JP2005174832A - 表示素子、その製造方法及び表示装置 - Google Patents
表示素子、その製造方法及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005174832A JP2005174832A JP2003415644A JP2003415644A JP2005174832A JP 2005174832 A JP2005174832 A JP 2005174832A JP 2003415644 A JP2003415644 A JP 2003415644A JP 2003415644 A JP2003415644 A JP 2003415644A JP 2005174832 A JP2005174832 A JP 2005174832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- light emitting
- transparent conductive
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 544
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 137
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 93
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 87
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 60
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 55
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 40
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 33
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 17
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 3
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 318
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 63
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 28
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 9
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 9
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- -1 while Co Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 IZO膜にドープ材として、Hf、Zr、及び、Vの少なくとも一つをドープすることにより、低比抵抗で高透過率を備えたIZO膜を表面層として成膜することにより、低駆動電圧で高輝度の有機EL素子が得られる。この場合、ドープ材はIZO膜の表面層内に、離散的に、即ち、段階的にドープされても良いし、連続的に変化するようにドープされても良い。このような表面層を含むIZO膜を用いることにより、発光層との間に配置される中間層の構成を簡略化でき、大画面の有機EL素子を容易に製造することができる。
【選択図】 図1
Description
前記透明導電性電極は少なくとも前記有機EL発光層側の表面部分にHf、V及びZrの少なくとも一つを含むIZO膜を有し、かつ前記絶縁保護層は厚さが100nm以下の窒化膜を含むことを特徴とする。前記窒化膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、Al、Si、からなる群から選ばれる元素と窒素との化合物の少なくとも一つから成ることが好ましく、とくに窒化シリコン、窒化チタン、窒化タンタルおよび窒化アルミニウムの少なくとも一つから成ることが好ましい。窒化膜は酸化膜よりも緻密であるので、水分阻止効果も放熱効果も酸化膜に比べて優れている。その厚さは薄いほど放熱効率が高くなるので、保護膜としての機能の許す限り薄くすることが必要であり、その観点から100nm以下、好ましくは30nm乃至50nmとする。絶縁保護層は前記対向電極を介して前記有機EL発光層を覆う絶縁層と該絶縁層を覆う保護層とからなるようにしてもよく、とくに保護層が導電性の場合はこの構成が必要である。
前記絶縁保護層はマイクロ波励起プラズマを用いた低温気相成長により形成された窒化膜を含むことを特徴とする。前記窒化膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、Al、Si、からなる群から選ばれる元素と窒素との化合物の少なくとも一つであり、前記透明導電性電極は少なくとも前記有機EL発光層側の表面部分にHf、Zr、およびVの少なくとも1つを含む酸化インジウム亜鉛(IZO)膜を有するのが好ましい。前記絶縁保護層はAr, Kr, Xeからなる群から選ばれる元素を少なくとも含むことも本発明の特徴である。
11 透明導電膜
110 IZO膜の母材層
111 IZO膜の表面層
12 バッファ層
13 ホール注入層
14 ホール輸送層
15 発光層
16 電子輸送層
17 金属層
18 パッシベーション層
19 キャップ
Claims (73)
- 透明導電性電極と当該透明導電性電極と対向する対向電極とを有する表示素子において、前記透明導電性電極は少なくとも表面層にHf、Zr、及びVの少なくとも1つを含む酸化亜鉛スズ(IZO)膜を含んでいることを特徴とする表示素子。
- 請求項1において、前記表面層は前記対向電極側に位置付けられ、これによって、前記透明導電性電極の仕事関数は前記対向電極の方向に高くなることを特徴とする表示素子。
- 請求項2において、前記透明導電性電極の仕事関数は、前記IZO膜内で連続的又は不連続的に前記対向電極方向に高くなることを特徴とする表示素子。
- 透明導電性電極、当該透明導電性電極と対向する対向電極、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機化合物からなる発光層とを有し、前記透明導電性電極は表面層としてHf、Zr、及びVの少なくとも1つを含むIZO膜を含んでいることを特徴とする有機表示素子。
- 請求項4において、前記表面層は前記対向電極側に位置付けられ、これによって、前記透明導電性電極の表面層の仕事関数は前記対向電極方向に高くなることを特徴とする有機表示素子。
- 請求項5において、前記透明導電性電極の表面層の仕事関数は、4.5eVから5.8eVまで変化することを特徴とする有機表示素子。
- 請求項1〜6のいずれかにおいて、前記表面層は10〜200オングストロームの厚さを有していることを特徴とする有機表示素子。
- 請求項7において、前記表面層は50〜150オングストロームの厚さであることを特徴とする有機表示素子。
- 請求項7〜8のいずれかにおいて、前記IZO膜によって構成される表面層はHfをSnとの合量で、重量で20%以下含んでいることを特徴とする有機表示素子。
- 請求項5〜9のいずれかにおいて、前記透明導電性電極と前記発光層との間には、バッファ層及びホール注入層の少なくとも一方が介在していないことを特徴とする有機表示素子。
- 請求項1〜10のいずれかにおいて、前記透明導電性電極はHf、Zr、およびVの少なくとも一つを含む酸化亜鉛スズ(IZO)膜を表面層として備え、10V以下の駆動電圧で5000cd/m2以上の輝度を有することを特徴とする有機EL素子。
- IZOドープ材を含むターゲット材を用意し、該ターゲット材をスパッタリングすることによって、ドープ材を含むIZO膜を形成することを特徴とする表示素子の製造方法。
- 請求項13又は14において、前記ドープ材としてHf、Zr、及び、Vの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする表示素子の製造方法。
- 透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、少なくとも前記有機EL発光層を覆うように設けられた絶縁保護層と、該絶縁保護層に接するように設けられた放熱層とを有する有機EL発光素子において、
前記透明導電性電極は少なくとも前記有機EL発光層側の表面部分にHf、V及びZrの少なくとも一つを含むIZO膜を有することを特徴とする有機EL発光素子。 - 請求項14記載の有機EL発光素子において、前記絶縁保護層は厚さが100nm以下の窒化膜を含むことを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項15記載の有機EL発光素子において、前記窒化膜は窒化シリコン、窒化チタン、窒化タンタルおよび窒化アルミニウムの少なくとも一つから成ることを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項15記載の有機EL発光素子において、前記窒化膜は30nm乃至50nmの厚さを有することを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項14または15記載の有機EL発光素子において、前記絶縁保護層は前記対向電極を介して前記有機EL発光層を覆う絶縁層と該絶縁層を覆う保護層とからなることを特徴とする有機EL発光素子。
- 透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、少なくとも前記有機EL発光層を直接または間接に覆うように設けられた絶縁保護層と、該絶縁保護層に接するように設けられた放熱層とを有する有機EL発光素子において、
前記絶縁保護層はマイクロ波励起プラズマを用いた低温気相成長により形成された窒化膜を含むことを特徴とする有機EL発光素子。 - 請求項15に記載の発光素子において、前記窒化膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、Al、Si、からなる群から選ばれる元素と窒素との化合物の少なくとも一つであることを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項19または20記載の発光素子において、前記透明導電性電極は少なくとも前記有機EL発光層側の表面部分にHf、Zr、およびVの少なくとも1つを含む酸化亜鉛スズ(IZO)膜を有することを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項14から21のいずれかに記載の発光素子において、前記絶縁保護層はAr, Kr, Xeからなる群から選ばれる元素を少なくとも含むことを特徴とする有機EL発光素子。
- IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極と対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた発光層と、少なくとも前記発光層を覆う保護層と、該保護層に接する放熱層とを有する表示素子において、前記透明導電性電極は少なくとも表面部分にHf、V及びZrの少なくとも一つを含むIZO膜を有し、かつ前記保護層は厚さが100nm以下の窒化膜を含むことを特徴とする表示素子。
- 請求項23記載の表示素子において、前記保護層と前記放熱層は同一材料からなる共通層であることを特徴とする表示素子。
- 請求項23に記載の表示素子において、前記窒化膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、Al、Si、からなる群から選ばれる元素と窒素の化合物を含むことを特徴とする表示素子。
- 請求項23において、前記表面部分は前記対向電極側に位置づけられ、これによって、前記透明導電性電極の仕事関数は前記対向電極方向に高くなることを特徴とする表示素子。
- 請求項23から26のいずれかに記載の表示素子において、前記発光層は有機化合物からなる発光層であることを特徴とする表示素子。
- 請求項23から27のいずれかに記載の表示素子において、前記保護層はAr, Kr, Xeからなる群から選ばれる元素を少なくとも含むことを特徴とする表示素子。
- IZOを含む透明導電性電極と、当該透明導電性電極と対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた発光層と、少なくとも前記発光層を覆うように設けられた保護層とを有する発光素子の製造方法において、該保護層をAr、Kr、Xeからなる群から選ばれるガスを主成分とするプラズマを用いて成膜することを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項29に記載の発光素子の製造方法において、該プラズマは高周波励起プラズマであることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項30に記載の発光素子の製造方法において、該高周波はマイクロ波であることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項29〜31のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、該成膜は低温気相成長によって行われることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項32に記載の発光素子の製造方法において、該低温気相成長は100℃以下で行われることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項33に記載の発光素子の製造方法において、該低温気相成長は室温で行われることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項19、20、または21に記載の有機EL発光素子おいて、該低温気相成長は100℃以下で行われることを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項14、19、20、または21おいて、前記導電性透明膜は、Kr、Xeを膜中に含むことを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項32に記載の発光素子の製造方法において、該低温気相成長はプラズマによる加熱を除き加熱せずに行われることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項19、20、または21に記載の有機EL発光素子おいて、該低温気相成長はプラズマによる加熱を除き加熱せずに行われることを特徴とする有機EL発光素子。
- マトリクス状に配置された複数のゲート線と、複数の信号線と、該ゲート線と該信号線の交差部付近に設けられたスイッチング素子と、透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、少なくとも前記有機EL発光層を覆うように設けられた保護層と、該保護層に接するように設けられた放熱層とを有する有機EL表示装置において、該スイッチング素子はTFTであり、ゲート線に接続されたゲート電極と、信号線に接続された信号線電極と、前記透明導電性電極または前記対向電極に該TFTを覆う絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続された画素電極と、を有し、前記透明導電性電極は少なくとも前記有機EL発光層側の表面部分にHf、V及びZrの少なくとも一つを含むIZO膜を有することを特徴とする有機EL表示装置。
- 基板上にマトリクス状に配置された複数のゲート線と、複数の信号線と、該ゲート線と該信号線の交差部付近に設けられたスイッチング素子と、IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、少なくとも前記有機EL発光層を覆うように設けられた保護層と、該保護層に接するように設けられた放熱層とを有する有機EL表示装置において、該スイッチング素子はTFTであり、ゲート線に接続されたゲート電極と、信号線に接続された信号線電極と、前記透明導電性電極または前記対向電極に接続された画素電極と、を有し、前記ゲート線および前記ゲート電極は、前記基板または前記基板に接する様に形成された絶縁膜に埋め込まれていることを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項40記載の有機EL表示装置において、前記透明導電性電極は少なくとも前記有機EL発光層側の表面部分にHf、V及びZrの少なくとも一つを含むIZO膜を有することを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項39、40、または41に記載の有機EL表示装置において、前記保護層は厚さが100nm以下の窒化膜を含むことを特徴する有機EL表示装置。
- 請求項42に記載の表示装置において、前記窒化膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、Al、Si、からなる群から選ばれる元素と窒素との化合物の少なくとも一つであることを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項42記載の有機EL表示装置において、前記窒化膜は窒化シリコン、窒化チタン、窒化タンタルおよび窒化アルミニウムの少なくとも一つから成ることを特徴とする有機EL表示装置。
- Kr、Xeを主成分とするプラズマでスパッタ成膜することを特徴とする導電性透明膜の製造方法。
- 酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含むターゲットを高周波励起プラズマによりスパッタしてIZO膜を形成する工程を含む導電性透明膜の製造方法であって、前記スパッタはKrおよびXeの少なくとも一つを主成分とするプラズマで行うことを特徴とする導電性透明膜の製造方法。
- IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、前記有機EL発光層に接するようにその両面に設けられた電子輸送層とホール輸送層とを有する有機EL発光素子において、前記透明導電性電極と前記電子輸送層と前記有機EL発光層と前記ホール輸送層と前記対向電極とは、この順に積層されてなることを特徴とする有機EL発光素子。
- IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極上に設けられた電子輸送層と、該電子輸送層上に設けられた有機EL発光層と、該有機EL発光層上に設けられたホール輸送層と、該ホール輸送層上に設けられ仕事関数が4eV乃至6eVの導電材料から成る対向電極とを含むことを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項47または48に記載の有機EL発光素子において、前記透明導電性電極はIZOを含み、前記対向電極の導電材料はCo、Ni、Rh、Pd、Ir、PtおよびAuのうちの少なくとも一つを単体または合金として含むことを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項47乃至49のいずれか一つに記載の有機EL発光素子において、前記透明導電性電極は透明基板上に設けられ、前記有機EL発光層からの発光は前記透明基板を経由して取り出されることを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項47乃至49のいずれか一つに記載の有機EL発光素子において、前記対向電極が基板上に設けられ、前記有機EL発光層からの発光は前記透明導電性電極を経由して取り出されることを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項47乃至51のいずれか一つに記載の有機EL発光素子において、少なくとも前記有機EL発光層を覆うように絶縁保護層が設けられ、さらに該絶縁保護層に接するように放熱層が設けられたことを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項52に記載の有機EL発光素子において、前記絶縁保護層はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、AlおよびSiの少なくとも一つの元素と窒素との化合物のうちの少なくとも一つからなり厚さが100nm以下の窒化物膜を含むことを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項52または53のいずれか一つに記載の有機EL発光素子において、前記絶縁保護層は前記透明導電性電極と前記有機EL発光層と前記対向電極とを覆う絶縁層と該絶縁層を覆う保護層とからなることを特徴とする有機EL発光素子。
- 請求項12、14〜22、47〜54のいずれか一つに記載の有機EL発光素子を表示素子に用いたことを特徴とする有機EL表示装置。
- IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた発光層と、前記発光層に接するように設けられた電子輸送層とホール輸送層と、少なくとも前記発光層を覆うように設けられた保護層と、該保護層に接するように設けられた放熱層とを有する発光素子において、前記透明導電性電極と前記電子輸送層と前記発光層と前記ホール輸送層と前記対向電極とは、この順に積層されてなることを特徴とする発光素子。
- 請求項56記載の発光素子において、前記保護層と前記放熱層は同一材料からなる共通層であることを特徴とする発光素子。
- 請求項56または57に記載の発光素子において、前記発光層は有機化合物からなる発光層であることを特徴とする発光素子。
- 透明基板上にIZOを含む透明導電性電極を形成し、該透明導電性電極上に電子輸送層を設け、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上にホール輸送層を設け、前記ホール輸送層上に対向電極を設けることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 基板上に対向電極を形成し、該対向電極上にホール輸送層を設け、前記ホール輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に電子輸送層を設け、前記電子輸送層上にIZOを含む透明導電性電極を設けることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項59または60に記載の発光素子の製造方法において、前記透明導電性電極はIZOを含み、前記対向電極はCo、Ni、Rh、Pd、Ir、PtおよびAuのうちの少なくとも一つを単体または合金として含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項59乃至61のいずれか一つに記載の発光素子の製造方法において、少なくとも前記発光層を覆うようにAr、Kr、Xeからなる群から選ばれるガスを主成分とするプラズマを用いて保護層を成膜することを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項62に記載の発光素子の製造方法において、該プラズマはマイクロ波励起プラズマであることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項62または63に記載の発光素子の製造方法において、該成膜は低温気相成長によって行われることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 請求項29〜34及び請求項59〜64のいずれか一つに記載の製造方法により形成された発光素子を表示素子として用いたことを特徴とする表示装置。
- マトリクス状に配置された複数のゲート線と、複数の信号線と、該ゲート線と該信号線の交差部付近に設けられたスイッチング素子と、IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、少なくとも前記有機EL発光層を覆うように設けられた保護層と、該保護層に接するように設けられた放熱層とを有する有機EL表示装置において、該スイッチング素子はTFTであり、ゲート線に接続されたゲート電極と、信号線に接続された信号線電極と、前記透明導電性電極または前記対向電極に該TFTを覆う絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続された画素電極と、を有し、前記有機EL発光層の両面に電子輸送層とホール輸送層とを有し、前記透明導電性電極と前記電子輸送層と前記有機EL発光層と前記ホール輸送層と前記対向電極とは、この順に積層されてなることを特徴とする有機EL表示装置。
- 基板上にマトリクス状に配置された複数のゲート線と、複数の信号線と、該ゲート線と該信号線の交差部付近に設けられたスイッチング素子と、IZOを含む透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する対向電極と、前記透明導電性電極と前記対向電極との間に設けられた有機EL発光層と、少なくとも前記有機EL発光層を覆うように設けられた保護層と、該保護層に接するように設けられた放熱層とを有し、該スイッチング素子はTFTであり、ゲート線に接続されたゲート電極と、信号線に接続された信号線電極と、前記透明導電性電極または前記対向電極に接続された画素電極とをさらに有し、前記ゲート線および前記ゲート電極は、前記基板または前記基板に接する様に形成された絶縁膜に埋め込まれている有機EL表示装置において、前記有機EL発光層の両面に電子輸送層とホール輸送層とを有し、前記透明導電性電極と前記電子輸送層と前記有機EL発光層と前記ホール輸送層と前記対向電極とは、この順に積層されてなることを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項66または67に記載の有機EL表示装置において、前記保護層は厚さが100nm以下の窒化膜を含むことを特徴する有機EL表示装置。
- 請求項68に記載の有機EL表示装置において、前記窒化膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、B、Al、Si、からなる群から選ばれる元素と窒素との化合物の少なくとも一つであることを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項66又は67に記載の有機EL表示装置において、前記導電材料は仕事関数が4.8eVから6eVの金属または合金であることを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項66または67に記載の有機EL表示装置において、前記対向電極はCo、Ni、Rh、Pd、Ir、PtおよびAuの少なくとも一つを単体または合金として含むことを特徴とする有機EL表示装置。
- 請求項71に記載の発光素子において、前記対向電極はCo、Ni、Rh、Pd、Ir、PtおよびAuの少なくとも一つを含むことを特徴とする発光素子。
