TW576128B

TW576128B - Electrooptic device and manufacturing method of the same, and electronic device

Info

Publication number: TW576128B
Application number: TW91125244A
Authority: TW
Inventors: Kenji Hayashi
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-11-02
Filing date: 2002-10-25
Publication date: 2004-02-11
Also published as: US20080042562A1; CN1652643A; CN1189784C; CN100505372C; US20050098113A1; KR20030036089A; JP4019690B2; US7301277B2; US20030085654A1; CN1416006A; JP2003142255A

Description

576128 A7 __B7 五、發明説明（！）【發明所屬之技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是關於電光學裝置及其製造方法、以及具有此電光學裝置之電子機器，特別是關於具備發光元件之有機 EL兀件等的電光學裝置及其製造方法、以及電子機器。【先前技術】以往，在於液晶裝置、有機EL (電致發光； electroluminescence)裝置等的電光學裝置，具備在基板上疊層有複數個電路元件、電極、液晶或EL元件等之結構。例如在於有機EL裝置，具有以陽極及陰極的電極層挾持含有發光物質的發光層之結構的發光元件，利用：在具有發光能的發光層內將由陽極側注入的正孔、與由陰極側注入的電子再結合，當由激發狀態失活（鈍化）時發光的現象〇【發明所解決之課題】但，上述以往的電光學裝置，存在有以下之問題。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由於具有上述結構的有機EL裝置是具備電流驅動型的發光元件，故在發光時，必須在陽極與陰極之間流通電流。其結果，當發光時元件發熱，在元件的周圍有氧氣或水分的情況時，會由於這些的氧氣或水分促進了元件構成材料的氧化而使元件惡化（劣化）。特別是使用於陰極之鹼金屬或鹼土金屬是具有容易氧化的特性。氧化或水所引起的元件的惡化之代表者是暗點及其生長。所謂暗點是指發本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -4 - 576128 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光缺陷點。然後，當隨著有機EL裝置的驅動使得發光元件更進一步惡化時，會有：發光亮度降低，或發光變得不安定等之隨著時間變化的穩定性低、且壽命短之問題。因此，例如使用接著劑以一對的玻璃板挾持使發光元件與大氣遮斷之結構、或如日本特開2001 - 196 195所揭示之採用：在基板的其中一方的面或另一方的面設置用來供給冷卻用的流體之冷卻手段的結構來抑制上述的惡化之對策。但，在使用玻璃板的情況時，由於至少使用2片玻璃板，故會產生裝置的厚度變大的問題。又，設置冷卻手段的情況時，也由於逼需形成流體的流通路，故無法避免裝置的大型化。本發明是有鑒於上述的問題點而開發完成之發明，其目的在於：提中可抑制熱影響，且能達到薄型化之電光學裝置及其製造方法、以及具有此電光學裝置之電子機器。【用以解決課題之手段】爲了達到上述的目的，本發明採用以下的結構。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明的電光學裝置是具備了發光元件的電光學裝置，其特徵爲··具備用來氣密地封合前述發光元件的封合層 ;前述封合層是包含具有熱傳導性的散熱層。因此，在本發明的電光學裝置，能利用以膜狀的封合層氣密地封合發光元件，使得厚度不會變大，而抑制氧氣或水分所引起的惡化（劣化）。又，例如在即使受到發光兀件的發熱而產生熱的情況時，由於能將此熱經由散熱層本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） -5- 576128 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（3 ) 來散熱，故能夠抑制兀件構成材料的氧化，更可有效地防止發光元件的惡化。能夠以膜狀的金、銀、或銅等的金屬層形成散熱層。