JPH0992611A - 走査型露光装置および方法 - Google Patents
走査型露光装置および方法Info
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- JPH0992611A JPH0992611A JP7266111A JP26611195A JPH0992611A JP H0992611 A JPH0992611 A JP H0992611A JP 7266111 A JP7266111 A JP 7266111A JP 26611195 A JP26611195 A JP 26611195A JP H0992611 A JPH0992611 A JP H0992611A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エキシマレーザ制御装置等を光源として使用
した走査型露光装置および方法において、原版および基
板間の走査方向および非走査方向の位置ずれ、または原
版および基板間の距離がばらつくことによる露光むらお
よびフォーカスエラーが発生した状態での露光を防止す
る。 【解決手段】 レーザ装置を光源とする照明手段１と、
この照明手段からの照明光により原版のパターンが基板
上に走査露光されるように原版および基板を移動する移
動手段１３，１４と、基板および原版間の相対位置を計
測する相対位置計測手段１０１と、装置の動作を制御す
る制御手段１０４とを備えた走査型の露光装置におい
て、制御手段は、走査露光のために原版および基板の移
動を開始し、露光開始前に相対位置を計測してこの相対
位置が所定の範囲内にあるか否かを判定し、所定の範囲
内にないと判定したときには露光を行わないように装置
を制御するものである。
した走査型露光装置および方法において、原版および基
板間の走査方向および非走査方向の位置ずれ、または原
版および基板間の距離がばらつくことによる露光むらお
よびフォーカスエラーが発生した状態での露光を防止す
る。 【解決手段】 レーザ装置を光源とする照明手段１と、
この照明手段からの照明光により原版のパターンが基板
上に走査露光されるように原版および基板を移動する移
動手段１３，１４と、基板および原版間の相対位置を計
測する相対位置計測手段１０１と、装置の動作を制御す
る制御手段１０４とを備えた走査型の露光装置におい
て、制御手段は、走査露光のために原版および基板の移
動を開始し、露光開始前に相対位置を計測してこの相対
位置が所定の範囲内にあるか否かを判定し、所定の範囲
内にないと判定したときには露光を行わないように装置
を制御するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
製造用の走査型露光装置および方法に関するものであ
る。
製造用の走査型露光装置および方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、静止型露光装置においては、レチクル（原版）に対
しウエハ（基板）を位置決めする際に、ウエハステージ
を停止するための整定時間を見込み、この整定時間の経
過後にレチクル・ウエハ間のアライメントおよびフォー
カシングを確認し、その後に露光を行っている。
来、静止型露光装置においては、レチクル（原版）に対
しウエハ（基板）を位置決めする際に、ウエハステージ
を停止するための整定時間を見込み、この整定時間の経
過後にレチクル・ウエハ間のアライメントおよびフォー
カシングを確認し、その後に露光を行っている。
【０００３】一方、走査型露光装置においては、露光開
始前に２つの項目に対し検査を行う必要がある。
始前に２つの項目に対し検査を行う必要がある。
【０００４】すなわち、走査型露光装置においては、露
光時に図４（ａ）および（ｂ）に示すように、レチクル
ステージとウエハステージとを連動させて加減速を行
い、一定速度を保ちつつ露光を行う。このとき、レチク
ルステージとウエハステージの間で位置ずれが存在す
る。図５に示すように、この位置ずれ量は露光開始前の
加速から一定速度に到達する付近で最も顕著に露光に対
して影響を与える。そこでまず第１に、ウエハ・レチク
ル間の位置ずれを計測し評価する必要がある。
光時に図４（ａ）および（ｂ）に示すように、レチクル
ステージとウエハステージとを連動させて加減速を行
い、一定速度を保ちつつ露光を行う。このとき、レチク
ルステージとウエハステージの間で位置ずれが存在す
る。図５に示すように、この位置ずれ量は露光開始前の
加速から一定速度に到達する付近で最も顕著に露光に対
して影響を与える。そこでまず第１に、ウエハ・レチク
ル間の位置ずれを計測し評価する必要がある。
【０００５】また、ウエハやレチクルの交換、ウエハの
厚さむらなどにより、ウエハ・レチクル間の距離が変化
し、フォーカスエラーを起こす。通常、この高さ方向の
補正を行っているが、最も高さ方向の補正量が顕著にあ
るのはウエハ交換やステップ移動を行った後の走査露光
開始前の状態であるといえる。したがって第２に、ウエ
ハ・レチクル間の距離を露光開始前に計測し、フォーカ
スエラーを評価する必要がある。
厚さむらなどにより、ウエハ・レチクル間の距離が変化
し、フォーカスエラーを起こす。通常、この高さ方向の
補正を行っているが、最も高さ方向の補正量が顕著にあ
るのはウエハ交換やステップ移動を行った後の走査露光
開始前の状態であるといえる。したがって第２に、ウエ
ハ・レチクル間の距離を露光開始前に計測し、フォーカ
スエラーを評価する必要がある。
【０００６】そこで本発明の目的は、エキシマレーザ制
御装置等を光源として使用した走査型露光装置および方
法において、原版および基板間の走査方向および非走査
方向の位置ずれ、または原版および基板間の距離がばら
つくことによる露光むらおよびフォーカスエラーが発生
した状態での露光を防止することにある。
御装置等を光源として使用した走査型露光装置および方
法において、原版および基板間の走査方向および非走査
方向の位置ずれ、または原版および基板間の距離がばら
つくことによる露光むらおよびフォーカスエラーが発生
した状態での露光を防止することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】この目的を達
成するため本発明では、レーザ装置からの照明光により
原版のパターンが基板上に走査露光されるように前記原
版および基板を移動させる走査型の露光装置または方法
において、走査露光のために前記原版および基板の移動
を開始し、露光開始前に前記原版および基板間の相対位
置を計測してこの相対位置が所定の範囲内にあるか否か
を判定し、所定の範囲内にないと判定したときには露光
を行わないようにしている。前記計測する相対位置は、
具体的には、前記走査の方向の相対位置、この走査方向
および走査光軸に垂直な方向の相対位置、ならびに前記
基板および原版間の距離等である。
成するため本発明では、レーザ装置からの照明光により
原版のパターンが基板上に走査露光されるように前記原
版および基板を移動させる走査型の露光装置または方法
において、走査露光のために前記原版および基板の移動
を開始し、露光開始前に前記原版および基板間の相対位
置を計測してこの相対位置が所定の範囲内にあるか否か
を判定し、所定の範囲内にないと判定したときには露光
を行わないようにしている。前記計測する相対位置は、
具体的には、前記走査の方向の相対位置、この走査方向
および走査光軸に垂直な方向の相対位置、ならびに前記
基板および原版間の距離等である。
【０００８】これによれば、前記所定の範囲を、露光む
らやフォーカスずれが許容し得る範囲内に収まるような
値に設定しておくことにより、許容範囲を超える露光む
らやフォーカスずれが生じたままでの露光が回避され
る。
らやフォーカスずれが許容し得る範囲内に収まるような
値に設定しておくことにより、許容範囲を超える露光む
らやフォーカスずれが生じたままでの露光が回避され
る。
【０００９】また、光源としてエキシマレーザ装置を用
いた場合、図６に示すように、発光開始時にはエネルギ
が高く、徐々にパルスエネルギが減少して、その後に安
定する、スパイク現象が存在する。粗さが他の露光にお
いては、走査速度が一定であると考えた場合、レーザの
パルスエネルギはできる限り安定していた方が露光むら
を抑えることができる。そこで本発明では、露光開始前
にレーザ装置を発振させることにより、露光時にはレー
ザ装置からのパルスエネルギが安定するようにするとと
もに、前記のように走査露光を行わないときは、その発
振を停止させるようにしている。また、露光開始前にお
いては、通常、原版および基板が加速され、露光中には
一定速度となるが、露光開始前にレーザ装置を発振させ
ることにより、この加速中にスパイク部分が除去される
ことになるため、スパイク部分の除去に余分な時間を要
することがない。
いた場合、図６に示すように、発光開始時にはエネルギ
が高く、徐々にパルスエネルギが減少して、その後に安
定する、スパイク現象が存在する。粗さが他の露光にお
いては、走査速度が一定であると考えた場合、レーザの
パルスエネルギはできる限り安定していた方が露光むら
を抑えることができる。そこで本発明では、露光開始前
にレーザ装置を発振させることにより、露光時にはレー
ザ装置からのパルスエネルギが安定するようにするとと
もに、前記のように走査露光を行わないときは、その発
振を停止させるようにしている。また、露光開始前にお
いては、通常、原版および基板が加速され、露光中には
一定速度となるが、露光開始前にレーザ装置を発振させ
ることにより、この加速中にスパイク部分が除去される
ことになるため、スパイク部分の除去に余分な時間を要
することがない。
【００１０】また、本発明では、前記のように走査露光
を行わないときは、再度走査露光を試みるために、前記
原版および基板の移動の開始、相対位置計測、および判
定を行うようにしている。
を行わないときは、再度走査露光を試みるために、前記
原版および基板の移動の開始、相対位置計測、および判
定を行うようにしている。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る走査型露光装
置の構成を示す概略図であり、この装置は、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像
デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に用い
られる。同図において、エキシマレーザ等のパルス光を
放射する光源１からの光束は、ビーム整形光学系２によ
り所望の形状に整形され、ハエの目レンズ等のオプティ
カルインテグレータ３の光入射面に指向される。ハエの
目レンズは複数の微小なレンズの集まりからなるもので
あり、その光射出面近傍に複数の２次光源が形成され
る。４はコンデンサレンズであり、オプティカルインテ
グレータ３の２次光源からの光束でマスキングブレード
６をケーラ照明している。マスキングブレード６とレチ
クル９は結像レンズ７とミラー８により共役な関係に配
置されており、マスキングブレード６の開口の形状によ
りレチクル９における照明領域の形と寸法が規定され
る。レチクル９における照明領域は、レチクル９の走査
方向に垂直に長手方向を設定した長方形のスリット形状
を備える。１０は投影光学系であり、レチクル９に描か
れた回路パターンをウエハ１１に縮小投影している。
置の構成を示す概略図であり、この装置は、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像
デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に用い
られる。同図において、エキシマレーザ等のパルス光を
放射する光源１からの光束は、ビーム整形光学系２によ
り所望の形状に整形され、ハエの目レンズ等のオプティ
カルインテグレータ３の光入射面に指向される。ハエの
目レンズは複数の微小なレンズの集まりからなるもので
あり、その光射出面近傍に複数の２次光源が形成され
る。４はコンデンサレンズであり、オプティカルインテ
グレータ３の２次光源からの光束でマスキングブレード
６をケーラ照明している。マスキングブレード６とレチ
クル９は結像レンズ７とミラー８により共役な関係に配
置されており、マスキングブレード６の開口の形状によ
りレチクル９における照明領域の形と寸法が規定され
る。レチクル９における照明領域は、レチクル９の走査
方向に垂直に長手方向を設定した長方形のスリット形状
を備える。１０は投影光学系であり、レチクル９に描か
れた回路パターンをウエハ１１に縮小投影している。
【００１２】１０１はステージ駆動制御系であり、図２
に示すようにレチクルステージ１３とウエハステージ１
４を投影光学系１０の倍率と同じ比率で正確に一定速度
で移動させるレチクルステージ制御系１０１ａおよびウ
エハステージ制御系１０１ｂを有し、これら制御系から
のウエハ１１とレチクル９の走査方向、非走査方向の位
置情報をもとに位置ずれモニタ１０１ｃによりこれらス
テージ間の位置ずれを求めるとともに、ウエハ・レチク
ル間の位置ずれおよび距離を基にレーザ装置１を制御す
ることが可能である。ウエハステージ制御系１０１ｂは
また、ＡＦユニット１６および１７によりウエハ・レチ
クル間の距離を計測するとともにウエハ・レチクル間の
距離を一定に保つことができるように制御する。
に示すようにレチクルステージ１３とウエハステージ１
４を投影光学系１０の倍率と同じ比率で正確に一定速度
で移動させるレチクルステージ制御系１０１ａおよびウ
エハステージ制御系１０１ｂを有し、これら制御系から
のウエハ１１とレチクル９の走査方向、非走査方向の位
置情報をもとに位置ずれモニタ１０１ｃによりこれらス
テージ間の位置ずれを求めるとともに、ウエハ・レチク
ル間の位置ずれおよび距離を基にレーザ装置１を制御す
ることが可能である。ウエハステージ制御系１０１ｂは
また、ＡＦユニット１６および１７によりウエハ・レチ
クル間の距離を計測するとともにウエハ・レチクル間の
距離を一定に保つことができるように制御する。
【００１３】１２は露光量検出器であり、ハーフミラー
５により分割されたパルス光の一部の光束をモニタして
いる。また、１５はもう１つの露光量検出器であり、こ
れにより光学系１０を介した際の露光量をモニタするこ
とができる。
５により分割されたパルス光の一部の光束をモニタして
いる。また、１５はもう１つの露光量検出器であり、こ
れにより光学系１０を介した際の露光量をモニタするこ
とができる。
【００１４】レーザ制御系１０３は、所望の露光量に応
じてトリガ信号および充電電圧信号を出力して、レーザ
装置１のパルスエネルギおよび発光間隔を制御する。ト
リガ信号および充電電圧信号を生成する際には、露光量
演算器１０２からの照度モニタ信号やステージ駆動制御
系１０１からのステージの現在位置信号、主制御系１０
４からの履歴情報などがパラメータとして用いられる。
じてトリガ信号および充電電圧信号を出力して、レーザ
装置１のパルスエネルギおよび発光間隔を制御する。ト
リガ信号および充電電圧信号を生成する際には、露光量
演算器１０２からの照度モニタ信号やステージ駆動制御
系１０１からのステージの現在位置信号、主制御系１０
４からの履歴情報などがパラメータとして用いられる。
【００１５】また、所望の露光量は入力装置１０５によ
り入力され、露光量検出器１２および１５から得られた
結果は表示部１０６により表示をすることが可能であ
る。
り入力され、露光量検出器１２および１５から得られた
結果は表示部１０６により表示をすることが可能であ
る。
【００１６】図３は図１の装置における露光処理を示す
フローチャートである。まず、ステップＳ１において、
オペレータは入力装置１０５によって、ウエハ・レチク
ル間の走査方向位置ずれに対する閾値ｄ０ｘ、非走査方
向位置ずれに対する閾値ｄ０ｙ、ウエハ・レチクル間の
距離偏差の閾値Ｄ０およびこれらの閾値を超えていた場
合に露光を再開する試行回数Ｅ ＴＩＭＥＳを入力す
る。あるいは、あらかじめオペレータによって入力され
たデータをハードディスク、フロッピーディスク、メモ
リ等の記憶装置に記憶し、そのデータを自動的に装置に
読み込ませる。
フローチャートである。まず、ステップＳ１において、
オペレータは入力装置１０５によって、ウエハ・レチク
ル間の走査方向位置ずれに対する閾値ｄ０ｘ、非走査方
向位置ずれに対する閾値ｄ０ｙ、ウエハ・レチクル間の
距離偏差の閾値Ｄ０およびこれらの閾値を超えていた場
合に露光を再開する試行回数Ｅ ＴＩＭＥＳを入力す
る。あるいは、あらかじめオペレータによって入力され
たデータをハードディスク、フロッピーディスク、メモ
リ等の記憶装置に記憶し、そのデータを自動的に装置に
読み込ませる。
【００１７】次に、ステップＳ２において、試行回数を
０に設定する。次に、ステップＳ３において、露光開始
時のウエハ・レチクルの露光開始位置およびステージの
駆動開始位置を決定する。次に、ステップＳ４およびＳ
５において、ウエハステージ・レチクルステージの駆動
を開始するとともに、駆動開始に同期してレーザのスパ
イクを除去するためのレーザの発振を開始する。この場
合、安定した発光パルスが露光に利用できるようにステ
ージの駆動に合わせた同期をとる。ここで、ステップＳ
４では、レーザ光はレーザ光源内部のシャッタもしくは
マスキングブレードによって遮断し、レチクルを照明せ
ずにレーザ光の安定化を図っている。
０に設定する。次に、ステップＳ３において、露光開始
時のウエハ・レチクルの露光開始位置およびステージの
駆動開始位置を決定する。次に、ステップＳ４およびＳ
５において、ウエハステージ・レチクルステージの駆動
を開始するとともに、駆動開始に同期してレーザのスパ
イクを除去するためのレーザの発振を開始する。この場
合、安定した発光パルスが露光に利用できるようにステ
ージの駆動に合わせた同期をとる。ここで、ステップＳ
４では、レーザ光はレーザ光源内部のシャッタもしくは
マスキングブレードによって遮断し、レチクルを照明せ
ずにレーザ光の安定化を図っている。
【００１８】次に、ステップＳ６〜Ｓ１１において、１
スキャン露光開始直前までレチクル・ウエハ間の走査方
向の位置ずれ△ｄｘ、非走査方向の位置ずれ△ｄｙおよ
びウエハ・レチクル間の距離△Ｄを計測し（ステップＳ
６、Ｓ７）、計測値がいずれもそれらの閾値ｄ０ｘ、ｄ
０ｙおよびＤ０より小さければ所定の位置から１スキャ
ンの露光を行い（ステップＳ８、Ｓ１１）、ステップＳ
１２へ進む。△ｄｘおよび△ｄｙの計測は、ステージの
位置を計測するリニアスケール、レーザ干渉計等の出力
値に基づいて、もしくはウエハ・レチクル上に設けたア
ライメントマークにより位置ずれ量を検出して行う。ま
た、△ｄｘ、△ｄｙおよび△Ｄのサンプリングはステー
ジ位置を計測するリニアスケール、レーザ干渉計等の出
力に同期して、もしくは非同期で行う。この同期はレー
ザの発光に対してとっても良い。Δｄｘ、Δｄｙ、ΔＤ
のいずれかが閾値以上の場合は、露光を開始せずにレー
ザの発光を停止し（ステップＳ８、Ｓ９）、カウンタｎ
がステップＳ１で決定した試行回数Ｅ＿ＴＩＭＥＳを越
えるまで、ステップＳ４〜Ｓ１０を繰り返す（ステップ
Ｓ１０）。もし、試行回数Ｅ＿ＴＩＭＥＳを越えるまで
露光が失敗した場合には閾値の設定の変更や露光装置の
メンテナンスを行う。
スキャン露光開始直前までレチクル・ウエハ間の走査方
向の位置ずれ△ｄｘ、非走査方向の位置ずれ△ｄｙおよ
びウエハ・レチクル間の距離△Ｄを計測し（ステップＳ
６、Ｓ７）、計測値がいずれもそれらの閾値ｄ０ｘ、ｄ
０ｙおよびＤ０より小さければ所定の位置から１スキャ
ンの露光を行い（ステップＳ８、Ｓ１１）、ステップＳ
１２へ進む。△ｄｘおよび△ｄｙの計測は、ステージの
位置を計測するリニアスケール、レーザ干渉計等の出力
値に基づいて、もしくはウエハ・レチクル上に設けたア
ライメントマークにより位置ずれ量を検出して行う。ま
た、△ｄｘ、△ｄｙおよび△Ｄのサンプリングはステー
ジ位置を計測するリニアスケール、レーザ干渉計等の出
力に同期して、もしくは非同期で行う。この同期はレー
ザの発光に対してとっても良い。Δｄｘ、Δｄｙ、ΔＤ
のいずれかが閾値以上の場合は、露光を開始せずにレー
ザの発光を停止し（ステップＳ８、Ｓ９）、カウンタｎ
がステップＳ１で決定した試行回数Ｅ＿ＴＩＭＥＳを越
えるまで、ステップＳ４〜Ｓ１０を繰り返す（ステップ
Ｓ１０）。もし、試行回数Ｅ＿ＴＩＭＥＳを越えるまで
露光が失敗した場合には閾値の設定の変更や露光装置の
メンテナンスを行う。
【００１９】そして、１ウエハ内の全ての露光が終了し
たかどうかを判断し、終了している場合は次のウエハの
露光を行う。終了していない場合は、ステップＳ２へ戻
り、ステップＳ２〜Ｓ１２を繰り返す。
たかどうかを判断し、終了している場合は次のウエハの
露光を行う。終了していない場合は、ステップＳ２へ戻
り、ステップＳ２〜Ｓ１２を繰り返す。
【００２０】このように走査型露光装置を制御すること
により、フォーカス誤差およびアライメント誤差を抑え
た露光を行うことができる。
により、フォーカス誤差およびアライメント誤差を抑え
た露光を行うことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、走
査露光のために原版および基板の移動を開始し、露光開
始前に原版および基板間の相対位置を計測してこの相対
位置が所定の範囲内にあるか否かを判定し、所定の範囲
内にないと判定したときには露光を行わないようにした
ため、露光むらやフォーカスずれが生じたままでの露光
を開始することができる。したがって、不良半導体素子
の製造を防止し、製造効率を向上させることができる。
査露光のために原版および基板の移動を開始し、露光開
始前に原版および基板間の相対位置を計測してこの相対
位置が所定の範囲内にあるか否かを判定し、所定の範囲
内にないと判定したときには露光を行わないようにした
ため、露光むらやフォーカスずれが生じたままでの露光
を開始することができる。したがって、不良半導体素子
の製造を防止し、製造効率を向上させることができる。
【００２２】また、露光開始前にレーザ装置を発振させ
ることにより、レーザ光のスパイク部分による露光を回
避し、露光時には安定したパルスエネルギにより露光を
行うことができる。また、かかるレーザ光のスパイク除
去が原版および基板の加速時に行われるため、装置のス
ループットを向上させることができる。
ることにより、レーザ光のスパイク部分による露光を回
避し、露光時には安定したパルスエネルギにより露光を
行うことができる。また、かかるレーザ光のスパイク除
去が原版および基板の加速時に行われるため、装置のス
ループットを向上させることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る走査型露光装置の構
成を示す概略図である。
成を示す概略図である。
【図２】 図１の装置におけるステージ駆動制御系の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】 図１の装置における露光制御方法を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図４】 走査型露光装置のウエハステージおよびレチ
クルステージの速度特性を示す図である。
クルステージの速度特性を示す図である。
【図５】 ウエハステージとレチクルステージの露光エ
リアおよび偏差を示す図である。
リアおよび偏差を示す図である。
【図６】 エキシマレーザのパルスエネルギ特性を示す
図である。
図である。
１：光源、２：ビーム整形光学系、３：オプティカルイ
ンテグレータ、４：コンデンサレンズ、５：ハーフミラ
ー、６：マスキングブレード、７：結像レンズ、８：ミ
ラー、９：レチクル、１０：投影光学系、１１：ウエ
ハ、１２：露光量検出器、１３：レチクルステージ、１
４：ウエハステージ、１５：露光量検出器、１６，１
７：ＡＦユニット、１０１：ステージ駆動制御系、１０
２：露光量演算器、１０３：レーザ制御系、１０４：主
制御系、１０５：入力装置、１０６：表示部。
ンテグレータ、４：コンデンサレンズ、５：ハーフミラ
ー、６：マスキングブレード、７：結像レンズ、８：ミ
ラー、９：レチクル、１０：投影光学系、１１：ウエ
ハ、１２：露光量検出器、１３：レチクルステージ、１
４：ウエハステージ、１５：露光量検出器、１６，１
７：ＡＦユニット、１０１：ステージ駆動制御系、１０
２：露光量演算器、１０３：レーザ制御系、１０４：主
制御系、１０５：入力装置、１０６：表示部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤 邦貴 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザ装置を光源とする照明手段と、こ
の照明手段からの照明光により原版のパターンが基板上
に走査露光されるように前記原版および基板を移動する
移動手段と、前記基板および原版間の相対位置を計測す
る相対位置計測手段と、装置の動作を制御する制御手段
とを備えた走査型の露光装置において、前記制御手段
は、走査露光のために前記原版および基板の移動を開始
し、露光開始前に前記相対位置を計測してこの相対位置
が所定の範囲内にあるか否かを判定し、所定の範囲内に
ないと判定したときには露光を行わないように装置を制
御するものであることを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 前記計測する相対位置は、前記走査の方
向の相対位置、この走査方向および走査光軸に垂直な方
向の相対位置、ならびに前記基板および原版間の距離で
あることを特徴とする請求項１記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、露光開始時には前記レ
ーザ装置の発光エネルギが安定するように前記露光開始
前に前記レーザ装置を発振させ、前記のように露光を行
わないときは、その発振を停止させるものであることを
特徴とする請求項１または２記載の走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記のように走査露光を行わないとき
は、再度走査露光を試みるために、前記原版および基板
の移動の開始、相対位置計測、および判定を行うもので
あることを特徴とする請求項１〜３記載の走査型露光装
置。 - 【請求項５】 レーザ装置からの照明光により原版のパ
ターンが基板上に走査露光されるように前記原版および
基板を移動させる走査型の露光方法において、走査露光
のために前記原版および基板の移動を開始し、露光開始
前に前記原版および基板間の相対位置を計測してこの相
対位置が所定の範囲内にあるか否かを判定し、所定の範
囲内にないと判定したときには露光を行わないことを特
徴とする走査型露光方法。 - 【請求項６】 前記計測する相対位置は、前記走査の方
向の相対位置、この走査方向および走査光軸に垂直な方
向の相対位置、ならびに前記基板および原版間の距離で
あることを特徴とする請求項５記載の走査型露光方法。 - 【請求項７】 前記制御手段は、露光開始時には前記レ
ーザ装置の発光エネルギが安定するように前記露光開始
前に前記レーザ装置を発振させ、前記のように走査露光
を行わないときは、その発振を停止させることを特徴と
する請求項５または６記載の走査型露光方法。 - 【請求項８】 前記のように走査露光を行わないとき
は、再度走査露光を試みるために、前記原版および基板
の移動の開始、相対位置計測、および判定を行うことを
特徴とする請求項５〜７記載の走査型露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266111A JPH0992611A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 走査型露光装置および方法 |
| US08/717,349 US5883701A (en) | 1995-09-21 | 1996-09-20 | Scanning projection exposure method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266111A JPH0992611A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 走査型露光装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992611A true JPH0992611A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17426480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7266111A Pending JPH0992611A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 走査型露光装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992611A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10326738A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US7199878B2 (en) | 2001-10-05 | 2007-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
| WO2007066700A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | レーザ光源装置、並びに露光方法及び装置 |
| JP2010267963A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法におけるアライメントの改良 |
| JP2014239193A (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
| JP2019056875A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ミツトヨ | 露光方法および露光装置 |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP7266111A patent/JPH0992611A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10326738A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
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| US9195128B2 (en) | 2009-05-13 | 2015-11-24 | Asml Netherlands B.V. | Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture |
| JP2014239193A (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
| JP2019056875A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ミツトヨ | 露光方法および露光装置 |
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