JPH0869981A

JPH0869981A - 透明導電膜

Info

Publication number: JPH0869981A
Application number: JP20506194A
Authority: JP
Inventors: Kenzo Fukuyoshi; 健蔵福吉; Yukihiro Kimura; 幸弘木村; Koji Imayoshi; 孝二今吉
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1994-08-30
Filing date: 1994-08-30
Publication date: 1996-03-12

Abstract

(57)【要約】【目的】透過率及び導電性が良好な透明導電膜を提供す
る。【構成】すくなくとも、キャリア高移動度膜１２，１４
とキャリア高濃度膜１３とを構成に含む透明導電膜にお
いて、キャリア高移動度膜が、キャリア高移動度膜の基
材の金属酸化物の金属より仕事関数の小さい金属をドー
パントとして添加したキャリア高移動度膜であると、透
過率及び導電性が良好となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイや入
出力装置、プラズマディスプレイパネル他の表示装置に
用いられる透明導電膜の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ガラス、プラスチック、フィルム等の基
板上に可視光線を透過する透明電極が設けられた透明電
極板は、液晶ディスプレイ等の各種表示装置の表示用電
極やこの表示装置の表示画面から直接入力する入出力電
極に広く使用されている。

【０００３】例えば、液晶が用いられたディスプレイ装
置の透明電極板は、図５に示すようにガラス基板ｋと、
このガラス基板ｋ上の画素部位に設けられた画素毎にそ
の透過光を赤、緑、青にそれぞれ着色するカラーフィル
ター層ｌと、上記ガラス基板ｋ上の画素と画素との間の
部位（画素間部位）に設けられ、この部位からの光透過
を防止する遮光膜ｍと、上記カラーフィルター層ｌの全
面に設けられた保護層ｈと、この保護層ｈ上に成膜され
た透明電極ｇと、この透明電極ｇ上に成膜された配向膜
ｆとでその主要部が構成されている。そして、上記透明
電極ｇは、スパッタリングにより成膜され、所定のパタ
ーンにエッチングされた透明導電膜により構成されてい
る。

【０００４】この透明導電膜としては、その高い導電性
に着目して、酸化インジウムの中にドーパントとして酸
化錫を添加したＩＴＯ膜が広く利用されており、その比
抵抗はおよそ２．４×１０^-4Ω・cmである。

【０００５】また、このＩＴＯ膜の他にも、酸化錫膜、
この酸化錫に酸化アンチモンを添加して構成される薄膜
（ネサ膜）、酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加して構
成される薄膜等が知られているが、これはいずれも上記
ＩＴＯ膜よりその導電性が劣り、また、酸やアルカリ等
に対する耐薬品性あるいは耐水性等が不十分なため一般
には普及していない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ディス
プレイ装置や表示入力装置においては、近年、画素密度
を増大させて緻密な画面を表示することが求められ、こ
れに伴って上記透明電極パターンの緻密化が要求されて
おり、例えば１００μｍ程度のピッチで上記透明電極の
端子部を構成することが要求されている。また、液晶デ
ィスプレイ装置において基板に液晶駆動用ＩＣが直接実
装される方式（ＣＯＧ）においては、配線の引き回しが
幅２０〜５０μｍという細線となる部分があり、従来に
ない高度のエッチング加工適性が要求されている。

【０００７】また、その一方で表示画面の大型化も求め
られており、このような大画面について上述したような
緻密パターンの透明電極を形成し、しかも液晶に充分な
駆動電圧を印加できるようにするためには、上記透明電
極として高い導電性を備えた透明導電膜を適用する必要
があった。

【０００８】この透明導電膜の導電性は、一般に面積抵
抗（Ω／□）で表され（面積抵抗は面積導電率の逆数で
ある）、例えば、その値として５Ω／□程度という低い
面積抵抗が要求されている。さらに、液晶駆動用ＩＣの
ガラス基板への直接実装や、液晶画面の高精細化にとも
なってさらに低い抵抗が要求されつつある。尚、この面
積抵抗は上述の比抵抗を透明導電膜の厚みで割った値で
表される。

【０００９】そして、上記透明導電膜の面積導電率は、
導電率（導電率は上記比抵抗の逆数で表される）と膜厚
の積で表現され、この導電率σ（Ω^-1・cm^-1）は、膜に
含まれるキャリア（電子又は正孔）の持つ電荷ｅ（クー
ロン）とこのキャリアの移動度μ（cm²／Ｖ・ｓｅｃ）
及びキャリアの濃度ｎ（cm^-3）の積で表現される。

