemaakt ten opzichte van de optische asrichting, gebaseerd op de hellingscomponent; verwerven van een mate van aanpassing voor een beeldkarakteristiek van het optische stelsel gebaseerd op de krommingscomponent; en 20 bestralen van het meetgebied met het belichtingslicht gebaseerd op de verkregen mate van helling en de mate van aanpassing terwijl het meetgebiedoppervlak en de beeldkarakteristiek worden aangepast.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de 25 beeldkarakteristiek wordt aangepast door het aanpassen van een veldkrommingskarakteri stiek.

3. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de beeldkarakteristiek wordt aangepast in een richting waarin de krommingscomponent van het meetgebied wordt opgeheven.

4. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de positieverdeling op het meetgebied wordt gemeten vóórdat aftastbelichting * f \ i > i ' n op de wafel wordt uitgevoerd.

5. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het berekenen van de hellingscomponent en de krommingscomponent omvat het: representeren van het meetgebiedoppervlak door een eerste-5 ordefunctie gebaseerd op de positieverdeling; representeren van het meetgebiedoppervlak door een multi-ordefunctie hoger dan de tweede-orde gebaseerd op de positieverdeling; instellen van een eerste-ordetermcoëfficiënt van de eerste-ordefunctie als de hellingscomponent; en 10 instellen van een tweede- of hogere-ordetermcoëfficiënt van de multi-ordefunctie als de krommingscomponent.

6. Belichtingswerkwijze voor het uitvoeren van aftastbelichting op een belichtingsgebied op een wafel door het verplaatsen van de wafel met betrekking tot het belichtingslicht dat een 15 optisch stelsel doorloopt synchroon met de verplaatsing van een reticule ten opzichte van het belichtingslicht, omvattende het: meten van een positieverdeling in een optische asrichting van het optische stelsel, op een meetgebiedoppervlak van de wafel dat niet met het belichtingslicht wordt bestraald; 20 berekenen van een hellingscomponent en een krommingscomponent van het wafel oppervlak gebaseerd op de positieverdeling op het wafeloppervlak; meten van een positieverdeling in de optische asrichting op een reticule-oppervlak van de reticule dat aan de optische stelselzijde 25 is gelegen; berekenen van een hellingscomponent en een krommingscomponent van het reticule-oppervlak gebaseerd op de positieverdeling op het reticule-oppervlak; verwerven van een mate van helling waarmee het 30 meetgebiedoppervlak orthogonaal moet worden gemaakt ten opzichte van de optische as, gebaseerd op de hellingscomponent van het * meetgebiedoppervl ak; verwerven van ten minste één mate van aanpassing voor een beeldkarakteristiek van het optische stelsel en de positie van het reticule-oppervlak gebaseerd op krommingscomponenten van het 5 meetgebiedoppervlak en het reticule-oppervlak; en bestralen van het meetgebiedoppervlak met het belichtingslicht gebaseerd op de mate van helling en de mate van aanpassing terwijl het meetgebiedoppervlak en ten minste één van de beeldkarakteristiek en de positie van het reticule-oppervlak worden 10 aangepast.

7. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat een veldkrommingskarakteristiek als de beeldkarakteristiek wordt aangepast.

8. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de beeldkarakteristiek wordt aangepast in een richting waarin de 15 krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak wordt opgeheven.

9. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de positieverdeling op het meetgebiedoppervlak voorafgaand aan het op de wafel uitvoeren van aftastbelichting wordt gemeten.

10. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de 20 berekening van de hel 1ingscomponent en de krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak omvatten het: representeren van het meetgebiedoppervlak door een eerste-ordefunctie gebaseerd op de positieverdeling op het meetgebiedoppervlak; representeren van het meetgebiedoppervlak door een multi-25 ordefunctie hoger dan de tweede-orde gebaseerd op de positieverdeling op het meetgebiedoppervlak; instellen van een eerste-ordetermcoëfficiënt van de eerste-ordefunctie als de hellingscomponent van het meetgebiedoppervlak; en instellen van een tweede- of hogere-ordetermcoëfficiënt van 30 de multi-ordefunctie als de krommingscomponent van het meetgebiedoppervl ak. , ! ;Λ #

11. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat het berekenen van de hel 1ingscomponent en de krommingscomponent van het reticule-oppervlak omvat het: representeren van het reticule-oppervlak door een eerste-5 ordefunctie gebaseerd op de positieverdeling op het reticule-oppervlak; representeren van het reticule-oppervlak door een multi-ordefunctie hoger dan de tweede-orde gebaseerd op de positieverdeling op het reticule-oppervlak; instellen van een eerste-ordetermcoëfficiënt van de eerste-10 ordefunctie als de hel 1ingscomponent van het reticule-oppervlak; en instellen van een tweede- of hogere-ordetermcoëfficiënt van de multi-ordefunctie als de krommingscomponent van het reticule-oppervlak.

12. Belichtingsinrichting gekenmerkt door het omvatten van: 15 een optisch stelsel (103) dat een, op een reticule gevormd patroonbeeld op een wafel projecteert; een reticule-trap (102) waarop de reticule is geplaatst en die kan worden verplaatst in een richting loodrecht op een optische asrichting van het optische stelsel; 20 een wafeltrap (105) waarop de wafel is geplaatst en die in de optische asrichting van het optische stelsel en in richting loodrecht op de optische asrichting kan worden verplaatst; wafeloppervlakpositiemeetmiddelen (112a, 112b, 112c) ingericht voor het meten van een positie op het wafeloppervlak in de 25 optische asrichting van het optische stelsel; een berekeningsmechanisme (114) dat een heilingscomponent en een krommingscomponent van het wafeloppervlak berekent gebaseerd op de, door de wafeloppervlakpositiemeetmiddelen verkregen meetwaarden; aanpassingsmiddelen (111) ingericht om een positie van de 30 wafel in de optische asrichting van het optische stelsel aan te passen gebaseerd op de hellingscomponent; en * correctiemiddelen (113) ingericht om een beeld-karakteristiek van het optische stelsel te corrigeren gebaseerd op de krommi ngscomponent.

13. Inrichting volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de 5 correctiemiddelen (113) een veldkrommingskarakteristiek corrigeren.

14. Inrichting volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de correctiemiddelen de beeldkarakteristiek aanpassen in een richting waarin de krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak is opgeheven.

15. Belichtingsinrichting gekenmerkt door het omvatten van: 10 een optisch stelsel (103) dat een, op een reticule gevormd patroonbeeld op een wafel projecteert; een reticule-trap (102) welke in een optische asrichting van het optische stelsel en in een richting loodrecht op de optische asrichting kan worden verplaatst; 15 een verticaal verplaatsingsmechanisme (108) dat op de reticule-trap is gemonteerd en een positieverdeling op de reticule in de optische asrichting van het optische stelsel verandert; een wafel trap (105) waarop de wafel is geplaatst en die in de optische asrichting van het optische stelsel en in een richting 20 loodrecht op de optische asrichting van het optische stelsel kan worden verplaatst; wafel oppervlakpositiemeetmiddelen (112a, 112b, 112c) ingericht voor het meten van een positie van een meetgebiedoppervlak op de wafel in de optische asrichting van het optische stelsel; 25 reticule-oppervlakpositiemeetmiddelen (120a, 120b, 120c) ingericht voor het meten van een positie van het reticule-oppervlak gelegen aan de optische stelselzijde in de optische asrichting; een eerste berekeningsmechanisme (114) dat een hel 1ingscomponent en een krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak 30 berekent gebaseerd op het door de wafeloppervlakpositiemeetmiddelen verkregen meetresultaat; > t een tweede berekeningsmechanisme (114) dat een krommings-component van het reticule-oppervlak berekent gebaseerd op het door de wafeloppervlakpositiemeetmiddel en verkregen meetresultaat; aanpassingsmiddelen (111) ingericht voor het aanpassen van 5 een positie van de wafel in de optische asrichting van het optische stelsel gebaseerd op de door het eerste berekeningsmechanisme berekende hellingscomponent; en correctiemiddelen (113) ingericht voor het corrigeren van ten minste één van een beeldkarakteristiek van het optische stelsel en 10 een positieverdeling op het reticule-oppervlak in de optische asrichting gebaseerd op de door het eerste en tweede berekeningsmechanisme berekende krommi ngscomponent.

16. Inrichting volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat de correctiemiddelen (113) een krommingsveldkarakteristiek van het optische 15 stelsel corrigeren.

17. Inrichting volgens conclusie 15, met het kenmerk, dat de correctiemiddelen (113) de beeldkarakteristiek aanpassen in een richting waarin de krommingscomponent van het meetgebiedoppervlak is opgeheven.

18. Werkwijze voor het vervaardigen van een hal fgeleider- 20 inrichting, gekenmerkt door het: prepareren van een halfgeleiderwafel; en belichten van de halfgeleiderwafel onder toepassing van de in conclusie 1 gedefinieerde belichtingswerkwijze.

19. Werkwijze voor het vervaardigen van een 25 halfgeleiderinrichting, gekenmerkt door het: · prepareren van een halfgeleiderwafel; en belichten van de halfgeleiderwafel onder toepassing van de in conclusie 6 gedefinieerde belichtingswerkwijze. 'i . ,