JPH0843840A

JPH0843840A - 表示装置用電極板

Info

Publication number: JPH0843840A
Application number: JP6194690A
Authority: JP
Inventors: Kenzo Fukuyoshi; 健蔵福吉; Yukihiro Kimura; 幸弘木村
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1994-07-27
Filing date: 1994-07-27
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】高品質で広い画面のディスプレイに好適に利
用される薄膜でしかも高い導電性を有する透明電極を備
えた表示装置用電極板を提供すること。【構成】この表示装置用電極板は、ガラス基板１１
と、この上に酸化インジウムを主成分としこの酸化イン
ジウム中にドーパントとして１０重量％の酸化錫が添加
されたキャリア高濃度薄膜１２ａ及び１２ｃと酸化イン
ジウムを主成分としこの酸化インジウム中にドーパント
として０．３重量％の酸化錫が添加されたキャリア高移
動度薄膜１２ｂが互いに隣接して積層された３層膜から
成る透明電極１２とでその主要部が構成されている。そ
して、この透明電極１２においては上記３層膜が相互に
作用し合うため全体としてその比抵抗及び面積抵抗を減
少させることが可能になり、この結果、薄膜にも拘らず
高い導電性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイや入
出力装置等に用いられる表示装置用電極板に係り、特
に、薄膜でしかも高い導電性を有する透明電極を備えた
表示装置用電極板の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ガラス、プラスチックフィルム等の基板
上に可視光線を透過する透明電極が設けられた電極板
は、液晶ディスプレイ等の各種表示装置の表示用電極や
この表示装置の表示画面から直接入力する入出力装置に
広く使用されている。

【０００３】例えば、液晶が用いられたディスプレイ装
置の透明電極板は、図４に示すようにガラス基板ａと、
このガラス基板ａ上の画素部位に設けられ画素毎にその
透過光を赤、緑、青にそれぞれ着色するカラーフィルタ
ー層ｂと、上記ガラス基板ａ上の画素と画素との間の部
位（画素間部位）に設けられこの部位からの光透過を防
止する遮光膜ｃと、上記カラーフィルター層ｂの全面に
設けられた保護層ｄと、この保護層ｄ上に成膜された透
明電極ｅと、この透明電極ｅ上に成膜された配向膜ｆと
でその主要部が構成されている。そして、上記透明電極
ｅは所定のパターンにパターニングされて形成された透
明導電膜により構成されている。

【０００４】この透明導電膜としては、その高い導電性
に着目して、酸化インジウムの中にドーパントとして酸
化錫を添加したＩＴＯ薄膜が広く利用されており、その
形成方法には２００℃以上の高温度に加熱されたガラス
基板ａ上にスパツタリング法により真空成膜して形成す
る方法（基板加熱成膜法）と、１５０℃以下の低温に保
持されたガラス基板ａ上にスパツタリング法により真空
成膜した後加熱アニーリングして形成する方法（低温成
膜後アニーリング法）とが知られている。

【０００５】また、このＩＴＯ薄膜のエッチング適性を
改善するため、上記基板加熱成膜法を利用してＩＴＯ薄
膜と酸化インジウム薄膜とを成膜して多層構造の透明導
電膜としたもの（特開平４−５８２２５号公報）が知ら
れている。

【０００６】また、この他にも、酸化錫薄膜、この酸化
錫に酸化アンチモンを添加して構成される薄膜（ネサ
膜）、酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加して構成され
る薄膜等が知られているが、これらはいずれも上記ＩＴ
Ｏ薄膜や多層構造の上記透明導電膜よりその導電性が劣
り、また、酸やアルカリ等に対する耐薬品性あるいは耐
水性等が不十分なため一般には普及していない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ディス
プレイ装置や表示入力装置においては、近年、画素密度
を増大させて緻密な画面を表示することが求められ、こ
れに伴って上記透明電極パターンの緻密化が要求されて
おり、例えば１００μｍ程度のピッチで上記透明電極の
端子部を構成することが要求されている。また、液晶デ
ィスプレイ装置において基板に液晶駆動用ＩＣが直接接
続される方式（ＣＯＧ）においては、配線の引き回しが
幅２０〜５０μｍという細線となる部分があり、従来に
ない高度のエッチング加工適性が要求されている。

【０００８】また、その一方で表示画面の大型化も求め
られており、このような大画面について上述したような
緻密パターンの透明電極を形成し、しかも液晶に充分な
駆動電圧を印加できるようにするためには、上記透明電
極として高い導電性を備えた透明導電膜を適用する必要
があった。

【０００９】この透明導電膜の導電性は、一般に面積抵
抗（Ω／□）で表され（面積抵抗は面積導電率の逆数で
ある）、例えば、その値として５Ω／□程度という低い
面積抵抗が要求されている。尚、この面積抵抗は上述の
比抵抗を透明導電膜の厚みで割った値で表される。

【００１０】そして、上記透明導電膜の面積導電率は、
導電率（導電率は上記比抵抗の逆数で表される）と膜厚
との積で表現され、この導電率σ（Ω^-1・cm^-1）は、膜
に含まれるキャリア（電子又は正孔）の持つ電荷ｅ（ク
ーロン）とこのキャリアの移動度μ（cm²/V・sec ）及
びキャリアの濃度ｎ（cm^-3）の積で表現される。

【００１１】 σ（Ω^-1・cm^-1）＝ｅ・μ・ｎ（１）従って、この（１）式より上記透明導電膜の導電率を向
上させ、その比抵抗と面積抵抗とを低下させるために
は、移動度μ（cm²/V・sec ）又はキャリアの濃度ｎ
（cm^-3）のいずれか一方又は双方を増大させればよいわ
けである。

【００１２】そして、上記透明導電膜として汎用されて
いるＩＴＯ薄膜においては、上述したように酸化錫が酸
化インジウムのドーパントでありこのドーパントがキャ
リアである電子の生成に関与していることから、上記酸
化錫の量を増加させればキャリアの濃度ｎ（cm^-3）が増
大し、これに伴い導電率と面積導電率が増大して面積抵
抗が減少すると予想される。

【００１３】しかしながら、低温成膜後アニーリング法
を利用して形成された膜厚２８０ｎｍのＩＴＯ薄膜につ
いて上記酸化錫の添加量を変化させてその比抵抗（Ω・
cm）、キャリア移動度μ（cm²/V・sec ）、キャリア濃
度ｎ（cm^-3）、及び、面積抵抗（Ω／□）を測定したと
ころ、以下の表１に示すように酸化錫の添加量が５重量
％を越えるとＩＴＯ薄膜の比抵抗は略一定値（およそ
２．４×１０^-4Ω・cm）になり、これ以上酸化錫の添加
量を増加させても比抵抗の低下は見られなかった。この
理由は不明であるが、Ｉｎ（インジウム）のイオン半径
が約０．９２オングストロームであるのに対しＳｎ
（錫）のイオン半径は約０．７４オングストロームであ
り、両者のイオン半径の差が大きいことから添加される
酸化錫の増加に伴って酸化インジウム結晶の歪みが大き
くなるため、結晶欠陥が増加しこれに起因して上記移動
度μ（cm²/V・sec ）が低下しているものと推測され
る。

【００１４】

【表１】

【００１５】そして、上述した結果から、酸化錫の濃度
を変化させてもＩＴＯ薄膜の比抵抗がおよそ２．４×１
０^-4Ω・cmより低下しないことから、５Ω／□程度の面
積抵抗を有するＩＴＯ薄膜を得るためにはその膜厚を３
００ｎｍ以上に設定する必要がある。

【００１６】しかし、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド
・ネマティック）液晶を使用する液晶ディスプレイ装置
においては、図４に示したように透明電極ｅ上に液晶を
配向させるための配向膜ｆを設ける必要があり、上記Ｉ
ＴＯ薄膜の膜厚を３００ｎｍ程度に設定した場合、この
ＩＴＯ薄膜をパターニングして透明電極ｅを形成した
際、このＩＴＯ薄膜が存在する部位と存在しない部位と
で３００ｎｍ程度の段差を生じこれに伴い配向膜ｆ表面
に３００ｎｍ程度の凹凸が形成されてしまうため、ドメ
インと呼ばれる配向不良が生じ易くなる問題点があっ
た。

【００１７】尚、上記特開平４−５８２２５号公報に記
載された多層構造の透明導電膜は基板加熱成膜法を利用
して形成されており、このため、表２に示すように酸化
インジウム薄膜のキャリア移動度が小さく、１５〜２０
×１０^-4Ω・cm程度の大きい比抵抗の薄膜しか得られな
い。

【００１８】

【表２】

【００１９】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、薄膜でしかも高
い導電性を有する透明電極を備えた表示装置用電極板を
提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】そこで、このような目的
を達成するため本発明者等が鋭意研究を重ねたところ、
以下のような技術的発見をなすに至った。すなわち、キ
ャリア濃度ｎ（cm^-3）とキャリア移動度μ（cm²/V・se
c）が共に異なる２つの透明導電膜を互いに隣接するよ
うに積層して２層の透明電極を形成し、この２層透明電
極の導電率について材料を変えて各々測定したところ、
その一方の透明導電膜（Ｍ）のキャリア移動度μ_m（cm²
/V・sec）が他方の透明導電膜（Ｃ）のキャリア移動度
μ_cに比べて充分に大きく、かつ、他方の透明導電膜
（Ｃ）のキャリア濃度ｎ_c（cm^-3）が上記一方の透明導
電膜（Ｍ）のキャリア濃度ｎ_mに比べて充分に大きい場
合、透明電極全体の導電率σ’（Ω^-1・cm^-1）はそれぞ
れの透明導電膜単体の導電率σ_m＝ｅ・μ_m・ｎ_m、及
び、σ_c＝ｅ・μ_c・ｎ_cのいずれよりも大きくなり、し
かも上記透明電極を２層以上の多層で構成した場合にも
同様に大きくなることを発見することができた。

【００２１】本発明はこのような技術的発見に基づきな
されたものである。

【００２２】すなわち請求項１に係る発明は、透明導電
膜により構成された透明電極を基板上に備える表示装置
用電極板を前提とし、上記透明導電膜が、互いに隣接し
て積層されたキャリア移動度の高いキャリア高移動度薄
膜とキャリア濃度の高いキャリア高濃度薄膜の二層膜若
しくは多層膜により構成されていることを特徴とするも
のである。

【００２３】そして、この請求項１に係る表示装置用電
極板によれば、その透明電極が互いに隣接して積層され
たキャリア移動度の高いキャリア高移動度薄膜とキャリ
ア濃度の高いキャリア高濃度薄膜の二層膜若しくは多層
膜で構成されており、上記二層膜若しくは多層膜の各薄
膜が相互に作用し合うため、全体としてその比抵抗及び
面積抵抗を減少させることが可能になるものである。

【００２４】次に、最近のディスプレイの高密度化に対
応させて緻密パターンの透明電極を形成するためには、
上記キャリア高移動度薄膜が６０cm²/V・sec以上のキャ
リア移動度を有し、かつ、上記キャリア高濃度薄膜が９
×１０²⁰cm^-3以上のキャリア濃度を有することが望まし
い。

【００２５】請求項２に係る発明はこのような技術的理
由からなされている。

【００２６】すなわち、請求項２に係る発明は、請求項
１記載の発明に係る表示装置用電極板を前提とし、上記
キャリア高移動度薄膜のキャリア移動度が６０cm²/V・s
ec以上であり、上記キャリア高濃度薄膜のキャリア濃度
が９×１０²⁰cm^-3以上であることを特徴とするものであ
る。

【００２７】ここで、請求項１又は２に係る発明におい
てキャリア高移動度薄膜としては、ドーパントが添加さ
れていないか、あるいは微量のドーパントが添加された
金属化合物によりこれを構成することができる。尚、こ
のキャリア高移動度薄膜は上述の低温成膜後アニーリン
グ法によって成膜することが好ましい。すなわち、基板
加熱成膜法を利用して成膜した場合、キャリア移動度を
増大させることが困難になるからである。

【００２８】また、上記キャリア高濃度薄膜について
は、比較的大量のドーパントが添加された金属化合物に
よりこれを構成することができる。

【００２９】そして、上記キャリア高移動度薄膜又はキ
ャリヤ高濃度薄膜の主要部を構成する金属化合物として
は、酸化インジウム、窒化チタン、窒化ジルコニウム、
酸化亜鉛、酸化錫、酸化レニウム等の金属化合物が適用
でき、好ましくは酸化インジウムである。

【００３０】また、ドーパントとしては、上記金属化合
物中の金属原子と価数の異なる金属の化合物が適用でき
る。例えば、上記金属化合物が酸化インジウムである場
合には、このインジウム原子と価数の異なる錫、ジルコ
ニウム、チタン、ゲルマニウム、鉛、アンチモン、ハフ
ニウム、マグネシウム、スカンジウム、イットリウム、
ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリ
ウム、タリウム、ビスマス、バナジウム、ニオブ、タン
タル等の金属の化合物が例示できる。そして、この金属
の化合物の具体例としては、酸化錫、酸化ジルコニウ
ム、酸化チタン、酸化ゲルマニウム、酸化鉛、酸化アン
チモン、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム酸化スカン
ジウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セリウ
ム、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化サマリウ
ム、酸化タリウム、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸
化ニオブ、酸化タンタル等の金属酸化物が挙げられる。
尚、上記金属化合物が酸化インジウムである場合、この
酸化インジウムに大量に添加してキャリア濃度を増加さ
せた際にキャリア移動度の低下が比較的少ないドーパン
トとしては酸化錫を例示することができる。一方、上記
酸化インジウムに微量添加することによりキャリア濃度
の低下を生じさせ難いドーパントとしては、上記酸化錫
の他、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ゲルマニウ
ム、酸化鉛、酸化アンチモン、酸化ハフニウム、酸化マ
グネシウム等を例示することができ、中でも酸化錫、酸
化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化チタンが好まし
く適用できる。尚、このようなドーパントを添加しない
金属化合物により上記キャリア高移動度薄膜を構成する
ことも可能である。

【００３１】そして、金属化合物を酸化インジウムとし
た場合、９×１０²⁰cm^-3以上のキャリア濃度を得るため
にはドーパントを４重量％以上添加する必要があり、他
方、６０cm²/V・sec以上のキャリア移動度を得るために
はドーパントを添加しないか、添加した場合であっても
３重量％以下の微量に抑えることが望ましい。

【００３２】請求項３〜８に係る発明はこのような技術
的理由に基づいてなされている。

【００３３】すなわち請求項３に係る発明は、請求項１
又は２記載の発明に係る表示装置用電極板を前提とし、
上記透明導電膜が、ドーパントを添加した酸化インジウ
ム薄膜により構成されていることを特徴としており、ま
た、請求項４に係る発明は、請求項３記載の発明に係る
表示装置用電極板を前提とし、上記ドーパントが酸化錫
であることを特徴とするものである。

【００３４】一方、請求項５に係る発明は、請求項３記
載の発明に係る表示装置用電極板を前提とし、上記ドー
パントが酸化ジルコニウムであることを特徴としてお
り、また、請求項６に係る発明は、請求項３記載の発明
に係る表示装置用電極板を前提とし、上記ドーパントが
酸化ハフニウムであることを特徴とするものであり、ま
た、請求項７に係る発明は、請求項３記載の発明に係る
表示装置用電極板を前提とし、上記ドーパントが酸化チ
タンであることを特徴とするものである。

【００３５】更に、請求項８に係る発明は、請求項１〜
７記載の発明に係る表示装置用電極板を前提とし、上記
キャリア高移動度薄膜がドーパントを０〜３重量％添加
した酸化インジウム薄膜により構成され、キャリア高濃
度薄膜はドーパントを４重量％以上添加した酸化インジ
ウム薄膜により構成されていることを特徴とするもので
ある。

【００３６】尚、本発明に係る透明導電膜は、各々単層
のキャリア高移動度薄膜とキャリア高濃度薄膜から成る
二層膜でこれを構成することができるが、上記キャリア
高移動度薄膜とキャリア高濃度薄膜とを交互に積層して
３層以上の多層膜を構成し、この多層膜で上記透明導電
膜を構成してもよい。尚、生産性を考慮した場合には２
〜６層程度が有利である。また、上記キャリア高移動度
薄膜とキャリア高濃度薄膜とを数十オングストローム〜
数百オングストロームの薄い膜とし、この薄い膜を交互
に積層して６層以上の多層膜を構成してもよいし、キャ
リア高移動度薄膜の膜厚をキャリアの平均自由行程の長
さ以下に設定して透明電極の特性を向上させることも可
能である。尚、これ等キャリア高移動度薄膜とキャリア
高濃度薄膜の結晶粒径については任意であり、百オング
ストローム以下の微小粒径であっても高いキャリア移動
度やキャリア濃度を確保することが可能であるが、上記
キャリア高移動度薄膜とキャリア高濃度薄膜を構成する
結晶の配向方向［一般に（２２２）面又は（４００）面
に配向し易い］及び格子定数が互いに揃っていることが
望ましい。。また、パターン化の際のエッチング適性を
確保するためこれら薄膜の合計厚みは３００ｎｍ以下で
あることが望ましい。

【００３７】次に、請求項１〜８に係る発明において、
透明電極の支持体となる基板としては、ガラス、セラミ
ック、プラスチックフィルム、プラスチックボード等が
適用でき、黒色、白色、あるいはその他の色に着色され
たものであってよい。また、放熱性や剛性を改善するた
めに金属板等で裏打ちされた基板を使用することも可能
である。また、これら基板を構成する板の上に透過光を
着色するカラーフィルター層を設けたり、あるいはこの
カラーフィルター層と共にこのカラーフィルター層の無
機又は有機保護層を設けた構成にしてもよい。尚、この
ようなカラーフィルター層としては、有機顔料を色材と
して感光性樹脂中に分散させた着色フォトレジストを使
用しフォトリソプロセスで形成した顔料分散方式のカラ
ーフィルター層や、オフセット印刷、凹版オフセット印
刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷等の印刷方式で形成
したカラーフィルター層等が例示できる。

【００３８】

【作用】請求項１〜８に係る発明によれば、その透明電
極が互いに隣接して積層されたキャリア移動度の高いキ
ャリア高移動度薄膜とキャリア濃度の高いキャリア高濃
度薄膜の二層膜若しくは多層膜により構成されており、
上記二層膜若しくは多層膜の各薄膜が相互に作用し合う
ため、全体としてその比抵抗及び面積抵抗を減少させる
ことが可能になる。

【００３９】

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例について
詳細に説明する。［実施例１］この実施例に係る表示装置用電極板は、図
１に示すように厚さ０．７ｍｍのガラス基板（ＳｉＯ₂
のアンダーコート層を備えるフロート青板）１１と、こ
のガラス基板１１上に設けられた透明電極１２とでその
主要部が構成されている。

【００４０】また、上記透明電極１２は、互いに隣接す
るようにガラス基板１１上に順次積層された膜厚９０ｎ
ｍのキャリア高濃度薄膜１２ａと、膜厚１００ｎｍのキ
ャリア高移動度薄膜１２ｂと、膜厚９０ｎｍのキャリア
高濃度薄膜１２ｃから成る合計膜厚２８０ｎｍの３層膜
により構成されている。

【００４１】尚、上記キャリア高濃度薄膜１２ａとキャ
リア高濃度薄膜１２ｃは、酸化インジウムを主成分とし
この酸化インジウム中にドーパントとして１０重量％の
酸化錫が添加された薄膜により構成されており、他方、
上記キャリア高移動度薄膜１２ｂは酸化インジウムを主
成分としこの酸化インジウム中にドーパントとして０．
３重量％の酸化錫が添加された薄膜により構成されてい
る。そして、これらの薄膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、
いずれも低温成膜後アニーリング法を利用して、ＩＴＯ
ターゲットを使用したマグネトロンスパッタ方式でガラ
ス基板１１を加熱することなく成膜された後、２００℃
−１時間の条件で加熱アニーリング処理を施して形成さ
れている。

【００４２】そして、これらの薄膜１２ａ、１２ｂ、１
２ｃで構成された透明電極１２について、そのキャリア
移動度、キャリア濃度、比抵抗及び面積抵抗を測定し
た。

【００４３】この結果、キャリア移動度は４８．６cm²/
V・sec、キャリア濃度は８．５７×１０²⁰cm^-3、比抵抗
は１．５０×１０^-4Ω・cmであり、面積抵抗は５．４Ω
／□であった。

【００４４】『確認』この結果を前記表１と比較するこ
とにより、以下（１）〜（３）の事実を確認することが
できた。（１）上記薄膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃで構成された実
施例１に係る透明電極１２は、酸化錫が０．３重量％添
加された薄膜（表１参照）に比較してそのキャリア移動
度は低いもののキャリア濃度が高く、このため、全体と
してその比抵抗及び面積抵抗が著しく低く設定されてい
る。（２）上記薄膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃで構成された実
施例１に係る透明電極１２は、酸化錫が１０重量％添加
された薄膜（表１参照）に比較してそのキャリア濃度は
低いもののキャリア移動度が高く、このため、全体とし
てその比抵抗及び面積抵抗が著しく低く設定されてい
る。（３）また、上記薄膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃで構成さ
れた実施例１に係る透明電極２は、酸化錫の添加量を０
〜１０重量％の範囲で変化させた場合に得られるいずれ
の薄膜（表１参照）と比較しても、比抵抗及び面積抵抗
が著しく低く設定されている。［実施例２］この実施例に係る表示装置用電極板は、図
２に示すように厚さ１．１ｍｍのガラス基板２１と、こ
のガラス基板２１上に設けられた透明電極２２とでその
主要部が構成されている。

【００４５】また、上記透明電極２２は、互いに隣接す
るようにガラス基板２１上に順次積層された膜厚１８０
ｎｍのキャリア高濃度薄膜２２ａと、膜厚９０ｎｍのキ
ャリア高移動度薄膜２２ｂから成る合計膜厚２７０ｎｍ
の２層膜により構成されている。

【００４６】尚、上記キャリア高濃度薄膜２２ａは酸化
インジウムを主成分としこの酸化インジウム中にドーパ
ントとして１０重量％の酸化錫が添加された薄膜により
構成されており、他方、上記キャリア高移動度薄膜２２
ｂはドーパントが添加されていない酸化インジウム薄膜
により構成されている。また、薄膜２２ａは低温成膜後
アニーリング法を利用して、ＩＴＯターゲットを使用し
たマグネトロンスパッタ方式でガラス基板２１を加熱す
ることなく成膜され、他方、薄膜２２ｂは酸化インジウ
ムターゲットを使用し、アルゴンガスをベースとして比
較的多めの酸素ガスを導入したンスパッタ雰囲気中でガ
ラス基板２１を加熱することなく成膜され、次にこれら
両薄膜に２００℃−１時間の条件で加熱アニーリング処
理を施して形成されている。

【００４７】そして、これらの薄膜２２ａ、２２ｂで構
成された透明電極２２について、そのキャリア移動度、
キャリア濃度、比抵抗及び面積抵抗を測定した。

【００４８】この結果、キャリア移動度は４１．５cm²
/V・sec 、キャリア濃度は８．５×１０²⁰cm^-3、比抵抗
は１．７７×１０^-4Ω・cmであり、面積抵抗は６．５５
Ω／□であった。［実施例３］この実施例に係る表示装置用電極板は、図
３に示すように厚さ０．７ｍｍのガラス基板（ＳｉＯ₂
のアンダーコート層を備えるフロート青板）３１と、こ
のガラス基板３１上に設けられた透明電極３２とでその
主要部が構成されている。

【００４９】また、上記透明電極３２は、互いに隣接す
るようにガラス基板３１上に順次積層された膜厚９０ｎ
ｍのキャリア高移動度薄膜３２ｂと膜厚１８０ｎｍのキ
ャリア高濃度薄膜３２ｃとから成る合計膜厚２７０ｎｍ
の２層膜により構成されている。

【００５０】尚、上記キャリア高移動度薄膜３２ｂは酸
化インジウム中にドーパントとして０．３重量％の酸化
ジルコニウムが添加された薄膜により構成されており、
他方、上記キャリア高濃度薄膜３２ｃは酸化インジウム
を主成分としこの酸化インジウム中にドーパントとして
１０重量％の酸化錫が添加された薄膜により構成されて
いる。そして、これらの薄膜３２ｂ、３２ｃは、いずれ
も低温成膜後アニーリング法を利用して、マグネトロン
スパッタ方式でガラス基板３１を加熱することなく成膜
された後、２２０℃−１時間の条件で加熱アニーリング
処理を施して形成されている。

【００５１】そして、これらの薄膜３２ｂ、３２ｃで構
成された透明電極３２について、そのキャリア移動度、
キャリア濃度、比抵抗及び面積抵抗を測定した。

【００５２】この結果、キャリア移動度は４４．２cm²
/V・sec 、キャリア濃度は９．９×１０²⁰cm^-3、比抵抗
は１．４３×１０^-4Ω・cmであり、面積抵抗は５．３Ω
／□であった。［実施例４］この実施例に係る表示装置用電極板は、ド
ーパントとして酸化ジルコニウムに代えて酸化ハフニウ
ムを使用し、その配合量を０．７重量％とした他は実施
例３と同様である。

【００５３】得られた透明電極のキャリア移動度は３９
cm²/V・sec 、キャリア濃度は８．８×１０²⁰cm^-3、比
抵抗は１．８２×１０^-4Ω・cmであった。［実施例５］この実施例に係る表示装置用電極板は、ド
ーパントとして酸化ジルコニウムに代えて酸化チタンを
使用し、その配合量を０．２重量％とした他は実施例３
と同様である。

【００５４】得られた透明電極のキャリア移動度、キャ
リア濃度、比抵抗は上記実施例４の場合と略同様であっ
た。

【００５５】

【発明の効果】請求項１〜８に係る発明によれば、その
透明電極が互いに隣接して積層されたキャリア移動度の
高いキャリア高移動度薄膜とキャリア濃度の高いキャリ
ア高濃度薄膜の二層膜若しくは多層膜により構成されて
おり、上記二層膜若しくは多層膜の各薄膜が相互に作用
し合うため、全体としてその比抵抗及び面積抵抗を減少
させることが可能になる。

【００５６】従って、薄膜でしかも高い導電性を有する
透明電極を形成することができる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１に係る表示装置用電極板の断面説明
図。

【図２】実施例２に係る表示装置用電極板の断面説明
図。

【図３】実施例３に係る表示装置用電極板の断面説明
図。

【図４】従来における液晶ディスプレイの透明電極板の
断面図。

【符号の説明】

１１ガラス基板１２透明電極１２ａキャリア高濃度薄膜１２ｂキャリア高移動度薄膜１２ｃキャリア高濃度薄膜２１ガラス基板２２透明電極２２ａキャリア高濃度薄膜２２ｂキャリア高移動度薄膜３１ガラス基板３２透明電極３２ｂキャリア高移動度薄膜３２ｃキャリア高濃度薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明導電膜により構成された透明電極を基
板上に備える表示装置用電極板において、上記透明導電膜が、互いに隣接して積層されたキャリア
移動度の高いキャリア高移動度薄膜とキャリア濃度の高
いキャリア高濃度薄膜の二層膜若しくは多層膜により構
成されていることを特徴とする表示装置用電極板。
【請求項２】上記キャリア高移動度薄膜のキャリア移動
度が６０cm²/V・sec 以上であり、上記キャリア高濃度
薄膜のキャリア濃度が９×１０²⁰cm^-3以上であることを
特徴とする請求項１記載の表示装置用電極板。
【請求項３】上記透明導電膜が、ドーパントを添加した
酸化インジウム薄膜により構成されていることを特徴と
する請求項１又は２記載の表示装置用電極板。
【請求項４】上記ドーパントが酸化錫であることを特徴
とする請求項３記載の表示装置用電極板。
【請求項５】上記ドーパントが酸化ジルコニウムである
ことを特徴とする請求項３記載の表示装置用電極板。
【請求項６】上記ドーパントが酸化ハフニウムであるこ
とを特徴とする請求項３記載の表示装置用電極板。
【請求項７】上記ドーパントが酸化チタンであることを
特徴とする請求項３記載の表示装置用電極板。
【請求項８】上記キャリア高移動度薄膜がドーパントを
０〜３重量％添加した酸化インジウム薄膜により構成さ
れ、上記キャリア高濃度薄膜はドーパントを４重量％以
上添加した酸化インジウム薄膜により構成されているこ
とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の表示装
置用電極板。