【００１０】 σ（Ω^-1・cm^-1）＝ｅ・μ・ｎ（１）

【００１１】従って、この（１）式より上記透明導電膜
の導電率を向上させ、その比抵抗と面積抵抗とを低下さ
せるためには、移動度μ（cm²／Ｖ・ｓｅｃ）又はキャ
リアの濃度ｎ（cm^-3）のいずれか一方またはその双方を
増大させればよい訳である。

【００１２】そして、上記透明導電膜として汎用されて
いるＩＴＯ膜においては、上述したように酸化錫が酸化
インジウムのドーパントでありこのドーパントがキャリ
アであるエレクトロンの生成に関与していることから、
上記酸化錫の量を増加させればキャリアの濃度ｎ（c
m^-3）が増大し、これに伴い導電率と面積導電率が増大
して面積抵抗が減少すると予想される。

【００１３】キャリア濃度アップをはかる簡便法とし
て、ＩＴＯなどの透明導電膜の一部の構成として金、
銀、銅に代表される良導体の金属の１０nm程の薄膜を挿
入すると良く、これによりキャリア濃度がＩＴＯ単体の
およそ３〜６倍にアップする。この銀薄膜のサンドイッ
チ構成の透明導電膜の面積抵抗値は、およそ５〜１０Ω
／□の範囲であった。

【００１４】しかしながら、ＶＧＡと呼ばれる６４０×
４８０画素の単純マトリクス型のディスプレイにて階調
表示を行うには３Ω／□以下、理想的には２Ω／□以下
が必要である。さらに高精細・大型のＸＧＡやＥＷＳと
呼ばれるディスプレイでは、３〜１Ω／□のきわめて低
い抵抗値が、透明導電膜に要求される。

【００１５】銀薄膜をＩＴＯにてサンドイッチする構成
では、銀を５０nm以上の膜厚にすると１Ω／□前後の低
い抵抗値を得ることができるが、銀を２０nm以上厚くす
ると光の透過率が極端に悪くなるため、銀の２０nm以上
の膜厚設定は実用上困難である。４〜１０Ω／□のレベ
ルの、銀薄膜のサンドイッチ構成透明導電膜では、従来
のＩＴＯ単層の透明導電膜と抵抗値の上では大差なく、
銀薄膜を挿入することによる成膜装置のコスト高や、成
膜の管理、エッチングによるパターン加工の難しさを考
慮すると、ＩＴＯ単層の透明導電膜の方が、むしろ使い
易いものであった。金属酸化物である透明電極と金属薄
膜の２〜３層の積層構成は、特公平１−１２６６３号、
特開昭６１−２５１２５号などにより試みられている
が、上記理由により液晶表示装置用透明導電膜として実
用化されていなかった。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
の結果、次の２点の新しい事実を見い出した。（１）キャリア高移動度膜の成膜方法酸化錫などの、いわば不純物を含まない酸化インジウム
は、本来キャリア移動度が高いはずであるが、スパッタ
リングなどの成膜において、キャリア移動度もキャリア
濃度も低く、酸化錫をドープしたＩＴＯ膜と比較して比
抵抗は１０倍程悪いものが一般的である。本発明者ら
は、スパッタリング成膜において、酸化インジウムは無
加熱等の低い基板温度で成膜後、１８０℃以上の温度で
アニール処理（熱処理）することにより、高いキャリア
移動度の酸化インジウム膜となることを見い出した。成
膜時の基板温度を例えば、２００℃、２５０℃、あるい
は室温成膜のみ（アニールなし）とすると、表１に示す
ように高移動度を得ることができない。

【００１７】

【表１】

【００１８】（２）低抵抗化の手法低抵抗化の目的を達成するため本発明者等が鋭意研究を
重ねたところ、以下のような技術的発見をなすに至っ
た。すなわち、キャリア濃度ｎ（cm^-3）とキャリア移動
度μ（cm²／Ｖ・ｓｅｃ）が共に異なる２つの透明導電
膜を互いに隣接するように積層して２層の透明電極を形
成し、この２層透明電極の導電率について材料を変えて
各々測定したところ、その一方の透明導電膜（Ｍ）のキ
ャリア移動度μ_m（cm²／Ｖ・ｓｅｃ）が他方の透明導
電膜（Ｃ）のキャリア移動度μ_cに比べて充分に大き
く、かつ、他方の透明導電膜（Ｃ）のキャリア濃度ｎ_C
（cm^-3）が上記一方の透明導電膜（Ｍ）のキャリア移動
度ｎ_mに比べて充分に大きい場合、透明電極全体の導電
率σ（Ω^-1・cm^-1）は、それぞれの透明導電膜単体の導
電率σ_m＝ｅ・μ_m・ｎ_m、及び、σ_c＝ｅ・μ_c・ｎ
_cのいずれよりも大きくなり、しかも上記透明電極を２
層以上の多層で構成した場合にも同様に大きくなること
を発見することができた。

【００１９】キャリア高濃度膜として銀の薄膜を、キャ
リア高移動度膜としてＩＴＯや酸化インジウム（以下Ｉ
Ｏと略称する）を用いる場合、可視光域４００nm〜７０
０nmにおいて、短波長側と長波長側で吸収ないし反射が
生じ、透過率の減少を伴い易い。〔ＩＴＯ（膜厚４０
nm）／Ａｇ（膜厚１５nm）／ＩＴＯ（膜厚４０nm）〕及
び〔ＩＯ（膜厚４０nm）／Ａｇ（膜厚１５nm）／ＩＯ
（膜厚４０nm）〕の構成において、短波長側４４０nmで
の透過率はそれぞれ７２％、７４％と低く、長波長
側６１０nmでの透過率はそれぞれ８２％、８５％と
低めである。一般的に液晶ディスプレイに用いられる透
明電極としては、可視光域では８８％以上の透過率が要
求され、単純に銀の薄膜をサンドイッチにした透明電極
の構成では、十分な透過率を得にくいものであった。な
お、波長４４０nm、５４０nm、６１０nmは液晶ディスプ
レイの光源として用いられるそれぞれ青色、緑色、赤色
のほぼ主波長である。

【００２０】本発明者らは、キャリア高濃度膜としての
銀と、キャリア高移動度膜としてのＩＯやＩＴＯと仕事
関数（φ，単位ｅＶ．フェルミ準位にある電子が真空準
位まで持ちあげるに必要なエネルギー）に差がある場合
に、それらの界面である種の拡散電位が生じているか、
もしくは、表面（界面）準位のディストーションが生じ
ていると仮定した。ＩＴＯ、ＩＯなど銀ほど電子（キャ
リア）濃度が高くない物質では、バルク内部のポテンシ
ャルが仕事関数に対して支配的であるため、そのバルク
内に低い仕事関数の不純物準位を形成してやることによ
り、仕事関数を下げることができる。本発明者らは、以
下に記載するように低仕事関数の低いドーパントを添加
することにより、キャリア高移動度膜とキャリア高濃度
膜を構成に含む透明導電膜の透過率を向上させ、かつ、
抵抗値を減少させることができた。

【００２１】本発明のキャリア高濃度膜としての銀合金
は、ガラス基板や酸化インジウムとの密着性を向上させ
るため、銀にIIIa族〜VIIa族の遷移金属を微量添加した
合金であっても良い。銅や金を銀に適量添加しても良
い。

【００２２】本発明の要点は、キャリア高移動度膜の仕
事関数がキャリア高濃度膜の仕事関数の大きさに近づく
よう、キャリア−高移動度膜に、仕事関数の小さいドー
パントを添加せしめることにある。

【００２３】従って本発明は、すくなくともキャリア高
移動度膜とキャリア高濃度膜とを構成に含む透明導電膜
において、キャリア高移動度膜が、キャリア高移動度膜
の基材の金属酸化物の金属より仕事関数の小さい金属を
ドーパントとして添加したキャリア高移動度膜であるこ
とを特徴とする透明導電膜であり、また、請求項２に係
る発明は、キャリア高移動度膜が、酸化インジウムを基
材とし、かつインジウムより仕事関数の小さい金属を金
属酸化物の形で添加したキャリア高移動度膜であること
を特徴とする透明導電膜である。

【００２４】インジウムより仕事関数の小さい金属は、
周期表のIVa 族（例えば、チタン、ジルコニウム、ハフ
ニウム）、IIIa側（例えば、スカンジウム、イットリウ
ム）、さらにランタナイド系の金属（例えば、セリウ
ム）がある。この他に、仕事関数の小さい金属にはＩａ
族アルカリ金属やIIａ族アルカリ土金属があるが、これ
らはインジウムより価数が小さくなるのでドーパントと
しては好しくない。表２に各金属の仕事関数の値を記す
る。

【００２５】

【表２】

【００２６】これら仕事関数の小さい金属は、真空成膜
において、酸化インジウム（あるいは金属インジウム）
と別な蒸発源から共スパッタ、共蒸着等の多元蒸着の手
法をとっても良い。金属酸化物の形で酸化インジウムに
分散・成形した酸化物混合体（セラミック状）を出発材
料として用い、スパッタリング成膜を行うのが簡便であ
る。ただし、キャリア高移動度膜は、その膜の中に多量
のイオン化不純物や中性不純物を含有すると、不純物散
乱により移動度が低下してしまうため、上記仕事関数の
小さい金属の酸化インジウムに対する添加量は２０ｗｔ
％以下に抑えることが望しい。なお、金属の仕事関数
は、電気陰性度、イオン化エネルギー、電子親和力など
とある程度関係があり、これらの値も参考にできる。

【００２７】請求項３に係る発明は、良導体でかつキャ
リア濃度が高くまた、薄膜状態で光の透過率の良い銀な
いし銀合金を選定したものである。銀ないし銀合金の膜
厚は、２nm〜２０nmの範囲が適当である。２０nmを超え
ると光の透過率が悪くなり、２nm未満の薄膜では透明導
電膜に十分なキャリアを補給できず、透明導電膜の大幅
な低抵抗化が期待できない。

【００２８】請求項４に係る発明は、液晶表示装置の高
品質表示を考慮したものである。単純マトリクスタイプ
の液晶表示装置において、駆動回路に負担をかけずに階
調表示を行う場合、あるいは均質でムラのない表示を行
う場合、透明導電膜の面積抵抗値は実用的には３Ω／□
以下が必要である。３Ω／□以下のきわめて低い抵抗値
でかつ高い透過率をもつ透明導電膜が、本発明により達
成可能となった。

【００２９】また、ＴＦＴに代表されるアクティブマト
リクスタイプの液晶表示装置に用いる透明導電膜の抵抗
値は、単純マトリクスタイプのものと比較し、低抵抗を
あまり必要とせず、１０Ω／□レベルで十分である。し
かし、ＴＦＴは画素の開口率が単純マトリクスやＭＩＭ
方式とくらべると小さいため、その分透明導電膜には高
い透過率を要求する。請求項５に係る発明はこの点を考
慮したものである。本発明の透明導電膜は、キャリア高
濃度膜である銀の膜厚を１５nm前後とすると光の波長４
４０nm、５４０nm、６１０nmでガラスの基板をレファレ
ンスとした透過率でほぼ８８％以上となり、同様に銀の
膜厚を９nm前後とするとほぼ９２％以上となりきわめて
高い透過率を確保できる。

【００３０】本発明の透明導電膜の全体膜厚は、３００
nm以下であることが液晶の配向を考慮する上で好しい。
３００nmをこえると透明導電膜のパターンのエッヂ付近
で液晶の配向不良を生じやすくなる。

【００３１】本発明のキャリア高移動度膜では、銀ない
し銀合金膜を狭持する形の構成において、片側の膜厚を
変えても良い。酸によるエッチングを考慮して、ガラス
等の基板と接する側のキャリア高移動度膜を薄く形成し
ても良い。また、本発明のキャリア高移動度膜は、その
液晶の配向面を例えば（２２２）面や（４００）面など
同一にそろえた方が電子であるキャリアの移動に有利で
ある。

【００３２】本発明の透明導電膜は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法などの周知の方
法で成膜することが可能である。また成膜に先立って基
板表面をプラズマや紫外線で処理することによりこの基
板と透明導電膜の密着力の向上を図ることができる。な
お、周知のフォトリソプロセスに従ってパターニングす
ることにより、透明導電膜のパターンを形成することが
可能である。

【００３３】本発明に係る透明導電膜は、キャリア高移
動度膜とキャリア高濃度膜からなる２層でこれを構成し
ても良いが、キャリア高移動度膜とキャリア高濃度膜を
交互に積層して３層以上の多層膜としても良い。例え
ば、キャリア高濃度膜の膜厚をキャリアの平均自由工程
の長さ以下に設定して複数層に分けて構成しても良い。
なお、生産面や透過率を考慮した場合にはキャリア高濃
度膜を中間に狭持した３層構成が有利である。

【００３４】また、本発明において、透明導電膜の支持
体となる基板としては、ガラス、セラミック、プラスチ
ックフィルム、プラスチックボード等が適用でき、黒
色、白色、あるいはその他の色に着色されたものであっ
てよい。また、放熱性や剛性を改善するために、あるい
は光の反射を目的として、金属板や金属フィルムで裏打
ちされた基板を使用することも可能である。また、支持
体となる基板の上に透過光を着色するカラーフィルター
層を設けたり、あるいはこのカラーフィルター層上に、
このカラーフィルター層の保護層として無機や有機の膜
を積層した構成でも良い。なお、このようなカラーフィ
ルター層としては、有機顔料を色材として感光性樹脂中
に分散させた着色フォトレジストを使用しフォトリソプ
ロセスで形成した顔料分散方式のカラーフィルター層
や、印刷方式で形成したカラーフィルター層、電着方式
で形成したカラーフィルター層が例示できる。

【００３５】なお、本発明の透明導電膜の用途は表示素
子用途のみならず、熱線反射膜、電磁波シールド、太陽
電池、反射防止膜（可視光域）などの他の用途に用いる
ことができる。

【００３６】

【作用】本発明によれば、キャリア高移動度膜とキャリ
ア高濃度膜とを構成に含む透明導電膜において、キャリ
ア高移動度膜に仕事関数の小さい金属をドーパントとし
て添加することによって、より透過率の高い透明導電膜
を得ることができる。

【００３７】

【実施例】以下、実施例に基付いて詳細に説明する。

【００３８】（実施例１）実施例１に係る透明導電膜
は、図１に示すように、厚さ０．７mmのガラス基板１１
上に、厚さ９５nmの本発明による透明導電膜１０を、幅
２８５μｍ、ピッチ３００μｍのストライプパターンに
配設してある。透明導電膜１０の構成は、ガラス基板１
１と接する方から酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）を１．
０ｗｔ％含む酸化インジウムによる膜厚４０nmのキャリ
ア高移動度膜１２と、膜厚１５nmの銀のキャリア高濃度
膜１３と、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）を１．０ｗｔ
％含む酸化インジウムによる膜厚４０nmのキャリア高移
動度膜１４の構成となっている。

【００３９】そして、この透明導電膜１０は、以下の工
程により製造したものである。アルカリ系界面滑性剤及
び水などによる洗浄を施した厚さ０．７mmのガラス基板
を真空槽内にて逆スパッタリングと呼ぶプラズマ処理に
て基板の表面をクリーニング後、真空を保持したまま、
キャリア高移動度膜１２とキャリア高濃度膜１３と、キ
ャリア高移動度膜１４をスパッタリングにより連続成膜
した。キャリア高移動度膜はジルコニア（ＺｒＯ₂）を
１．０ｗｔ％含む酸化インジウムの高密度ターゲットを
用いて、磁場強度１１００ガウスのＤＣマグネトロンス
パッタリングにより成膜した。次に周知のフォトリソプ
ロセスの手法に従い、ストライプパターンに加工し、さ
らに２５０℃１時間熱処理して透明導電膜１０とした。
透明導電膜１０の面積抵抗値は２．６Ω／□ときわめて
低抵抗であった。透過率も可視光５４０nmで９６％あ
り、きわめて良好であった。

【００４０】実施例１による本発明の透明導電膜と、
比較例として〔ＩＯ／Ａｇ／ＩＯ〕及び〔ＩＴＯ／
Ａｇ／ＩＴＯ〕の透過率及び面積抵抗値を表３に示し
た。膜厚はＩＺＯ、ＩＯ、ＩＴＯいずれも片側４００n
m、銀を１５nmとして合計９５nmとそろえてある。ま
た、４００nm〜７００nmの範囲の分光カーブを図２に示
した。

【００４１】

【表３】

【００４２】（注）ＩＺＯは本発明の実施例１の酸化ジ
ルコニウムをドーパントとした酸化インジウム膜を意味
する。

【００４３】実施例１において、キャリア高濃度膜の銀
の膜厚を１５nmとしたが８nm〜１０nm前後と薄くするこ
とにより、光の波長６１０nmでの透過率をおよそ３〜６
％向上させることができる。ＴＦＴのような透明導電膜
に低抵抗を要求しない液晶ディスプレイや、熱線反射膜
などは銀の膜厚を薄くした透明導電膜とすれば良い。ま
た、キャリア高移動膜の屈折率が成膜条件や装置によっ
て若干変動する場合、所望の分光特性を得るために、キ
ャリア高移動度膜の膜厚を調整することが望しい。

【００４４】（実施例２）実施例２に係る透明導電膜
は、実施例１と同様に図１に示すように厚さ０．７mmの
ガラス基板１１上に、厚さ９５nmの本発明による透明導
電膜１０を幅２８５μｍ、ピッチ３００μｍのストライ
プパターンに配設してある。透明導電膜１０の構成は、
ガラス基板１１と接する方から酸化ハフニウム（ＨｆＯ
₂）を０．７ｗｔ％含む酸化インジウムによる膜厚４０
nmのキャリア高移動度膜１２と、膜厚１５nmの銀のキャ
リア高濃度膜１３と、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）を
０．７ｗｔ％含む酸化インジウムによる膜厚４０nmのキ
ャリア高移動度膜１４の構成となっている。

【００４５】そして、この透明導電膜１０は、実施例１
と同様の工程により製造したものである。透明導電膜１
０の代表的な特性を表４に示した。また、実施例２の透
明導電膜の分光特性は図３に示した。

【００４６】

【表４】

【００４７】（注）ＩＨＯは本発明の実施例２の酸化ハ
フニウムをドーパントとした酸化インジウム膜を意味す
る。

【００４８】（実施例３）実施例３に係る透明導電膜
は、厚さ１mmのガラス基板１１上に、厚さ９３nmの本発
明による透明導電膜１０を、実施例１と同じスパッタリ
ングによる成膜法で形成した。透明導電膜１０は、ガラ
ス基板１１と接する方から酸化ジルコニウムを１．０ｗ
ｔ％含む酸化インジウムによる膜厚４１．５nmのキャリ
ア高移動度膜１２と、膜厚１０nmの銀のキャリア高濃度
膜１３と、酸化ジルコニウムを１．０ｗｔ％含む酸化イ
ンジウムによる膜厚４１．５nmのキャリア高移動度膜１
４の３層構成となっている。当透明導電膜１０を２２０
℃×１ｈｒ熱処理し、本発明の透明導電膜とした。

【００４９】実施例３の透明導電膜１０の代表的な特性
を表５に示した。また、分光特性を図４に示した。

【００５０】

【表５】

【００５１】（注）ＩＺＯは本発明の実施例２の酸化ジ
ルコニウムをドーパントとした酸化インジウム膜を意味
する。

【００５２】

【発明の効果】請求項１〜５に係る発明によれば、キャ
リア高濃度膜である銀ないし銀合金と、仕事関数の低い
ドーパントを含むキャリア高移動度膜にて透明導電膜を
形成することにより、３Ω／□以下のきわめて低抵抗に
て高透過率の透明導電膜を提供できることになった。単
純マトリクスやＭＩＭ（ＴＦＤ）などの液晶表示装置に
おいて、クロストークや表示ムラのない高品質の表示に
大きく貢献することとなった。また、ＴＦＴの液晶表示
装置においても、従来より透過率の高い透明導電膜を提
供でき、明るい表示に貢献できることとなった。さら
に、膜厚が１００nm前後と、従来の１０Ω／□以下仕様
のＩＴＯの１／３〜１／２の薄さとなり材料費の節減及
び生産性の向上につながる副次効果がある。

【００５３】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１、実施例２に係る透明導電膜の断面図
である。

【図２】実施例１に係る本発明による透明導電膜の分光
特性及び、従来技術による透明導電膜の分光作成、
を示すグラフ図である。

【図３】実施例２に係る透明導電膜の分光特性を示すグ
ラフ図である。

【図４】実施例２に係る透明導電膜の分光特性を示すグ
ラフ図である。

【図５】従来技術による表示装置用基板の断面図であ
る。

【符号の説明】

１１基板１２，１４キャリア高移動度膜１３キャリア高濃度膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】すくなくとも、キャリア高移動度膜とキャ
リア高濃度膜とを構成に含む透明導電膜において、キャ
リア高移動度膜が、キャリア高移動度膜の基材の金属酸
化物の金属より仕事関数の小さい金属をドーパントとし
て添加したキャリア高移動度膜であることを特徴とする
透明導電膜。
【請求項２】キャリア高移動度膜が、酸化インジウムを
基材とし、かつインジウムより仕事関数の小さい金属を
金属酸化物の形で添加したキャリア高移動度膜であるこ
とを特徴とする請求項１の透明導電膜。
【請求項３】キャリア高濃度膜が、銀ないし銀合金であ
ることを特徴とする請求項１、請求項２の透明導電膜。
【請求項４】透明導電膜の面積抵抗値が３Ω／□以下で
あることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３の
透明導電膜。
【請求項５】光の波長４４０nm、５４０nm、６１０nmで
の透明導電膜の透過率が８８％以上であることを特徴と
する請求項１、請求項２、請求項３、請求項４の透明導
電膜。