JP2003142255A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents
電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器Info
- Publication number
- JP2003142255A JP2003142255A JP2001338045A JP2001338045A JP2003142255A JP 2003142255 A JP2003142255 A JP 2003142255A JP 2001338045 A JP2001338045 A JP 2001338045A JP 2001338045 A JP2001338045 A JP 2001338045A JP 2003142255 A JP2003142255 A JP 2003142255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electro
- optical device
- light emitting
- heat dissipation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 49
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 38
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- -1 triphenyl compound Chemical class 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- UJPHWVYNGODIMX-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2s1 UJPHWVYNGODIMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFDNCLQDXZUPCF-UHFFFAOYSA-N [V].[Zn] Chemical compound [V].[Zn] FFDNCLQDXZUPCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱の影響を抑制し、且つ薄型化を実現する。
【解決手段】 発光素子３を備える。発光素子３を気密
に封止する封止層４を備える。封止層４は、熱伝導性を
有する放熱層１４を含む。
に封止する封止層４を備える。封止層４は、熱伝導性を
有する放熱層１４を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
その製造方法、並びにこの電気光学装置を有する電子機
器に関し、特に発光素子を備えた有機ＥＬ素子等の電気
光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するも
のである。
その製造方法、並びにこの電気光学装置を有する電子機
器に関し、特に発光素子を備えた有機ＥＬ素子等の電気
光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶装置、有機ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス；electroluminescence）装置等の電気
光学装置においては、基板上に複数の回路素子、電極、
液晶又はＥＬ素子等が積層された構成を有するものがあ
る。例えば有機ＥＬ装置においては、発光物質を含む発
光層を陽極及び陰極の電極層で挟んだ構成の発光素子を
有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から
注入された電子とを発光能を有する発光層内で再結合
し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用して
いる。
ルミネッセンス；electroluminescence）装置等の電気
光学装置においては、基板上に複数の回路素子、電極、
液晶又はＥＬ素子等が積層された構成を有するものがあ
る。例えば有機ＥＬ装置においては、発光物質を含む発
光層を陽極及び陰極の電極層で挟んだ構成の発光素子を
有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から
注入された電子とを発光能を有する発光層内で再結合
し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の電気光学装置には、以下のような問題が
存在する。上記の構成を有する有機ＥＬ装置は電流駆動
型の発光素子を備えているため、発光させる際には陽極
と陰極との間に電流を流さなければならない。その結
果、発光時において素子が発熱し、素子の周囲に酸素や
水分があった場合にはこれらの酸素や水分による素子構
成材料の酸化が促進されて素子が劣化する。特に、陰極
に用いられるアルカリ金属やアルカリ土類金属は酸化し
やすい特性を持っている。酸化や水による素子の劣化の
代表的なものはダークスポットの発生およびその成長で
ある。ダークスポットとは発光欠陥点のことである。そ
して、有機ＥＬ装置の駆動に伴って発光素子の劣化が進
むと、発光輝度が低下したり、発光が不安定になる等、
経時的な安定性が低く、且つ寿命が短いという問題があ
った。
たような従来の電気光学装置には、以下のような問題が
存在する。上記の構成を有する有機ＥＬ装置は電流駆動
型の発光素子を備えているため、発光させる際には陽極
と陰極との間に電流を流さなければならない。その結
果、発光時において素子が発熱し、素子の周囲に酸素や
水分があった場合にはこれらの酸素や水分による素子構
成材料の酸化が促進されて素子が劣化する。特に、陰極
に用いられるアルカリ金属やアルカリ土類金属は酸化し
やすい特性を持っている。酸化や水による素子の劣化の
代表的なものはダークスポットの発生およびその成長で
ある。ダークスポットとは発光欠陥点のことである。そ
して、有機ＥＬ装置の駆動に伴って発光素子の劣化が進
むと、発光輝度が低下したり、発光が不安定になる等、
経時的な安定性が低く、且つ寿命が短いという問題があ
った。
【０００４】そこで、上記の劣化を抑えるための対策と
して、例えば発光素子を接着剤を用いて一対のガラス板
で挟むことで大気と遮断する構成や、特開２００１−１
９６１６５に開示されるように、基板の一方の面又は他
方の面に冷却用の流体を供給する冷却手段を設ける構成
を採用することが考えられる。ところが、ガラス板を用
いる場合、ガラス板を少なくとも二枚使用するため、装
置としての厚さが大きくなるという問題を生じてしま
う。また、冷却手段を設ける場合も、流体の流路を形成
する必要があるため装置の大型化は避けられない。
して、例えば発光素子を接着剤を用いて一対のガラス板
で挟むことで大気と遮断する構成や、特開２００１−１
９６１６５に開示されるように、基板の一方の面又は他
方の面に冷却用の流体を供給する冷却手段を設ける構成
を採用することが考えられる。ところが、ガラス板を用
いる場合、ガラス板を少なくとも二枚使用するため、装
置としての厚さが大きくなるという問題を生じてしま
う。また、冷却手段を設ける場合も、流体の流路を形成
する必要があるため装置の大型化は避けられない。
【０００５】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、熱の影響を抑制でき、且つ薄型化を実現す
る電気光学装置及びその製造方法、並びにこの電気光学
装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
れたもので、熱の影響を抑制でき、且つ薄型化を実現す
る電気光学装置及びその製造方法、並びにこの電気光学
装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、以下の構成を採用している。本発明の電
気光学装置は、発光素子を備えた電気光学装置であっ
て、発光素子を気密に封止する封止層を備え、封止層が
熱伝導性を有する放熱層を含むことを特徴とするもので
ある。
めに本発明は、以下の構成を採用している。本発明の電
気光学装置は、発光素子を備えた電気光学装置であっ
て、発光素子を気密に封止する封止層を備え、封止層が
熱伝導性を有する放熱層を含むことを特徴とするもので
ある。
【０００７】従って、本発明の電気光学装置では、膜状
の封止層で発光素子を気密に封止することで、厚さが大
きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制すること
ができる。また、例えば発光素子の発光により熱が生じ
た場合でも、この熱を放熱層を介して放熱できるため、
素子構成材料の酸化を抑制することが可能になり、発光
素子の劣化を一層防止することが可能になる。
の封止層で発光素子を気密に封止することで、厚さが大
きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制すること
ができる。また、例えば発光素子の発光により熱が生じ
た場合でも、この熱を放熱層を介して放熱できるため、
素子構成材料の酸化を抑制することが可能になり、発光
素子の劣化を一層防止することが可能になる。
【０００８】放熱層としては、膜状の金、銀、または銅
等の金属層で形成することができる。この場合、本発明
では、金、銀、銅の熱伝導率が大きいので、例えば発光
素子の発光により生じた熱を効果的に放熱することがで
きる。特に金、銀では、放熱層の厚さを例えば１０ｎｍ
以下とすることで、優れた光透過性が得られる。従っ
て、発光素子の発した光を封止層を介して投射する、共
通電極側から光を取り出す形式を採用した場合に、少な
い損失で光を透過することができる。
等の金属層で形成することができる。この場合、本発明
では、金、銀、銅の熱伝導率が大きいので、例えば発光
素子の発光により生じた熱を効果的に放熱することがで
きる。特に金、銀では、放熱層の厚さを例えば１０ｎｍ
以下とすることで、優れた光透過性が得られる。従っ
て、発光素子の発した光を封止層を介して投射する、共
通電極側から光を取り出す形式を採用した場合に、少な
い損失で光を透過することができる。
【０００９】また、放熱層として、例えばアルカリ金属
の透過を妨げる絶縁膜を採用してもよい。絶縁膜として
は、例えばＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）から
選ばれた少なくとも一つの元素と、Ａｌ（アルミニウ
ム）、Ｓｉ（珪素）、Ｐ（リン）から選ばれた少なくと
も一つの元素とを含むものや、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｏ、Ｍ
を含むもの（但し、Ｍは希土類元素の少なくとも一種、
好ましくはＣｅ（セリウム），Ｙｂ（イッテルビウ
ム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｙ
（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｇｄ（ガドリニ
ウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｎｄ（ネオジウム）
から選ばれた少なくとも一つの元素）を用いることがで
きる。この場合、絶縁膜を発光素子の近傍に設けること
で、水分及びアルカリ金属に対するブロッキング効果が
あり、且つ、放熱効果をも有する絶縁膜として作用する
ことになり、発光素子の劣化を抑制することができる。
の透過を妨げる絶縁膜を採用してもよい。絶縁膜として
は、例えばＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）から
選ばれた少なくとも一つの元素と、Ａｌ（アルミニウ
ム）、Ｓｉ（珪素）、Ｐ（リン）から選ばれた少なくと
も一つの元素とを含むものや、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｏ、Ｍ
を含むもの（但し、Ｍは希土類元素の少なくとも一種、
好ましくはＣｅ（セリウム），Ｙｂ（イッテルビウ
ム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｙ
（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｇｄ（ガドリニ
ウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｎｄ（ネオジウム）
から選ばれた少なくとも一つの元素）を用いることがで
きる。この場合、絶縁膜を発光素子の近傍に設けること
で、水分及びアルカリ金属に対するブロッキング効果が
あり、且つ、放熱効果をも有する絶縁膜として作用する