- 請求項59または60に記載の発光素子の製造方法において、前記対向電極は仕事関数が4.8eVから6.0eVの導電材料からなることを特徴とする発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003415644A JP4532892B2 (ja) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | 有機el素子及び有機el表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003415644A JP4532892B2 (ja) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | 有機el素子及び有機el表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005174832A true JP2005174832A (ja) | 2005-06-30 |
JP4532892B2 JP4532892B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=34735063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003415644A Expired - Fee Related JP4532892B2 (ja) | 2003-12-12 | 2003-12-12 | 有機el素子及び有機el表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4532892B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270170A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2010529588A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-08-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電圧で動作させられる層状のアレンジメント |
JP2010231977A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 薄型封止有機el素子 |
JP2011014635A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
US20110183463A1 (en) * | 2007-04-18 | 2011-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transitor substrate and method of manufacturing the same |
WO2013151095A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | シャープ株式会社 | 成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法 |
WO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2018060787A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 電極及びこれを含む有機発光素子、液晶表示装置及び有機発光表示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0843840A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板 |
JP2000072526A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム |
WO2003008661A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible de pulverisation et film conducteur transparent |
JP2003142255A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003217829A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Toyota Industries Corp | 有機elディスプレイパネル |
JP2004068054A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及び焼結体それらを利用して製造した導電膜。 |
JP2004139780A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機電界発光装置用電極基板および有機電界発光装置およびその装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-12-12 JP JP2003415644A patent/JP4532892B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0843840A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板 |
JP2000072526A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 透明導電膜用ターゲットおよび透明導電ガラスならびに透明導電フィルム |
WO2003008661A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible de pulverisation et film conducteur transparent |
JP2003142255A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003217829A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Toyota Industries Corp | 有機elディスプレイパネル |
JP2004068054A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及び焼結体それらを利用して製造した導電膜。 |
JP2004139780A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機電界発光装置用電極基板および有機電界発光装置およびその装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010529588A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-08-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電圧で動作させられる層状のアレンジメント |
US20110183463A1 (en) * | 2007-04-18 | 2011-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transitor substrate and method of manufacturing the same |
JP2008270170A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2010231977A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 薄型封止有機el素子 |
JP2011014635A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
WO2013151095A1 (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | シャープ株式会社 | 成膜方法、及び有機el表示装置の製造方法 |
WO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
JPWO2014157639A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-02-16 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2018060787A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 電極及びこれを含む有機発光素子、液晶表示装置及び有機発光表示装置 |
US10847742B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-11-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electrode, organic light emitting diode, liquid crystal display device, and organic light emitting display device of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4532892B2 (ja) | 2010-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7887385B2 (en) | Organic EL light emitting element, manufacturing method thereof, and display device | |
US11997864B2 (en) | Device including patterning a conductive coating | |
CN104576957B (zh) | 有机电致发光显示设备及其制造方法 | |
JP5612693B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
US7701132B2 (en) | Organic electroluminescence display device having auxiliary electrode line and method of manufacturing the same | |
WO2012017495A1 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
WO2012073269A1 (ja) | 有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機elパネルを用いた有機発光装置、及び有機elパネルを用いた有機表示装置 | |
WO2012098587A1 (ja) | 有機el素子 | |
JP2001249627A (ja) | アクティブ駆動型有機el表示装置およびその製造方法 | |
JP5612692B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
US20090135109A1 (en) | Organic el element, organic el display device, and methods of manufacturing the same | |
CN111937159A (zh) | 有机el显示装置及有机el显示装置的制造方法 | |
WO2013011537A1 (ja) | 有機発光素子 | |
JP6387547B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法、および金属酸化物膜の成膜方法 | |
KR101383454B1 (ko) | 전계발광소자 | |
US20110031478A1 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
JP4532892B2 (ja) | 有機el素子及び有機el表示装置 | |
WO2019136818A1 (zh) | 一种喷墨打印的oled显示面板及其制备方法 | |
JP4603780B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP4975137B2 (ja) | 有機el素子および表示装置 | |
KR20090031148A (ko) | 전계발광소자 | |
JP4603775B2 (ja) | 有機el発光素子の製造方法、有機el素子を用いる表示装置の製造方法 | |
JP5612503B2 (ja) | 有機発光装置 | |
KR101319343B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
TWI355214B (en) | Method of producing light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061026 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100518 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4532892 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |