JPH03297126A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH03297126A JPH03297126A JP2100652A JP10065290A JPH03297126A JP H03297126 A JPH03297126 A JP H03297126A JP 2100652 A JP2100652 A JP 2100652A JP 10065290 A JP10065290 A JP 10065290A JP H03297126 A JPH03297126 A JP H03297126A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- wafer
- stage
- reduction projection
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジストで被覆された半導体基板（以下
、ウェハという）と露光マスクとの位置合せを行って露
光を施こす縮小投影レンズＷ（以下、ステッパーと称す
）に関する。
、ウェハという）と露光マスクとの位置合せを行って露
光を施こす縮小投影レンズＷ（以下、ステッパーと称す
）に関する。
従来のステッパーは、順次ステップを行い、半導体基板
に対し露光を行う前に、斜め上方からウェハの露光ショ
ットに非露光光を照射する投光部と、その反射光を受光
する受光素子と、受光素子からの信号を処理し、上下方
向のズレ量を検出する処理部と、ウェハを上下方向に駆
動し、上下方向のズレ量を補正する駆動部とを有してい
る。
に対し露光を行う前に、斜め上方からウェハの露光ショ
ットに非露光光を照射する投光部と、その反射光を受光
する受光素子と、受光素子からの信号を処理し、上下方
向のズレ量を検出する処理部と、ウェハを上下方向に駆
動し、上下方向のズレ量を補正する駆動部とを有してい
る。
この従来のステッパーでは、ウェハを吸着、固定するウ
ェハチャックとウェハの間に塵埃が挾まった際にウェハ
が局所的に変形して浮上がった場合に、その部分で焦点
合せを行い、露光を行っており、そのまま次々にウェハ
が露光された。ステツバーの有効焦点深度は数μｍと狭
く、局所的に変形してその焦点深度から外れると、所望
のパターンの形成が困難になる（以下、この状態を「キ
レ不良」と称す）。そのため、従来のステッパーではウ
ェハチャックに塵埃が付着し、キレ不良が発生しても、
そのウェハの現像後、外観検査を行うまで発見できなか
った。そのため、外観検査であって、ステッパーのチャ
ックの清掃後、ウェハのフォトレジストを剥離し、再塗
布を行ってから、再度露光を行うこととなり、半導体製
造工程の工期を長くする要因となっていた。
ェハチャックとウェハの間に塵埃が挾まった際にウェハ
が局所的に変形して浮上がった場合に、その部分で焦点
合せを行い、露光を行っており、そのまま次々にウェハ
が露光された。ステツバーの有効焦点深度は数μｍと狭
く、局所的に変形してその焦点深度から外れると、所望
のパターンの形成が困難になる（以下、この状態を「キ
レ不良」と称す）。そのため、従来のステッパーではウ
ェハチャックに塵埃が付着し、キレ不良が発生しても、
そのウェハの現像後、外観検査を行うまで発見できなか
った。そのため、外観検査であって、ステッパーのチャ
ックの清掃後、ウェハのフォトレジストを剥離し、再塗
布を行ってから、再度露光を行うこととなり、半導体製
造工程の工期を長くする要因となっていた。
本発明の目的は前記課題を解決した縮小投影露光装置を
提供することにある。
提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る縮小投影露光装
置においては、投光部と、受光部と、ステージ駆動機構
と、ズレ量検出機構とを有する縮小投影露光装置であっ
て、 前記投光部は、昇降するステージ上の半導体基板に非露
光光を照射するものであり、 前記受光部は、半導体基板で反射した反射光を受光する
ものであり、 前記ズレ量検出機構は、受光部よりの信号に基いて半導
体基板の縮小投影レンズに対するズレ量を検出して補正
指令を出力するとともに、そのズレ量が規定値を超えた
場合に警告指令を出力するものであり、 前記ステージ駆動機構は、ズレ量検出ｍ楕か発する補正
指令に基いて、ステージを駆動し、半導体基板の縮小レ
ンズに対する高さ位置を補正するものである。
置においては、投光部と、受光部と、ステージ駆動機構
と、ズレ量検出機構とを有する縮小投影露光装置であっ
て、 前記投光部は、昇降するステージ上の半導体基板に非露
光光を照射するものであり、 前記受光部は、半導体基板で反射した反射光を受光する
ものであり、 前記ズレ量検出機構は、受光部よりの信号に基いて半導
体基板の縮小投影レンズに対するズレ量を検出して補正
指令を出力するとともに、そのズレ量が規定値を超えた
場合に警告指令を出力するものであり、 前記ステージ駆動機構は、ズレ量検出ｍ楕か発する補正
指令に基いて、ステージを駆動し、半導体基板の縮小レ
ンズに対する高さ位置を補正するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、本発明に係るステッパーは、非露光光を照
射する発光素子５と、その反射光を受光する受光素子７
と、受光素子７からの信号を処理し、上下方向のズレ量
を検出するＺズレ量検出機′！ｓ９と、ウェハ２をセッ
トしたＸＹＺステージ４を上下方向に駆動し、上下方向
のズレ量を補正するステージ駆動Ｉ！横８とを有し、さ
らにＺズレ量検出機構９は、上下方向のズレ量を算出す
る機能と、そのズレ量が規定値以上である時に警告を発
する機能とを備えている。図中、１は縮小投影レンズ、
３はウェハチャック、６はミラー、１０はウェハチャッ
ク３に設けられた真空吸着溝である。
射する発光素子５と、その反射光を受光する受光素子７
と、受光素子７からの信号を処理し、上下方向のズレ量
を検出するＺズレ量検出機′！ｓ９と、ウェハ２をセッ
トしたＸＹＺステージ４を上下方向に駆動し、上下方向
のズレ量を補正するステージ駆動Ｉ！横８とを有し、さ
らにＺズレ量検出機構９は、上下方向のズレ量を算出す
る機能と、そのズレ量が規定値以上である時に警告を発
する機能とを備えている。図中、１は縮小投影レンズ、
３はウェハチャック、６はミラー、１０はウェハチャッ
ク３に設けられた真空吸着溝である。
第２図はウェハチャック部の拡大図、第３図はウェハ上
の露光ショットを示す図である。
の露光ショットを示す図である。
縮小投影レンズ１の真下に位置するＸＹＺステージ４上
のウェハチャック３に固定されるウェハ２の露光ショッ
トの中心に斜め上方から発光素子５の非露光光を照射し
、反射光をミラー６により反射し、受光素子７で受光す
る２ウエハ２を上下方向にスキャンすると、縮小投影レ
ンズ１の焦点面にウェハ２の表面がきたときに、受光素
子７からの信号が最大となる。この信号が最大となるよ
うにステージ駆動機構８により、ＸＹＺステージ４を上
下してウェハ２を縮小投影レンズ１の焦点面に合わせる
。
のウェハチャック３に固定されるウェハ２の露光ショッ
トの中心に斜め上方から発光素子５の非露光光を照射し
、反射光をミラー６により反射し、受光素子７で受光す
る２ウエハ２を上下方向にスキャンすると、縮小投影レ
ンズ１の焦点面にウェハ２の表面がきたときに、受光素
子７からの信号が最大となる。この信号が最大となるよ
うにステージ駆動機構８により、ＸＹＺステージ４を上
下してウェハ２を縮小投影レンズ１の焦点面に合わせる
。
ウェハの露光は第３図に示すように、順次１ピッチ分ず
つステージを移動してウェハ２の各露光ショットａ、ｂ
、ｃ、ｄ、ｅでフォーカス合せを行い、露光を行う。
つステージを移動してウェハ２の各露光ショットａ、ｂ
、ｃ、ｄ、ｅでフォーカス合せを行い、露光を行う。
第２図に示すように、万一ウェハチャック３とウェハ２
の間に塵埃がはさまった場合、ウェハ２は局所的に変形
してウェハチャック３に固定される。この変形量が縮小
投影レンズ１の焦点深度より大きくなった場合は、キレ
不良が生じる。
の間に塵埃がはさまった場合、ウェハ２は局所的に変形
してウェハチャック３に固定される。この変形量が縮小
投影レンズ１の焦点深度より大きくなった場合は、キレ
不良が生じる。
Ｃの露光ショットでフォーカス合せを行った後、露光を
して、ステージ４を移動してｄの露光ショットでフォー
カス合せを行った際にＺズレ量検出機構９によりＣの露
光ショットの高さの位置とｄの露光ショットの高さの位
置との比較を行い、これが前記の焦点深度を外れていた
場合には警報を発する。
して、ステージ４を移動してｄの露光ショットでフォー
カス合せを行った際にＺズレ量検出機構９によりＣの露
光ショットの高さの位置とｄの露光ショットの高さの位
置との比較を行い、これが前記の焦点深度を外れていた
場合には警報を発する。
例えば、通常ファイン工程と呼ばれる最小線幅１．０μ
ｍ以下の工程においては、実用焦点深度は±１．５μｍ
以内であり、このとき実際にキレ不良となって発見され
るのは±２．０μｍ以上焦点から外れた場合であるから
、本発明の警報レベルを±１．５μｍとすれは、キレ不
良となる場合、又、キレ不良とはならないまでも、寸法
等に異常か発生し得る場合を最初の１枚のみの不良で済
ますことができる。
ｍ以下の工程においては、実用焦点深度は±１．５μｍ
以内であり、このとき実際にキレ不良となって発見され
るのは±２．０μｍ以上焦点から外れた場合であるから
、本発明の警報レベルを±１．５μｍとすれは、キレ不
良となる場合、又、キレ不良とはならないまでも、寸法
等に異常か発生し得る場合を最初の１枚のみの不良で済
ますことができる。
以上説明したように本発明はある露光ショットとその前
露光ショットの高さの差が規定値を超えた場合に警告を
発することができ、万一ウェハチャックとウェハの間に
塵埃が付着したときに直ちにこれを発見することができ
、キレ不良の発生を最小限に抑えることができる。この
ため、従来行っていたようにウェハの検査後にレジスト
の剥離、再塗布、再露光等を行う必要が無くなり、半導
体製造工程の工期を遅らせる要因を防ぐこ−とができる
。
露光ショットの高さの差が規定値を超えた場合に警告を
発することができ、万一ウェハチャックとウェハの間に
塵埃が付着したときに直ちにこれを発見することができ
、キレ不良の発生を最小限に抑えることができる。この
ため、従来行っていたようにウェハの検査後にレジスト
の剥離、再塗布、再露光等を行う必要が無くなり、半導
体製造工程の工期を遅らせる要因を防ぐこ−とができる
。
第１図は本発明の一実施例を示す概略図、第２図はウェ
ハチャック部の拡大図、第３図はウェハ上の露光ショッ
トを示す図である。 １・・・縮小投影レンズ ２・・・ウェハ３・・・ウ
ェハチャック ５・・・発光素子 ７・・・受光素子 ９・・・Ｚズレ量検出ａｍ １１・・・塵埃
ハチャック部の拡大図、第３図はウェハ上の露光ショッ
トを示す図である。 １・・・縮小投影レンズ ２・・・ウェハ３・・・ウ
ェハチャック ５・・・発光素子 ７・・・受光素子 ９・・・Ｚズレ量検出ａｍ １１・・・塵埃
Claims (1)
- （１）投光部と、受光部と、ステージ駆動機構と、ズレ
量検出機構とを有する縮小投影露光装置であって、 前記投光部は、昇降するステージ上の半導体基板に非露
光光を照射するものであり、 前記受光部は、半導体基板で反射した反射光を受光する
ものであり、 前記ズレ量検出機構は、受光部よりの信号に基いて半導
体基板の縮小投影レンズに対するズレ量を検出して補正
指令を出力するとともに、そのズレ量が規定値を超えた
場合に警告指令を出力するものであり、 前記ステージ駆動機構は、ズレ量検出機構が発する補正
指令に基いて、ステージを駆動し、半導体基板の縮小レ
ンズに対する高さ位置を補正するものであることを特徴
とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100652A JPH03297126A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2100652A JPH03297126A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03297126A true JPH03297126A (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=14279755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100652A Pending JPH03297126A (ja) | 1990-04-17 | 1990-04-17 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03297126A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083591A (ko) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 황인길 | 스텝퍼의 파티클 제거 장치 |
| DE10106424A1 (de) * | 2001-02-12 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Überwachen der Herstellung integrierter Schaltkreise abhängig von Korrekturwerten einer Belichtungsanlage sowie zugehörige Komponenten |
| JP2018194778A (ja) * | 2017-05-22 | 2018-12-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 露光方法 |
| CN113759435A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-12-07 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 加工台面异物检测装置及检测方法 |
-
1990
- 1990-04-17 JP JP2100652A patent/JPH03297126A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083591A (ko) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 황인길 | 스텝퍼의 파티클 제거 장치 |
| DE10106424A1 (de) * | 2001-02-12 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Überwachen der Herstellung integrierter Schaltkreise abhängig von Korrekturwerten einer Belichtungsanlage sowie zugehörige Komponenten |
| DE10106424B4 (de) * | 2001-02-12 | 2005-06-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Überwachen der Herstellung integrierter Schaltkreise abhängig von Korrekturwerten einer Belichtungsanlage sowie zugehörige Komponenten |
| JP2018194778A (ja) * | 2017-05-22 | 2018-12-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 露光方法 |
| CN113759435A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-12-07 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 加工台面异物检测装置及检测方法 |
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