CN110832402A - 清除方法、显露装置、光刻设备和器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；测量所述第二区域中的被显露出的传感器特征的部位；基于所述第二区域中的被显露出的传感器特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月5日提交的欧洲申请17179804.4的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于显露衬底上的传感器目标的方法，一种相对应的显露装置，一种包括这种显露装置的光刻设备，和一种器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底来辐照每个目标部分。也有可能通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
在光刻设备中，传感器通常被设置用于测量衬底的位置、方向和/或变形，从而准确地将图案转印到衬底上的目标部分。典型地，这些传感器使用设置在衬底上的传感器目标，但是当这些传感器目标被具有对传感器不利的属性的层覆盖时，例如所述层对于在可见波长范围内工作的基于光学的传感器是不透明的，测量受到负面影响，例如接收到太低的信号。
当前，通过使用附加的光刻处理步骤和蚀刻处理步骤清除或去除覆盖传感器目标的不透明层的一部分来显露这些传感器目标。这些附加的处理步骤花费大量时间，并且会消耗大量机器容量，并可能导致良率损失。
发明内容
期望提供一种显露出被不透明层覆盖的传感器目标的改良的过程，所述改良的过程是快速的且优选地不会导致良率损失。
根据本发明的实施例，提供了一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：
a)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；
b)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；
c)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；
d)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和
e)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
在实施例中，在步骤b)中，显露出实质上间隔开的至少两个特征。
在实施例中，通过激光烧蚀来执行去除所述层的特征区和/或传感器目标区的步骤。
在实施例中，所述方法还包括至少填充被去除的传感器目标区的步骤。
在实施例中，在步骤a)中，非良率目标部分至少是在所述衬底的边缘处的不完整的目标部分。
在实施例中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
在实施例中，通过使用照相机来执行测量被显露的特征的部位，所述照相机优选地还被配置成为了诊断原因而检查所述清除。
根据本发明的另一实施例，提供了一种显露装置，配置成显露由层覆盖的衬底上的传感器目标，包括：
-层去除装置；
-特征部位确定装置；和
-控制单元，
其中所述控制单元被配置成接收和/储存关于如下的信息：所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域；
其中所述控制单元还被配置成：
-控制所述层去除装置以至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；
-控制所述特征部位确定装置以测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；
-基于所述第二区域中的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和
-控制所述层去除装置以使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
在实施例中，所述层去除装置是激光器。
在实施例中，所述特征部位确定装置是照相机。
在实施例中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
在实施例中，所述特征部位确定装置还配置成检查由所述层去除装置进行的层去除的结果。
在实施例中，所述显露装置还包括填充装置以用另外的材料至少填充被去除的传感器目标区。
根据本发明的另一实施例，提供了一种光刻设备，包括根据本发明的显露装置。
在实施例中，所述显露装置附接至所述光刻设备的框架。
在实施例中，所述光刻设备还包括：
-照射系统，配置成调节辐射束；
-支撑件，构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束；
-衬底台，构造成保持衬底；和
-投影系统，配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。
根据本发明的另一实施例，提供了一种器件制造方法，其中使用根据本发明的显露装置和/或光刻设备。
附图说明
现在将参考所附示意性附图、仅通过举例方式来描述本发明的实施例，在附图中对应的附图标记表示对应的部件，且在附图中：
-图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；
-图2示意性地描绘了根据本发明的显露装置；
-图3A描绘了覆盖有一材料层的衬底的俯视图；
-图3B描绘了图3A的衬底的截面图；
-图4A描绘了在清除第二区域中的特征之后的图3A的衬底的俯视图；
-图4B更详细地描绘了图4A的衬底的第一区；
-图4C更详细地描绘了图4A的衬底的第二区；
-图5A描绘了清除第一区域中的传感器目标之后的图4A的衬底的俯视图；
-图5B更详细地描绘了图5A的衬底的第三区；
-图6描绘了图5A的衬底的第三区的截面图；和
-图7描绘了在用另一种材料填充之后的图5A的衬底的第三区域的剖视图。
具体实施方式
图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：
-照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连；
-衬底台(例如，晶片台)WTa或WTb，构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置成根据某些参数准确地定位衬底的第二定位器PW相连；和
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形和/或控制辐射。
支撑结构MT支撑(即承载)图案形成装置MA的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计和诸如例如图案形成装置MA是否保持在真空环境中的其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所期望的位置上(例如相对于投影系统PS)。本发明使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以被认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
本文使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分上产生图案的任何装置。应注意，赋予辐射束的图案可以不完全地对应于衬底W的目标部分中的所期望的图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于在目标部分中产生的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。
图案形成装置MA可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
本文使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有或约为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长)以及诸如离子束或电子束等粒子束。
本文使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反射折射型光学系统、磁性型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统或其任意组合，例如对于所使用的曝光辐射或者对于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其他因素合适的。本发明使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”同义。
如此处所描绘，所述设备属于透射型(例如，采用透射式掩模)。可替代地，所述设备可以属于反射型(例如，采用如上文所提及类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。在图1的示例中的两个衬底台WTa和WTb是对此的图示。本文公开的发明可以以独立的方式使用，但是特别地，它可以在单平台或多平台设备的预曝光测量阶段中提供附加功能。
光刻设备也可以属于如下类型，其中衬底W的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体覆盖，例如，水，以便填充投影系统PS和衬底W之间的空间。浸没液体也可以施加于光刻设备中的其它空间，例如，在图案形成装置MA和投影系统PS之间。本领域中众所周知的是，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。本发明使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底W的结构必须浸没在液体中，相反，“浸没”仅意味着在曝光期间液体位于投影系统PS和衬底W之间。
参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当辐射源SO为准分子激光器时，辐射源SO和光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，辐射源SO不被认为是构成光刻设备的一部分，且辐射束被借助于包括(例如)适合的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD从辐射源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如当所述源为汞灯时，所述源可以是所述光刻设备的组成部分。可以将辐射源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称为辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，诸如，积分器IN和聚光器CO。所述照射器可以用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上的图案形成装置MA(例如，掩模)上，并且通过图案形成装置MA来形成图案。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B传递通过投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WTa/WTb，例如以便将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库进行机械获取之后，或在扫描期间，可以将第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确描绘出)用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。通常，可以借助于构成所述第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用构成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WTa/WTb的移动。在步进器的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以通过使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所图示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，掩模对准标记M1、M2可以位于所述管芯之间。
所描绘的设备至少能够用于扫描模式中，在所述扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WTa/WTb同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WTa/WTb相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度决定了目标部分的高度(沿扫描方向)。
除了所述扫描模式之外，所描绘的设备能够用于下列模式中的至少一种：
1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WTa/WTb保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WTa/WTb沿X和/或Y方向移位，使得可以对不同的目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中被成像的目标部分C的尺寸。
2.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WTa/WTb进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WTa/WTb的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如，上文所提及类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变形例，或完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双平台型，其具有两个衬底台WTa和WTb以及两个站——曝光站和测量站——在所述两个站之间衬底台能够被交换。在曝光站处正曝光一个衬底台上的一个衬底的同时，可在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上以使得可以执行各种预备步骤。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面和使用对准传感器AS测量在衬底上的对准标识的位置。这实现设备的生产量实质性增加。如果位置传感器IF在测量站和曝光站处时都不能测量衬底台的位置，则可以设置第二位置传感器以实现在两个站处追踪衬底台的位置。
所述设备还包括光刻设备控制单元LACU，其控制所描述的各种致动器和传感器的所有运动和测量。控制单元LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实施与设备的操作相关的期望计算。在实践中，控制单元LACU将实现为许多子单元的系统，每个子单元处理所述设备内的子系统或部件的实时数据采集、处理和控制。例如，一个处理子系统可以专用于伺服控制衬底定位器PW。分立的单元甚至可以处理粗动致动器和微动致动器，或不同的轴线。另一单元可以专用于位置传感器IF的读出。设备的整体控制可以由中央处理单元控制，所述中央处理单元与这些子系统处理单元通信，与操作员以及与光刻制造过程中涉及的其它设备通信。
图2示意性地描绘了根据本发明的实施例的显露装置COD。显露装置COD在该实施例中是图1的光刻设备的一部分，并且可通过两个衬底台WTa/WTb中的至少一个到达以将衬底W提供至显露装置COD。
显露装置COD配置成显露或清除覆盖有材料层的衬底上的传感器目标。这可以参照图3A和3B清楚地看到。图3A示意性地描绘了覆盖有一材料层的衬底W的俯视图，图3B描绘了所述衬底W的截面图。衬底W包括传感器目标，例如衬底对准标记P1或P2，例如光栅。衬底W被一材料层LOM覆盖，该材料层还覆盖了传感器目标P1、P2。该材料层LOM可能妨碍传感器(诸如对准传感器)准确地测量传感器目标P1、P2的位置，例如因为该材料层LOM对于在可见光波长范围内操作的基于光学的传感器是不透明的，该材料层例如是在例如3D NAND过程中出现的碳层。清除至少部分地去除了该材料层LOM的一区，使得传感器目标能够以足够的准确度被传感器设备检测到。至少部分地去除该材料层LOM的一区因此还包括如下的实施例：在所述实施例中，在没有完全去除该材料层的情况下减小了该材料层LOM的厚度。因此，可以在一区中将材料层LOM的厚度减小到一值以使得该材料层对于由传感器设备施加以检测传感器目标的波长范围变得足够透明。在一区域中至少部分地去除材料层LOM还进一步包括完全去除该层，即，将厚度减小到零。
为了清除传感器目标P1、P2，显露装置包括层去除装置LRD、特征部位确定装置FLDD和填充装置FD，所述去除装置LRD、特征部位确定装置FLDD和填充装置FD全部受控制单元CU控制或至少与控制单元CU相连，控制单元CU可以是如关于图1所述的光刻设备控制单元LACU的一部分。
再次参照图3A，衬底W包括：包括良率目标部分的由参考符号“1”指示的第一区域和包括非良率目标部分的由参考符号“2”指示的第二区域。非良率目标部分是对例如集成电路的制造商无用的目标部分，例如因为目标部分在衬底W的边缘并且不是完整的，即不完整，其结果是不可能产生有效的集成电路。良率目标部分是对例如集成电路的制造商有用的目标部分，并且良率目标部分能够产生有效的集成电路。
关于第一区域1和第二区域2的预期部位的信息通常是由制造商直接或间接提供的，因为所述信息尤其依赖于目标部分的尺寸和目标部分横跨衬底的分布，目标部分的尺寸和目标部分横跨衬底的分布全都由制造商选择和/或设定。图2中的显露装置COD的控制单元CU被配置为接收和/或储存该信息，并基于该信息确定第一区域1和第二区域2的初始或预期部位，以及确定传感器目标和衬底上的其它特征的预期部位。
衬底W包括参考平面RP或任何其它参考，以允许显露装置COD基于提供给控制单元CU和/或储存在控制单元CU中的信息来大致确定目标部分的部位。然而，由于衬底W可能变形并且传感器目标P1，P2被材料层LOM覆盖，所以不可能足够准确地确定传感器目标P1、P2的位置。这可能导致一被去除区，所述被去除区的大小不足以显露整个传感器目标P1、P2，并且一部分传感器目标仍可能被材料层LOM覆盖。因此，为了确保整个传感器目标被显露出来并且对于传感器设备是可检测的，需要去除覆盖传感器目标的层的一实质上大于传感器目标的区，这可能导致材料层在产品特征上方的第一区域中也被去除，其结果是该产品将无法再完成并降低了良率。
因此，根据本发明，第二区域中的层的第一特征区被至少部分地去除以显露出第二区域中的特征。考虑到在显露步骤之前确定的传感器目标的部位的准确度相对较低，故特征区的面积足够大以显露出整个特征，例如，整个传感器目标P1、P2。控制单元CU因此被配置为控制层去除装置LRD以至少部分地去除覆盖第二区域的层的特征区以显露出第二区域中的特征。例如，从包括衬底布局以及衬底位置的粗略指示的数据库中确定或提取第二区域中特征的预期或初始位置，所述粗略指示可以例如通过检测衬底的边缘和/或存在于衬底边缘的参考(诸如在衬底边缘处的切口)来确定。
图4A描绘了图3A的衬底W，但是在层去除装置LRD已经去除了第一特征区RE1和第二特征区RE2处的材料层之后，所述第一特征区和第二特征区位于第二区域中。在实施例中，第一特征区被定位成基本上与第二特征区间隔开，例如，第一特征区在衬底的边缘区中或衬底的边缘区附近或在衬底的边缘处，并且第二特征区与第一特征区相对地位于衬底的边缘区中或所述边缘区附近或在衬底的边缘处。层去除装置可以例如是激光器，例如烧蚀激光器，其被配置为通过激光烧蚀去除材料层，例如，所述激光器是施加超短脉冲的脉冲激光器，诸如皮秒或飞秒脉冲激光器。在该实施例中，层去除装置LRD是固定的，并且使用衬底台WTa/WTb和相应的定位器PW将衬底W移动到层去除装置LRD的下方。替代地或附加地，层去除装置LRD可以是可移动的。该层还可以通过蚀刻过程(例如等离子蚀刻)去除。
图4B更为详细地描绘了第一特征区RE1。通过去除第一特征区RE1中的材料层LOM，显露出第一特征FE1。可以看出，第一特征区RE1比第一特征FE1大得多，因为第一特征FE1的部位无法被足够准确地确定。第一特征区RE1的大小使得在确定第一特征FE1的部位的误差容限内，将始终显露出第一特征FE1。第一特征FE1可以是像传感器目标P1、P2一样的传感器目标，但是也可以是另外的标记、目标、光栅或任何其它可识别的特征。
图4C更为详细地描绘了第二特征区RE2。通过去除第二特征区RE2中的材料层LOM，显露出第二特征FE2。可以看出，第二区RE2比第二特征FE2大得多，因为第二特征FE2的部位无法被足够准确地确定。第二特征区RE2的大小使得在确定第二特征FE2的部位的误差容限内，将始终显露出第二特征FE2。第二特征FE2可以是像传感器目标P1、P2一样的传感器目标，但是也可以是另外的标记、目标、光栅或任何其它可识别的特征，如这里所示意性示出的。
一旦显露出第一特征FE1和第二特征FE2，就控制特征部位确定装置以比最初例如根据数据库和/或衬底边缘检测确定的准确度更高的准确度测量所显露的特征的部位。该测量的结果能够用于确定衬底的更准确的方向和变形，从而例如结合包括衬底布局和传感器目标P1、P2的部位的数据库确定在第一区域中的传感器目标P1、P2的部位。
图5A描绘了图4A的衬底W，但是在至少基于在第二区域中的第一特征和第二特征的所测量的部位确定第一区域中的传感器目标P1、P2的部位之后，控制层去除装置至少部分地去除该层的传感器目标区RE3，并通过基于所确定的第二区域中的传感器目标的部位至少部分地去除覆盖传感器目标的材料层的传感器目标区来显露出第一区域中的传感器目标。
图5B更为详细地描绘了传感器特征区RE3。通过去除传感器目标区RE3中的材料层LOM，显露出传感器目标P1、P2。可以看出，传感器目标区RE3的大小或面积仅略大于传感器目标P1、P2的大小或面积，因为传感器目标的部位被基于所测量的第一特征和第二特征的部位更准确地确定。结果，去除材料层的传感器目标区将不会不利地影响任何相邻的目标部分，从而在清除传感器目标时不会降低良率。
尽管图5A和5B仅示出了传感器目标区RE3的至少部分去除，即在第一区域中的单个传感器目标区，但是对于本领域技术人员清楚的是，通过使用该方法，能够在第一区域中显露出任意数目的传感器目标和相应的传感器目标区。
图6描绘了图5A的衬底W的传感器目标区RE3的截面图。可以清楚地看到，在传感器目标P1、P2上方的材料层LOM被去除，从而光刻设备的传感器能够与传感器目标P1、P2相互作用以在后续处理期间准确地确定传感器目标P1、P2的位置。然而，由于所述显露过程，传感器目标周围存在阶梯状结构，使得当在衬底上旋涂抗蚀剂层时，获得了厚度不均匀的抗蚀剂层。
为了改良这种情况，可以首先使用如图7所描绘的填充装置FD用另一种材料ANO填充传感器目标区域RE3，所述另一种材料优选地被选择成使其不妨碍传感器目标P1、P2的位置测量，但是提供了衬底W的平坦的上表面，以允许将抗蚀剂层旋涂在衬底上并获得基本均匀的厚度。
衬底W可以例如通过相应地定位衬底保持器而被带到填充装置FD下方，如图2中的虚线所描绘。可以例如以与将抗蚀剂施加到衬底上相似的方式将材料ANO旋涂在衬底W上。
虽然本文是对光刻设备用于IC的制造进行了具体参考，但是，应该理解，本文所述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的内容背景下，本文使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或之后例如在涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将本发明的公开内容应用于这种衬底处理工具和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如用于产生多层IC，使得本发明使用的术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管上文已经具体参考了在光学光刻术的上下文中使用本发明的实施例，但是应当理解，本发明可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成装置的形貌可以被压制到被供给至衬底的抗蚀剂层中，于是抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或者它们的组合被固化。在抗蚀剂被固化之后所述图案形成装置被移出抗蚀剂，在其中留下图案。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实践。例如，本发明可以采取包含一个或更多个描述上述方法的机器可读指令序列的计算机程序或于其中储存该计算机程序的数据储存介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
上文描述旨在是说明性的而不是限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的发明进行修改。
Claims (15)
1.一种用于显露由层覆盖的衬底上的传感器目标的方法，所述方法包括以下步骤：
a)确定所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域的部位和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域的部位；
b)至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；
c)测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；
d)基于所述第二区域中的被显露出的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和
e)使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位至少部分去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)中，显露出实质上间隔开的至少两个特征。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过激光烧蚀来执行去除所述层的所述特征区和/或传感器目标区的步骤。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括至少填充被去除的传感器目标区的步骤。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，在步骤a)中，非良率目标部分至少是在所述衬底的边缘处的不完整的目标部分。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
7.一种显露装置，所述显露装置被配置成显露出由层覆盖的衬底上的传感器目标，包括：
-层去除装置；
-特征部位确定装置；和
-控制单元，
其中所述控制单元被配置成接收和/储存关于如下的信息：所述衬底上的具有良率目标部分的第一区域和所述衬底上的具有非良率目标部分的第二区域；
其中所述控制单元还被配置成：
-控制所述层去除装置以至少部分去除覆盖所述第二区域中的特征的所述层的特征区以显露出所述第二区域中的特征；
-控制所述特征部位确定装置以测量所述第二区域中的被显露出的特征的部位；
-基于所述第二区域中的特征的被测量的部位确定所述第一区域中的传感器目标的部位；和
-控制所述层去除装置以使用所述第一区域中的传感器目标的被确定的部位去除覆盖所述第一区域中的所述传感器目标的所述层的传感器目标区。
8.根据权利要求7所述的显露装置，其中，所述层去除装置是激光器。
9.根据权利要求7或8所述的显露装置，其中，所述特征部位确定装置是照相机。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的显露装置，其中，所述特征区的面积大于所述传感器目标区的面积。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的显露装置，其中，所述特征部位确定装置还配置成检查由所述层去除装置进行的层去除的结果。
12.根据权利要求7-11中任一项所述的显露装置，还包括填充装置以用另外的材料至少填充被去除的传感器目标区。
13.一种光刻设备，包括根据权利要求8至12中任一项所述的显露装置。
14.根据权利要求13所述的光刻设备，其中，所述显露装置附接至所述光刻设备的框架。
15.一种器件制造方法，其中使用根据权利要求7-12中任一项所述的显露装置和/或根据权利要求13或14所述的光刻设备。
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