JP4240017B2

JP4240017B2 - 発光装置及び電子機器

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Publication number: JP4240017B2
Application number: JP2005209510A
Authority: JP
Inventors: 建二林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-07-20
Filing date: 2005-07-20
Publication date: 2009-03-18
Anticipated expiration: 2021-11-02
Also published as: JP2005310803A

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法、並びにこの発光装置を有する電子機器に関し、特に発光素子を備えた有機ＥＬ素子等の発光装置及びその製造方法、並びに電子機器に関するものである。

従来、液晶装置、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス；electroluminescence）装置等の発光装置においては、基板上に複数の回路素子、電極、液晶又はＥＬ素子等が積層された構成を有するものがある。例えば有機ＥＬ装置におい
ては、発光物質を含む発光層を陽極及び陰極の電極層で挟んだ構成の発光素子を有しており、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とを発光能を有する発光層内で再結合し、励起状態から失括する際に発光する現象を利用している。

しかしながら、上述したような従来の発光装置には、以下のような問題が存在する。

上記の構成を有する有機ＥＬ装置は電流駆動型の発光素子を備えているため、発光させる際には陽極と陰極との間に電流を流さなければならない。その結果、発光時において素子が発熱し、素子の周囲に酸素や水分があった場合にはこれらの酸素や水分による素子構成材料の酸化が促進されて素子が劣化する。特に、陰極に用いられるアルカリ金属やアルカリ土類金属は酸化しやすい特性を持っている。酸化や水による素子の劣化の代表的なものはダークスポットの発生およびその成長である。ダークスポットとは発光欠陥点のことである。そして、有機ＥＬ装置の駆動に伴って発光素子の劣化が進むと、発光輝度が低下したり、発光が不安定になる等、経時的な安定性が低く、且つ寿命が短いという問題があった。

そこで、上記の劣化を抑えるための対策として、例えば発光素子を接着剤を用いて一対のガラス板で挟むことで大気と遮断する構成や、特開２００１−１９６１６５に開示されるように、基板の一方の面又は他方の面に冷却用の流体を供給する冷却手段を設ける構成を採用することが考えられる。ところが、ガラス板を用いる場合、ガラス板を少なくとも二枚使用するため、装置としての厚さが大きくなるという問題を生じてしまう。また、冷却手段を設ける場合も、流体の流路を形成する必要があるため装置の大型化は避けられない。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、熱の影響を抑制でき、且つ薄型化を実現する発光装置及びその製造方法、並びにこの発光装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために本発明は、基板と、前記基板に形成された発光素子と、前記発光素子を封止する封止層とを備え、前記発光素子からの光を前記封止層を介して射出する発光装置であって、前記封止層は、光透過性を有する放熱層と、前記発光素子と前記放熱層との間に形成された、無機化合物からなるガスバリア層と、を有し、前記放熱層は、厚さが１０ｎｍ以下の金属膜であることを特徴とする。
また、上記発光装置において、前記放熱層は、金又は銀からなる金属膜であることが好ましい。
また、上記発光装置においては、前記放熱層上に、ガス透過性を有する保護膜が設けられていることが好ましい。

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に形成された発光素子と、前記発光素子上に形成された封止層を備え、前記封止層は前記発光素子の上方に形成された平坦化層を有し、前記平坦化層の上方には少なくとも第１の層と第２の層を有し、前記第１の層は絶縁膜からなり、前記第２の層はボロン、炭素、窒素、アルミニウム、珪素、リン、酸素、セリウム、イッテルビウム、サマリウム、エルビウム、イットリウム、ランタン、ガドリニウム、ジスプロシウム、ネオジウム、金、銀、銅から選ばれた材料からなることを特徴とする。また、前記第１の層は前記平坦化層の上面及び側面の両方に設けられ、基板上まで伸延されていることが望ましい。更に、前記第２の層は前記平坦化層の上方に設けられ、第１の層上まで伸延されていることが望ましい。更にまた、前記封止層が前記第１の層と第２の層の間に更に絶縁層を有することが望ましい。

本発明の発光装置は、発光素子を備えた発光装置であって、発光素子を気密に封止する封止層を備え、封止層が熱伝導性を有する放熱層を含むことを特徴とするものである。

従って、本発明の発光装置では、膜状の封止層で発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制することができる。また、例えば発光素子の発光により熱が生じた場合でも、この熱を放熱層を介して放熱できるため、素子構成材料の酸化を抑制することが可能になり、発光素子の劣化を一層防止することが可能になる。

放熱層としては、膜状の金、銀、または銅等の金属層で形成することができる。この場合、本発明では、金、銀、銅の熱伝導率が大きいので、例えば発光素子の発光により生じた熱を効果的に放熱することができる。特に金、銀では、放熱層の厚さを例えば１０ｎｍ以下とすることで、優れた光透過性が得られる。従って、発光素子の発した光を封止層を介して投射する、共通電極側から光を取り出す形式を採用した場合に、少ない損失で光を透過することができる。

また、放熱層として、例えばアルカリ金属の透過を妨げる絶縁膜を採用してもよい。絶縁膜としては、例えばＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）から選ばれた少なくとも一つの元素と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（珪素）、Ｐ（リン）から選ばれた少なくとも一つの元素とを含むものや、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｏ、Ｍを含むもの（但し、Ｍは希土類元素の少なくとも一種、好ましくはＣｅ（セリウム），Ｙｂ（イッテルビウム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｎｄ（ネオジウム）から選ばれた少なくとも一つの元素）を用いることができる。この場合、絶縁膜を発光素子の近傍に設けることで、水分及びアル
カリ金属に対するブロッキング効果があり、且つ、放熱効果をも有する絶縁膜として作用することになり、発光素子の劣化を抑制することができる。

また、本発明は、無機化合物で形成されたガスバリア層または有機化合物で形成された放熱層が絶縁層の上方に形成される構成を採用できる。

これにより、本発明では、ガスバリア層により発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制することができる。平坦性に優れた絶縁層を形成すれば、その絶縁層の上方に形成したガスバリア層または放熱層も平坦化され、凹凸を有する場合のように歪みが生じてバリア性が低下することを防ぐことができる。

本発明は、絶縁層を形成する有機化合物をポリマーとする構成も採用できる。例えば、ポリマーはモノマーや前駆体を塗布した後、硬化または重合させることにより形成される。モノマーや粘度が低い前駆体を用いた場合は平坦性に優れたポリマー層を形成することができる。

また、本発明では、封止層の上方にガス透過性の保護膜を成膜する構成も選択可能である。

これにより、本発明では、封止層、ひいては発光装置の耐スクラッチ性が向上するため、外部からの衝撃による封止層や発光層などへのダメージを防止できる。また、保護膜がガスを透過させるので、封止層に生じた熱が外気に放熱されやすくなる。この保護膜は、基板全面に亘って形成しても、パターンとして形成してもよく、また汚染物の付着や水分の吸着・吸湿、耐摩耗性を考慮すると、フッ素系ポリマーやシリコーン、ポリオレフィン、ポリカーボネート樹脂など、表面活性エネルギーの低い材料が好ましい。

本発明の電子機器は、上記の発光装置を備えたことを特徴としている。

これにより、本発明では、発光素子の劣化が抑制された高寿命で、且つ薄型の電子機器を得ることができる。

一方、本発明の発光装置の製造方法は、発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、発光素子を気密に封止する封止層形成工程を含み、封止層形成工程が熱伝導性を有する放熱層を形成する工程を含むことを特徴としている。

これにより、本発明の製造方法では、膜状の封止層で発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制することができる。また、例えば発光素子の発光により熱が生じた場合でも、この熱を放熱層を介して放熱できるため、素子構成材料の酸化を抑制することが可能になり、発光素子の劣化を一層防止することが可能になる。

また、本発明は、封止層形成工程が有機化合物で形成された絶縁層を発光素子に被覆する工程と、絶縁層上に無機化合物で形成されたガスバリア層または放熱層を形成する工程とを含む手順を採用できる。

これにより、本発明では、ガスバリア層により発光素子を気密に封止することで、厚さが大きくなることなく酸素や水分による劣化を抑制することができる。また、絶縁層を発光素子に被覆することにより、絶縁層の表面を平坦化できる。従って、この絶縁層の上方に形成したガスバリア層または放熱層も平坦化され、凹凸を有する場合のように歪みが生じてバリア性が低下することを防ぐことができる。

そして、本発明では、放熱層を膜状の金、銀または銅等の金属層で形成する構成も採用可能である。

これにより、本発明では、金、銀、銅の熱伝導率が大きいので、例えば発光素子の発光により生じた熱を効果的に放熱することができる。特に金、銀では、放熱層の厚さを例えば１０ｎｍ以下とすることで、優れた光透過性が得られる。従って、発光素子の発した光を封止層を介して投射する、共通電極側から光を取り出す形式を採用した場合に、少ない損失で光を透過することができる。

また、本発明では、封止層の上方にガス透過性の保護膜を成膜する工程も採用可能である。

以下、本発明の発光装置及びその製造方法並びに電子機器の実施の形態を、図１および図２を参照して説明する。

ここでは、本発明の発光装置を例えば、有機ＥＬ装置とする場合の例を用いて説明する。

図１に示す有機ＥＬ装置（発光装置）１は、透明基板２上に発光素子３と、発光素子３を気密に封止する封止層４とが設けられた構成になっている。透明
基板２の材料としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトンなどのプラスチックや、ガラスなどの透明材料が採用可能であり、ここではガラスが用いられている。

発光素子３は、透明基板２上に形成された陽極５、ホール輸送層６、陽極５がホール輸送層６と接合する表面を露出させるように形成された絶縁層７、有機発光層８、電子輸送層９、陰極１０とから概略構成されている。

陽極５の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛−バナジウム（ＺｎＶ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などの単体や、これらの化合物或いは混合物や、金属フィラーが含まれる導電性接着剤などで構成されるが、ここではＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いている。この陽極５の形成は、好ましくはスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着法によって行われ形成するが、スピンコータ、グラビアコータ、ナイフコータなどによる印刷や、スクリーン印刷、フレキソ印刷などを用いて形成してもよい。そして、陽極５の光透過率は、８０％以上に設定することが好ましい。

ホール輸送層６としては、例えば、カルバゾール重合体とＴＰＤ：トリフェニル化合物とを共蒸着して１０〜１０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００ｎｍ）の膜厚に形成する。別法として、ホール輸送層６は、例えばインクジェット法により、正孔注入、輸送層材料を含む組成物インクを陽極５上に吐出した後に、乾燥処理及び熱処理を行うことで陽極５上に形成される。なお、組成物インクとしては、例えばポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等の混合物を、イソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。

絶縁膜７は、例えばＳｉＯ₂をＣＶＤ法により基板全面に堆積させた後、フォ
トリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてパターン形成することができる。

有機発光層８は、上記ホール輸送層６と同様に、例えばインクジェット法やマスク蒸着法により、発光層用材料を含む組成物インクをホール輸送層６上に吐出した後に乾燥処理または熱処理を施すことで、ホール輸送層６上に形成される。有機発光層８を構成する発光材料としては、フルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、その他ベンゼン誘導体に可溶な低分子有機ＥＬ材料、高分子有機ＥＬ材料等を用いることができる。なお、インクジェット法に適している材料としては、例えばパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体が挙げられ、マスク蒸着法に適している材料としてはペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素が挙げられる。

また、電子輸送層９としては、金属と有機配位子から形成される金属錯体化合物、好ましくは、Ａｌｑ３（トリス(8-キノリノレート)アルミニウム錯体）、Ｚｎｑ２（ビス(8-キノリノレート)亜鉛錯体）、Ｂｅｂｑ２（ビス(8-キノリノレート)ベリリウム錯体）、Ｚｎ−ＢＴＺ（２-（ｏ-ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾール亜鉛）、ペリレン誘導体などを１０〜１０００ｎｍ（好ましくは、１００〜７００ｎｍ）の膜厚になるように蒸着して積層する。

陰極１０は、電子輸送層９へ効率的に電子注入を行える仕事関数の低い金属、好ましくは、Ｃａ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ａｌなどの単体、又はこれらの合金で形成することができる。本実施形態では、Ｃａを主体とする陰極、及びＡｌを主体とする反射層の２層構成になっている。

なお、図示しないが、本実施の形態の有機ＥＬ装置１はアクティブマトリクス
型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に配置され、これらデータ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の発光素子３が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、発光素子３が発光して透明基板２の外面側に光が出射され、その画素が点灯する。なお、本発明は、アクティブマトリクス型に限られず、パッシブ駆動型の表示素子にも適用できることはいうまでもない。

封止層４は、発光素子３上に、発光素子３を被覆する絶縁層１１、ガスバリア層１２、絶縁層１３、および放熱層１４が順次積層して形成された構成となっている。

絶縁層１１、１３は、有機ポリマー等で形成されている。具体的には、絶縁層１１、１３としては、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、またはＰＥＴ、ポリエチレン、ポリプロピレンやこれらを組み合わせたものを用いることができる。

ガスバリア層１２は、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物等のガスバリア性を有する無機化合物で形成されている。具体的には、ガスバリア層１２としては、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、上記ＩＴＯ、またはこれらを組み合わせたものを用いることができる。また、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）やこれらを組み合わせたものを用いることができる。

放熱層１４は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の熱伝導率の高い金属膜で形成されている。ここで、金属の同一温度における熱伝導率λと電気伝導率σとの間には、ウィデーマン−フランツの法則により、λ／σ＝一定という関係
が成り立つ。従って、熱伝導率の高い金属として電気伝導率の高い金属を選択すればよく、上記の金、銀、銅を選択することができる。また、これらの金属の中には、酸化しやすいものや非常に高価なものも含まれるため、２種類以上合わせた合金や熱伝導率を大きく変えない程度に亜鉛や錫、アルミニウムなどの金属元素を加えて合金化してもよい。

上記の構成の封止層４を製造する工程（封止層形成工程）について説明する。まず、スプレーコート等により、発光素子３を被覆するように有機モノマーを塗布及び硬化によりポリマー化して絶縁層１１を形成する。次に、真空蒸着、低温スパッタ、ＣＶＤ等により絶縁層１１上（一部は基板２上）に無機化合物からなるガスバリア層１２を形成する。ここで、絶縁層１１は活動性の高い前駆体として、有機モノマーを塗布した後、硬化させて形成されているため、その上面（ガスバリア層１２が形成される面）が平坦化される。従って、ガスバリア層１２は、絶縁層１１に倣って平坦化された状態で形成される。この後、上記絶縁層１１と同様の手順で絶縁層１３を形成する。

続いて、絶縁層１３上（一部はガスバリア層１２上）に金属膜からなる放熱層１４を形成（成膜）する。この放熱層１４は、ガスバリア層１２と同様に真空蒸着、低温スパッタ、ＣＶＤ等により形成される。ここで、絶縁層１３は、平坦化されたガスバリア層１２上に形成された有機ポリマーであるので、その上面が平坦されており、従って絶縁層１３上に成膜された放熱層１４も平坦化された状態で形成される。なお、図示していないものの、放熱層１４は、放熱板に接続されており、伝達された熱を効果的に放熱できる構成になっている。また、ガスバリア層１２と放熱層１４の製造においては、同一のマスクを使用することで、コストの低下を図っている。

上記の構成の有機ＥＬ装置１では、ガスバリア層１２を有する封止層４で発光素子３を封止することで、酸素や水分による劣化が抑制される。また、発光素子３で発生した熱は、絶縁層１１、ガスバリア層１２、絶縁層１３を介して（一部
は絶縁層１１、ガスバリア層１２を介して）放熱層１４に伝達されて放熱される。

このように、本実施の形態では、膜状の封止層４で酸素や水分などの発光素子３や電極の劣化の因子に対して封止し、さらに発光素子３で発生した熱を放熱するので、厚さが大きくなることなく、酸素や水分、熱による発光素子３及び電極の劣化を抑制することが可能になり、薄型で高寿命の有機ＥＬ装置１を容易に得ることができる。

また、本実施の形態では、有機ポリマーで形成された絶縁層１１、１３上にガスバリア層１２、放熱層１４がそれぞれ成膜されているため、これらガスバリア層１２、放熱層１４が平坦化され、凹凸をもって形成された場合のように歪みが生じてガスバリア性が低下してしまうことを未然に防ぐことができる。

次に、上記実施の形態の有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の例について説明する。

図２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。

図２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。

図２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。

図２（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬ装置１を備えているので、薄型で高寿命の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。

なお、本発明の技術範囲は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、上記実施の形態において、ガスバリア層１２と放熱層１４との間に絶縁層１３を設ける構成としたが、絶縁層１３は必ずしも必要ではなく、ガスバリア層上に直接放熱層１４を設ける構成としてもよい。また、上記の実施形態で示したガスバリア層１２と放熱層１４の位置は一例であり、これらの配置を逆にして、絶縁層１１上に放熱層１４を形成し、絶縁層１３上にガスバリア層１２を形成する構成としてもよい。ただし、放熱層１４を外表面に晒す構成は、外気と触れる表面積が増すため、放熱効果を考慮した場合は上記実施の形態で示した配置が好ましい。

また、上記実施の形態では、放熱層１４を金属膜で形成する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えばアルカリ金属の透過を妨げる絶縁膜を採用してもよい。絶縁膜としては、例えばＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｎ（窒素）から選ばれた少なくとも一つの元素と、Ａｌ（アルミニウム）、Ｓｉ（珪素）、Ｐ（リン）から選ばれた少なくとも一つの元素とを含むものや、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｏ、Ｍを含むもの（但し、Ｍは希土類元素の少なくとも一種、好ましくはＣｅ（セリウム），Ｙｂ（イッテルビウム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｒ（エルビウム），Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｎｄ（ネオジウム）から選ばれた少なくとも一つの元素）を用いることができる。この場合、絶縁膜を発光素子の近傍に設けることで、水分及びアルカリ金属に対するブロッキング効果があり、且つ、放熱効果をも有する絶縁膜として作用することになり、発光素子の劣化を抑制することができる。

また、絶縁層１１が、発光素子３を被覆するように有機モノマーを塗布及び硬化によりポリマー化して絶縁層１１を形成する構成としたが、有機モノマーを塗布した後に重合によりポリマー化してもよい。なお、上記実施の形態で挙げた具体的な材料は一例にすぎず、適宜変更が可能である。

さらに、上記実施の形態では、発光素子３の発光が透明基板２を介して外面側に出射される形式の例を用いて説明したが、発光素子３の発光が透明基板２と逆側の共通電極側から封止層４を介して出射される形式であっても適用可能である。この場合、放熱層１４を形成する金属膜を熱伝導率の高い金または銀とすることで効果的に放熱できることに加えて、例えば厚さ１０ｎｍ以下の金膜を用いれば、優れた光透過性（透明性）を得ることができ、透過光の損失が少ない有機ＥＬ装置を得ることができる。

また、上記実施の形態で示したように、放熱層１４が封止層４の表面に晒されている構成では放熱性では有利であるが、耐摩耗性（耐スクラッチ性）を向上させるために放熱層１４（すなわち封止層４）上にフィルムやコート層からなる保護膜を設けてもよい。この場合、汚染の付着や水分の吸着・吸湿、耐摩耗性を考慮すると、フッ素系ポリマーやシリコン樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどの表面活性エネルギーの低い材料を用いることが好ましい。また、保護膜は、基板全面に亘って、もしくはパターンとして形成してもよく、さらに保護膜にガス高透過性（１０００ｃｍ³／ｍ²・２４ｈｒ以上）を持たせることが好ましい。これにより、放熱層１４に伝達された熱を、保護膜を介して外気に放熱することができ、放熱効果が向上する。

なお、上記実施の形態では、ガスバリア層１２を一層のみ形成する構成としたが、これに限定されるものではなく、二層以上設ける構成とすればガスバリア性をより向上させることが可能になる。この場合、ガスバリア層と有機ポリマー層（絶縁層）とを１ユニットとしたものを複数ユニット積層することが望ましい。また、基板としてはガラスに限られず、プラスチック基板を用いてもよい。

以上説明したように、本発明では、ガスバリア性が低下することなく薄型で高寿命の発光装置、および表示部を備えた電子機器を容易に得ることができる。また、本発明では、透過光の損失が少ない共通電極側から光を取り出す形式の発光装置を得ることができるとともに、放熱性および耐摩耗性に優れた発光装置を得ることが可能になる。

本発明の実施の形態を示す図であって、基板上の発光素子が封止層で封止された断面図である。有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の一例を示す図であり、（ａ）は携帯電話、（ｂ）は腕時計型電子機器、（ｃ）は携帯型情報処理装置のそれぞれ斜視図である。

符号の説明

１有機ＥＬ装置
２基板
３発光素子
４封止層
１１絶縁層
１２ガスバリア層
１４放熱層

Claims

基板と、前記基板に形成された発光素子と、前記発光素子を封止する封止層とを備え、前記発光素子からの光を前記封止層を介して射出する発光装置であって、
前記封止層は、
光透過性を有する放熱層と、
前記発光素子と前記放熱層との間に形成された、無機化合物からなるガスバリア層と、
を有し、
前記放熱層は、厚さが１０ｎｍ以下の金属膜であることを特徴とする発光装置。
前記放熱層は、金又は銀からなる金属膜であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記放熱層上に、ガス透過性を有する保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。