ことになり、発光素子の劣化を抑制することができる。
【００１０】また、本発明は、無機化合物で形成された
ガスバリア層または有機化合物で形成された放熱層が絶
縁層の上方に形成される構成を採用できる。
ガスバリア層または有機化合物で形成された放熱層が絶
縁層の上方に形成される構成を採用できる。
【００１１】これにより、本発明では、ガスバリア層に
より発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくな
ることなく酸素や水分による劣化を抑制することができ
る。平坦性に優れた絶縁層を形成すれば、その絶縁層の
上方に形成したガスバリア層または放熱層も平坦化さ
れ、凹凸を有する場合のように歪みが生じてバリア性が
低下することを防ぐことができる。
より発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくな
ることなく酸素や水分による劣化を抑制することができ
る。平坦性に優れた絶縁層を形成すれば、その絶縁層の
上方に形成したガスバリア層または放熱層も平坦化さ
れ、凹凸を有する場合のように歪みが生じてバリア性が
低下することを防ぐことができる。
【００１２】本発明は、絶縁層を形成する有機化合物を
ポリマーとする構成も採用できる。例えば、ポリマーは
モノマーや前駆体を塗布した後、硬化または重合させる
ことにより形成される。モノマーや粘度が低い前駆体を
用いた場合は平坦性に優れたポリマー層を形成すること
ができる。
ポリマーとする構成も採用できる。例えば、ポリマーは
モノマーや前駆体を塗布した後、硬化または重合させる
ことにより形成される。モノマーや粘度が低い前駆体を
用いた場合は平坦性に優れたポリマー層を形成すること
ができる。
【００１３】また、本発明では、封止層の上方にガス透
過性の保護膜を成膜する構成も選択可能である。
過性の保護膜を成膜する構成も選択可能である。
【００１４】これにより、本発明では、封止層、ひいて
は電気光学装置の耐スクラッチ性が向上するため、外部
からの衝撃による封止層や発光層などへのダメージを防
止できる。また、保護膜がガスを透過させるので、封止
層に生じた熱が外気に放熱されやすくなる。この保護膜
は、基板全面に亘って形成しても、パターンとして形成
してもよく、また汚染物の付着や水分の吸着・吸湿、耐
摩耗性を考慮すると、フッ素系ポリマーやシリコーン、
ポリオレフィン、ポリカーボネート樹脂など、表面活性
エネルギーの低い材料が好ましい。
は電気光学装置の耐スクラッチ性が向上するため、外部
からの衝撃による封止層や発光層などへのダメージを防
止できる。また、保護膜がガスを透過させるので、封止
層に生じた熱が外気に放熱されやすくなる。この保護膜
は、基板全面に亘って形成しても、パターンとして形成
してもよく、また汚染物の付着や水分の吸着・吸湿、耐
摩耗性を考慮すると、フッ素系ポリマーやシリコーン、
ポリオレフィン、ポリカーボネート樹脂など、表面活性
エネルギーの低い材料が好ましい。
【００１５】本発明の電子機器は、上記の電気光学装置
を備えたことを特徴としている。
を備えたことを特徴としている。
【００１６】これにより、本発明では、発光素子の劣化
が抑制された高寿命で、且つ薄型の電子機器を得ること
ができる。
が抑制された高寿命で、且つ薄型の電子機器を得ること
ができる。
【００１７】一方、本発明の電気光学装置の製造方法
は、発光素子を備えた電気光学装置の製造方法であっ
て、発光素子を気密に封止する封止層形成工程を含み、
封止層形成工程が熱伝導性を有する放熱層を形成する工
程を含むことを特徴としている。
は、発光素子を備えた電気光学装置の製造方法であっ
て、発光素子を気密に封止する封止層形成工程を含み、
封止層形成工程が熱伝導性を有する放熱層を形成する工
程を含むことを特徴としている。
【００１８】これにより、本発明の製造方法では、膜状
の封止層で発光素子を気密に封止することで、厚さが大
きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制すること
ができる。また、例えば発光素子の発光により熱が生じ
た場合でも、この熱を放熱層を介して放熱できるため、
素子構成材料の酸化を抑制することが可能になり、発光
素子の劣化を一層防止することが可能になる。
の封止層で発光素子を気密に封止することで、厚さが大
きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制すること
ができる。また、例えば発光素子の発光により熱が生じ
た場合でも、この熱を放熱層を介して放熱できるため、
素子構成材料の酸化を抑制することが可能になり、発光
素子の劣化を一層防止することが可能になる。
【００１９】また、本発明は、封止層形成工程が有機化
合物で形成された絶縁層を発光素子に被覆する工程と、
絶縁層上に無機化合物で形成されたガスバリア層または
放熱層を形成する工程とを含む手順を採用できる。
合物で形成された絶縁層を発光素子に被覆する工程と、
絶縁層上に無機化合物で形成されたガスバリア層または
放熱層を形成する工程とを含む手順を採用できる。
【００２０】これにより、本発明では、ガスバリア層に
より発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくな
ることなく酸素や水分による劣化を抑制することができ
る。また、絶縁層を発光素子に被覆することにより、絶
縁層の表面を平坦化できる。従って、この絶縁層の上方
に形成したガスバリア層または放熱層も平坦化され、凹
凸を有する場合のように歪みが生じてバリア性が低下す
ることを防ぐことができる。
より発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくな
ることなく酸素や水分による劣化を抑制することができ
る。また、絶縁層を発光素子に被覆することにより、絶
縁層の表面を平坦化できる。従って、この絶縁層の上方
に形成したガスバリア層または放熱層も平坦化され、凹
凸を有する場合のように歪みが生じてバリア性が低下す
ることを防ぐことができる。
【００２１】本発明は、絶縁層を形成する有機化合物を
ポリマーとする構成も採用できる。例えば、ポリマーは
モノマーや前駆体を塗布した後、硬化または重合させる
ことにより形成される。モノマーや粘度が低い前駆体を
用いた場合は平坦性に優れたポリマー層を形成すること
ができる。
ポリマーとする構成も採用できる。例えば、ポリマーは
モノマーや前駆体を塗布した後、硬化または重合させる
ことにより形成される。モノマーや粘度が低い前駆体を
用いた場合は平坦性に優れたポリマー層を形成すること
ができる。
【００２２】そして、本発明では、放熱層を膜状の金、
銀または銅等の金属層で形成する構成も採用可能であ
る。
銀または銅等の金属層で形成する構成も採用可能であ
る。
【００２３】これにより、本発明では、金、銀、銅の熱
伝導率が大きいので、例えば発光素子の発光により生じ
た熱を効果的に放熱することができる。特に金、銀で
は、放熱層の厚さを例えば１０ｎｍ以下とすることで、
優れた光透過性が得られる。従って、発光素子の発した
光を封止層を介して投射する、共通電極側から光を取り
出す形式を採用した場合に、少ない損失で光を透過する
ことができる。
伝導率が大きいので、例えば発光素子の発光により生じ
た熱を効果的に放熱することができる。特に金、銀で
は、放熱層の厚さを例えば１０ｎｍ以下とすることで、
優れた光透過性が得られる。従って、発光素子の発した
光を封止層を介して投射する、共通電極側から光を取り
出す形式を採用した場合に、少ない損失で光を透過する
ことができる。
【００２４】また、本発明では、封止層の上方にガス透
過性の保護膜を成膜する工程も採用可能である。
過性の保護膜を成膜する工程も採用可能である。
【００２５】これにより、本発明では、封止層、ひいて
は電気光学装置の耐スクラッチ性が向上するため、外部
からの衝撃による封止層や発光層などへのダメージを防
止できる。また、保護膜がガスを透過させるので、封止
層に生じた熱が外気に放熱されやすくなる。この保護膜
は、基板全面に亘って形成しても、パターンとして形成
してもよく、また汚染物の付着や水分の吸着・吸湿、耐
摩耗性を考慮すると、フッ素系ポリマーやシリコーン、
ポリオレフィン、ポリカーボネート樹脂など、表面活性
エネルギーの低い材料が好ましい。
は電気光学装置の耐スクラッチ性が向上するため、外部
からの衝撃による封止層や発光層などへのダメージを防
止できる。また、保護膜がガスを透過させるので、封止
層に生じた熱が外気に放熱されやすくなる。この保護膜
は、基板全面に亘って形成しても、パターンとして形成
してもよく、また汚染物の付着や水分の吸着・吸湿、耐
摩耗性を考慮すると、フッ素系ポリマーやシリコーン、
ポリオレフィン、ポリカーボネート樹脂など、表面活性
エネルギーの低い材料が好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置及び
その製造方法並びに電子機器の実施の形態を、図１およ
び図２を参照して説明する。ここでは、本発明の電気光
学装置を例えば、有機ＥＬ装置とする場合の例を用いて
説明する。
その製造方法並びに電子機器の実施の形態を、図１およ
び図２を参照して説明する。ここでは、本発明の電気光
学装置を例えば、有機ＥＬ装置とする場合の例を用いて
説明する。
【００２７】図１に示す有機ＥＬ装置（電気光学装置）
１は、透明基板２上に発光素子３と、発光素子３を気密
に封止する封止層４とが設けられた構成になっている。
透明基板２の材料としては、ポリオレフィン、ポリエス
テル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエー
テルサルホン、ポリエーテルケトンなどのプラスチック
や、ガラスなどの透明材料が採用可能であり、ここでは
ガラスが用いられている。
１は、透明基板２上に発光素子３と、発光素子３を気密
に封止する封止層４とが設けられた構成になっている。
透明基板２の材料としては、ポリオレフィン、ポリエス
テル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエー
テルサルホン、ポリエーテルケトンなどのプラスチック
や、ガラスなどの透明材料が採用可能であり、ここでは
ガラスが用いられている。
【００２８】発光素子３は、透明基板２上に形成された
陽極５、ホール輸送層６、陽極５がホール輸送層６と接
合する表面を露出させるように形成された絶縁層７、有
機発光層８、電子輸送層９、陰極１０とから概略構成さ
れている。
陽極５、ホール輸送層６、陽極５がホール輸送層６と接
合する表面を露出させるように形成された絶縁層７、有
機発光層８、電子輸送層９、陰極１０とから概略構成さ
れている。
【００２９】陽極５の材料としては、アルミニウム（Ａ
ｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛−バナジウム（Ｚｎ
Ｖ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などの単体
や、これらの化合物或いは混合物や、金属フィラーが含
まれる導電性接着剤などで構成されるが、ここではＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）を用いている。この陽極５の形
成は、好ましくはスパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着法によって行われ形成するが、スピンコー
タ、グラビアコータ、ナイフコータなどによる印刷や、
スクリーン印刷、フレキソ印刷などを用いて形成しても
よい。そして、陽極５の光透過率は、８０％以上に設定
することが好ましい。
ｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛−バナジウム（Ｚｎ
Ｖ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などの単体
や、これらの化合物或いは混合物や、金属フィラーが含
まれる導電性接着剤などで構成されるが、ここではＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）を用いている。この陽極５の形
成は、好ましくはスパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着法によって行われ形成するが、スピンコー
タ、グラビアコータ、ナイフコータなどによる印刷や、
スクリーン印刷、フレキソ印刷などを用いて形成しても
よい。そして、陽極５の光透過率は、８０％以上に設定
することが好ましい。
【００３０】ホール輸送層６としては、例えば、カルバ
ゾール重合体とＴＰＤ：トリフェニル化合物とを共蒸着
して１０〜１０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００
ｎｍ）の膜厚に形成する。別法として、ホール輸送層６
は、例えばインクジェット法により、正孔注入、輸送層
材料を含む組成物インクを陽極５上に吐出した後に、乾
燥処理及び熱処理を行うことで陽極５上に形成される。
なお、組成物インクとしては、例えばポリエチレンジオ
キシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチ
レンスルホン酸等の混合物を、イソプロピルアルコール
等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。
ゾール重合体とＴＰＤ：トリフェニル化合物とを共蒸着
して１０〜１０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００
ｎｍ）の膜厚に形成する。別法として、ホール輸送層６
は、例えばインクジェット法により、正孔注入、輸送層
材料を含む組成物インクを陽極５上に吐出した後に、乾
燥処理及び熱処理を行うことで陽極５上に形成される。
なお、組成物インクとしては、例えばポリエチレンジオ
キシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチ
レンスルホン酸等の混合物を、イソプロピルアルコール
等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。
【００３１】絶縁膜７は、例えばＳｉＯ2をＣＶＤ法に
より基板全面に堆積させた後、フォトリソグラフィー技
術及びエッチング技術を用いてパターン形成することが
できる。
より基板全面に堆積させた後、フォトリソグラフィー技
術及びエッチング技術を用いてパターン形成することが
できる。
【００３２】有機発光層８は、上記ホール輸送層６と同
様に、例えばインクジェット法やマスク蒸着法により、
発光層用材料を含む組成物インクをホール輸送層６上に
吐出した後に乾燥処理または熱処理を施すことで、ホー
ル輸送層６上に形成される。有機発光層８を構成する発
光材料としては、フルオレン系高分子誘導体や、（ポ
リ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘
導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、その他ベンゼン誘導体に可
溶な低分子有機ＥＬ材料、高分子有機ＥＬ材料等を用い
ることができる。なお、インクジェット法に適している
材料としては、例えばパラフェニレンビニレン誘導体、
ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体が挙げられ、
マスク蒸着法に適している材料としてはペリレン系色
素、クマリン系色素、ローダミン系色素が挙げられる。
様に、例えばインクジェット法やマスク蒸着法により、
発光層用材料を含む組成物インクをホール輸送層６上に
吐出した後に乾燥処理または熱処理を施すことで、ホー
ル輸送層６上に形成される。有機発光層８を構成する発
光材料としては、フルオレン系高分子誘導体や、（ポ
リ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘
導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン
系色素、ローダミン系色素、その他ベンゼン誘導体に可
溶な低分子有機ＥＬ材料、高分子有機ＥＬ材料等を用い
ることができる。なお、インクジェット法に適している
材料としては、例えばパラフェニレンビニレン誘導体、
ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体が挙げられ、
マスク蒸着法に適している材料としてはペリレン系色
素、クマリン系色素、ローダミン系色素が挙げられる。
【００３３】また、電子輸送層９としては、金属と有機
配位子から形成される金属錯体化合物、好ましくは、Ａ
ｌｑ３（トリス(8-キノリノレート)アルミニウム錯
体）、Ｚｎｑ２（ビス(8-キノリノレート)亜鉛錯体）、
Ｂｅｂｑ２（ビス(8-キノリノレート)ベリリウム錯
体）、Ｚｎ−ＢＴＺ（２-（ｏ-ヒドロキシフェニル）ベ
ンゾチアゾール亜鉛）、ペリレン誘導体などを１０〜１
０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００ｎｍ）の膜厚
になるように蒸着して積層する。
配位子から形成される金属錯体化合物、好ましくは、Ａ
ｌｑ３（トリス(8-キノリノレート)アルミニウム錯
体）、Ｚｎｑ２（ビス(8-キノリノレート)亜鉛錯体）、
Ｂｅｂｑ２（ビス(8-キノリノレート)ベリリウム錯
体）、Ｚｎ−ＢＴＺ（２-（ｏ-ヒドロキシフェニル）ベ
ンゾチアゾール亜鉛）、ペリレン誘導体などを１０〜１
０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００ｎｍ）の膜厚
になるように蒸着して積層する。
【００３４】陰極１０は、電子輸送層９へ効率的に電子
注入を行える仕事関数の低い金属、好ましくは、Ｃａ、
Ａｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ａｌなどの単
体、又はこれらの合金で形成することができる。本実施
形態では、Ｃａを主体とする陰極、及びＡｌを主体とす
る反射層の２層構成になっている。
注入を行える仕事関数の低い金属、好ましくは、Ｃａ、
Ａｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ａｌなどの単
体、又はこれらの合金で形成することができる。本実施
形態では、Ｃａを主体とする陰極、及びＡｌを主体とす
る反射層の２層構成になっている。
【００３５】なお、図示しないが、本実施の形態の有機
ＥＬ装置１はアクティブマトリクス型であり、実際には
複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、
これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配
置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドラ
イビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の
発光素子３が接続されている。そして、データ線や走査
線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流
れ、発光素子３が発光して透明基板２の外面側に光が出
射され、その画素が点灯する。なお、本発明は、アクテ
ィブマトリクス型に限られず、パッシブ駆動型の表示素
子にも適用できることはいうまでもない。
ＥＬ装置１はアクティブマトリクス型であり、実際には
複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、
これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配
置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドラ
イビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の
発光素子３が接続されている。そして、データ線や走査
線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流
れ、発光素子３が発光して透明基板２の外面側に光が出
射され、その画素が点灯する。なお、本発明は、アクテ
ィブマトリクス型に限られず、パッシブ駆動型の表示素
子にも適用できることはいうまでもない。
【００３６】封止層４は、発光素子３上に、発光素子３
を被覆する絶縁層１１、ガスバリア層１２、絶縁層１
３、および放熱層１４が順次積層して形成された構成と
なっている。
を被覆する絶縁層１１、ガスバリア層１２、絶縁層１
３、および放熱層１４が順次積層して形成された構成と
なっている。
【００３７】絶縁層１１、１３は、有機ポリマー等で形
成されている。具体的には、絶縁層１１、１３として
は、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、またはＰ
ＥＴ、ポリエチレン、ポリプロピレンやこれらを組み合
わせたものを用いることができる。
成されている。具体的には、絶縁層１１、１３として
は、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、またはＰ
ＥＴ、ポリエチレン、ポリプロピレンやこれらを組み合
わせたものを用いることができる。
【００３８】ガスバリア層１２は、無機酸化物、無機窒
化物、無機炭化物等のガスバリア性を有する無機化合物
で形成されている。具体的には、ガスバリア層１２とし
ては、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ
2）、上記ＩＴＯ、またはこれらを組み合わせたものを
用いることができる。また、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯ
Ｎ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）やこれら
を組み合わせたものを用いることができる。
化物、無機炭化物等のガスバリア性を有する無機化合物
で形成されている。具体的には、ガスバリア層１２とし
ては、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ
2）、上記ＩＴＯ、またはこれらを組み合わせたものを
用いることができる。また、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯ
Ｎ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）やこれら
を組み合わせたものを用いることができる。
【００３９】放熱層１４は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
銅（Ｃｕ）等の熱伝導率の高い金属膜で形成されてい
る。ここで、金属の同一温度における熱伝導率λと電気
伝導率σとの間には、ウィデーマン−フランツの法則に
より、λ／σ＝一定という関係が成り立つ。従って、熱
伝導率の高い金属として電気伝導率の高い金属を選択す
ればよく、上記の金、銀、銅を選択することができる。
また、これらの金属の中には、酸化しやすいものや非常
に高価なものも含まれるため、２種類以上合わせた合金
や熱伝導率を大きく変えない程度に亜鉛や錫、アルミニ
ウムなどの金属元素を加えて合金化してもよい。
銅（Ｃｕ）等の熱伝導率の高い金属膜で形成されてい
る。ここで、金属の同一温度における熱伝導率λと電気
伝導率σとの間には、ウィデーマン−フランツの法則に
より、λ／σ＝一定という関係が成り立つ。従って、熱
伝導率の高い金属として電気伝導率の高い金属を選択す
ればよく、上記の金、銀、銅を選択することができる。
また、これらの金属の中には、酸化しやすいものや非常
に高価なものも含まれるため、２種類以上合わせた合金
や熱伝導率を大きく変えない程度に亜鉛や錫、アルミニ
ウムなどの金属元素を加えて合金化してもよい。
【００４０】上記の構成の封止層４を製造する工程（封
止層形成工程）について説明する。まず、スプレーコー
ト等により、発光素子３を被覆するように有機モノマー
を塗布及び硬化によりポリマー化して絶縁層１１を形成
する。次に、真空蒸着、低温スパッタ、ＣＶＤ等により
絶縁層１１上（一部は基板２上）に無機化合物からなる
ガスバリア層１２を形成する。ここで、絶縁層１１は活
動性の高い前駆体として、有機モノマーを塗布した後、
硬化させて形成されているため、その上面（ガスバリア
層１２が形成される面）が平坦化される。従って、ガス
バリア層１２は、絶縁層１１に倣って平坦化された状態
で形成される。この後、上記絶縁層１１と同様の手順で
絶縁層１３を形成する。
止層形成工程）について説明する。まず、スプレーコー
ト等により、発光素子３を被覆するように有機モノマー
を塗布及び硬化によりポリマー化して絶縁層１１を形成
する。次に、真空蒸着、低温スパッタ、ＣＶＤ等により
絶縁層１１上（一部は基板２上）に無機化合物からなる
ガスバリア層１２を形成する。ここで、絶縁層１１は活
動性の高い前駆体として、有機モノマーを塗布した後、
硬化させて形成されているため、その上面（ガスバリア
層１２が形成される面）が平坦化される。従って、ガス
バリア層１２は、絶縁層１１に倣って平坦化された状態
で形成される。この後、上記絶縁層１１と同様の手順で
絶縁層１３を形成する。
【００４１】続いて、絶縁層１３上（一部はガスバリア
層１２上）に金属膜からなる放熱層１４を形成（成膜）
する。この放熱層１４は、ガスバリア層１２と同様に真
空蒸着、低温スパッタ、ＣＶＤ等により形成される。こ
こで、絶縁層１３は、平坦化されたガスバリア層１２上
に形成された有機ポリマーであるので、その上面が平坦
されており、従って絶縁層１３上に成膜された放熱層１
４も平坦化された状態で形成される。なお、図示してい
ないものの、放熱層１４は、放熱板に接続されており、
伝達された熱を効果的に放熱できる構成になっている。
また、ガスバリア層１２と放熱層１４の製造において
は、同一のマスクを使用することで、コストの低下を図
っている。
層１２上）に金属膜からなる放熱層１４を形成（成膜）
する。この放熱層１４は、ガスバリア層１２と同様に真
空蒸着、低温スパッタ、ＣＶＤ等により形成される。こ
こで、絶縁層１３は、平坦化されたガスバリア層１２上
に形成された有機ポリマーであるので、その上面が平坦
されており、従って絶縁層１３上に成膜された放熱層１
４も平坦化された状態で形成される。なお、図示してい
ないものの、放熱層１４は、放熱板に接続されており、
伝達された熱を効果的に放熱できる構成になっている。
また、ガスバリア層１２と放熱層１４の製造において
は、同一のマスクを使用することで、コストの低下を図
っている。
【００４２】上記の構成の有機ＥＬ装置１では、ガスバ
リア層１２を有する封止層４で発光素子３を封止するこ
とで、酸素や水分による劣化が抑制される。また、発光
素子３で発生した熱は、絶縁層１１、ガスバリア層１
２、絶縁層１３を介して（一部は絶縁層１１、ガスバリ
ア層１２を介して）放熱層１４に伝達されて放熱され
る。
リア層１２を有する封止層４で発光素子３を封止するこ
とで、酸素や水分による劣化が抑制される。また、発光
素子３で発生した熱は、絶縁層１１、ガスバリア層１
２、絶縁層１３を介して（一部は絶縁層１１、ガスバリ
ア層１２を介して）放熱層１４に伝達されて放熱され
る。
【００４３】このように、本実施の形態では、膜状の封
止層４で酸素や水分などの発光素子３や電極の劣化の因
子に対して封止し、さらに発光素子３で発生した熱を放
熱するので、厚さが大きくなることなく、酸素や水分、
熱による発光素子３及び電極の劣化を抑制することが可
能になり、薄型で高寿命の有機ＥＬ装置１を容易に得る
ことができる。
止層４で酸素や水分などの発光素子３や電極の劣化の因
子に対して封止し、さらに発光素子３で発生した熱を放
熱するので、厚さが大きくなることなく、酸素や水分、
熱による発光素子３及び電極の劣化を抑制することが可
能になり、薄型で高寿命の有機ＥＬ装置１を容易に得る
ことができる。
【００４４】また、本実施の形態では、有機ポリマーで
形成された絶縁層１１、１３上にガスバリア層１２、放
熱層１４がそれぞれ成膜されているため、これらガスバ
リア層１２、放熱層１４が平坦化され、凹凸をもって形
成された場合のように歪みが生じてガスバリア性が低下
してしまうことを未然に防ぐことができる。
形成された絶縁層１１、１３上にガスバリア層１２、放
熱層１４がそれぞれ成膜されているため、これらガスバ
リア層１２、放熱層１４が平坦化され、凹凸をもって形
成された場合のように歪みが生じてガスバリア性が低下
してしまうことを未然に防ぐことができる。
【００４５】次に、上記実施の形態の有機ＥＬ装置１を
備えた電子機器の例について説明する。図２（ａ）は、
携帯電話の一例を示した斜視図である。図２（ａ）にお
いて、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００
１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示してい
る。
備えた電子機器の例について説明する。図２（ａ）は、
携帯電話の一例を示した斜視図である。図２（ａ）にお
いて、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００
１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示してい
る。
【００４６】図２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を
示した斜視図である。図２（ｂ）において、符号１１０
０は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装
置１を用いた表示部を示している。
示した斜視図である。図２（ｂ）において、符号１１０
０は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装
置１を用いた表示部を示している。
【００４７】図２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの
携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２
（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１
２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報
処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置１を
用いた表示部を示している。
携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２
（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１
２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報
処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置１を
用いた表示部を示している。
【００４８】図２（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上
記実施の形態の有機ＥＬ装置１を備えているので、薄型
で高寿命の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現する
ことができる。
記実施の形態の有機ＥＬ装置１を備えているので、薄型
で高寿命の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現する
ことができる。
【００４９】なお、本発明の技術範囲は、上記実施の形
態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲において種々の変更を加えることが可能である。
態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００５０】例えば、上記実施の形態において、ガスバ
リア層１２と放熱層１４との間に絶縁層１３を設ける構
成としたが、絶縁層１３は必ずしも必要ではなく、ガス
バリア層上に直接放熱層１４を設ける構成としてもよ
い。また、上記の実施形態で示したガスバリア層１２と
放熱層１４の位置は一例であり、これらの配置を逆にし
て、絶縁層１１上に放熱層１４を形成し、絶縁層１３上
にガスバリア層１２を形成する構成としてもよい。ただ
し、放熱層１４を外表面に晒す構成は、外気と触れる表
面積が増すため、放熱効果を考慮した場合は上記実施の
形態で示した配置が好ましい。
リア層１２と放熱層１４との間に絶縁層１３を設ける構
成としたが、絶縁層１３は必ずしも必要ではなく、ガス
バリア層上に直接放熱層１４を設ける構成としてもよ
い。また、上記の実施形態で示したガスバリア層１２と
放熱層１４の位置は一例であり、これらの配置を逆にし
て、絶縁層１１上に放熱層１４を形成し、絶縁層１３上
にガスバリア層１２を形成する構成としてもよい。ただ
し、放熱層１４を外表面に晒す構成は、外気と触れる表
面積が増すため、放熱効果を考慮した場合は上記実施の
形態で示した配置が好ましい。
【００５１】また、上記実施の形態では、放熱層１４を
金属膜で形成する構成としたが、これに限定されるもの
ではなく、例えばアルカリ金属の透過を妨げる絶縁膜を
採用してもよい。絶縁膜としては、例えばＢ（ホウ
素）、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）から選ばれた少なくとも
一つの元素と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（珪素）、
Ｐ（リン）から選ばれた少なくとも一つの元素とを含む
ものや、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｏ、Ｍを含むもの（但し、Ｍ
は希土類元素の少なくとも一種、好ましくはＣｅ（セリ
ウム），Ｙｂ（イッテルビウム），Ｓｍ（サマリウ
ム），Ｅｒ（エルビウム），Ｙ（イットリウム）、Ｌａ
（ランタン）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｄｙ（ジスプロ
シウム）、Ｎｄ（ネオジウム）から選ばれた少なくとも
一つの元素）を用いることができる。この場合、絶縁膜
を発光素子の近傍に設けることで、水分及びアルカリ金
属に対するブロッキング効果があり、且つ、放熱効果を
も有する絶縁膜として作用することになり、発光素子の
劣化を抑制することができる。
金属膜で形成する構成としたが、これに限定されるもの
ではなく、例えばアルカリ金属の透過を妨げる絶縁膜を
採用してもよい。絶縁膜としては、例えばＢ（ホウ
素）、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）から選ばれた少なくとも
一つの元素と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（珪素）、
Ｐ（リン）から選ばれた少なくとも一つの元素とを含む
ものや、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｏ、Ｍを含むもの（但し、Ｍ
は希土類元素の少なくとも一種、好ましくはＣｅ（セリ
ウム），Ｙｂ（イッテルビウム），Ｓｍ（サマリウ
ム），Ｅｒ（エルビウム），Ｙ（イットリウム）、Ｌａ
（ランタン）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｄｙ（ジスプロ
シウム）、Ｎｄ（ネオジウム）から選ばれた少なくとも
一つの元素）を用いることができる。この場合、絶縁膜
を発光素子の近傍に設けることで、水分及びアルカリ金
属に対するブロッキング効果があり、且つ、放熱効果を
も有する絶縁膜として作用することになり、発光素子の
劣化を抑制することができる。
【００５２】また、絶縁層１１が、発光素子３を被覆す
るように有機モノマーを塗布及び硬化によりポリマー化
して絶縁層１１を形成する構成としたが、有機モノマー
を塗布した後に重合によりポリマー化してもよい。な
お、上記実施の形態で挙げた具体的な材料は一例にすぎ
ず、適宜変更が可能である。
るように有機モノマーを塗布及び硬化によりポリマー化
して絶縁層１１を形成する構成としたが、有機モノマー
を塗布した後に重合によりポリマー化してもよい。な
お、上記実施の形態で挙げた具体的な材料は一例にすぎ
ず、適宜変更が可能である。
【００５３】さらに、上記実施の形態では、発光素子３
の発光が透明基板２を介して外面側に出射される形式の
例を用いて説明したが、発光素子３の発光が透明基板２
と逆側の共通電極側から封止層４を介して出射される形
式であっても適用可能である。この場合、放熱層１４を
形成する金属膜を熱伝導率の高い金または銀とすること
で効果的に放熱できることに加えて、例えば厚さ１０ｎ
ｍ以下の金膜を用いれば、優れた光透過性（透明性）を
得ることができ、透過光の損失が少ない有機ＥＬ装置を
得ることができる。
の発光が透明基板２を介して外面側に出射される形式の
例を用いて説明したが、発光素子３の発光が透明基板２
と逆側の共通電極側から封止層４を介して出射される形
式であっても適用可能である。この場合、放熱層１４を
形成する金属膜を熱伝導率の高い金または銀とすること
で効果的に放熱できることに加えて、例えば厚さ１０ｎ
ｍ以下の金膜を用いれば、優れた光透過性（透明性）を
得ることができ、透過光の損失が少ない有機ＥＬ装置を
得ることができる。
【００５４】また、上記実施の形態で示したように、放
熱層１４が封止層４の表面に晒されている構成では放熱
性では有利であるが、耐摩耗性（耐スクラッチ性）を向
上させるために放熱層１４（すなわち封止層４）上にフ
ィルムやコート層からなる保護膜を設けてもよい。この
場合、汚染の付着や水分の吸着・吸湿、耐摩耗性を考慮
すると、フッ素系ポリマーやシリコン樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィンなどの表面活性エネルギーの低
い材料を用いることが好ましい。また、保護膜は、基板
全面に亘って、もしくはパターンとして形成してもよ
く、さらに保護膜にガス高透過性（１０００ｃｍ3／ｍ2
・２４ｈｒ以上）を持たせることが好ましい。これによ
り、放熱層１４に伝達された熱を、保護膜を介して外気
に放熱することができ、放熱効果が向上する。
熱層１４が封止層４の表面に晒されている構成では放熱
性では有利であるが、耐摩耗性（耐スクラッチ性）を向
上させるために放熱層１４（すなわち封止層４）上にフ
ィルムやコート層からなる保護膜を設けてもよい。この
場合、汚染の付着や水分の吸着・吸湿、耐摩耗性を考慮
すると、フッ素系ポリマーやシリコン樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリオレフィンなどの表面活性エネルギーの低
い材料を用いることが好ましい。また、保護膜は、基板
全面に亘って、もしくはパターンとして形成してもよ
く、さらに保護膜にガス高透過性（１０００ｃｍ3／ｍ2
・２４ｈｒ以上）を持たせることが好ましい。これによ
り、放熱層１４に伝達された熱を、保護膜を介して外気
に放熱することができ、放熱効果が向上する。
【００５５】なお、上記実施の形態では、ガスバリア層
１２を一層のみ形成する構成としたが、これに限定され
るものではなく、二層以上設ける構成とすればガスバリ
ア性をより向上させることが可能になる。この場合、ガ
スバリア層と有機ポリマー層（絶縁層）とを１ユニット
としたものを複数ユニット積層することが望ましい。ま
た、基板としてはガラスに限られず、プラスチック基板
を用いてもよい。
１２を一層のみ形成する構成としたが、これに限定され
るものではなく、二層以上設ける構成とすればガスバリ
ア性をより向上させることが可能になる。この場合、ガ
スバリア層と有機ポリマー層（絶縁層）とを１ユニット
としたものを複数ユニット積層することが望ましい。ま
た、基板としてはガラスに限られず、プラスチック基板
を用いてもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ガス
バリア性が低下することなく薄型で高寿命の電気光学装
置、および表示部を備えた電子機器を容易に得ることが
できる。また、本発明では、透過光の損失が少ない共通
電極側から光を取り出す形式の電気光学装置を得ること
ができるとともに、放熱性および耐摩耗性に優れた電気
光学装置を得ることが可能になる。
バリア性が低下することなく薄型で高寿命の電気光学装
置、および表示部を備えた電子機器を容易に得ることが
できる。また、本発明では、透過光の損失が少ない共通
電極側から光を取り出す形式の電気光学装置を得ること
ができるとともに、放熱性および耐摩耗性に優れた電気
光学装置を得ることが可能になる。
【図１】 本発明の実施の形態を示す図であって、基
板上の発光素子が封止層で封止された断面図である。
板上の発光素子が封止層で封止された断面図である。
【図２】 有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の一例
を示す図であり、（ａ）は携帯電話、（ｂ）は腕時計型
電子機器、（ｃ）は携帯型情報処理装置のそれぞれ斜視
図である。
を示す図であり、（ａ）は携帯電話、（ｂ）は腕時計型
電子機器、（ｃ）は携帯型情報処理装置のそれぞれ斜視
図である。
【符号の説明】
１ 有機ＥＬ装置
２ 基板
３ 発光素子
４ 封止層
１１ 絶縁層
１２ ガスバリア層
１４ 放熱層
Claims (13)
- 【請求項１】 発光素子を備えた電気光学装置であっ
て、 前記発光素子を気密に封止する封止層を備え、 前記封止層は、熱伝導性を有する放熱層を含むことを特
徴とする電気光学装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電気光学装置におい
て、 前記放熱層が金属層であることを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項３】 請求項２記載の電気光学装置におい
て、 前記放熱層は、膜状の金、銀、または銅で形成されるこ
とを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の電気光学装置におい
て、 前記放熱層が絶縁膜であることを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の電
気光学装置において、 前記封止層は、無機化合物で形成されたガスバリア層
と、 有機化合物で形成された絶縁層とを含み、 前記ガスバリア層または前記放熱層は、前記絶縁層の上
方に形成されることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の電気光学装置におい
て、 前記有機化合物がポリマーであることを特徴とする電気
光学装置。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれかに記載の電
気光学装置において、 前記封止層の上方にガス透過性の保護膜が成膜されてい
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載
の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。 - 【請求項９】 発光素子を備えた電気光学装置の製造
方法であって、 前記発光素子を気密に封止する封止層形成工程を含み、 前記封止層形成工程は、熱伝導性を有する放熱層を形成
する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の電気光学装置の製造
方法において、 前記封止層形成工程は、有機化合物で形成された絶縁層
を前記発光素子上方に形成する工程と、 前記絶縁層上に、無機化合物で形成されたガスバリア層
または前記放熱層を形成する工程とを含むことを特徴と
する電気光学装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の電気光学装置の製
造方法において、 前記有機化合物がポリマーであることを特徴とする電気
光学装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項９から１１のいずれかに記載
の電気光学装置の製造方法において、 前記放熱層を膜状の金、銀または銅で形成することを特
徴とする電気光学装置の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項９から１２のいずれかに記載
の電気光学装置の製造方法において、 前記封止層の上方にガス透過性の保護膜を成膜する工程
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001338045A JP4019690B2 (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| CNB021472343A CN1189784C (zh) | 2001-11-02 | 2002-10-18 | 电光装置、其制造方法以及电子设备 |
| CNB2005100045893A CN100505372C (zh) | 2001-11-02 | 2002-10-18 | 电光装置、其制造方法以及电子设备 |
| TW91125244A TW576128B (en) | 2001-11-02 | 2002-10-25 | Electrooptic device and manufacturing method of the same, and electronic device |
| KR1020020067371A KR20030036089A (ko) | 2001-11-02 | 2002-11-01 | 전기 광학 장치 및 그 제조 방법과 전자 기기 |
| US10/285,542 US7301277B2 (en) | 2001-11-02 | 2002-11-01 | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
| US10/956,022 US20050098113A1 (en) | 2001-11-02 | 2004-10-04 | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
| US11/898,328 US20080042562A1 (en) | 2001-11-02 | 2007-09-11 | Electro-optical apparatus, manufacturing method thereof, and electronic instrument |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001338045A JP4019690B2 (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005209510A Division JP4240017B2 (ja) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | 発光装置及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142255A true JP2003142255A (ja) | 2003-05-16 |
| JP4019690B2 JP4019690B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=19152595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001338045A Expired - Lifetime JP4019690B2 (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7301277B2 (ja) |
| JP (1) | JP4019690B2 (ja) |
| KR (1) | KR20030036089A (ja) |
| CN (2) | CN100505372C (ja) |
| TW (1) | TW576128B (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019338A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Tadahiro Omi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| JP2005174832A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Tadahiro Omi | 表示素子、その製造方法及び表示装置 |
| JP2006024421A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2006040889A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Lg Electron Inc | 有機電界発光素子 |
| WO2006033166A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Tadahiro Ohmi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| WO2006033164A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Tadahiro Ohmi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| JP2006128023A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 薄膜発光素子、及びこれを備えた電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP2006222070A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
| US7158694B2 (en) | 2003-09-04 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
| US7183580B2 (en) | 2003-09-24 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
| KR100757397B1 (ko) * | 2004-10-22 | 2007-09-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 및 유기일렉트로루미네선스 장치 |
| US7508128B2 (en) | 2002-08-29 | 2009-03-24 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent device with barrier layer structure, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US7667395B2 (en) | 2005-01-17 | 2010-02-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and electronic apparatus |
| JP2010520587A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | イーストマン コダック カンパニー | 変形可能な基板を有するフラットパネルｏｌｅｄデバイス |
| JP2010520588A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | イーストマン コダック カンパニー | 変形可能な基板を有するフラットパネルｏｌｅｄデバイス |
| JP2010199079A (ja) * | 2010-04-19 | 2010-09-09 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子および表示装置 |
| JP2011018639A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP2011511403A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子構成素子を作製する方法および電子構成素子 |
| US8164258B2 (en) | 2005-12-08 | 2012-04-24 | Seiko Epson Corporation | Emissive device having a layer that relieves external forces on adjacent layer, process for producing the emissive device and an electronic apparatus including the emissive device |
| JP2014060114A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Kaneka Corp | 有機ｅｌパネル及び図形の表示方法 |
| US8779658B2 (en) | 2002-10-25 | 2014-07-15 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP2017167477A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP4019690B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| JP3865056B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 封止用基板の製造方法 |
| US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
| CN100442573C (zh) * | 2002-07-08 | 2008-12-10 | 大尼克株式会社 | 吸湿性成形体 |
| JP4138672B2 (ja) | 2003-03-27 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| JP2005044613A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 発光装置の製造方法および発光装置 |
| NL1024090C2 (nl) * | 2003-08-12 | 2005-02-15 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het aanbrengen van een dunne-film-afsluitlaagsamenstel op een device met microstructuren, alsmede een device voorzien van een dergelijk dunne-film-afsluitlaagsamenstel. |
| JP2005078979A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toyota Industries Corp | Ｅｌ装置 |
| US6967439B2 (en) * | 2004-02-24 | 2005-11-22 | Eastman Kodak Company | OLED display having thermally conductive backplate |
| US7202504B2 (en) | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
| KR101152134B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP4600254B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP4696926B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2011-06-08 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| KR100732832B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| JP2008311059A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP5208591B2 (ja) | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
| DE102008011809A1 (de) * | 2007-12-20 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| KR101634791B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2016-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접촉 감지 기능이 있는 유기 발광 표시 장치 |
| TWI587734B (zh) * | 2009-03-26 | 2017-06-11 | 精工愛普生股份有限公司 | 有機ｅｌ裝置、有機ｅｌ裝置之製造方法、及電子機器 |
| TW201110802A (en) * | 2009-06-24 | 2011-03-16 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device, electronic device, and illumination apparatus |
| JP5409315B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| WO2012030421A1 (en) * | 2010-05-25 | 2012-03-08 | Qd Vision, Inc. | Devices and methods |
| KR20120065049A (ko) * | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101771162B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101773544B1 (ko) | 2011-07-28 | 2017-09-01 | 주성엔지니어링(주) | 발광 소자 |
| DE102012200485A1 (de) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zum Prozessieren einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung |
| WO2014082300A1 (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103855320B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-12-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103904248B (zh) * | 2012-12-25 | 2016-08-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104779354B (zh) * | 2014-01-09 | 2017-11-24 | 群创光电股份有限公司 | 有机发光二极管的封装结构及其制造方法 |
| DE102014218667B4 (de) * | 2014-09-17 | 2023-05-17 | Pictiva Displays International Limited | Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe |
| WO2016088382A1 (ja) | 2014-12-05 | 2016-06-09 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR102486876B1 (ko) | 2015-07-07 | 2023-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| JP2017152256A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR101874035B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접촉 감지 기능이 있는 유기 발광 표시 장치 |
| CN108735873B (zh) * | 2018-04-25 | 2020-02-21 | 广州市欧玛灯光设备有限公司 | 一种led发光源制备工艺 |
| KR20210079898A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Family Cites Families (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1485254A (en) * | 1922-01-10 | 1924-02-26 | American Cellulose And Chemica | Apparatus for coating wire with varnish and the like |
| US1944822A (en) * | 1929-07-27 | 1934-01-23 | Nat Electric Prod Corp | Method and machine for coating cables |
| US2445372A (en) * | 1945-04-26 | 1948-07-20 | American Steel & Wire Co | Process of copper coating stainless steel |
| US3848341A (en) * | 1972-05-22 | 1974-11-19 | Gen Electric | Method of drying coated wires |
| US4845405A (en) * | 1986-05-14 | 1989-07-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Monolithic LED display |
| JPS63105493A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| JP2742057B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| JPH04292895A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | Seikosha Co Ltd | Ｅｌ素子 |