在此情況下，於本發明，因金、銀、銅的熱傳導率大，所以能有效率地將例如受到發光元件的發光所產生的熱散熱。特別是在金、銀，利用將散熱層的厚度作成例如1 Onm以下，可獲得優異的光透過性。因此，在採用將發光元件所發出的光經由封合層投射之由共通電極側將光取出的形式之情況時，能夠以少的損失使光透過。又，亦可採用例如妨礙鹼金屬的透過之絕緣膜作爲散熱層。能夠使用包含：由例如硼（B )、碳（C )、氮（N )所選出的至少一個元素、與由鋁（Al ) 、Si (矽）、磷 (P)所選出的至少一個元素者；或包含Si、A卜N、0、Μ 者（但，Μ爲稀土類元素的至少一種，理想爲由鈽（Ce ) 、鏡（Yb)、釤（Sm)、餌（Er)、釔（Y)、鑭（La ) 、乱（Gd)、鏑（Dy)、銳（Nd)所選出的至少一種元素 )。在此情況，以將絕緣膜設在發光元件的近旁，具有對水分及鹼金屬之阻擋效果，且形成作爲具有散熱效果的絕緣膜發揮作用，可以抑制發光元件的惡化（劣化）。又，本發明是可以採用：將以無機化合物所形成的氣體阻擋層或以有機化合物所形成的散熱層形成在絕緣層的上方之結構。藉此，在本發明，能以利用氣體阻擋層將發光元件氣密地封合，使得厚度不會變大，可以抑制氧氣或水分所引 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 576128 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 起的惡化（劣化）。若形成平坦性優異的絕緣層的話，形成在該絕緣層上方的氣體阻擋層或散熱層也被平坦化，能夠防止在具有凹凸的情況時所產生的歪斜而降低阻擋性的情事。本發明亦可採用將形成絕緣層的有機化合物作成聚合物的結構。例如，聚合物是利用塗佈單體或前驅體後，使其硬化或聚合來形成。使用單體或黏度低的前驅體之情況時，能夠形成具優良的平坦性之聚合物層。又，在本發明，亦可選擇在封合層的上方形成氣體透過性的保護膜。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製藉此，在本發明，由於提昇了封合層的耐刮性進而提高了電光學裝置之耐刮性，故能夠防止來自於外部的衝擊對封合層或發光層造成損傷。又，因保護膜使氣體透過，所以，在封合層所產生的熱變得容易釋出至外氣中。此保護膜亦可形成於基板全面的區域，亦可作爲圖案來形成。又，從污染物的附著或水分的吸著•吸濕、耐磨損性的觀點來看，是氟類聚合物、或矽膠、聚烯烴、聚碳酸酯樹脂等之表面活性能量低的材料爲佳。本發明的電子機器之特徵爲具備上述電光學裝置。藉此，在本發明，可以獲得：抑制了發光元件的惡化之長壽命、且薄型的電子機器。另一方面，本發明的電光學裝置之製造方法是具備了發光元件的電光學裝置之製造方法，其特徵爲：包含用來將前述發光元件氣密地封合的封合層形成製程；前述封合本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- 576128 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __五、發明説明（5 ) 層形成製程是包含用來形成具有熱傳導性的散熱層之製程〇藉此，在本發明的製造方法，能利用以膜狀的封合層氣密地封合發光元件，使得厚度不會變大，而抑制氧氣或水分所引起的惡化（劣化）。又，例如在即使受到發光元件的發熱而產生熱的情況時，由於能將此熱經由散熱層來散熱，故能夠抑制元件構成材料的氧化，更可有效地防止發光元件的惡化。又，本發明也可採用含有：將以有機化合物形成的絕緣層形成在前述發光元件的上方之製程、及在前述絕緣層上，形成以無機化合物形成的氣體阻擋層或前述散熱層之順序。藉此，在本發明，能利用以氣體阻擋層氣密地封合發光元件，使得厚度不會變大，而抑制氧氣或水分所引起的惡化（劣化）。又，可利用將絕緣層披覆於發光元件，使絕緣層的表面平坦化。因此，形成在該絕緣層上方的氣體阻擋層或散熱層也被平坦化，能夠防止在具有凹凸的情況時所產生的歪斜而降低阻擋性的情事。本發明亦可採用將形成絕緣層的有機化合物作成聚合物的結構。例如，聚合物是利用塗佈單體或前驅體後，使其硬化或聚合來形成。使用單體或黏度低的前驅體之情況時，能夠形成具優良的平坦性之聚合物層。又，在本發明亦可採用：以膜狀的金、銀、或銅等的金屬層形成散熱層的結構。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 576128 A7 ____B7_ 五、發明説明（6 ) 藉此，於本發明，因金、銀、銅的熱傳導率大，所以能有效率地將例如受到發光元件的發光所產生的熱散熱。特別是在金、銀，利用將散熱層的厚度作成例如1 〇nm以下，可獲得優異的光透過性。因此，在採用將發光元件所發出的光經由封合層投射之由共通電極側將光取出的形式之情況時，能夠以少的損失使光透過。又，在本發明，亦可採用：在封合層的上方形成氣體透過性的保護膜。藉此，在本發明，由於提昇了封合層的耐刮性進而提高了電光學裝置之耐刮性，故能夠防止來自於外部的衝擊對封合層或發光層造成損傷。又，因保護膜使氣體透過，所以，在封合層所產生的熱變得容易釋出至外氣中。此保護膜亦可形成於基板全面的區域，亦可作爲圖案來形成。又，從污染物的附著或水分的吸著•吸濕、耐磨損性的觀點來看，是氟類聚合物、或矽膠、聚烯烴、聚碳酸酯樹脂等之表面活性能量低的材料爲佳。【實施方式】以下，參照第1及2圖，說明關於電光學裝置及其製造方法以及電子機器的實施形態。在此，使用例如爲有機EL裝置的情況的例子說明本發明之電光學裝置。如第1圖所示的有機EL裝置（電光學裝置）1是構成 :在透明基板2上設置發光元件3、將發光元件3氣密地封本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - - 9 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 576128 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（7 ) 合的封合層4。可採用：聚烯烴、聚酯、芳香族聚酯（PAR )、聚碳酸酯、聚醚風（PE S)、聚醚酮等的塑膠，或玻璃等的透明材料，在此，使用玻璃。發光元件3是由形成在透明基板2上的陽極5、孔狀輸送層6、形成使陽極5由與孔狀輸送層6接合的表面露出之絕緣層7、有機發光層8、電子輸送層9、陰極10所槪略地構成。以鋁（A1 )、金（Au )、銀（Ag )、鎂（Mg )、鎳 (Ni )、鋅-釩（ZnV )、銦（In )、錫（Sn )等的單體；或這些的化合物或混合物；或含有金屬墊片的導電性接著劑等之材料作爲構成陽極5的材料，在此，使用銦錫氧化物（ITO; Indium Tin Oxide)。此陽極5的形成方法是利用濺鍍法、離子電鍍法、真空蒸鍍法等來進行形成，但亦可使用旋轉塗料器、照相凹板塗料器、刃形塗料器等之印刷、篩子印刷、或彈性印刷等來形成。陽極5的光透過率是設定於80%以上爲佳。例如將咔唑聚合體與三苯基化合物（TPD)共同蒸鍍形成10〜lOOOnm的膜層厚度（理想爲10〜700nm)作爲孔狀輸送層6。除此之外，另外的方法爲：孔狀輸送層6是例如利用噴墨（inkj et )法將含有正孔注入、輸送層材料之組成物墨吐出至陽極5上後，以進行乾燥處理及熱處理來形成於陽極5上。再者，能使用將例如環氧烴基噻吩等之聚噻吩衍生物、與聚苯乙烯磺酸等的混合物，溶解在異丙醇等的極性溶媒者作爲組成物墨。絕緣層7是能夠利用C VD法將例如Si02堆積於基板全 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 -罐- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 576128 A7 B7 五、發明説明（8 ) 面後，使用微影技術及鈾刻技術形成圖案。 I 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有機發光層8是與上述孔狀輸送層6同樣地利用噴墨法或罩幕蒸鍍法，在將含有發光層用材料的組成物墨吐出於孔狀輸送層6上後，以施行乾燥處理或熱處理來形成於孔狀輸送層6上。能夠使用荀（fluorenone)系高分子衍生物、（聚）對苯乙烯撐衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑、噻吩衍生物、紫蘇基（perillene )系色素、香豆素（ coumarin)系色素、若丹明（rhodamine)系色素、以及可溶於苯衍生物之低分子有機EL材料、高分子有機EL材料等作爲構成有機發光層8的發光材料。再者，例如對苯乙烯撐衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑、噻吩衍生物適合於噴墨法的材料，而紫蘇基系色素、香豆素系色素、若丹明系色素適合於罩幕蒸鍍法的材料。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，電子輸送層9是將由金屬與有機定位物所形成的金屬絡化物、更理想是Alq3 ( 3個（8-喹啉比率）鋁絡化物）、Znq2 (雙（8-喹啉比率）鋅絡化物）、Bebq2 (雙（ 8-喹啉比率）鈹絡化物）、Zn-BTZ ( 2- ( 〇-烴基苯基）苯并噻唑鋅）、紫蘇基衍生物等蒸鍍疊層成10〜l〇〇〇nm( 100〜700nm爲佳）的膜層厚度。陰極1 〇是能夠以有效率地對電子輸送層9進行電子注入的工作函數低的金屬形成、更理想爲以Ca、Au、Mg、Sη 、：[η、Ag、Li、Α1的單體或這些的合金形成。在本實施形態，呈以Ca爲主體以Ca爲主體的陰極、及以A1爲主體的反射層之2層構造。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） •11 - 576128 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（9 ) 再者，雖未圖示，本實施形態的有機EL裝置1是活動矩陣型式，實際上複數個數據線與複數個掃描線被配置成格子狀，在配置於受到這些數據線與掃描線所區劃的矩陣狀之各畫素，介由切換電晶體或傳動電晶體等的驅動用 TFT連接著上述的發光元件3。當經由數據線或掃描線供給驅動訊號時，在電極間電流流動，發光元件3發光而光由透明基板2的外面側射出，點亮該畫素。再者，本發明是不限於活動矩陣型式，亦可適用於無源驅動型式的顯示元件。封合層4是依序疊層披覆著發光元件3的絕緣層1 1、氣體阻擋層1 2、絕緣層1 3、及散熱層1 4而形成的。絕緣層1 1、1 3是以有機聚合物形成。具體而言，能夠使用聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸酯、或PET、聚乙烯、聚丙烯或這些的組合物等來作爲絕緣層1 1、1 3。氣體阻擋層12是以具有無機氧化物、無機氮化物、無機碳化物等的氣體阻擋性之無機化合物形成的。具體而言，能夠使用氧化銦（Ιη03 )、氧化錫（Sn02 )、上述ITO 、或這些的組合物等來作爲氣體阻擋層1 2。又亦可使用氧化矽（si〇2)、氧化鋁（ai2o3 )、氧化鈦（Ti02 )、氮化鋁（A1N)、氮化矽（SiN)、碳化矽（SiC)、氧氮化矽（ SiON)、似金剛石之碳（DLC; Diamond LikeCarbon)、或這些的組合物。散熱層14是以金（Au )、銀（Ag )、銅（Cu )等的熱傳導率高之金屬膜來形成。在此，在金屬的同一溫度之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210 X297公釐）一 -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、11 -罐- 576128 Α7 _ Β7 五、發明説明（10 ) 熱傳導率λ與電傳導率σ之間，根據威德曼-弗朗茲定律（ Wiedemann-Franz’s law)，成立了 λ/σ= 一定之關係。因 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此，選擇電傳導率高的金屬作爲熱傳導率高的金屬即可，因而能夠選擇上述的金、銀、銅。又，在這些金屬中，由於也含有容易氧化的金屬或非常昂貴的金屬，故亦可組合兩種類以上的金屬的合金或不會大幅度地改變熱傳導率程度地加入鋅、錫或銘等的金屬元素而加以合金化。其次，說明關於製造上述結構的封合層4之製程（封合層形成製程）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製首先，利用藉由噴塗佈等披覆發光元件3地塗佈及硬化有機單體使其聚合體化而形成絕緣層η。其次，利用真空蒸鍍、低溫濺鍍、CVD等在絕緣層1 1上（一部分爲基板 2上）形成由無機化合物所組成的氣體阻擋層12。在此，由於絕緣層1 1是作爲活動性高的前驅體，塗佈有機單體後使其硬化而形成，故，其上面被平坦化（形成氣體阻擋層 1 2的面）。因此，氣體阻擋層1 2是在仿效絕緣層1 1被平坦化的狀態下形成的。然後，以與上述絕緣層1 1相同的順序形成絕緣層1 3。接著，在絕緣層1 3上（一部分爲氣體阻擋層1 2 )形成由金屬膜所構成的散熱層14 (成膜）。此散熱層14是與氣體阻擋層1 2同樣地利用真空蒸鍍、低溫濺鍍、CVD等來形成。在此，因絕緣層1 3是形成在已被平坦化的氣體阻擋層 1 2上之有機聚合物，所以，其上面被平坦化，因此，形成在絕緣層1 3上的散熱層1 4也在已被平坦化的狀態下形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297Ζ釐) ~ -13- 576128 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（彳彳）。再者，雖未圖示，但散熱層1 4是構成：連接於散熱板上，可有效率地將傳達到的熱散熱。又，針對氣體阻擋層1 2 與散熱層14的製造，可使用相同的罩幕，謀求成本降低° 在上述結構的有機EL裝置1，利用以具有氣體阻擋層 12的封合層4封合發光元件3，來抑制氧氣或水分所引起的惡化（劣化）。又，在發光元件3所產生的熱是經由絕緣層1 1、氣體阻擋層1 2、絕緣層1 3 ( —部分是經由絕緣層 1 1、氣體阻擋層12 )傳達至散熱層14後予以散熱。如此，在本實施形態，因以膜狀的封合層4對氧氣或水分的發光元件3與電極的惡化（劣化）的因素予以封合，且將在發光元件3所產生的熱加以放熱，所以，不需增大厚度，可以抑制氧氣或水分、熱所引起發光元件3及電極的惡化（劣化），能容易獲得薄型且長壽面的有機EL裝置1。又，在本實施形態，由於在以有機聚合物形成的絕緣層1 1、13上，分別形成氣體阻擋層12、散熱層14，故，這些氣體阻擋層12、散熱層14被平坦化，可事先防止在形成凹凸的情況時產生傾斜使氣體阻擋性降低的情事。其次，說明關於具備了上述實施形態的有機EL裝置1 之電子機器的例子。第2 ( a )圖是顯示行動電話的一例之斜視圖。在於第 2 ( a)圖，圖號1000是顯示行動電話本體，圖號1001是顯示使用上述有機EL裝置1的顯示部。第2 ( b )圖是顯示手錶型電子機器的一例之斜視圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、11 ½. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 576128 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（12 ) 在於第2(b)圖，圖號1100是顯示手錶本體，圖號1101 是顯示使用上述有機EL裝置1的顯示部。第2 ( c )圖是顯示文字處理機、電腦等的攜帶型資訊處理裝置的一例之斜視圖。在於第2 ( c)圖，圖號1200爲資訊處理裝置，圖號1202是鍵盤等的輸入部，圖號1204 爲資訊處理裝置本體，圖號12〇6是顯示使用上述有機EL 裝置1的顯示部。如第2 ( a )〜（c )圖所示的電子機器是因具備有上述實施形態的有機EL裝置1，所以，能夠達到具備薄型且長壽命的有機EL顯示部之電子機器。再者，本發明的技術範圍是不被限定於上述實施形態，在不超出本發明的主旨之範圍內可施加各種的變更。例如，在上述的實施形態，構成在氣體阻擋層1 2與散熱層1 4之間設置絕緣層1 3，但絕緣層1 3不一定需要，亦可在氣體阻擋層上直接設置散熱層14。又，上述實施形態所示的氣體阻擋層1 2與散熱層1 4的位置爲一例，亦可與這些位置相反，在絕緣層1 1上形成散熱層1 4，在絕緣層 1 3上形成氣體阻擋層1 2。但，將散熱層1 4曝露於外表面的結構是由於增加了與外氣接觸的表面積，故，在考量散熱效果的情況下，在上述實施形態所顯示的配置爲佳。又，在上述的實施形態，以金屬膜形成散熱層14，但，並不限定於此，例如亦可採用妨礙鹼金屬透過的絕緣膜。例如能夠使用例如硼（B )、碳（C )、氮（N )所選出的至少一個元素、與由鋁（A1 ) 、Si (矽）、磷（P )所選出的至少一個元素者·，或包含Si、Al、N、Ο、Μ者（但，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）一 ' -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 墻- 576128 A7 ____ B7_ •五、發明説明（13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ爲稀土類元素的至少一種，理想爲由鈽（Ce )、鏡（Yb )、釤（Sm)、餌（Er)、釔（Y)、鑭（La)、乱（Gd )、鏑（Dy )、鈸（Nd )所選出的至少一種元素）作爲絕緣膜。在此情況下，以將絕緣膜設在發光元件的近旁，具有對水分及鹼金屬之阻擋效果，且形成作爲具有散熱效果的絕緣膜發揮作用，可以抑制發光元件的惡化（劣化）。又，利用藉由噴塗佈等披覆發光元件3地塗佈及硬化有機單體使其聚合化而形成絕緣層1 1，但，亦可在塗佈有機單體後利用聚合來聚合體化。再者，在上述實施形態所舉出的具體材料僅爲一例，可進行適當變更。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製且，在上述實施形態，使用發光元件3的發光經由透明基板2射出至外面側的形式的例子來加以說明，但，亦可適用於發光元件3的發光由與透明基板2相反側的共通電極側經由封合層4射出的形式。在此情況，不僅以熱傳導率高的金或銀作爲形成散熱層14的金屬膜可有效率地散熱，並且，若使用厚度爲l〇nm以下的金膜的話能夠獲得優異的光透過性（透明性），進而可以獲得透過光的損失少之有機EL裝置。且，如上述實施形態所示，以散熱層1 4曝露於封合層 4的表面的結構對散熱性有利，但，亦可爲了提昇耐磨損性 (耐磨性）而在散熱層1 4 (即封合層4 )上設置由薄膜或塗佈膜所形成的保護膜。在此情況，由考量污染的附著或水分的吸著•吸濕、耐磨損性的觀點來看，是贏類聚合物、或矽膠、聚烯烴、聚碳酸酯樹脂等之表面活性能量低的材本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 576128 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（14 ) 料爲佳。又，保護膜是在基板全面或作爲圖案來形成即可，且使保護膜具有氣體高透過性（1000 cm 3/m、24hr以上）爲佳。藉此，能夠將已傳達至散熱層1 4的熱介由保護膜散熱到外氣中，提商散熱效果。再者，在上述實施形態，僅形成一層的氣體阻擋層12 ，但，不被限定於此，若作成設置二層以上的結構，更能提昇氣體阻擋性。在此情況，將氣體阻擋層與有機聚合體層（絕緣層）作爲1單元者進行複數個單元疊層爲佳。又，不限定玻璃作爲基板，亦可使用塑膠基板。【發明效果】如上所述，在本發明，能容易獲得氣體阻擋性不會降低且薄型又壽命長的電光學裝置、及具備了顯示部的電子機器。又，在本發明，能夠獲得由透過光的損失少的共通電極側取出光的形式之電光學裝置，並且，可獲得散熱性及耐磨損性優異的電光學裝置。【圖面之簡單說明】第1圖是顯示本發明的實施形態的圖，爲基板上的發光元件受到封合層所封合的斷面圖。第2圖是顯示具備有機EL裝置的電子機器的一例，（ a)爲行動電話、（b)爲手錶型電子機器、（c)爲攜帶型資訊處理裝置之各自的斜視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 576128 A7 B7五、發明説明（15 ) 【圖號說明】 1…有機EL裝置 2…基板 3…發光元件 4…封合層 1 1…絕緣層 12…氣體阻擋層 1 4…散熱層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T -罐- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -18-

Claims

576128 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍， 1. 一種電光學裝置，是具備了發光元件的電光學裝置，其特徵爲：具備用來氣密地封合前述發光元件的封合層，. 前述封合層是包含具有熱傳導性的散熱層。 2·如申請專利範圍第〗項之電光學裝置，其中，前述散熱層爲金屬層。 3 .如申請專利範圍第2項之電光學裝置，其中，前述散熱層是以膜狀的金、銀、或銅形成的。 4.如申請專利範圍第1項之電光學裝置，其中，前述散熱層爲絕緣層。 5 .如申請專利範圍第丨至4項中任一項之電光學裝置，其中，前述封合層是包含：以無機化合物形成的氣體阻擋層、與以有機化合物形成的絕緣層，前述氣體阻擋層或前述散熱層是形成在前述絕緣層的· 上方。 6.如申請專利範圍第5項之電光學裝置，其中，前述有機化合物爲聚合物。 7·如申請專利範圍第丨至4項中任一項之電光學裝置，其中，在前述封合層的上方形成氣體透過性的保護膜。 8 . —種電子機器，其特徵爲：具備有申請專利範圍第1 至7項中任一項之電光學裝置。 9. 一種電光學裝置之製造方法，是具備了發光元件的電光學裝置之製造方法，其特徵爲：包含用來將前述發光元件氣密地封合的封合層形成製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、τ

-19- 576128 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍2 程，前述封合層形成製程是包含用來形成具有熱傳導性％散熱層之製程。 10.如申請專利範圍第9項之電光學裝置之製造方法，其中，前述封合層形成製程是包含有：將以有機化合物形成的絕緣層形成在前述發光元件的上方之製程、及在前述絕緣層上，形成以無機化合物形成的氣體阻檔層或前述散熱層。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之電光學裝置之製造方法，其中，前述有機化合物爲聚合物。 12.如申請專利範圍第9至1 1項中任一項之電光學裝置之製造方法，其中，以膜狀的金、銀、或銅形成前述散熱層。 1 3 .如申請專利範圍第9至1 1項中任一項之電光學裝置之製造方法，其中，尙具有用來在前述封合層的上方形成氣體透過性的保護膜之製程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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