JPH07273018A - ウエハのアライメント方法 - Google Patents

ウエハのアライメント方法

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JPH07273018A
JPH07273018A JP6087803A JP8780394A JPH07273018A JP H07273018 A JPH07273018 A JP H07273018A JP 6087803 A JP6087803 A JP 6087803A JP 8780394 A JP8780394 A JP 8780394A JP H07273018 A JPH07273018 A JP H07273018A
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハの高精度なアライメントを行う方法を
提供すること。 【構成】 先ずアライメントマークの部分に塗布されて
いるレジストのみに例えば露光を行ってその部分だけを
除去し(ステップ1a)、次にレジストが除去されて表
面に露出したアライメントマークからの反射光を光学的
に読み取り(ステップ1b)、次いでその読み取り情報
に基づいてウエハのアライメントを行う(ステップ1
c)。また、ステップ1aでウエハの周辺部分のレジス
トを除去した後、ステップ1bにてそのレジストが除去
された周辺部分に配置されるアライメントマークからの
反射光を読み取って、ステップ1cでその読み取り信号
に基づき他のアライメントマークの位置を補正するアラ
イメント方法でもある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面にレジストが塗布
されたウエハのアライメントを行う方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造における縮小投影露光
装置(以下、ステッパという)を用いたパターニングで
は、レチクル上のパターンを縮小投影してウエハ上に転
写している。パターンを転写するには、露光ショット
(以下、ショットという)を一定のステップで連続して
行ういわゆるステップアンドリピート動作をさせウエハ
上に複数のパターンを焼き付けている。
【0003】このショットにおいてウエハ上の下地パタ
ーンと転写するパターンとの位置合わせを正確に行うた
め、ステッパは各ショットにおいてウエハのアライメン
トを行う必要がある。
【0004】図10は、従来のウエハのアライメント方
法を説明する図で、(a)はレジストの塗布状態、
(b)はアライメントマーク部分の断面図、(c)は読
み取り信号を示している。図10(a)に示すように、
ウエハ1の表面には例えば長方形から成るアライメント
マーク10がオリエンテーションフラット(以下、オリ
フラという)1aの方向を基準として複数配置されてい
る。
【0005】このウエハ1の表面にレジスト2をスピン
させながら塗布するいわゆるスピンコーティングを行う
と、レジスト2は図中矢印に示すような流動方向に沿っ
てウエハ1上を広がっていく。一般的なレジストコーテ
ィングにおいては、ウエハ1の表面の略中央に所定量の
レジスト2を滴下し、その状態でウエハ1を例えば右方
向に所定の回転数で回転させる。これによってレジスト
2がウエハ1の表面全体に一様に広がるようになる。
【0006】図10(b)に示すように、レジスト2は
スピンコーティングによってウエハ1の表面に広がり、
アライメントマーク10の中にも塗布される。アライメ
ントマーク10はウエハ1の表面に対して凹型となって
いるため、レジスト2の流動方向の下手側にレジスト2
の盛り上がりができる状態となる。このような状態でウ
エハ1のアライメントを行うには、先ず、図示しない受
光装置によってアライメントマーク10からの反射光を
読み取り、次いでその読み取り情報に基づいて所定の計
算を行い基準位置に対するウエハ1の位置ずれを算出し
ている。
【0007】図10(c)に示すように、アライメント
マーク10の読み取り信号は受光装置(図示せず)のス
キャン方向の位置に対する読み取り信号の強度で表され
ている。ウエハ1のアライメントを行うにはこの読み取
り信号からピーク位置を見つけだして検出点とし、その
検出点の位置に基づきアライメントマーク10の位置情
報を得るようにしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなウエハのアライメント方法には次のような問題があ
る。すなわち、ウエハのアライメントマーク部分におい
ては、レジストの流動方向の下手側にレジストの盛り上
がりができるため、その断面プロファイルに非対称性が
生じてしまう。このような状態でアライメントマークか
らの反射光を読み取ると、その信号波形はレジストの膜
厚に依存した光学干渉によって左右非対称となりアライ
メントマークの中心位置と読み取り信号のピーク位置と
のずれが生じてしまう。このずれによってアライメント
マークの位置検出が不正確となり、ウエハのアライメン
トにおける精度低下を招いている。特に、半導体素子の
高密度化を進めるにあたりこのアライメント精度の低下
による製品不良が顕著に現れることになる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されウエハのアライメント方法であ
る。すなわち、本発明のウエハのアライメント方法は、
アライメントマークが設けられているとともに表面にレ
ジストが塗布されたウエハのアライメントを行う方法で
あり、先ず、アライメントマークの部分に塗布されてい
るレジストのみに露光を行ってその部分だけを除去し、
次いで、レジストが除去されたアライメントマークから
の反射光を光学的に読み取ってその読み取り情報に基づ
きウエハのアライメントを行っている。また、ウエハの
周辺部分のレジストを除去した後、その周辺部分に配置
されるアライメントマークからの反射光を読み取ってウ
エハのアライメントを行う方法でもある。
【0010】
【作用】本発明では、アライメントマーク部分に塗布さ
れたレジストを除去した後にそのアライメントマークか
らの反射光を読み取っている。このため、反射光はレジ
ストによる光学干渉の影響を受けることなく進み、受光
装置での左右対称な読み取り信号となる。また、ウエハ
の表面に複数のアライメントマークが所定の間隔で配置
されている場合、ウエハの周辺部分のレジストを除去
し、その周辺部分に設けられたアライメントマークの位
置情報に基づいてウエハの正確な位置ずれ情報を得る。
さらに、この位置ずれ情報に基づいてレジストが除去さ
れていない部分に配置されているアライメントマークの
位置情報を補正することで、ウエハにおける全アライメ
ントマークの位置情報の信頼性が向上する。
【0011】
【実施例】以下に、本発明のウエハのアライメント方法
の実施例を図に基づいて説明する。図1は本発明のウエ
ハのアライメント方法を説明するフローチャート、図2
はレジストが塗布されたウエハの状態を説明する平面
図、図3は光学的な読み取り状態を説明する図である。
先ず、これらの図に基づいて本発明のウエハのアライメ
ント方法の概要を説明する。
【0012】図2に示すように、アライメントの対象と
なるウエハ1には、オリフラ1aを基準として所定の方
向に配置された複数のアライメントマーク10が設けら
れている。また、ウエハ1の表面には、ステッパによる
露光のためのレジスト2が塗布されている。このような
ウエハ1のアライメントを行うには、先ず、図1のステ
ップ1aに示すように、所定のレジスト2を除去する処
理を行う。
【0013】すなわち、ウエハ1の表面に一様に塗布さ
れたレジスト2のうち、アライメントマーク10の上方
に対応する除去領域3(アライメントマーク10よりも
わずかに大きな領域)のレジスト2のみを除去する。図
3(a)に示すように、除去領域3のレジスト2を除去
することでアライメントマーク10がウエハ1の表面に
露出することになる。
【0014】次に、図1のステップ1bに示すように、
除去領域3のレジスト2が除去されたアライメントマー
ク10からの反射光を読み取る処理を行う。反射光は、
図示しない光源から照射される光がアライメントマーク
10に当たって反射するものであり、この反射光を図示
しない受光装置にて取り込む。図3(b)に示すよう
に、受光装置による読み取り信号は、レジスト2による
光学干渉の影響を受けることがないため左右対称となっ
ている。
【0015】受光装置による反射光の読み取りを行った
後は、図1のステップ1cに示すように、この読み取り
情報に基づいた統計処理アライメントを行う。すなわ
ち、レジスト2による光学干渉の影響を受けることなく
取り込まれた図3(b)に示す読み取り信号から大きな
谷となる部分の中心を読み取り、これを検出点とする。
この検出点は、図3(a)に示すアライメントマーク1
0の中心位置(図中一点鎖線参照)と正確に対応するこ
とになり、これによってアライメントマーク10の正確
な中心位置が求まる。
【0016】そして、複数のアライメントマーク10に
おいてこのような検出点を見つけだし、得られた各アラ
イメントマーク10の中心位置を用いてウエハ1の基準
位置に対するずれ量を算出する。ステッパにて処理を行
う場合には、このずれ量を補正しながら所定のステッピ
