JP2007150297A - 投影システムの倍率を計測する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 - Google Patents
投影システムの倍率を計測する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007150297A JP2007150297A JP2006308493A JP2006308493A JP2007150297A JP 2007150297 A JP2007150297 A JP 2007150297A JP 2006308493 A JP2006308493 A JP 2006308493A JP 2006308493 A JP2006308493 A JP 2006308493A JP 2007150297 A JP2007150297 A JP 2007150297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- component
- marker
- projection system
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Abstract
【解決手段】投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサを有するリソグラフィ投影装置の投影システムの倍率を計測する方法であって、該方法が、二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、該二成分マーカはその二つの成分のプリント間のオーバーレイ誤差に対して感度を有するステップと投影された像における二成分マーカの該成分の位置をイメージセンサにより計測するステップとを含む。
【選択図】図6
Description
Claims (19)
- 投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサを有するリソグラフィ投影装置の投影システムの倍率を計測する方法であって、
二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、前記二成分マーカはその二つの成分のプリント間のオーバーレイ誤差に対して感度を有するステップと、
前記投影された像における前記二成分マーカの前記成分の位置を前記イメージセンサにより計測するステップと
を含む方法。 - 前記イメージセンサが、前記リソグラフィ投影装置の基板テーブル上に搭載されている、請求項1記載の方法。
- 前記イメージセンサが複数の感光性検出器を含み、前記感光性検出器の少なくとも一つは、透過性部分により格子が形成されている不透明層を有する、請求項2記載の方法。
- 前記イメージセンサは、上に重なる格子を有しない感光性検出器を含む、請求項3記載の方法。
- 前記感光性検出器は上に重なる格子を有しなておらず、10〜40μmの範囲内の寸法形状を有する、請求項2記載の方法。
- 前記イメージセンサが透過イメージセンサである、請求項1記載の方法。
- 前記センサが反射イメージセンサを含む、請求項1記載の方法。
- 前記二成分マーカがボックスインボックス式マーカである、請求項1記載の方法。
- 投影される前記像が第2の二成分マーカの一成分の像をさらに含み、計測するステップが反復されて前記第2の二成分マーカの前記成分の位置が計測される、請求項1記載の方法。
- 前記像が、デバイスの層の少なくとも一部の像をさらに含む、請求項1記載の方法。
- 投影システムと、前記投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサとを有するリソグラフィ投影装置によるデバイス製造方法であって、前記方法が、
二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、前記二成分マーカは前記二つの成分のプリント間のオーバーレイ誤差に対して感度を有するステップと、
前記投影された像における前記二成分マーカの前記成分の位置を前記イメージセンサにより計測するステップと、
前記計測された位置から前記投影システムの倍率を示す値を決定するステップと、
前記像を基板へ投影するステップと
を含む方法。 - 前記像を前記基板へ投影する前に、前記投影システムの倍率を調整するステップをさらに含む、請求項11記載の方法。
- 前記二成分マーカのプリントされた像を現すために前記基板を現像するステップと、
前記二成分マーカの前記プリントされた像の位置をオフラインツールにより計測するステップと、
前記プリントされた像の前記計測された位置から前記投影システムの倍率を示す第2の値を決定するステップと
をさらに含む、請求項11記載の方法。 - 前記リソグラフィ装置の一部を、前記投影システムの倍率を示す前記値により較正するステップをさらに含む、請求項13記載の方法。
- 投影システムと、前記投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサとを有するリソグラフィ装置を制御し、前記投影システムの倍率を計測する方法を実行するためのプログラムコードを含むコンピュータプログラム製品であって、前記方法が、
二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、前記二成分マーカは前記二つの成分のプリント間のオーバーレイ誤差に対して感度を有するステップと、
前記投影された像における前記二成分マーカの前記成分の位置を前記イメージセンサにより計測するステップと
を含むコンピュータプログラム製品。 - 投影システムと、前記投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサとを有するリソグラフィ装置を制御し、デバイス製造方法を実行するプログラムコードを含むコンピュータプログラム製品であって、前記方法が、
二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、前記二成分マーカは前記二つの成分のプリント間のオーバーレイ誤差に対して感度を有するステップと、
前記投影された像における前記二成分マーカの前記成分の位置を前記イメージセンサにより計測するステップと、
前記計測された位置から前記投影システムの倍率を示す値を決定するステップと、
前記像を基板へ投影するステップと
を含むコンピュータプログラム製品。 - 透過イメージセンサを使用して、オーバーレイマーカの空間像の一部を検出するステップを含む方法。
- リソグラフィ投影装置内の基板テーブル上に搭載されたセンサを使用して空間像の一部の特性を検出するステップを含む方法であって、前記センサが、第1マーカの態様の透過性部分を有する不透明層を有し、特性が検出されるその前記空間像の前記一部が、前記第1マーカとは態様の異なる第2マーカの像である方法。
- 投影システムにより投影された空間像を検知できるイメージセンサを有するリソグラフィ投影装置の投影システムの倍率を計測する方法であって、前記イメージセンサは前記装置の基板テーブル上に搭載されており、複数の格子を含むアライメントマーカに応じてパターニングされた不透明層を有する方法であり、前記方法が、
二成分マーカの一成分の像を投影するステップであって、前記二成分マーカが第1および第2ボックスを含み、前記第1ボックスは開口しており前記第2ボックスは前記第1ボックスの内部に設置されているステップと、
前記投影された像における前記二成分マーカの前記成分の位置を前記イメージセンサにより計測するステップと
を含む方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/285,766 US20070115452A1 (en) | 2005-11-23 | 2005-11-23 | Method of measuring the magnification of a projection system, device manufacturing method and computer program product |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150297A true JP2007150297A (ja) | 2007-06-14 |
JP4527099B2 JP4527099B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=38053118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006308493A Expired - Fee Related JP4527099B2 (ja) | 2005-11-23 | 2006-11-15 | 投影システムの倍率を計測する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070115452A1 (ja) |
JP (1) | JP4527099B2 (ja) |
KR (1) | KR100825453B1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329462A (ja) * | 2006-05-05 | 2007-12-20 | Asml Netherlands Bv | 不均一サンプル分布に起因したフィットエラーの低減 |
JP2009283935A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | サポート構造、リソグラフィ装置、および方法 |
JP7446447B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-03-08 | ケーエルエー コーポレイション | 複合的オーバレイ計測ターゲット |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090002656A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Device and method for transmission image detection, lithographic apparatus and mask for use in a lithographic apparatus |
JP5735472B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2015-06-17 | 株式会社 ディー・エヌ・エー | ゲーム提供装置 |
US9257351B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-02-09 | Globalfoundries Inc. | Metrology marks for bidirectional grating superposition patterning processes |
US9059102B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Metrology marks for unidirectional grating superposition patterning processes |
NL2017356A (en) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Asml Netherlands Bv | Scanning Measurement System |
WO2017092986A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Scanning measurement system |
EP3505641A1 (en) * | 2015-12-18 | 2019-07-03 | Paris Sciences et Lettres - Quartier Latin | Optical device for measuring the position of an object |
WO2018166738A1 (en) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | Asml Netherlands B.V. | A sensor mark and a method of manufacturing a sensor mark |
WO2023138892A1 (en) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for illumination adjustment |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
JPS5918950A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-31 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシユタルト | 加工片上へのマスクの投影転写装置およびその調整方法 |
JPH0227712A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
JPH0272609A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Marcon Electron Co Ltd | Shコンデンサ |
JPH0472609A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
JPH0645219A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 縮小投影露光装置の投影倍率測定機構 |
JPH0684747A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH0855783A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH08293453A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Canon Inc | 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
JPH10172890A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nikon Corp | 投影露光方法 |
JPH10209031A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 結像特性補正方法及び投影露光装置 |
WO1999045581A1 (fr) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition, fabrication d'un outil d'exposition, dispositif, et fabrication de ce dispositif |
JP2000511004A (ja) * | 1997-03-07 | 2000-08-22 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置 |
JP2001313250A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2002015997A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-01-18 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ投影装置の作動方法 |
JP2002014005A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002110540A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-04-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置を操作する方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されるデバイス |
JP2002198303A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
JP2003158071A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の投影システムの収差を測定する方法、デバイス製造法、およびそれにより作製されたデバイス |
JP2004071622A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Fab Solution Kk | 半導体装置製造工程管理方法および半導体装置製造工程管理システム |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5631731A (en) * | 1994-03-09 | 1997-05-20 | Nikon Precision, Inc. | Method and apparatus for aerial image analyzer |
EP0721608B1 (en) * | 1994-08-02 | 2003-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
US6462818B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US6486954B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-11-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay alignment measurement mark |
EP1231514A1 (en) * | 2001-02-13 | 2002-08-14 | Asm Lithography B.V. | Measurement of wavefront aberrations in a lithographic projection apparatus |
US6747282B2 (en) * | 2001-06-13 | 2004-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7804994B2 (en) * | 2002-02-15 | 2010-09-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay metrology and control method |
TWI263859B (en) * | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7308368B2 (en) * | 2004-09-15 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program |
US20060109463A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
-
2005
- 2005-11-23 US US11/285,766 patent/US20070115452A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-11-15 JP JP2006308493A patent/JP4527099B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-22 KR KR1020060115588A patent/KR100825453B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-22 US US11/603,256 patent/US20070159622A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
JPS5918950A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-31 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシユタルト | 加工片上へのマスクの投影転写装置およびその調整方法 |
JPH0227712A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
JPH0272609A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Marcon Electron Co Ltd | Shコンデンサ |
JPH0472609A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
JPH0645219A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 縮小投影露光装置の投影倍率測定機構 |
JPH0684747A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH0855783A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH08293453A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Canon Inc | 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
JPH10172890A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nikon Corp | 投影露光方法 |
JPH10209031A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 結像特性補正方法及び投影露光装置 |
JP2000511004A (ja) * | 1997-03-07 | 2000-08-22 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置 |
WO1999045581A1 (fr) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition, fabrication d'un outil d'exposition, dispositif, et fabrication de ce dispositif |
JP2001313250A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2002014005A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002015997A (ja) * | 2000-06-14 | 2002-01-18 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ投影装置の作動方法 |
JP2002110540A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-04-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置を操作する方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されるデバイス |
JP2002198303A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置、光学特性計測方法、及びデバイス製造方法 |
JP2003158071A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-05-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の投影システムの収差を測定する方法、デバイス製造法、およびそれにより作製されたデバイス |
JP2004071622A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Fab Solution Kk | 半導体装置製造工程管理方法および半導体装置製造工程管理システム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329462A (ja) * | 2006-05-05 | 2007-12-20 | Asml Netherlands Bv | 不均一サンプル分布に起因したフィットエラーの低減 |
JP4620706B2 (ja) * | 2006-05-05 | 2011-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 不均一サンプル分布に起因したフィットエラーの低減 |
JP2009283935A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | サポート構造、リソグラフィ装置、および方法 |
JP7446447B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-03-08 | ケーエルエー コーポレイション | 複合的オーバレイ計測ターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070054570A (ko) | 2007-05-29 |
US20070115452A1 (en) | 2007-05-24 |
JP4527099B2 (ja) | 2010-08-18 |
US20070159622A1 (en) | 2007-07-12 |
KR100825453B1 (ko) | 2008-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4527099B2 (ja) | 投影システムの倍率を計測する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 | |
US7348574B2 (en) | Position measurement system and lithographic apparatus | |
US7619207B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7879682B2 (en) | Marker structure and method for controlling alignment of layers of a multi-layered substrate | |
US8619235B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7633600B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR100985834B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치의 포커스를 측정하는 방법 | |
US8351024B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a level sensor having a detection grating including three or more segments | |
US20090128791A1 (en) | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method | |
US20070003840A1 (en) | Focus determination method, device manufacturing method, and mask | |
US7992115B2 (en) | Overlay measurement on double patterning substrate | |
US20180246420A1 (en) | A method and apparatus for determining at least one property of patterning device marker features | |
JP4643627B2 (ja) | フォーカステスト実施方法およびデバイス製造方法 | |
US20120013879A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2007180548A (ja) | パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置 | |
CN107810447B (zh) | 用于将标记图案转印到衬底的方法、校准方法以及光刻设备 | |
CN110832402A (zh) | 清除方法、显露装置、光刻设备和器件制造方法 | |
JP2007173807A (ja) | デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 | |
US11307507B2 (en) | Method to obtain a height map of a substrate having alignment marks, substrate alignment measuring apparatus and lithographic apparatus | |
KR101177404B1 (ko) | 캘리브레이션 방법 및 이러한 캘리브레이션 방법을 이용하는 리소그래피 장치 | |
CN114450641A (zh) | 具有调制光源的对准传感器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100506 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100602 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |