JPH0472609A - 投影露光方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は投影光学系の特性を高精度に測定して投影光学
系の特性が所望の値になるように制御して半導体等の微
細パターンを描画するようにした投影露光方法及びその
装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体の高集積化競争が引金となり、微細パターンを試
料（ウェハや、マスク）上に形成する露光装置や、描画
装置の性能仕様は、ますます厳しさを増しつつある。

その投影露光装置においては、パターン転写の際の解像
度を得るために露光波長の短い光を用いると共に、レン
ズの開口数（Ｎ　Ａ　：　ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡ−ｐｅ
ｒｔｕｒｅ）の大きな物を使用するようになってきた。

そのため、レンズの焦点深度が浅くなり投影露光装置と
しては縮小レンズの結像面にウェハ面を高精度に合わせ
ることが必要となってきた。

それに伴い投影系の特性も性能の限界まで出すことを要
求されるようになった。そのため、投影系の各種特性（
■縮小率、（■像歪、（Ｘ）像面湾曲、・■非点収差、
■投影系とウェハとの相対的な振動）を高精度にかつ、
短時間で測定することが必要となった。

しかし、合焦点位置を平面的に測定することにより求め
られる、投影系の特性の−・つである像面湾曲測定にお
いても、従来は「オプティカル／レーザマイクロリゾグ
ラフィ■ニス・ピー・アイ・イー第１０８８巻（１９８
９年）第４２４〜４３３頁（○ｐｔｉｃａｌ／　Ｌａ５
ｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ＩＩ　：　
Ｓ　Ｐ　Ｉ　Ｅ　　Ｖｏｌ。

１０８８　（１９８９）　ｐ４２４〜４３３）　Ｊにも
見られるように合焦点位置測定を、ウェハの高さ位置を
微少に移動し、それぞれの高さでパターンをウェハに露
光し、さらにされを現像し顕微鏡等で観察することによ
り、合焦点位置を決めていた。また、「オプティカル／
レーザマイクＣリソグラフィ■ニス・ピー・アイ・イー
第１０８８巻（１９８９年）第４３４〜４４０頁（Ｏｐ
ｔｉｃａｌ／　Ｌａ５ｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｙｌＩ　：　ＳＰ　Ｉ　Ｅ　　Ｖｏｌ、　１０８
８　（１９８９）　　ｐ４３４−４４０）Ｊに見られる
Ｘ、Ｙ方向のパターン転写位置ズレの評価にも一般に露
光結果を用いている。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述のように、従来は投影系の各種特性（■縮小率、■
像歪、■像面湾曲、■非点収差、■投影系とウェハとの
相対的な振動）の測定を行うためにパターン転写後、現
像を行い顕微鏡等により目視で、パターンの位置または
、形状を測定していたため、各種特性を高精度に、また
短時間で測定する事が難しいという課題を有していた。

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、投
影露光装置の投影光学系の特性を高精度に、且つ自動で
測定し、投影光学系の特性確認及び調整を行うことによ
り、製品の歩留まりを向上させると共に、調整に伴う時
間を短縮し、稼動率を向上させることができるようにし
た投影露光方法及びその装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、レチクル上に設けたマーク投影像の中心位
置をウェハステージ上に設けた検出器を用いて検出する
ことにより、自動で且つ高精度に測定することを可能に
した。更に、上記検出を繰り返すことにより、取り込ん
だデータを統計的に処理し、ノイズ等によるデータのば
らつきを抑え高精度にマーク間距離、マーク焦点位置を
計測し、その値を基に■投影系の縮小率、■投影系の像
歪、■投影系の像面湾曲、■投影系の非点収差の測定を
可能とした。

さらに、レチクル上に描いたスリット状のマークの投影
像をウェハステージ上に設けた開ロバターンを持ったセ
ンサにより検出する手段を用いて、センサの検出値が最
も変化する位置で、その検出したデータのばらつきより
、■投影系（レチクル等の被投影体及び、縮小レンズ等
から構成されている）と、パターンが投影される場所（
ウェハ面等）との相対的な振動を測定することを可能と
した。この振動測定は露光装置に限るものでなく、投影
系と投影面との間を有する物について用いる事ができる
。また、振動測定物に上記のような構成の振動測定器を
取り付けることによっても可能となる。

〔作用〕

即ち、上記手段を用いることにより、 Ｂ投影系の縮小率の測定、■投影系の像歪の測定、■投
影系の像面湾曲の測定、■投影系の非点収差の測定、■
投影系と投影面との相対的な振動測定を高精度にかつ短
時間で行うことが可能となる。

これにより、製品の歩留まり向上が図れ、更に、検査時
間の短縮によりスループットの向上も図ることが出来る
６ 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を用いて説明する。

縮／ｈ露光投影装置は、第１５図に示すように照明光源
４、レチクル２のパターンを縮小転写するための縮小レ
ンズ１、ウェハ６を吸着し露光位置に移動するウェハス
テージ３、ウェハ上のアライメントパターンを検出する
ためのパターン検出器１２゜装置全体の制御を行うメイ
ン制御系１６から主に構成されている。

まず、実施例１〜２に示す測定を行うためにはレチクル
２上に測定に用いる検出用のマーク２３を設け、そのマ
ーク２３を投影し、マーク投影像位置をウェハステージ
３上で検出する必要がある。そこで、マークの検出方法
について以下に説明する。

第１５図に示すような検出ユニット５をステージ３上に
設け、検出用マーク２３の投影像８の検出を行う。この
検出ユニット５の構成は第１０図（ａ）または、（ｂ）
に示すように開ロバターン７を持つマスク２４とセンサ
１０より構成されている。レチクル２上には、第９図に
示すような形状のマーク２３または、スリット状の検出
用マーク２３を設けておく。さらに、センサ１０上のマ
スク２４上のマーク７にはレチクル２上に設けたマーク
２３と同じ形状の開ロバターン７を設ける。

このような構成において、レチクル２上の検出用マーク
２３の投影像８を第１０図に示す検出ユニット５内の開
ロバターン７を通してセンサ１０で光■変化Ｄｉとして
取り込む。センサ１０で取り込んだ検出信号Ｄｉは第１
６図に示すように検出信号処理部１４を経由して、メイ
ン制御系１６内のＡ／Ｄ　（アナログ／ディジタル）変
換器２１にてディジタル信号に変換した後、計算機２２
に取り込む。

このような信号の取り込みを、第１５図に示すようにメ
イン制御系１６からステージ制御系１５に与える駆動指
令によりステージ駆動モータ１１を駆動させてステージ
３を走査することにより、検出ユニット５を走査し、第
１８図に示すように投影マーク８の露光光が照射されて
いる部分に対して検出ユニット５の開ロバターン７を矢
印の方向に移動させて開ロバターン７′の位置に徐々に
移動する。

センサＩＯの光量検出ｌＤｉと、ステージ制御系１５の
レーザー測長器１３から得られるステージ位置データＸ
ｉ、Ｙｉを第１６図に示す計算機２２に取り込む、その
結果は、第１７図に示すような山型の光量変化となる。

上記のスリットを徐々に移動しながら投影像の光量を検
出する方法は（ａ）ステップ走査方法と、（ｂ）連続走
査方法があり、これについて以下に詳しく述べる。

（ａ）ステップ走査方法 第１８図に示すように投影されたマーク像８に検出ユニ
ット５の開ロバターンを７の位！（Ｄｉ）に合わせた後
、同図間ロバターン７″の位置（Ｐｎ）に移動するまで
の間一定量Ｐずつステップ的に移動させて停止安定後、
上述したように開ロバターン位置Ｐ工〜Ｐｎに対するセ
ンサ１０の光量検出値Ｄｉを計算機２２に取り込むよう
にする。

この一定量（ｐ）のステップ移動（ｐｔ〜Ｐｎ）と、デ
ータＤｉの取り込みを繰り返すことにより、光量変化を
第１９図に示すような形で取り込むことができる。この
場合、光量検出値Ｄｉの取り込みは第２４図の光量検出
値取り込み処理２７に示すようにステージ移動後の停止
した状態でｍ回繰り返して行いＤｉからＤｍの検出値を
得る。次に、再びステージを一定量（ｐ）移動させ、光
量検出値Ｄｉをｍ回取り込む、このような繰り返しをｎ
回行うことにより第２０図に示すよう、各位置Ｐ□〜Ｐ
ｎにおいて複数個の光量検出値Ｄｉ得ることが出来る。

次に、ノイズ等の影響を低減するためにその検出値を用
いて、第２４図に示すようにＤｉ″＝（ΣＤｉ）／ｍな
る検出値平均化処理２８を行い第が出来る。さらに平均
化したこの光量変化Ｄｉを用いてパターン中心位置検出
２９を行うことにより、高精度なパターン位置検出が可
能となる６（ｂ）連続走査方法 第１８図に示すように投影されたマーク像８に検出ユニ
ット５の開ロバターンを７の位置に合わせた後、同図間
ロバターン７′の位置に移動するまでの間第２５図の光
量検出値取り込み処理３０に示すようにステージ３を一
定速度で移動させ、センサ１０の光量検出値Ｖｉを一定
の時間毎にｎ回計算機２２に取り込むことにより第２１
図に示すような形で光量検出値を取り込むことができる
。この検出値を用いて、第２５図に示すパターン中心位
置検出処理３１でパターン中心位置を求める。再びステ
ージを基の位置に戻し上記光量検出値の取り込み処理３
０をｍ回繰り返し、第２２図に示すように多数の検出結
果を得る。ｍ個のパターン中心位ＷＣｊを用いて処理３
２において、Ｇ　ｏ　＝　（ΣＣｊ）／ｍなるコニ１ 統計的な処理（求めた複数の中心値を平均化処理する等
）を行うことによりノイズ等の影響によるパターン中心
位置検出値Ｃｏのばらつきを低減し、検出の精度を向上
することを可能とする。

上記の構成と方法を用いた実施例１．２の測定方法につ
いて以下に述へる。

実施例１： まず、投影系の縮小率の測定方法についての一実施例を
以下に述べる。

縮小率の測定には第１図（ｂ）に示すように、レチクル
２上に４箇所以上の検出用マーク２３を設け、それぞれ
のマーク２３の位置を第１図（ａ）に示すようにウェハ
ステージ３をＸまたはＹ方向に移動し、Ｘ軸方向センサ
位置Ｘｉ及びＹ軸方向センサ位ｆＹｉに対する第２図に
示すような光量検出値Ｄｉ、Ｖｉを得ることができる。

その第２図に示すデータの検出方法としては前述の（ａ
）ステップ走査、（ｂ）連続走査の方法を用いる。

次に、このようにして計算機２２内に取り込んだ光量検
出データＤｉ、Ｖｉを基に投影マークの中心位置ｃｏを
求める必要がある。この方法としては、第１６図に示す
ように、予め計算機２２に入力装置２５からスレッシュ
ホールドレベルＲに相当するパラメータを入力しておき
、第４図（ａ）に示すように、取り込んだデータＤｉ、
Ｖｉに対してスレッシュホールドレベルＲを与え、その
レベルの前後のデータ４点またはそれ以上から、交点Ａ
。

Ｂを求め、両者の中央値を投影マークの中心位置Ｃｏと
して求めることができる。また、他の方法としては第４
図（ｂ）に示すように、取り込んだデータＤｉ’、Ｖｉ
の最大の値を中心に左右の数点のデータを用いて、２次
曲線２０で近似を行いその最大値を示した位置を投影マ
ークの中心位置ＣＯとして求めることができる。ただし
、近似曲線は２次曲線とは限らない。

以上のようにして、レチクル２の４点以上の投影像中心
位置を検出し、それらの位置から第１図（Ｃ）に示すよ
うにして、レチクル２上に設けたマークの間隔Ｑｘ、Ｑ
ｙに対するＱｘ＋α、Ｑｙ＋βを求め、Ｘ方向の倍率Ｍ
ｘ＝（ρχ＋α）／Ｑｘ、Ｙ方向の倍率Ｍｖ＝ＣＱｙ＋
β）　／　Ｑ　ｙとして投影系の倍率（縮小率）　Ｍ　
ｘ　、　Ｍｖを求めることができる。この時に用いたＱ
ｘ、Ｑｙの値はレチクル２上に設けたマーク７の間隔で
あり、設計値又は、別の計測器で測定した値を予め計算
機２２にパラメータとして第１６図に示すように入力装
置２５より入力しておいてものである。

この測定結果（倍率）　Ｍ　ｘ　、　Ｍｖ　を第１６図
に示す表示装置２６に出力することにより、装置の調整
者は投影系の倍率Ｍ　ｘ　、　Ｍ　ｖが許容値に入って
いるかを確認し、許容値内にない場合には投影系のレン
ズ位置を調整する等して、再度上記測定を繰り返し、倍
率Ｍｘ、Ｍ、が許容値内に入るまでこの操作を行うこと
により精度の高い調整が可能となる。

実施例２： 次に、投影系の画像歪の測定方法についての一実施例を
以下の述べる。

縮小露光投影装置の構成は、実施例１と同様である。像
面歪の測定には第５図（ｂ）に示すように、レチクル２
上に検出用マーク２３配置し、それぞれのマークの位置
を第５図（ａ）に示すようにウェハステージ３をＸ及び
Ｙ方向に移動し、実施例１と同様な方法を用いて第２図
に示すような光量検出値を得ることにより求めることが
できる。

また、マーク中心位置検出には実施例１に示したと同様
な、スレッシュホールド方法や、近似曲線を用いる。

以上のようにして、レチクル２の投影マークのそれぞれ
の位置を第５図（ｃ）の実線に示すようにして求め、レ
チクル２上に設けたマーク位置を基準とする格子位！（
−点鎖線）からの検出マーク位置のずれδを求めること
ができる。

この測定結果（像歪）δを第１６図に示す表示装置！２
６に出力することにより、装置の調整者は投影系の像歪
が許容値に入っているかを確認し、許容値内にない場合
には投影系のレンズ位置等をｔＲ整等して、補正し再度
上記測定を繰り返し、像歪が許容値内に入るまでこの操
作を行うことにより精度の高い調整が可能となる。

上記の構成と焦点位！（Ｚ方向）を検出する方法を用い
た像面湾曲Ｚｘと非点収差Ｆの測定方法について以下の
実施例３，４で述へる。

実施例３： 投影系の像面湾曲の測定方法についての一実施例を以下
の述へる。

縮小露光投影装置構成は、実施例１と同様である。像面
湾曲の測定には第６図（ｂ）に示すように、レチクル２
上に検出用マーク２３を配置し、それぞれのマークが最
も焦点が合った状態で結像している位Ｗ（合焦点位置）
を、第６図（ａ）に示すようにウェハステージ３を２方
向に移動し、第７図に示すような光量検出値を得ること
により求めることができる。

検出方法は、上述した実施例１の（ａ）ステップ走査と
、（ｂ）連続走査方法と同様な方法を用いることが可能
であるが、ステージの移動方向がＺ方向となる点が異な
る。この際、検出ユニット５の開ロバターン７は、第３
図（ｂ）のように検出用マーク２３の投影像８の中心位
置付近に合わせた状態で、ステージ３をＺ方向に移動す
る。これにより、検出ユニット５の開ロバターン７から
取り込まれる光量は第２４図に示すように変化する。

すなわち、第７図のような光量変化を求めることができ
る。

また、求めた光量検出値より、第６図（ｃ）に示す投影
マーク８の合焦点位置を求める方法も実施例１で述へた
中心位置を求めたと同様な方法を用いることにより求め
ることができる。

この測定結果（像面湾曲）Ｚｘ第６図（ｅ）を第１６＠
に示す表示装置２６に８力することにより。

装置調整者は投影系の像面湾曲Ｚｘが許容値に入ってい
るかを確認し、許容値内にない場合には投影系のレンズ
を交換または調整等を行い、再度上記測定を繰り返し、
像面湾曲が許容値にはいるまでこの操作を繰り返すこと
により精度の高い調整が可能となる。

実施例４： 次に、投影系の非点収差の測定方法についての一実施例
を以下の述べる。

縮小露光投影装置の構成は、実施例１と同様である。非
点収差の測定には第８図（ｂ）に示すように、レチクル
２上に検出用マーク２３を直角にＸ。

Ｙ方向に配置し、それぞれの位置でマーク投影像８が最
も焦点が合った状態で結像している位置（合焦点位Ｗ）
を、第８図（ａ）に示すようにウェハステージ３をＺ方
向に移動し、実施例３と同様な方法でＸ、Ｙ方向のマー
クについて求める。

その結果、第８図（ｃ）に示すようにＸ方向とＹ方向の
焦点位置の差を非点収差Ｆ＝Ｚｖ　−Ｚｘとして求める
ことができる。

この測定結果（非点収差）Ｆ＝ＺアーＺｘを第１６図に
示す表示装［２６に出力することにより、装置！調整者
は投影系の非点収差が許容値に入っているかを確認し、
許容値内にない場合には投影系のレンズを交換または調
整等を行い、再度上記測定を繰り返し、非点収差が許容
値にはいるまでこの操作を繰り返すことにより精度の高
い調整が可能となる。

このような上記測定方法または、上記構成と測定方法を
具備した装置を用いることにより、検出精度が低く、正
確な投影系の特性を測定が困難であった従来方法と比へ
、検出精度が高く正確な測定ができ、露光装置における
投影系の特性を正確に許容値以下に維持する事を可能と
し、生産する製品歩留りの向上に寄与することができる
。

実施例５： 実施例１．２，３．４において、検出用パターンは、ス
リット状にのみならず、第９図（ａ）に示すように矩形
状のパターンを用いても可能である。また、同様に第９
図（ｂ）に示すように矩形状の同型パターンを複数配列
したものでも可能である。さらに、第９図（ｃ）に示す
ように矩形同心形状のパターンを用いても可゛能である
。

実施例６： 実施例１．２．３．４において、検出用受光ユニット５
の構成は、第１０図（ａ）に示すように検出用パターン
を描いたマスクと、光センサとを組み合わせた構造の物
、または、第１０図（ｂ）に示すようにセンサの受光面
に検出用パターンを直接描き一体型になった物でも可能
である。

実施例７： 非投影体であるマスク２に設けた検出用パターンと同様
なパターンを、受光ユニット５に設けるマスクに描き、
さらに光センサをパターンと同数配列する構成の受光ユ
ニット５を第１１図に示す。

実施例Ｉ、２においてはこの受光ユニットを用いること
により、各パターン位置の検出の為に要するステージの
移動が第２図に示す光量変化を取り込める程度で十分と
なり、検出に要する時間のことも可能である。

さらに、稼働中も一定時間または作業の区切りにおいて
上記実施例１，２．３．４．の検出を行い、歪量などが
一定の許容値を越えたとき稼働を中止することにより、
製品の歩留りを向上することが可能となる。

このような上記方法を用いることにより、振動。

たけてなくノイズ等により検出精度が低く、正確な装置
の歪等の測定が困難であった従来方式と比べ、検出精度
が高く正確に測定が可能となる。

実施例９： 次に、上記検出方法を用いて露光装置投影系の振動を測
定する方法について述べる。

上記実施例１に示すように、レチクル２上に配置した検
出用マーク２３の投影像８の位置をウェハステージ３上
の検出ユニット５により第２図に示す光量変化を得るこ
とが出来た。しかし、露光装置の投影系とウェハステー
ジ３との間に相対的な振動が生じていると、計算機２２
内に取り込まれる光量検出信号は第２図に示すようには
得られず、第１３図に示すように、信号のピーク値を中
心に光量検出値が低くなる位置で信号のばらつきが多く
なる。

すなわち、第３図（ａ）に示すように、検出ユニット５
の開ロバターン７の中心が検出マーク投影像８の端にき
たとき、露光装置の投影系とウェハステージ３間の相対
的な振動により、光量検出値にばらつきが生じる。そこ
で、第１４図に示すように、この信号のばらつきの幅と
複数の光量検出値から統計的に求めた光量変化曲線の傾
きより。

振動の大きさをセンサ位置に換算して求めることができ
る。

このようにして、露光装置の性能に直接影響がある振動
を測定することにより、装置の状態を管理し、振幅が一
定値を越えたら、装置または１周辺の機器の振動要因を
探し、その原因を取り除くことにより製品の歩留まりを
向上することが可能である。

〔発明の効果〕

上記従来方式では、投影系の特性を高精度に求める事が
困難であった。そこで、レチクル上のマーク投影像の中
心位置をウェハステージ上に設けた検出器を用い高精度
かっ、自動で測定し、その検出値を用いることにより、
マーク間距離、マーク焦点位置を計測し、その値を基に
投影系の各種特性の測定を可能にした。

このように、露光装置の投影系の特性を自動でかつ正確
に測定し、投影系の特性確認及び調整を行うことにより
、製品の歩留まりを向上させると共に、１！整に伴う時
間を短縮し、稼動率を向上させることを可能にした。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のである倍率測定の説明図、
第２図は光量検出値の説明図、第３図は投影像と受光側
のスリット開口の位置関係の説明図、第４図は検出信号
からマークの位置を検出する方法の説明図、第５図は本
発明の一実施例のである像歪測定の説明図、第６図は本
発明の一実施例のである像面湾曲測定の説明図、第７図
は検出信号の説明図、第８図は本発明の一実施例のであ
る非点収差測定の説明図、第９図は検出用マークの説明
図、第１０図は検出に用いるセンサの説明図、第１１図
は複数のセンサを配列した検出ユニットの構成図、第１
２図は装置立ち上げに伴う歪等の変化の説明図、第１３
図は本発明の一実施例のである投影系とウェハステージ
間の相対的な振動測定の説明図、第１４図は検出信号か
ら振動の大きさを求めるための説明図、第１５図は露光
装置の構成図、第１６図は検出信号の取り込みのブロッ
ク図、第１７図は計算機に取り込んだ離散的な検出信号
、第１８図は投影されたレチクルマーク像を検出ユニッ
トの開ロバターンで走査し信号を取り込むための説明図
、第１９図はステージをステップ移動しながら光量検出
値を取り込ん時の説明図、第２０図は光量検出値を同じ
位置で複数個繰り返し取り込み場合の説明図、第２１図
はセンサを一定速度で移動しながら光量検出値を取り込
む場合の説明図、第２２図は第２１図に示す光量検出値
を繰り返し取り込むことを説明するための図、第２３図
はステージを２方向に移動した時にセンサに取り込まれ
る光量を説明するための図、第２４図はステップ走査方
法による検出手順を表した処理フローチャートを示す図
。 第２５図は連続走査方法による検出手順を表した処理フ
ローチャートを示す図である。 １・・・縮小レンズ、　　　２・−・レチクル、３・・
・ウェハステージ、４・・・照明系、５・・・検出ユニ
ット、　　６・・・ウェハ、７・・開ロバターン、　　
８・・・マーク投影像、９・・・スレッシュホールドレ
ベル、 １０・・・光センサ、　　　１１・・・ステージ駆動モ
ータ。 １２・・パターン検出系、１３・・・レーザ測長器。 １４・・・検出信号処理部、１５・・・ステージ制御系
。 １６・・・メイン制御系、　１９・・・レチクル駆動モ
ータ２０・・・２次近似曲線、　２１・・Ａ／Ｄ変換器
、２２・・・計算機、 ２３・・・レチクル上検出用マーク。 ２４・・・センサ上開ロバターン付きマスク、２５・・
・入力装置、　　　２６・・・表示装置。 ２７・・・光量検出値取り込み処理。 ２８・・・検出値平均化処理、 ２９・・・パターン中心検出処理、 ３０・・・光量検出値取り込み処理、 ３１・・・パターン中心検出処理、 ３２・・・パターン中心位置平均化処理。 （工事Ｂ力向七ン寸位置Ｙｊ−） （ａ） 塙 （α） （ｂ） 筋 （α） ■ （ｂン 躬 国 （ａ） ０ｒＹ ２３−・・し今フ／Ｌ上１９シヒマ一つ（Ｃ） （ｅ） （ｄ） 躬 目 （ａ） ？−・・し＋”）ｒ（− ３、−、ウニハス９−ジ。 ５−・−オ喫−ヒエニフト ！・−・つＬハ 、’！−Ｌ今クツＬＬ杖忠マーフ 閑 （ａ） ＜Ｃ） Ｆ＝Ｌ丁 第 １Ｏ口 （ｂ） ど３・・　Ｌ＋クル上杖と、ＦＦＩマーフ一 第 喝 （α） （Ｆ）） （Ｃ） 躬 国 第 第 肥 （α） ＜ｂ＞ （Ｃ） 一一丁一ツ（（ 〒−ｙへ で〉°す′イｉ：［Ｘｉ、Ｙｉ 第 （セ〉寸−イ立直） 躬 困 （セ〉寸−イ装置） 筋 ？３ −ｔ！　−、ｑ−４ｉｌｌ 躬 ２４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マスク上に形成された回路パターンを投影光学系に
   よって基板上に露光する投影露光方法において、上記マ
   スク上に形成されたマークの上記投影光学系によって結
   像される像を、上記基板を載置して移動させるステージ
   上に設けられたセンサにより検出し、該センサから検出
   される信号に基いて上記投影光学系の特性を高精度に測
   定し、この測定された投影光学系の特性が所望に値にな
   るように制御することを特徴とする投影露光方法。 ２、上記特性として、倍率、像歪、像面湾曲、非点収差
   の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１
   記載の投影露光方法。 ３、マスク上に形成された回路パターンを投影光学系に
   よって基板上に露光する投影露光方法において、上記マ
   スク上に形成されたマークの上記投影光学系によって結
   像される像を、上記基板を載置して移動させるステージ
   上に設けられたセンサにより検出し、該センサから検出
   される信号に基いて上記投影光学系の特性を高精度に測
   定し、この測定結果を表示手段に表示させ、表示される
   投影光学系の特性が所望に値になるように制御すること
   を特徴とする投影露光方法。 ４、上記特性として、倍率、像歪、像面湾曲、非点収差
   の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１
   記載の投影露光方法。 ５、マスク上に形成された回路パターンを投影光学系に
   よって基板上に露光する投影露光方法において、上記マ
   スク上に形成されたスリット状のマークの上記投影光学
   系によって結像される像を、上記基板を載置して移動さ
   せるステージ上の結像面に設けられたスリット状開口を
   通してセンサにより検出し、上記センサから検出される
   信号に基いて少なくとも上記投影光学系とステージ又は
   マスクとの相対的振動成分を測定し、この測定された振
   動成分が所望の値を越えたとき該振動の原因を取り除く
   ことを特徴とする投影露光方法。６、マスク上に形成さ
   れた回路パターンを投影光学系によって基板上に露光す
   る投影露光装置において、上記マスク上に形成されたマ
   ークの上記投影光学系によって結像される像を検出すべ
   く上記基板を載置して移動させるステージ上に設けられ
   たセンサと、該センサから検出される信号に基いて上記
   投影光学系の特性を高精度に測定する測定手段とを備え
   たことを特徴とする投影露光装置。 ７、上記測定手段によって測定する特性として、倍率、
   像歪、像面湾曲、非点収差の少なくともいずれかである
   ことを特徴とする請求項６記載の投影露光装置。 ８、マスク上に形成された回路パターンを投影光学系に
   よって基板上に露光する投影露光装置において、上記マ
   スク上に形成されたマークの上記投影光学系によって結
   像される像を検出すベく上記基板を載置して移動させる
   ステージ上に設けられたセンサと、該センサから検出さ
   れる信号に基いて上記投影光学系の特性を高精度に測定
   し、この測定結果を表示手段に表示させる測定手段とを
   備えたことを特徴とする投影露光装置。 ９、上記測定手段によって測定する特性として、倍率、
   像歪、像面湾曲、非点収差の少なくともいずれかである
   ことを特徴とする請求項８記載の投影露光装置。 １０、マスク上に形成された回路パターンを投影光学系
   によって基板上に露光する投影露光装置において、上記
   マスク上に形成されたスリット状のマークの上記投影光
   学系によって結像される像を、スリット状開口を通して
   センサにより検出すべく上記基板を載置して移動させる
   ステージ上の結像面に設けられた上記スリット状開口と
   センサとを有する検出手段と、該検出手段のセンサから
   検出される信号に基いて少なくとも上記投影光学系とス
   テージ又はマスクとの相対的振動成分を測定する振動成
   分測定手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置。