ングを行っていくことで、正確な位置への露光を行うこ
とができるようになる。
【0017】次に、本発明のウエハのアライメント方法
における具体例を説明する。図4は、具体例におけるア
ライメント対象のウエハ1およびアライメントマーク1
0を示す斜視図である。このウエハ1には、オリフラ1
aを基準として複数のアライメントマーク10が一定の
間隔で設けられており、例えばステッパでの各ショット
毎にこのアライメントマーク10を用いたウエハ1のア
ライメントを行う。
【0018】具体例においても、先と同様にアライメン
トマーク10の部分に塗布されたレジスト2を除去した
後、そのアライメントマーク10からの反射光を読み取
るようにする。図5は、レチクル4を用いて所定位置の
レジスト2を露光、現像する例を示した斜視図である。
すなわち、レチクル4はウエハ1のアライメントマーク
10に対応する部分(少なくともアライメントマーク1
0よりも大きい領域)だけの光を透過するように形成さ
れており、このレチクル4を透過する光をレンズ系5を
介してウエハ1上のレジスト2に照射する。
【0019】これによってレジスト2の照射部分41に
のみ光が当たり、この状態で所定の現像を行うことによ
りその照射部分41のレジスト2だけを除去する。照射
部分41のレジスト2が除去されることでウエハ1の表
面にアライメントマーク10が露出することになる。ウ
エハ1のアライメントを行うには、露出したアライメン
トマーク10からの反射光を図示しない受光装置にて読
み取り、この読み取り信号(図3(b)参照)に基づい
てアライメントマーク10の位置情報を得る。そして、
各アライメントマーク10の位置情報からウエハ1の位
置ずれ情報を得るようにする。
【0020】ステッパにて露光を行う場合には、レジス
ト2の除去によりウエハ1の表面に露出した各アライメ
ントマーク10の位置情報を得て各ショット毎にウエハ
1のアライメントを行うようにする。この際、アライメ
ントマーク10の位置情報が正確に得られるため、ステ
ッパにおける基準位置に対する各ショットの位置が正確
となる。図5に示すようなレチクル4を用いた場合に
は、複数のアライメントマーク10部分のレジスト2を
一回の露光で除去できるため、効率のよりレジスト除去
作業を行うことができるようになる。
【0021】次に、図6の斜視図に基づいて露光ビーム
によるレジスト除去の例を説明する。すなわち、この例
はウエハ1に付されたアライメントマーク10の部分の
レジスト2を除去するにあたり、ビーム発生器6から直
接光を照射してその部分を現像するものである。ビーム
発生器6は所定のビームスポットに絞り込んだ露光ビー
ム61を発生し、この露光ビーム61をアライメントマ
ーク10の部分に対応する照射部分62に照射するもの
である。
【0022】露光ビーム61を所定の方向に走査するた
めウエハ1は図示しないXYステージ上に載置されてお
り、このXYステージを移動して露光を繰り返す。この
露光によってアライメントマーク10の部分に対応する
照射部分62のみに直接光が照射され、これを現像する
ことにより照射部分62のレジスト2のみが除去され
る。これによってアライメントマーク10がウエハ1の
表面に露出し、ここからの反射光を図示しない受光装置
にて読み取ることで図3(b)に示すような左右対称の
読み取り信号を得ることができる。
【0023】ウエハ1のアライメントを行うには、各ア
ライメントマーク10からの反射光に基づき図3(b)
に示すような読み取り信号からそれぞれ検出点を得る。
そして、この検出点の位置から各アライメントマーク1
0の位置情報を求め、これに基づきウエハ1の位置ずれ
量を算出する。このように各アライメントマーク10か
らの反射光による読み取り信号が左右対称であるため、
得られる検出点の位置とアライメントマーク10の中心
位置とが正確に対応することになる。これによりウエハ
1の正確なアライメントを行うことができるようにな
る。
【0024】図6に示すようなビーム発生器6を用いた
レジスト2への直接露光では、アライメントマーク10
の配置位置や形状が異なる場合であっても容易に対応す
ることができるようになり、多品種少量生産を行う場合
において特に有効である。
【0025】次に、図7の斜視図に基づきエッジリンス
におけるレジスト除去の例を説明する。すなわち、一般
のレジストコーティングにおいては、レジスト2のスピ
ンコーティングを行ってウエハ1の全面にレジスト2を
一様に塗布した後、不要となるウエハ1のエッジ部分の
レジスト2をエッジリンスによって除去している。
【0026】エッジリンスを行うには、レジスト2が一
様に塗布されたウエハ1を回転させ、ウエハ1の外周近
傍に配置したノズル7からリンス液71を吐出する。リ
ンス液71は遠心力によってノズル7の位置より外側に
広がって塗布され、このリンス液71が接触した部分の
レジスト2を溶解除去することができる。
【0027】本実施例では、このエッジリンスの際に除
去されたレジスト2の部分に配置されるアライメントマ
ーク10を用いてウエハ1のアライメントを行う。すな
わち、予めエッジリンスを行う位置に複数のアライメン
トマーク10を配置されるように設定しておき、エッジ
リンスにてウエハ1のエッジ部分のレジスト2を除去し
た後、除去されたレジスト2の位置のアライメントマー
ク10からの反射光を図示しない受光装置にて読み取
る。
【0028】ウエハ1のアライメントを行うには、この
読み取り信号に基づいて所定の統計処理アライメントを
行う。このようなエッジリンスを用いてアライメントマ
ーク10部分のレジスト2を除去する場合には、特に新
たな工程を追加することなくアライメントマーク10部
分のレジスト除去作業を行えるというメリットがある。
【0029】次に、図8から図9に基づき、エッジリン
スにてレジスト2を除去した場合の統計処理アライメン
トを説明する。すなわち、エッジリンスにてレジスト2
を除去する場合には、ウエハ1の周辺部分のレジスト2
だけしか除去できないため、その周辺部分に配置された
アライメントマーク10だけを用いたアライメントを行
うようになる。
【0030】図8(a)は理想的なアライメントを示し
たものであり、図中○印がエッジリンスにて除去された
レジスト2の位置に配置されるアライメントマーク10
a、図中△印がレジスト2が除去されない位置に配置さ
れるアライメントマーク10bの位置をそれぞれ示して
いる。なお、各アライメントマーク10a、10bはス
テッパにおける露光ショット30の中央に配置されてい
るものとする。この各アライメントマーク10a、10
bの中心を結ぶ線が計算上の理想格子21となり、アラ
イメントにおける基準の線となる。
【0031】図8(b)はアライメントマーク10a、
10bからの反射光を読み取った後の格子の状態を示し
ている。すなわち、図7に示すようにエッジリンスを行
った後、先ずウエハ1の全てのアライメントマーク10
からの反射光を読み取る。エッジリンスによりレジスト
2が除去された位置にあるアライメントマーク10aか
らの反射光は、レジスト2による光学干渉の影響を受け
ないため、図3(b)に示すような左右対称の読み取り
信号となる。一方、レジスト2が除去されていない位置
にあるアライメントマーク10bからの反射光は、レジ
スト2による光学干渉の影響を受けるため左右非対称の
読み取り信号となる。
【0032】このため、図8(b)に示すように、レジ
スト2が除去された位置にあるアライメントマーク10
aからの反射光によって得られた位置情報は、理想格子
21に近くなり(実際には図中○印に示すように理想格
子21に対する計測誤差を含んでいる)、レジスト2が
塗布された位置にあるアライメントマーク10bからの
反射光によって得られる位置情報は、理想格子21から
離れたものとなる。そこで、先ず、レジスト2が除去さ
れた位置にあるアライメントマーク10aを用いて第1
の実際の格子22を求め、レジスト2が塗布された位置
にあるアライメントマーク10bを用いて第2の実際の
格子23を求める。
【0033】図8(b)に示すように、第2の実際の格
子23は、第1の実際の格子22に比べて歪みの大きな
ものとなる。次に、図9に示すように、第1の実際の格
子22と第2の実際の格子23とを用いて所定の補正を
行う。すなわち、補正前において図8(b)に示す理想
格子21を取り除き(図9(a)参照)、第1の実際の
格子22に合わせて第2の実際の格子23を1次変換す
る補正を行う(図9(b)参照)。第1の実際の格子2
2は、ウエハ1の位置ずれ量を表す基準となっているた
め、この第1の実際の格子22に合わせて第2の実際の
格子23を1次変換することでレジスト2が除去されて
いないアライメントマーク10bであってもその位置情
報の誤差を最少にすることができる。
【0034】つまり、ウエハ1の周辺部分のアライメン
トマーク10からの反射光を得るだけでウエハ1上の全
てのアライメントマーク10の正確な位置情報を得るこ
とができる。ステッパにおいては、この全アライメント
マーク10を用いて各ステップ毎のアライメントを行う
ことで、全ショットにおいて正確な位置合わせがなされ
るようになる。特に、ウエハ1の周辺部分のレジスト2
では、レジストコーティング時のレジスト2の流速が速
いためレジストプロファイルの影響が大きくなる。
【0035】本実施例では、この影響の大きなウエハ1
の周辺部分のレジスト2を除去し、そこに配置されたア
ライメントマーク10を用いてウエハ1のアライメント
を行うため、レジスト2を除去しないでアライメントを
行う場合と比べて大幅に位置ずれ算出精度が向上するこ
とになる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウエハの
アライメント方法によれば次のような効果がある。すな
わち、レジストが塗布されたウエハのアライメントを行
う場合において、アライメントマークの位置に対応する
レジストだけを除去した後、そのアライメントマークか
らの反射光を読み取っているため、反射光がレジストに
よる光学干渉の影響を受けることなく左右対称の読み取
り信号となる。このため、その読み取り信号から正確な
アライメントマークの中心位置を検出することができ、
ウエハのアライメント精度を向上させることが可能とな
る。ウエハのアライメント精度が向上することにより、
ステッパにおける露光を正確に行うことができ、特に微
小なパターンを露光する場合において生産歩留りを大幅
に向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を説明するフローチャートである。
【図2】ウエハの状態を説明する平面図である。
【図3】読み取り状態を説明する図で、(a)はアライ
メントマーク部分の断面図、(b)は読み取り信号を示
している。
【図4】ウエハとアライメントマークとを示す斜視図で
ある。
【図5】レチクルによる光の照射を示す斜視図である。
【図6】露光ビームによる光の照射を示す斜視図であ
る。
【図7】エッジリンスによるレジスト除去を示す斜視図
である。
【図8】統計処理アライメントを説明する図(その1)
で、(a)は理想状態、(b)は読み取り後の状態を示
すものである。
【図9】統計処理アライメントを説明する図(その2)
で、(a)は補正前、(b)は補正後である。
【図10】従来例を説明する図で、(a)はレジストの
塗布状態、(b)はアライメントマーク部分の断面図、
(c)は読み取り信号を示している。
【符号の説明】
1 ウエハ 1a オリフラ 2 レジスト 3 除去領域 4 レチクル 6 ビーム発生器 10 アライメントマーク

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アライメントマークが設けられていると
    ともに表面にレジストが塗布されたウエハのアライメン
    ト方法であって、 先ず、前記アライメントマークの部分に塗布されている
    前記レジストのみを除去し、 次いで、前記アライメントマークからの反射光を光学的
    に読み取ってその読み取り情報に基づき前記ウエハのア
    ライメントを行うことを特徴とするウエハのアライメン
    ト方法。
  2. 【請求項2】 前記アライメントマークの部分に対応し
    た領域だけ光を透過するレチクルを用いて前記レジスト
    を露光し、その部分を現像することによって該アライメ
    ントマークの部分に塗布されたレジストのみを除去する
    ことを特徴とする請求項1記載のウエハのアライメント
    方法。
  3. 【請求項3】 前記アライメントマークの部分にのみ直
    接光を照射して前記レジストを露光し、その部分を現像
    することによって該アライメントマークの部分に塗布さ
    れたレジストのみを除去することを特徴とする請求項1
    記載のウエハのアライメント方法。
  4. 【請求項4】 前記ウエハの周辺部分のレジストを除去
    した後、 前記周辺部分に配置されるアライメントマークからの反
    射光を読み取ることを特徴とする請求項1記載のウエハ
    のアライメント方法。
  5. 【請求項5】 前記ウエハの表面に複数のアライメント
    マークが所定の間隔で配置されている場合において、 先ず、前記ウエハの周辺部分のレジストを除去し、 次に、前記ウエハの全アライメントマークからの反射光
    を読み取って各アライメントマークの位置情報を算出
    し、 次いで、前記周辺部分に配置されるアライメントマーク
    の位置情報に基づいて前記ウエハの位置ずれ情報を算出
    した後、 前記位置ずれ情報に基づいて前記周辺部分以外に配置さ
    れるアライメントマークの位置情報を補正することを特
    徴とする請求項1記載のウエハのアライメント方法。
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