| JP3197305B2 (ja) * | 1991-10-08 | 2001-08-13 | ティーディーケイ株式会社 | 電界発光素子の保護 |
| JP3073327B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
| DE4324320B4 (de) * | 1992-07-24 | 2006-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer als dünne Schicht ausgebildeten fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtung |
| JPH07111192A (ja) | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜型電界発光素子 |
| ATE204616T1 (de) * | 1994-05-31 | 2001-09-15 | Toray Industries | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines beschichteten substrats |
| JP3553672B2 (ja) | 1994-12-28 | 2004-08-11 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5771562A (en) * | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| JPH09161970A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Stanley Electric Co Ltd | ドットマトリクス型有機ｌｅｄ素子 |
| JP3100329B2 (ja) | 1995-12-27 | 2000-10-16 | 信越ポリマー株式会社 | ヒートシールコネクタ |
| JPH10125463A (ja) | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| US6195142B1 (en) * | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
| JP3672127B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2005-07-13 | ソニー株式会社 | 光学的素子の製造方法及び光学的素子 |
| US5858477A (en) * | 1996-12-10 | 1999-01-12 | Akashic Memories Corporation | Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon |
| JPH1092583A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | Ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP3224352B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2001-10-29 | 出光興産株式会社 | 多色発光装置 |
| JPH10308165A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Pioneer Electron Corp | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
| US5952778A (en) * | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
| JPH10275681A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機ｅｌ素子 |
| JPH10275680A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機ｅｌ素子 |
| JP3290375B2 (ja) | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US6198220B1 (en) * | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
| JPH11111452A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-23 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JPH11195484A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| CA2337085A1 (en) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Uniax Corporation | Encapsulation of polymer-based solid state devices with inorganic materials |
| US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| TW439308B (en) * | 1998-12-16 | 2001-06-07 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| JP4730994B2 (ja) | 1999-06-04 | 2011-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置及びその作製方法並びに電子装置 |
| JP3880244B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
| TW527735B (en) * | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
| JP4472073B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
| US6413645B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| JP2001196165A (ja) | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| JP4423767B2 (ja) * | 2000-08-22 | 2010-03-03 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2002063985A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6537688B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-03-25 | Universal Display Corporation | Adhesive sealed organic optoelectronic structures |
| US6547920B2 (en) * | 2001-03-13 | 2003-04-15 | 3M Innovative Properties | Chemical stripping apparatus and method |
| US6664137B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
| KR100413450B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 표시소자의 보호막 구조 |
| JP4019690B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001338045A patent/JP4019690B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-18 CN CNB2005100045893A patent/CN100505372C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-18 CN CNB021472343A patent/CN1189784C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-25 TW TW91125244A patent/TW576128B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-01 KR KR1020020067371A patent/KR20030036089A/ko active Search and Examination
- 2002-11-01 US US10/285,542 patent/US7301277B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-10-04 US US10/956,022 patent/US20050098113A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-09-11 US US11/898,328 patent/US20080042562A1/en not_active Abandoned
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508128B2 (en) | 2002-08-29 | 2009-03-24 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent device with barrier layer structure, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US9450204B2 (en) | 2002-10-25 | 2016-09-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| US9065074B2 (en) | 2002-10-25 | 2015-06-23 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| US8779658B2 (en) | 2002-10-25 | 2014-07-15 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP4603780B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP2005019338A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Tadahiro Omi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| US7245797B2 (en) | 2003-09-04 | 2007-07-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
| US7158694B2 (en) | 2003-09-04 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
| US7537948B2 (en) | 2003-09-24 | 2009-05-26 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
| US7183580B2 (en) | 2003-09-24 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, manufacturing method of the same, and electronic apparatus |
| JP4532892B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
| JP2005174832A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Tadahiro Omi | 表示素子、その製造方法及び表示装置 |
| JP2006024421A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2006040889A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Lg Electron Inc | 有機電界発光素子 |
| US8044583B2 (en) | 2004-07-27 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device without cap and getter |
| WO2006033164A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Tadahiro Ohmi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| WO2006033166A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Tadahiro Ohmi | 有機ｅｌ発光素子、その製造方法および表示装置 |
| US7887385B2 (en) | 2004-09-24 | 2011-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL light emitting element, manufacturing method thereof, and display device |
| US7667284B2 (en) | 2004-10-22 | 2010-02-23 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
| KR100757397B1 (ko) * | 2004-10-22 | 2007-09-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 및 유기일렉트로루미네선스 장치 |
| US7452738B2 (en) | 2004-10-22 | 2008-11-18 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
| US7956355B2 (en) | 2004-10-22 | 2011-06-07 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
| JP2006128023A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 薄膜発光素子、及びこれを備えた電気光学装置、並びに電子機器 |
| US7667395B2 (en) | 2005-01-17 | 2010-02-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and electronic apparatus |
| JP2006222070A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
| US7642715B2 (en) | 2005-01-17 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device comprising an improved gas barrier layer, method for manufacturing light-emitting device, and electronic apparatus |
| JP4631683B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
| US8164258B2 (en) | 2005-12-08 | 2012-04-24 | Seiko Epson Corporation | Emissive device having a layer that relieves external forces on adjacent layer, process for producing the emissive device and an electronic apparatus including the emissive device |
| JP2010520587A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | イーストマン コダック カンパニー | 変形可能な基板を有するフラットパネルｏｌｅｄデバイス |
| JP2010520588A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | イーストマン コダック カンパニー | 変形可能な基板を有するフラットパネルｏｌｅｄデバイス |
| US8916397B2 (en) | 2008-01-30 | 2014-12-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| US8633585B2 (en) | 2008-01-30 | 2014-01-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Device comprising an encapsulation unit |
| US8658442B2 (en) | 2008-01-30 | 2014-02-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| JP2011511403A (ja) * | 2008-01-30 | 2011-04-07 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子構成素子を作製する方法および電子構成素子 |
| US9647186B2 (en) | 2008-01-30 | 2017-05-09 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| US10026625B2 (en) | 2008-01-30 | 2018-07-17 | Osram Oled Gmbh | Device comprising an encapsulation unit |
| US10297469B2 (en) | 2008-01-30 | 2019-05-21 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| JP2011018639A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| US8466454B2 (en) | 2009-07-10 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| JP2010199079A (ja) * | 2010-04-19 | 2010-09-09 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子および表示装置 |
| JP2014060114A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Kaneka Corp | 有機ｅｌパネル及び図形の表示方法 |
| JP2017167477A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030036089A (ko) | 2003-05-09 |
| US20050098113A1 (en) | 2005-05-12 |
| US20080042562A1 (en) | 2008-02-21 |
| CN1416006A (zh) | 2003-05-07 |
| US7301277B2 (en) | 2007-11-27 |
| JP4019690B2 (ja) | 2007-12-12 |
| TW576128B (en) | 2004-02-11 |
| CN100505372C (zh) | 2009-06-24 |
| CN1189784C (zh) | 2005-02-16 |
| US20030085654A1 (en) | 2003-05-08 |
| CN1652643A (zh) | 2005-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4019690B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
| JP2020178137A (ja) | 表示装置 | |
| US20190312232A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP4539547B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 | |
| EP2221899B1 (en) | Organic el device, el display panel, method for manufacturing the organic el device and method for manufacturing the el display panel | |
| US7462372B2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus | |
| US6716662B2 (en) | Production method for organic electroluminescent device | |
| KR100941129B1 (ko) | 발광장치 및 그의 제조방법 | |
| JP4240017B2 (ja) | 発光装置及び電子機器 | |
| JP4651916B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| US7535164B2 (en) | Self-emission panel and method of manufacturing same | |
| JP2009129681A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
| US20060134813A1 (en) | Organic light-emitting panel, package process for organic light-emitting panel and coating apparatus thereof | |
| US20050221122A1 (en) | Organic electroluminescence device, manufacturing method thereof and electronic equipment | |
| US8263235B2 (en) | Organic light emitting device having a high light extraction efficiency | |
| JP2008251552A (ja) | 発光装置及び電子機器 | |
| KR101196127B1 (ko) | 플랫 패널 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041102 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061211 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070309 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070402 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070426 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070604 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070808 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070917 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4019690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |