JP2003138257A - 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置 - Google Patents
高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置Info
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- JP2003138257A JP2003138257A JP2001341286A JP2001341286A JP2003138257A JP 2003138257 A JP2003138257 A JP 2003138257A JP 2001341286 A JP2001341286 A JP 2001341286A JP 2001341286 A JP2001341286 A JP 2001341286A JP 2003138257 A JP2003138257 A JP 2003138257A
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- metal oxide
- whiskers
- base material
- fluorescent structure
- oxide fluorescent
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度が大幅に改善されたウイスカーを有する
金属酸化物蛍光構造体、及びその製造方法ならびに製造
装置を提供する。 【解決手段】 円近似断面径が０．０１〜１００μｍ
で、円近似断面径に対する長さの比が1以上である金属
酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体におい
て、ウイスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる
元素を含む賦活剤を含有するとともに高輝度蛍光特性を
有することを特徴とする金属酸化物蛍光構造体である。
金属酸化物蛍光構造体、及びその製造方法ならびに製造
装置を提供する。 【解決手段】 円近似断面径が０．０１〜１００μｍ
で、円近似断面径に対する長さの比が1以上である金属
酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体におい
て、ウイスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる
元素を含む賦活剤を含有するとともに高輝度蛍光特性を
有することを特徴とする金属酸化物蛍光構造体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は輝度が大幅に改善さ
れたウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体、その製
造方法及び製造装置に関する。
れたウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体、その製
造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物は、セラミックコンデンサ
ー、アクチュエーター、光波長変換素子、レーザー発振
素子、冷陰極素子等の電子材料や光材料、抗菌、防汚効
果等を目的とする表面改質剤、気相や液相やその両方の
相における触媒やその担体等幅広い用途に使用されてい
る。そして、これらの用途に使用する金属酸化物として
は、容積当たりの表面積が大きいものが求められてい
る。本発明者らは、加熱された基材表面に気化された金
属化合物をキャリアガスとともに大気圧開放下で吹き付
けることによって、狭い面積に多数のウイスカーを有す
る金属酸化物構造体が得られることを見出し、先に提案
した。(特開２０００−５８３６５号公報等)
ー、アクチュエーター、光波長変換素子、レーザー発振
素子、冷陰極素子等の電子材料や光材料、抗菌、防汚効
果等を目的とする表面改質剤、気相や液相やその両方の
相における触媒やその担体等幅広い用途に使用されてい
る。そして、これらの用途に使用する金属酸化物として
は、容積当たりの表面積が大きいものが求められてい
る。本発明者らは、加熱された基材表面に気化された金
属化合物をキャリアガスとともに大気圧開放下で吹き付
けることによって、狭い面積に多数のウイスカーを有す
る金属酸化物構造体が得られることを見出し、先に提案
した。(特開２０００−５８３６５号公報等)
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プラズマディスプレイ
パネルや蛍光灯には、微粒子からなる蛍光体を利用し、
ここから得られる発光を利用して、動画や照明を提供し
ている。これらの微粒子はバインダーで発光素子内壁に
固定されているので、バインダーで覆われている箇所の
発光効率が劣るという欠点を有している。さらに、発光
に寄与する賦活剤の添加量をある一定値以上にすると、
逆に発光効率が落ちるといった現象（濃度消光）が見ら
れる。これまでこのような問題点があり、蛍光体の発光
効率はほぼ頭打ちになっている。本発明は、これらの従
来技術の問題点を解消して、輝度が大幅に改善されたウ
イスカーを有する金属酸化物蛍光構造体、及びその製造
方法ならびに製造装置を提供することを目的とする。
パネルや蛍光灯には、微粒子からなる蛍光体を利用し、
ここから得られる発光を利用して、動画や照明を提供し
ている。これらの微粒子はバインダーで発光素子内壁に
固定されているので、バインダーで覆われている箇所の
発光効率が劣るという欠点を有している。さらに、発光
に寄与する賦活剤の添加量をある一定値以上にすると、
逆に発光効率が落ちるといった現象（濃度消光）が見ら
れる。これまでこのような問題点があり、蛍光体の発光
効率はほぼ頭打ちになっている。本発明は、これらの従
来技術の問題点を解消して、輝度が大幅に改善されたウ
イスカーを有する金属酸化物蛍光構造体、及びその製造
方法ならびに製造装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するために、次のような構成をとるものである。 １．円近似断面径が０．０１〜１００μｍで、円近似断
面径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイ
スカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカー
がウイスカーを構成する母材とは異なる元素を含む賦活
剤を含有することにより高輝度蛍光特性を有することを
特徴とする金属酸化物蛍光構造体。 ２．ウイスカーが金属酸化物面上の１０μｍ×１０μｍ
の面積当たり０．１〜１００００個の密度で存在するこ
とを特徴とする１に記載の金属酸化物蛍光構造体。 ３．ウイスカーが母材中に賦活剤を均一に分散した状態
で含有することを特徴とする１又は２に記載の金属酸化
物蛍光構造体。 ４．ウイスカーがウイスカーの長軸方向に沿って一貫し
た性状を有することを特徴とする１〜３のいずれかに記
載の金属酸化物蛍光構造体。 ５．ウイスカーを構成する母材元素および賦活剤に含ま
れる異種元素が、周期律表において水素を除く１族、２
族、ホウ素を除く１３族、炭素を除く１４族、窒素とリ
ンと砒素を除く１５族及び３，４，５，６，７，８，
９，１０，１１，１２族から選ばれる少なくとも一種の
金属を含むものであることを特徴とする１〜４のいずれ
かに記載の金属酸化物蛍光構造体。 ６．金属がＹ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ，
Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｉ,Ｓｒ，Ｇａ，Ｙｂ，Ｃｒ，Ｃ
ｅ，Ｐｂ及びＷから選ばれたものであることを特徴とす
る５に記載の金属酸化物蛍光構造体。 ７．有機物質、無機物質、金属から選ばれる材料でウイ
スカーの間を充填したことを特徴とする１〜６のいずれ
かに記載の金属酸化物蛍光構造体。 ８．気化させた金属酸化物ウイスカー母材構成元素を含
むガスと気化させた母材とは異なる元素を含むガスを、
キャリアガスとともに均一に混合した後に、大気圧開放
下に加熱された基材表面に吹き付けて基材表面に円近似
断面径が０．０１〜１００μｍで、円近似断面径に対す
る長さの比が１以上である金属酸化物のウイスカーを有
する金属酸化物構造体を堆積することを特徴とする１〜
７のいずれかに記載の金属酸化物蛍光構造体の製造方
法。 ９．さらに、得られた金属酸化物蛍光構造体のウイスカ
ーの間を有機物質、無機物質、金属から選ばれる材料で
充填することを特徴とする８に記載の金属酸化物蛍光構
造体の製造方法。 １０．酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器、該母
材とは異なる元素の気化器、気化させた母材及び母材と
は異なる元素をキャリアガスとともに均一に混合する原
料混合器、混合原料ガスを噴出するノズル及び基材加熱
台を有することを特徴とする１〜７のいずれかに記載の
金属酸化物蛍光構造体の製造装置。
解決するために、次のような構成をとるものである。 １．円近似断面径が０．０１〜１００μｍで、円近似断
面径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイ
スカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカー
がウイスカーを構成する母材とは異なる元素を含む賦活
剤を含有することにより高輝度蛍光特性を有することを
特徴とする金属酸化物蛍光構造体。 ２．ウイスカーが金属酸化物面上の１０μｍ×１０μｍ
の面積当たり０．１〜１００００個の密度で存在するこ
とを特徴とする１に記載の金属酸化物蛍光構造体。 ３．ウイスカーが母材中に賦活剤を均一に分散した状態
で含有することを特徴とする１又は２に記載の金属酸化
物蛍光構造体。 ４．ウイスカーがウイスカーの長軸方向に沿って一貫し
た性状を有することを特徴とする１〜３のいずれかに記
載の金属酸化物蛍光構造体。 ５．ウイスカーを構成する母材元素および賦活剤に含ま
れる異種元素が、周期律表において水素を除く１族、２
族、ホウ素を除く１３族、炭素を除く１４族、窒素とリ
ンと砒素を除く１５族及び３，４，５，６，７，８，
９，１０，１１，１２族から選ばれる少なくとも一種の
金属を含むものであることを特徴とする１〜４のいずれ
かに記載の金属酸化物蛍光構造体。 ６．金属がＹ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ，
Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｉ,Ｓｒ，Ｇａ，Ｙｂ，Ｃｒ，Ｃ
ｅ，Ｐｂ及びＷから選ばれたものであることを特徴とす
る５に記載の金属酸化物蛍光構造体。 ７．有機物質、無機物質、金属から選ばれる材料でウイ
スカーの間を充填したことを特徴とする１〜６のいずれ
かに記載の金属酸化物蛍光構造体。 ８．気化させた金属酸化物ウイスカー母材構成元素を含
むガスと気化させた母材とは異なる元素を含むガスを、
キャリアガスとともに均一に混合した後に、大気圧開放
下に加熱された基材表面に吹き付けて基材表面に円近似
断面径が０．０１〜１００μｍで、円近似断面径に対す
る長さの比が１以上である金属酸化物のウイスカーを有
する金属酸化物構造体を堆積することを特徴とする１〜
７のいずれかに記載の金属酸化物蛍光構造体の製造方
法。 ９．さらに、得られた金属酸化物蛍光構造体のウイスカ
ーの間を有機物質、無機物質、金属から選ばれる材料で
充填することを特徴とする８に記載の金属酸化物蛍光構
造体の製造方法。 １０．酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器、該母
材とは異なる元素の気化器、気化させた母材及び母材と
は異なる元素をキャリアガスとともに均一に混合する原
料混合器、混合原料ガスを噴出するノズル及び基材加熱
台を有することを特徴とする１〜７のいずれかに記載の
金属酸化物蛍光構造体の製造装置。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明におけるウイスカーとは、
円近似断面径が０．０１〜１００μｍ(平均値：以下同
様)で、円近似断面径に対する長さの比(アスペクト比)
が１以上である略棒状の構造を有するものを意味する。
また、ウイスカーの長さとは、ウイスカーが面上から実
質的に突起する位置(基部)から先端部までの長さを意味
し、円近似断面径はウイスカーの長さの１／２の位置に
おいて測定する。この円近似断面径は、例えば画像解析
等による従来公知の方法で断面積を求め、得られた面積
を円周率πで除したものの平方根の２倍の値で表され
る。
円近似断面径が０．０１〜１００μｍ(平均値：以下同
様)で、円近似断面径に対する長さの比(アスペクト比)
が１以上である略棒状の構造を有するものを意味する。
また、ウイスカーの長さとは、ウイスカーが面上から実
質的に突起する位置(基部)から先端部までの長さを意味
し、円近似断面径はウイスカーの長さの１／２の位置に
おいて測定する。この円近似断面径は、例えば画像解析
等による従来公知の方法で断面積を求め、得られた面積
を円周率πで除したものの平方根の２倍の値で表され
る。
【０００６】ウイスカーの円近似断面径が、０．０１未
満の場合には、成長したウイスカーを得ることが困難で
あり、１００μｍを超えた場合には、表面積増加による
所望の特性を得ることが難しくなる。この円近似断面径
は、０．０５〜５０μｍ、特に０．１〜１０μｍとする
ことが好ましい。ウイスカーの長さは、使用する用途に
より任意に選択されるが、通常は０．１〜１０００μｍ
(平均値)、好ましくは１〜５００μｍである。また、ア
スペクト比は１以上、好ましくは５以上であり、アスペ
クト比が小さすぎるとウイスカーによる表面積増加の効
果が現れない。
満の場合には、成長したウイスカーを得ることが困難で
あり、１００μｍを超えた場合には、表面積増加による
所望の特性を得ることが難しくなる。この円近似断面径
は、０．０５〜５０μｍ、特に０．１〜１０μｍとする
ことが好ましい。ウイスカーの長さは、使用する用途に
より任意に選択されるが、通常は０．１〜１０００μｍ
(平均値)、好ましくは１〜５００μｍである。また、ア
スペクト比は１以上、好ましくは５以上であり、アスペ
クト比が小さすぎるとウイスカーによる表面積増加の効
果が現れない。
【０００７】ウイスカーは、１０μｍ×１０μｍの面積
当たり０．１〜１００００個、特に１〜１０００個の割
合で密集状に存在することが好ましい。この割合が小さ
い場合には、ウイスカーによる表面積増加の効果が乏し
く、大きすぎる場合には成長したウイスカーを得ること
が困難となる。ウイスカーの形状としては、根元部分か
ら先端部分まで径が変わらないもの、根元部分からある
距離まで径が変わらないもの、ウイスカーの根元部分の
径が小さく先端部に行くにつれ一度径が大きくなった後
再度径が少しずつ減少していくもの、ウイスカーの根元
部分から先端部分に行くにつれ径が少しずつ減少してい
くもの、先端近くのある距離から角錐又は角錐台や円錐
又は円錐台や半球のような形状を取っているもの等、及
びこれらの組み合わせが挙げられる。好ましくは角柱
状、あるいは、ウイスカーの根元部分の径が小さく一旦
径が大きくなった後角柱状の形状を取るもの等である。
角柱状の場合、具体的な形状は結晶構造により異なる
が、例えば、金属酸化物が酸化亜鉛の場合は六角柱、酸
化イットリウムの場合は四角柱あるいは六角柱、酸化チ
タンの場合は四角柱となることが多い。また、それ以外
の多角形の断面形状を持つ角柱であっても差し支えな
い。一本の角柱の中で、向かい合った面同士が相互に平
行でなくてもよい。
当たり０．１〜１００００個、特に１〜１０００個の割
合で密集状に存在することが好ましい。この割合が小さ
い場合には、ウイスカーによる表面積増加の効果が乏し
く、大きすぎる場合には成長したウイスカーを得ること
が困難となる。ウイスカーの形状としては、根元部分か
ら先端部分まで径が変わらないもの、根元部分からある
距離まで径が変わらないもの、ウイスカーの根元部分の
径が小さく先端部に行くにつれ一度径が大きくなった後
再度径が少しずつ減少していくもの、ウイスカーの根元
部分から先端部分に行くにつれ径が少しずつ減少してい
くもの、先端近くのある距離から角錐又は角錐台や円錐
又は円錐台や半球のような形状を取っているもの等、及
びこれらの組み合わせが挙げられる。好ましくは角柱
状、あるいは、ウイスカーの根元部分の径が小さく一旦
径が大きくなった後角柱状の形状を取るもの等である。
角柱状の場合、具体的な形状は結晶構造により異なる
が、例えば、金属酸化物が酸化亜鉛の場合は六角柱、酸
化イットリウムの場合は四角柱あるいは六角柱、酸化チ
タンの場合は四角柱となることが多い。また、それ以外
の多角形の断面形状を持つ角柱であっても差し支えな
い。一本の角柱の中で、向かい合った面同士が相互に平
行でなくてもよい。
【０００８】本発明のウイスカーを有する金属酸化物蛍
光構造体は、ウイスカーがウイスカーを構成する母材と
は異なる元素を含む賦活剤を含有することによって得ら
れる高輝度特性を有することを特徴とする。本発明のウ
イスカー中では、賦活剤が原子レベルで母材を構成する
元素を置換して、均一に分散した状態で存在することに
よって、高輝度特性を発揮するものと思われる。賦活剤
をウイスカーを構成する母材中に均一に分散させずに、
偏在させて析出させると所望の蛍光特性を得ることがで
きない。このような構造を有するウイスカーは、例えば
図１に示す装置を使用して、気化させた金属酸化物ウイ
スカー母材構成元素を含むガスと気化させた母材とは異
なる元素を含むガスを、キャリアガスとともに均一に混
合した後に、大気圧開放下に加熱された基材表面に吹き
付けて基材表面に金属酸化物構造体を堆積することによ
って得ることができる。
光構造体は、ウイスカーがウイスカーを構成する母材と
は異なる元素を含む賦活剤を含有することによって得ら
れる高輝度特性を有することを特徴とする。本発明のウ
イスカー中では、賦活剤が原子レベルで母材を構成する
元素を置換して、均一に分散した状態で存在することに
よって、高輝度特性を発揮するものと思われる。賦活剤
をウイスカーを構成する母材中に均一に分散させずに、
偏在させて析出させると所望の蛍光特性を得ることがで
きない。このような構造を有するウイスカーは、例えば
図１に示す装置を使用して、気化させた金属酸化物ウイ
スカー母材構成元素を含むガスと気化させた母材とは異
なる元素を含むガスを、キャリアガスとともに均一に混
合した後に、大気圧開放下に加熱された基材表面に吹き
付けて基材表面に金属酸化物構造体を堆積することによ
って得ることができる。
【０００９】図１は、本発明の金属酸化物蛍光構造体を
製造する装置の一例を示す模式図である。この製造装置
１は、キャリアガスとなる窒素ガス供給源２，２、金属
酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器３、該母材と
は異なる元素の気化器４、気化させた母材及び異種元素
をキャリアガスとともに均一に混合する原料混合器５、
混合原料ガスを噴出するノズル９及び基材１０の加熱台
１１を具備する。金属酸化物ウイスカーを構成する母材
及び該母材とは異なる元素は、それぞれ気化器３及び４
で加熱気化され、窒素ガスとともに原料混合器５内の原
料混合溜６に送られ、ヒーター７の外周に設けられたコ
イル状加熱混合器８によりキャリアガスとともに均一に
混合される。均一に混合された原料ガスは、ノズル９か
ら大気圧開放下にヒーター１２を有する加熱台１１上で
加熱された基材１０の表面に吹き付けられて、基材表面
に金属酸化物ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体
を形成する。
製造する装置の一例を示す模式図である。この製造装置
１は、キャリアガスとなる窒素ガス供給源２，２、金属
酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器３、該母材と
は異なる元素の気化器４、気化させた母材及び異種元素
をキャリアガスとともに均一に混合する原料混合器５、
混合原料ガスを噴出するノズル９及び基材１０の加熱台
１１を具備する。金属酸化物ウイスカーを構成する母材
及び該母材とは異なる元素は、それぞれ気化器３及び４
で加熱気化され、窒素ガスとともに原料混合器５内の原
料混合溜６に送られ、ヒーター７の外周に設けられたコ
イル状加熱混合器８によりキャリアガスとともに均一に
混合される。均一に混合された原料ガスは、ノズル９か
ら大気圧開放下にヒーター１２を有する加熱台１１上で
加熱された基材１０の表面に吹き付けられて、基材表面
に金属酸化物ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体
を形成する。
【００１０】本発明でウイスカー母材及び該母材とは異
なる元素からなる高輝度蛍光構造を構成する金属酸化物
としては、金属種が、周期律表において水素を除く１
族、２族、ホウ素を除く１３族、炭素を除く１４族、窒
素とリンと砒素を除く１５族及び３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２族に属する各元素の酸化物が
挙げられる。金属種としては、例えば、Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ，Ｐｏ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒ
ｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ等が挙げられ、これ
らのなかでも、好ましくはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃ
ｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ
ｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，
Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ、Ｙｂであ
り、さらに好ましくは、Ｌｉ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｙ，Ｃ
ｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｗ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙｂが挙げられる。
最も好ましいの金属種としては、Ｙ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔ
ｍ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｇａ，Ｙｂ，Ｃｒ，Ｃｅ，Ｐｂ及びＷが例示され
る。これらの金属種は、単独で又は２種以上を組合わせ
て使用することができる。
なる元素からなる高輝度蛍光構造を構成する金属酸化物
としては、金属種が、周期律表において水素を除く１
族、２族、ホウ素を除く１３族、炭素を除く１４族、窒
素とリンと砒素を除く１５族及び３、４、５、６、７、
８、９、１０、１１、１２族に属する各元素の酸化物が
挙げられる。金属種としては、例えば、Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ，Ｐｏ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，
Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒ
ｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ等が挙げられ、これ
らのなかでも、好ましくはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃ
ｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉ
ｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ
ｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，
Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ、Ｙｂであ
り、さらに好ましくは、Ｌｉ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｈ，Ｙ，Ｃ
ｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｗ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙｂが挙げられる。
最も好ましいの金属種としては、Ｙ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔ
ｍ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ｇａ，Ｙｂ，Ｃｒ，Ｃｅ，Ｐｂ及びＷが例示され
る。これらの金属種は、単独で又は２種以上を組合わせ
て使用することができる。
【００１１】好ましい金属酸化物としては、例えば、Ｅ
ｕ：Ｙ２Ｏ３，Ｔｂ：Ｙ２Ｏ３，Ｔｍ：Ｙ２Ｏ３，Ｅ
ｕ：ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７，Ｍｎ：Ｚｎ２ＳｉＯ４，
Ｚｎ：ＺｎＯ，Ｔｂ：ＭｇＡｌ１１Ｏ１９，Ｃｅ：Ｍｇ
Ａｌ１１Ｏ１９，ＣａＷＯ４，Ｐｂ：ＣａＷＯ４，Ｍｇ
ＷＯ４，Ｍｎ：ＭｇＧａ２Ｏ４，Ｅｕ：Ｓｒ４Ａｌ１４
Ｏ２５，Ｃｒ：Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２，Ｙｂ：Ｙ２ＳｉＯ５
等が挙げられる。
ｕ：Ｙ２Ｏ３，Ｔｂ：Ｙ２Ｏ３，Ｔｍ：Ｙ２Ｏ３，Ｅ
ｕ：ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７，Ｍｎ：Ｚｎ２ＳｉＯ４，
Ｚｎ：ＺｎＯ，Ｔｂ：ＭｇＡｌ１１Ｏ１９，Ｃｅ：Ｍｇ
Ａｌ１１Ｏ１９，ＣａＷＯ４，Ｐｂ：ＣａＷＯ４，Ｍｇ
ＷＯ４，Ｍｎ：ＭｇＧａ２Ｏ４，Ｅｕ：Ｓｒ４Ａｌ１４
Ｏ２５，Ｃｒ：Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２，Ｙｂ：Ｙ２ＳｉＯ５
等が挙げられる。
【００１２】本発明の金属酸化物蛍光構造体において、
ウイスカー母材及び該母材とは異種元素から成る高輝度
構造を構成する原料となる金属化合物は、目的とする構
造体の金属酸化物中の金属を有し、酸素、水等の大気中
に含まれる化合物と反応して酸化物を形成するものが好
ましい。しかしながら、金属化合物を吹き付ける雰囲気
に、例えばオゾン等の通常大気中に存在しない物質を供
給・存在させ、これらと反応して酸化物を形成するもの
であっても良い。
ウイスカー母材及び該母材とは異種元素から成る高輝度
構造を構成する原料となる金属化合物は、目的とする構
造体の金属酸化物中の金属を有し、酸素、水等の大気中
に含まれる化合物と反応して酸化物を形成するものが好
ましい。しかしながら、金属化合物を吹き付ける雰囲気
に、例えばオゾン等の通常大気中に存在しない物質を供
給・存在させ、これらと反応して酸化物を形成するもの
であっても良い。
【００１３】この様な金属化合物として、例えば、金属
又は金属類似元素の原子にアルコールの水酸基の水素が
金属で置換されたアルコキシド類、金属または金属類似
元素の原子にアセチルアセトン、エチレンジアミン、ビ
ピペリジン、ビピラジン、シクロヘキサンジアミン、テ
トラアザシクロテトラデカン、エチレンジアミンテトラ
酢酸、エチレンビス（グアニド）、エチレンビス（サリ
チルアミン）、テトラエチレングリコール、アミノエタ
ノール、グリシン、トリグリシン、ナフチリジン、フェ
ナントロニン、ペンタンジアミン、ピリジン、サリチル
アルデヒド、サリチリデンアミン、ポルフィリン、チオ
尿素などから選ばれる配位子を１種あるいは２種以上有
する各種の錯体、配位子としてカルボニル基を有するＦ
ｅ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｒｕなど
の各種金属カルボニル、更に、カルボニル基、アルキル
基、アルケニル基、フェニルあるいはアルキルフェニル
基、オレフィン基、アリール基、シクロブタジエン基を
はじめとする共役ジエン基、シクロペンタジエニル基を
はじめとするジエニル基、トリエン基、アレーン基、シ
クロヘプタトリエニル基をはじめとするトリエル基など
から選ばれる配位子を１種あるいは２種以上有する各種
の金属化合物、ハロゲン化金属化合物を使用することが
できる。また、その他の金属錯体も使用することができ
る。この中でも、金属アセチルアセトナート化合物、金
属アルコキシド化合物等がより好ましく用いられる。
又は金属類似元素の原子にアルコールの水酸基の水素が
金属で置換されたアルコキシド類、金属または金属類似
元素の原子にアセチルアセトン、エチレンジアミン、ビ
ピペリジン、ビピラジン、シクロヘキサンジアミン、テ
トラアザシクロテトラデカン、エチレンジアミンテトラ
酢酸、エチレンビス（グアニド）、エチレンビス（サリ
チルアミン）、テトラエチレングリコール、アミノエタ
ノール、グリシン、トリグリシン、ナフチリジン、フェ
ナントロニン、ペンタンジアミン、ピリジン、サリチル
アルデヒド、サリチリデンアミン、ポルフィリン、チオ
尿素などから選ばれる配位子を１種あるいは２種以上有
する各種の錯体、配位子としてカルボニル基を有するＦ
ｅ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｗ，Ｒｕなど
の各種金属カルボニル、更に、カルボニル基、アルキル
基、アルケニル基、フェニルあるいはアルキルフェニル
基、オレフィン基、アリール基、シクロブタジエン基を
はじめとする共役ジエン基、シクロペンタジエニル基を
はじめとするジエニル基、トリエン基、アレーン基、シ
クロヘプタトリエニル基をはじめとするトリエル基など
から選ばれる配位子を１種あるいは２種以上有する各種
の金属化合物、ハロゲン化金属化合物を使用することが
できる。また、その他の金属錯体も使用することができ
る。この中でも、金属アセチルアセトナート化合物、金
属アルコキシド化合物等がより好ましく用いられる。
【００１４】本発明における錯体としては、金属にβ−
ジケトン類、ケトエステル類、ヒドロキシカルボン酸類
またはその塩類、各種のシッフ塩基類、ケトアルコール
類、多価アミン類、アルカノールアミン類、エノール性
活性水素化合物類、ジカルボン酸類、グリコール類、フ
ェロセン類などの配位子が１種あるいは２種以上結合し
た化合物が挙げられる。
ジケトン類、ケトエステル類、ヒドロキシカルボン酸類
またはその塩類、各種のシッフ塩基類、ケトアルコール
類、多価アミン類、アルカノールアミン類、エノール性
活性水素化合物類、ジカルボン酸類、グリコール類、フ
ェロセン類などの配位子が１種あるいは２種以上結合し
た化合物が挙げられる。
【００１５】本発明において、ウイスカーの母材を構成
する元素とウイスカーに蛍光特性を付与する賦活剤とな
る異種元素との割合は任意であるが、通常は母材を構成
する元素に対して少量(０．１〜２０原子％程度)の異種
元素を存在させる。本発明のウイスカー蛍光構造体にお
いては、異種元素が母材を構成する金属酸化物に対する
一般的な濃度消光限界（通常３原子％以下）以上の量で
存在するときでも、濃度消光を起こすことなく高輝度を
保つ。
する元素とウイスカーに蛍光特性を付与する賦活剤とな
る異種元素との割合は任意であるが、通常は母材を構成
する元素に対して少量(０．１〜２０原子％程度)の異種
元素を存在させる。本発明のウイスカー蛍光構造体にお
いては、異種元素が母材を構成する金属酸化物に対する
一般的な濃度消光限界（通常３原子％以下）以上の量で
存在するときでも、濃度消光を起こすことなく高輝度を
保つ。
【００１６】本発明のウイスカーを有する金属酸化物蛍
光構造体を製造する際の基材としては、例えば、ソーダ
ライムガラス等の無機ガラス、ステンレス鋼等の金属、
シリコン等の半導体結晶、及び酸化アルミニウム、酸化
マグネシウム、チタン酸ストロンチウム等の金属酸化物
が挙げられる。この場合の結晶は、一種以上の単結晶で
あっても、多結晶であっても、非晶部と結晶部を同時に
有する一種以上の半結晶性物質であっても、また、これ
らの混合物であってもよい。
光構造体を製造する際の基材としては、例えば、ソーダ
ライムガラス等の無機ガラス、ステンレス鋼等の金属、
シリコン等の半導体結晶、及び酸化アルミニウム、酸化
マグネシウム、チタン酸ストロンチウム等の金属酸化物
が挙げられる。この場合の結晶は、一種以上の単結晶で
あっても、多結晶であっても、非晶部と結晶部を同時に
有する一種以上の半結晶性物質であっても、また、これ
らの混合物であってもよい。
【００１７】本発明では、ウイスカー母材を構成する原
料化合物と、該母材とは異種元素の賦活剤となる原料化
合物をそれぞれ加熱気化させたガスをキャリアガスとと
もに均一に混合した後に、大気圧開放下に加熱された基
材表面に吹き付けて目的とするウイスカーを有する金属
酸化物蛍光構造体を製造する。キャリアガスとしては、
使用する金属化合物と反応するものでなければ、特に限
定はされない。具体例として、窒素ガスやヘリウム、ネ
オン、アルゴン等の不活性ガス、炭酸ガス、有機弗素ガ
ス、あるいはヘプタン、ヘキサン等の有機物質等が挙げ
られる。これらのうちで安全性、経済性の上から不活性
ガスが好ましい。窒素ガスが経済性の面より最も好まし
い。
料化合物と、該母材とは異種元素の賦活剤となる原料化
合物をそれぞれ加熱気化させたガスをキャリアガスとと
もに均一に混合した後に、大気圧開放下に加熱された基
材表面に吹き付けて目的とするウイスカーを有する金属
酸化物蛍光構造体を製造する。キャリアガスとしては、
使用する金属化合物と反応するものでなければ、特に限
定はされない。具体例として、窒素ガスやヘリウム、ネ
オン、アルゴン等の不活性ガス、炭酸ガス、有機弗素ガ
ス、あるいはヘプタン、ヘキサン等の有機物質等が挙げ
られる。これらのうちで安全性、経済性の上から不活性
ガスが好ましい。窒素ガスが経済性の面より最も好まし
い。
【００１８】また、金属酸化物蛍光構造体が形成される
基材の温度は、基材近傍及び表面で金属酸化物が形成さ
れる温度であれば特に限定されないが、基材表面に吹き
付ける原料ガスの温度よりも高い温度に設定することが
好ましく、通常は１００〜７００℃に設定される。本発
明で、ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体を形成
するのに必要な反応時間は、原料の種類や反応条件、目的
とする構造体の用途等に応じて適宜選択される。
基材の温度は、基材近傍及び表面で金属酸化物が形成さ
れる温度であれば特に限定されないが、基材表面に吹き
付ける原料ガスの温度よりも高い温度に設定することが
好ましく、通常は１００〜７００℃に設定される。本発
明で、ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体を形成
するのに必要な反応時間は、原料の種類や反応条件、目的
とする構造体の用途等に応じて適宜選択される。
【００１９】本発明では、通常ウイスカーが密集状に形
成された金属酸化物蛍光構造体が得られるが、各々のウ
イスカーの間には空隙が存在する。したがって、その構
造体は、使用する形態等によっては使用時に変形が起こ
る可能性がある。すなわち物理的応力により、多くのウ
イスカーがなぎ倒されたような状況になる可能性があ
る。これを防ぐために、蛍光を妨げない物質、例えば熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、エラストマー、シアノアク
リレートのような瞬間接着剤等の有機物質、ガラス、セ
ラミック等の無機物質でウイスカーの間を充填固定する
こともできる。
成された金属酸化物蛍光構造体が得られるが、各々のウ
イスカーの間には空隙が存在する。したがって、その構
造体は、使用する形態等によっては使用時に変形が起こ
る可能性がある。すなわち物理的応力により、多くのウ
イスカーがなぎ倒されたような状況になる可能性があ
る。これを防ぐために、蛍光を妨げない物質、例えば熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、エラストマー、シアノアク
リレートのような瞬間接着剤等の有機物質、ガラス、セ
ラミック等の無機物質でウイスカーの間を充填固定する
こともできる。
【００２０】ウイスカーの間を充填固定する為に用いら
れる熱可塑性樹脂としては、低、中、高密度ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重
合体（以下「ＳＡＮ樹脂」と略記する）、アクリロニトリ
ル−ブタジエン−スチレン共重合体（以下「ＡＢＳ樹脂」
と略記する）、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカー
ボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ポリメチル
メタアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリスルホ
ン、ポリエステルイミド、ポリアリレート、ポリフェニ
レンサルファイト、スチレン−ブダジエン共重合体及び
その水素添加組成物等、及びこれら２種類以上の組み合
わせのポリマーブレンド及び共重合体、例えば、ポリカ
ーボネートとアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン
共重合体、ポリフェニレンエーテルとポリスチレン等が
挙げられる。
れる熱可塑性樹脂としては、低、中、高密度ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重
合体（以下「ＳＡＮ樹脂」と略記する）、アクリロニトリ
ル−ブタジエン−スチレン共重合体（以下「ＡＢＳ樹脂」
と略記する）、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカー
ボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレン
テレフタレート、ポリフェニレンエーテル、ポリメチル
メタアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリスルホ
ン、ポリエステルイミド、ポリアリレート、ポリフェニ
レンサルファイト、スチレン−ブダジエン共重合体及び
その水素添加組成物等、及びこれら２種類以上の組み合
わせのポリマーブレンド及び共重合体、例えば、ポリカ
ーボネートとアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン
共重合体、ポリフェニレンエーテルとポリスチレン等が
挙げられる。
【００２１】また、ウイスカーの間を充填固定する為に
用いられる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ＤＦ
Ｋ樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタ
レート樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、フラン樹脂、ポリイミド、ポリ
（Ｐ−ヒドロキシ安息香酸）、ポリウレタン、マレイン
酸樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂などが挙げられる。
ウイスカーを固定する為に用いられるエラストマーとし
ては、天然ゴムやブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポ
リイソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピ
レンゴム、ブチルゴム、イソブチレンゴム、スチレン・
ブタジエンゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロ
ック共重合体ゴム、アクリルゴム、アクリロニトリル・
ブタジエンゴム、塩酸ゴム、クロロスルホン化ポリエチ
レンゴム、多硫化ゴム等の合成ゴム、等が挙げられる。
その他ポリテトラフルオロエチレン、石油樹脂、アルキ
ド樹脂等も用いることができる。
用いられる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ＤＦ
Ｋ樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタ
レート樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノール樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、フラン樹脂、ポリイミド、ポリ
（Ｐ−ヒドロキシ安息香酸）、ポリウレタン、マレイン
酸樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂などが挙げられる。
ウイスカーを固定する為に用いられるエラストマーとし
ては、天然ゴムやブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポ
リイソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピ
レンゴム、ブチルゴム、イソブチレンゴム、スチレン・
ブタジエンゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロ
ック共重合体ゴム、アクリルゴム、アクリロニトリル・
ブタジエンゴム、塩酸ゴム、クロロスルホン化ポリエチ
レンゴム、多硫化ゴム等の合成ゴム、等が挙げられる。
その他ポリテトラフルオロエチレン、石油樹脂、アルキ
ド樹脂等も用いることができる。
【００２２】本発明で得られるウイスカーを有する金属
酸化物蛍光構造体は、蛍光表示管、ＥＬ素子、レーザー
発振素子、陰極線ディスプレイ、プラズマディスプレ
イ、蛍光灯、平面蛍光灯、信号機等に使用することがで
きる。
酸化物蛍光構造体は、蛍光表示管、ＥＬ素子、レーザー
発振素子、陰極線ディスプレイ、プラズマディスプレ
イ、蛍光灯、平面蛍光灯、信号機等に使用することがで
きる。
【００２３】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに説明する
が、以下の具体例は本発明を限定するものではない。 （実施例１）図１の大気開放型ＣＶＤ装置を使用し、以
下の手順によりシリコン単結晶基板（００１）面上に、
Ｅｕ：Ｙ２０３ウイスカー密集構造体を作製した。金属
酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器３内にＹ（Ｃ
１１Ｈ１９０２） ３(Ｃ１１Ｈ１９０２=ＤＰＭ)を、ま
た異種元素の気化器４内にＥｕ（ＤＰＭ） ３を仕込ん
だ。母材の気化器３を２２０℃に、また異種元素の気化
器４を２００℃に加熱し、それぞれ流量１．２１／ｍｉ
ｎ及び流量０．５〜１．１５ｌ／ｍｉｎの窒素ガスによ
り原料混合器５に輸送した。原料混合器５内のコイル状
加熱混合器８により２２０℃に加熱された原料ガスは、
ノズル９から加熱台１１上で６５０℃に加熱された厚さ
０．５ｍｍのシリコン単結晶（００１）面に、大気圧開
放下に吹き付けた。スリット９と基板１０の距離は１．
５ｃｍであった。原料ガスは大気中で熱分解し、Ｅｕ：
Ｙ２０３ウイスカーとしてシリコン単結晶基板上に堆積
した。この例におけるウイスカーの長さは１０μｍ、ウ
イスカーの円近似断面径は１．５μｍで、ウイスカー中
のＥｕの含有量は０．６〜１３原子％であった。図２
に、Ｅｕ含有量５原子％のＹ２０３ウイスカーを、基材
表面に水平方向から観察した走査型電子顕微鏡像を示
す。
が、以下の具体例は本発明を限定するものではない。 （実施例１）図１の大気開放型ＣＶＤ装置を使用し、以
下の手順によりシリコン単結晶基板（００１）面上に、
Ｅｕ：Ｙ２０３ウイスカー密集構造体を作製した。金属
酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器３内にＹ（Ｃ
１１Ｈ１９０２） ３(Ｃ１１Ｈ１９０２=ＤＰＭ)を、ま
た異種元素の気化器４内にＥｕ（ＤＰＭ） ３を仕込ん
だ。母材の気化器３を２２０℃に、また異種元素の気化
器４を２００℃に加熱し、それぞれ流量１．２１／ｍｉ
ｎ及び流量０．５〜１．１５ｌ／ｍｉｎの窒素ガスによ
り原料混合器５に輸送した。原料混合器５内のコイル状
加熱混合器８により２２０℃に加熱された原料ガスは、
ノズル９から加熱台１１上で６５０℃に加熱された厚さ
０．５ｍｍのシリコン単結晶（００１）面に、大気圧開
放下に吹き付けた。スリット９と基板１０の距離は１．
５ｃｍであった。原料ガスは大気中で熱分解し、Ｅｕ：
Ｙ２０３ウイスカーとしてシリコン単結晶基板上に堆積
した。この例におけるウイスカーの長さは１０μｍ、ウ
イスカーの円近似断面径は１．５μｍで、ウイスカー中
のＥｕの含有量は０．６〜１３原子％であった。図２
に、Ｅｕ含有量５原子％のＹ２０３ウイスカーを、基材
表面に水平方向から観察した走査型電子顕微鏡像を示
す。
【００２４】（比較例１）加熱台１１上における基材の
加熱温度を５５０℃に加熱したほかは、実施例１と同様
にしてシリコン単結晶基板上に、実施例１と同様の寸法
を有するＥｕ：Ｙ ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を堆積
した。この例で得られる金属酸化物構造体は連続膜であ
り、ウイスカー構造を有しない。図３にＥｕ含有量５原
子％のＹ２Ｏ３連続膜を、基材表面に水平方向から観察
した走査型電子顕微鏡像を示す。
加熱温度を５５０℃に加熱したほかは、実施例１と同様
にしてシリコン単結晶基板上に、実施例１と同様の寸法
を有するＥｕ：Ｙ ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を堆積
した。この例で得られる金属酸化物構造体は連続膜であ
り、ウイスカー構造を有しない。図３にＥｕ含有量５原
子％のＹ２Ｏ３連続膜を、基材表面に水平方向から観察
した走査型電子顕微鏡像を示す。
【００２５】（紫外線励起蛍光試験）実施例１で得られ
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
１で得られた蛍光体連続膜に対して、波長２５４ｎｍの
紫外線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長６１２ｎｍを中心とする赤色蛍光
が得られた。図４に、Ｅｕ含有量に対する波長６１２ｎ
ｍにおける蛍光強度を示す。実施例１のウイスカーを有
する金属酸化物蛍光構造体の発光強度と、比較例１の連
続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それ
ぞれＥｕ添加量３原子％までほぼ同じであったが、それ
以降でウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光
強度はＥｕ添加量にしたがって増加し、１０原子％では
連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体のそれの３倍に達
した。
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
１で得られた蛍光体連続膜に対して、波長２５４ｎｍの
紫外線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長６１２ｎｍを中心とする赤色蛍光
が得られた。図４に、Ｅｕ含有量に対する波長６１２ｎ
ｍにおける蛍光強度を示す。実施例１のウイスカーを有
する金属酸化物蛍光構造体の発光強度と、比較例１の連
続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それ
ぞれＥｕ添加量３原子％までほぼ同じであったが、それ
以降でウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光
強度はＥｕ添加量にしたがって増加し、１０原子％では
連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体のそれの３倍に達
した。
【００２６】（樹脂埋めこみ試験）実施例１で得られた
ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体のウイスカー
間の空隙にエポキシ樹脂を注入し、金属酸化物蛍光構造
体ウイスカーを含有する厚さ１０μｍのエポキシ樹脂膜
を作製した。この金属酸化物蛍光構造体に波長２５４ｎ
ｍの紫外線を照射して蛍光試験を行ったところ、この金
属酸化物蛍光構造体から、波長６１２ｎｍを中心とする
赤色蛍光が得られた。金属酸化物蛍光構造体ウイスカー
を含有するエポキシ樹脂膜の発光強度と、比較例１の連
続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それ
ぞれＥｕ添加量３原子％までほぼ同じであったが、それ
以降で金属酸化物蛍光構造体ウイスカーを含有するエポ
キシ樹脂膜の発光強度はＥｕ添加量にしたがって増加
し、１０原子％では連続膜を有する金属酸化物蛍光構造
体のそれの１．５倍に達した。
ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体のウイスカー
間の空隙にエポキシ樹脂を注入し、金属酸化物蛍光構造
体ウイスカーを含有する厚さ１０μｍのエポキシ樹脂膜
を作製した。この金属酸化物蛍光構造体に波長２５４ｎ
ｍの紫外線を照射して蛍光試験を行ったところ、この金
属酸化物蛍光構造体から、波長６１２ｎｍを中心とする
赤色蛍光が得られた。金属酸化物蛍光構造体ウイスカー
を含有するエポキシ樹脂膜の発光強度と、比較例１の連
続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それ
ぞれＥｕ添加量３原子％までほぼ同じであったが、それ
以降で金属酸化物蛍光構造体ウイスカーを含有するエポ
キシ樹脂膜の発光強度はＥｕ添加量にしたがって増加
し、１０原子％では連続膜を有する金属酸化物蛍光構造
体のそれの１．５倍に達した。
【００２７】（実施例２）図１の大気開放型ＣＶＤ装置
を使用し、以下の手順によりシリコン単結晶基板（００
１）面上に、Ｔｂ：Ｙ２Ｏ３ウイスカー密集構造体を作
製した。金属酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器
３内にＹ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２） ３(Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２=Ｄ
ＰＭ)を、また異種元素の気化器４内にＴｂ（ＤＰＭ）
３を仕込んだ。母材の気化器３を２２０℃に、また異種
元素の気化器４を２００℃に加熱し、それぞれ流量１．
２１／ｍｉｎ及び流量０．５〜１．１５ｌ／ｍｉｎの窒
素ガスにより原料混合器５に輸送した。原料混合器５内
のコイル状加熱混合器８により２２０℃に加熱された原
料ガスは、ノズル９から加熱台１１上で６５０℃に加熱
された厚さ０．５ｍｍのシリコン単結晶（００１）面
に、大気圧開放下に吹き付けた。スリット９と基板１０
の距離は１．５ｃｍであった。原料ガスは大気中で熱分
解し、Ｔｂ：Ｙ２Ｏ３ウイスカーとしてシリコン単結晶
基板上に堆積した。この例におけるウイスカーの長さは
１０μｍ、ウイスカーの円近似断面径は１．５μｍで、
ウイスカー中のＴｂの含有量は０．６〜１３原子％であ
った。
を使用し、以下の手順によりシリコン単結晶基板（００
１）面上に、Ｔｂ：Ｙ２Ｏ３ウイスカー密集構造体を作
製した。金属酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器
３内にＹ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２） ３(Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２=Ｄ
ＰＭ)を、また異種元素の気化器４内にＴｂ（ＤＰＭ）
３を仕込んだ。母材の気化器３を２２０℃に、また異種
元素の気化器４を２００℃に加熱し、それぞれ流量１．
２１／ｍｉｎ及び流量０．５〜１．１５ｌ／ｍｉｎの窒
素ガスにより原料混合器５に輸送した。原料混合器５内
のコイル状加熱混合器８により２２０℃に加熱された原
料ガスは、ノズル９から加熱台１１上で６５０℃に加熱
された厚さ０．５ｍｍのシリコン単結晶（００１）面
に、大気圧開放下に吹き付けた。スリット９と基板１０
の距離は１．５ｃｍであった。原料ガスは大気中で熱分
解し、Ｔｂ：Ｙ２Ｏ３ウイスカーとしてシリコン単結晶
基板上に堆積した。この例におけるウイスカーの長さは
１０μｍ、ウイスカーの円近似断面径は１．５μｍで、
ウイスカー中のＴｂの含有量は０．６〜１３原子％であ
った。
【００２８】（比較例２）加熱台１１上における基材の
加熱温度を５５０℃に加熱したほかは、実施例２と同様
にしてシリコン単結晶基板上に、実施例２と同様の寸法
を有するＴｂ：Ｙ ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を堆積
した。この金属酸化物構造体は連続膜であり、ウイスカ
ー構造を有しない。
加熱温度を５５０℃に加熱したほかは、実施例２と同様
にしてシリコン単結晶基板上に、実施例２と同様の寸法
を有するＴｂ：Ｙ ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を堆積
した。この金属酸化物構造体は連続膜であり、ウイスカ
ー構造を有しない。
【００２９】（紫外線励起蛍光試験）実施例２で得られ
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
２で得られた蛍光体連続膜に対して、波長２５４ｎｍの
紫外線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長４８４ｎｍと５４２ｎｍを中心と
する緑色蛍光が得られた。図５に、Ｔｂ含有量に対する
波長６１２ｎｍにおける蛍光強度を示す。実施例２のウ
イスカーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度と、
比較例２の連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光
強度は、それぞれＴｂ添加量１原子％までほぼ同じであ
ったが、それ以降でウイスカーを有する金属酸化物蛍光
構造体の発光強度はＴｂ添加量にしたがって増加し、１
０原子％では連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体のそ
れの３倍に達した。
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
２で得られた蛍光体連続膜に対して、波長２５４ｎｍの
紫外線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長４８４ｎｍと５４２ｎｍを中心と
する緑色蛍光が得られた。図５に、Ｔｂ含有量に対する
波長６１２ｎｍにおける蛍光強度を示す。実施例２のウ
イスカーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度と、
比較例２の連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光
強度は、それぞれＴｂ添加量１原子％までほぼ同じであ
ったが、それ以降でウイスカーを有する金属酸化物蛍光
構造体の発光強度はＴｂ添加量にしたがって増加し、１
０原子％では連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体のそ
れの３倍に達した。
【００３０】（樹脂埋めこみ試験）実施例２で得られた
ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体のウイスカー
間の空隙にエポキシ樹脂を注入し、金属酸化物蛍光構造
体ウイスカーを含有する厚さ１０μｍのエポキシ樹脂膜
を作製した。この金属酸化物蛍光構造体に波長２５４ｎ
ｍの紫外線を照射して蛍光試験を行ったところ、この金
属酸化物蛍光構造体から、波長４８４ｎｍと５４２ｎｍ
を中心とする緑色蛍光が得られた。金属酸化物蛍光構造
体ウイスカーを含有するエポキシ樹脂膜の発光強度と、
比較例２の連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光
強度は、それぞれＴｂ添加量１原子％までほぼ同じであ
ったが、それ以降で金属酸化物蛍光構造体ウイスカーを
含有するエポキシ樹脂膜の発光強度はＴｂ添加量にした
がって増加し、１０原子％では連続膜を有する金属酸化
物蛍光構造体のそれの１．５倍に達した。
ウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体のウイスカー
間の空隙にエポキシ樹脂を注入し、金属酸化物蛍光構造
体ウイスカーを含有する厚さ１０μｍのエポキシ樹脂膜
を作製した。この金属酸化物蛍光構造体に波長２５４ｎ
ｍの紫外線を照射して蛍光試験を行ったところ、この金
属酸化物蛍光構造体から、波長４８４ｎｍと５４２ｎｍ
を中心とする緑色蛍光が得られた。金属酸化物蛍光構造
体ウイスカーを含有するエポキシ樹脂膜の発光強度と、
比較例２の連続膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光
強度は、それぞれＴｂ添加量１原子％までほぼ同じであ
ったが、それ以降で金属酸化物蛍光構造体ウイスカーを
含有するエポキシ樹脂膜の発光強度はＴｂ添加量にした
がって増加し、１０原子％では連続膜を有する金属酸化
物蛍光構造体のそれの１．５倍に達した。
【００３１】（実施例３）図１の大気開放型ＣＶＤ装置
を使用し、実施例１と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例１と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＥｕ：Ｙ ２Ｏ３ウイスカー密集構造体を作製し
た。
を使用し、実施例１と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例１と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＥｕ：Ｙ ２Ｏ３ウイスカー密集構造体を作製し
た。
【００３２】（比較例３）図１の大気開放型ＣＶＤ装置
を使用し、比較例１と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例１と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＥｕ：Ｙ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を作製
した。この金属酸化物構造体は連続膜であり、ウイスカ
ー構造を有しない。
を使用し、比較例１と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例１と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＥｕ：Ｙ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を作製
した。この金属酸化物構造体は連続膜であり、ウイスカ
ー構造を有しない。
【００３３】（電子線励起蛍光試験）実施例３で得られ
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
３で得られた蛍光体連続膜に対して、加速電圧１ｋＶの
電子線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長６１２ｎｍを中心とする赤色蛍光
が得られた。実施例３のウイスカーを有する金属酸化物
蛍光構造体の発光強度と、比較例３の連続膜を有する金
属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それぞれＥｕ添加量
３原子％までほぼ同じであったが、それ以降でウイスカ
ーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度はＥｕ添加
量にしたがって増加し、１０原子％では連続膜を有する
金属酸化物蛍光構造体のそれの３倍に達した。
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
３で得られた蛍光体連続膜に対して、加速電圧１ｋＶの
電子線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長６１２ｎｍを中心とする赤色蛍光
が得られた。実施例３のウイスカーを有する金属酸化物
蛍光構造体の発光強度と、比較例３の連続膜を有する金
属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それぞれＥｕ添加量
３原子％までほぼ同じであったが、それ以降でウイスカ
ーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度はＥｕ添加
量にしたがって増加し、１０原子％では連続膜を有する
金属酸化物蛍光構造体のそれの３倍に達した。
【００３４】（実施例４）図１の大気開放型ＣＶＤ装置
を使用し、実施例２と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例２と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＴｂ：Ｙ ２Ｏ３ウイスカー密集構造体を作製し
た。
を使用し、実施例２と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例２と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＴｂ：Ｙ ２Ｏ３ウイスカー密集構造体を作製し
た。
【００３５】（比較例４）図１の大気開放型ＣＶＤ装置
を使用し、比較例２と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例２と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＴｂ：Ｙ ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を作製
した。この金属酸化物構造体は連続膜であり、ウイスカ
ー構造を有しない。
を使用し、比較例２と同様の手順によりシリコン単結晶
基板（００１）面上に、実施例２と同じ寸法で同じ賦活
剤濃度のＴｂ：Ｙ ２Ｏ３蛍光性金属酸化物構造体を作製
した。この金属酸化物構造体は連続膜であり、ウイスカ
ー構造を有しない。
【００３６】（電子線励起蛍光試験）実施例４で得られ
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
４で得られた蛍光体連続膜に対して、加速電圧１ｋＶの
電子線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長４８４ｎｍと５４２ｎｍを中心と
する緑色蛍光が得られた。実施例４のウイスカーを有す
る金属酸化物蛍光構造体の発光強度と、比較例４の連続
膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それぞ
れＴｂ添加量１原子％までほぼ同じであったが、それ以
降でウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光強
度はＴｂ添加量にしたがって増加し、１０原子％では連
続膜を有する金属酸化物蛍光構造体のそれの３倍に達し
た。
たウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体及び比較例
４で得られた蛍光体連続膜に対して、加速電圧１ｋＶの
電子線を照射して蛍光試験を行った。両方の金属酸化物
蛍光構造体から、波長４８４ｎｍと５４２ｎｍを中心と
する緑色蛍光が得られた。実施例４のウイスカーを有す
る金属酸化物蛍光構造体の発光強度と、比較例４の連続
膜を有する金属酸化物蛍光構造体の発光強度は、それぞ
れＴｂ添加量１原子％までほぼ同じであったが、それ以
降でウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体の発光強
度はＴｂ添加量にしたがって増加し、１０原子％では連
続膜を有する金属酸化物蛍光構造体のそれの３倍に達し
た。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、濃度消光現象を生じず
に、輝度が大幅に改善されたウイスカーを有する金属酸
化物蛍光構造体を、簡単に製造することが可能となる。
高輝度蛍光特性を有するウイスカー金属酸化物蛍光構造
体は新規であり、蛍光表示管、ＥＬ素子、レーザー発振
素子、陰極線ディスプレイ、プラズマディスプレイ、蛍
光灯、信号機等の広汎な用途に使用することができる。
に、輝度が大幅に改善されたウイスカーを有する金属酸
化物蛍光構造体を、簡単に製造することが可能となる。
高輝度蛍光特性を有するウイスカー金属酸化物蛍光構造
体は新規であり、蛍光表示管、ＥＬ素子、レーザー発振
素子、陰極線ディスプレイ、プラズマディスプレイ、蛍
光灯、信号機等の広汎な用途に使用することができる。
【図１】本発明の金属酸化物蛍光構造体を製造する装置
の１例を示す模式図である。
の１例を示す模式図である。
【図２】実施例１で得られたウイスカーを有する金属酸
化物蛍光構造体の走査型電子顕微鏡写真である。
化物蛍光構造体の走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】比較例１で得られた連続膜を有する金属酸化物
蛍光構造体の走査型電子顕微鏡写真である。
蛍光構造体の走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】実施例１及び比較例１で得られた金属酸化物蛍
光構造体における、Ｅｕ含有量と発光強度の関係を示す
図である。
光構造体における、Ｅｕ含有量と発光強度の関係を示す
図である。
【図５】実施例２及び比較例２で得られた金属酸化物蛍
光構造体における、Ｔｂ含有量と発光強度の関係を示す
図である。
光構造体における、Ｔｂ含有量と発光強度の関係を示す
図である。
１ 金属酸化物蛍光構造体の製造装置
２ 窒素ガス供給源
３ 母材の気化器
４ 異種元素の気化器
５ 原料混合器
６ 原料混合溜
７，１２ ヒーター
８ コイル状加熱混合器
９ ノズル
１０ 基材
１１ 加熱台
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｋ 11/59 Ｃ０９Ｋ 11/59
11/62 11/62
11/64 11/64
11/68 11/68
11/78 ＣＰＢ 11/78 ＣＰＢ
ＣＰＭ ＣＰＭ
ＣＰＮ ＣＰＮ
ＣＰＲ ＣＰＲ
ＣＱＣ ＣＱＣ
11/79 11/79
11/80 11/80
Ｃ３０Ｂ 29/62 Ｃ３０Ｂ 29/62 Ｅ
(72)発明者 佐藤 裕子
新潟県長岡市上富岡町字長峰1603番地１
長岡技術科学大学内
Ｆターム(参考） 4G076 AA02 AB11 BA04 DA11
4G077 AA04 BB10 DB01 DB08 EA02
EA03 EB01 ED06 HA02 HA20
TH02 TK01
4H001 CA02 CF01 XA08 XA12 XA13
XA14 XA20 XA24 XA25 XA30
XA31 XA38 XA39 XA56 XA58
XA63 XA65 XA69 XA70 XA74
XA82 YA12 YA13 YA14 YA20
YA24 YA25 YA30 YA31 YA38
YA39 YA56 YA58 YA63 YA65
YA69 YA70 YA74 YA82
Claims (10)
- 【請求項１】円近似断面径が０．０１〜１００μｍで、
円近似断面径に対する長さの比が１以上である金属酸化
物のウイスカーを有する金属酸化物構造体において、ウ
イスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる元素を
含む賦活剤を含有することにより、高輝度蛍光特性を有
することを特徴とする金属酸化物蛍光構造体。 - 【請求項２】ウイスカーが金属酸化物面上の１０μｍ×
１０μｍの面積当たり０．１〜１００００個の密度で存
在することを特徴とする請求項１に記載の金属酸化物蛍
光構造体。 - 【請求項３】ウイスカーが母材中に賦活剤を均一に分散
した状態で含有することを特徴とする請求項１又は２に
記載の金属酸化物蛍光構造体。 - 【請求項４】ウイスカーがウイスカーの長軸方向に沿っ
て一貫した性状を有することを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載の金属酸化物蛍光構造体。 - 【請求項５】ウイスカーを構成する母材元素および賦活
剤に含まれる異種元素が、周期律表において水素を除く
１族、２族、ホウ素を除く１３族、炭素を除く１４族、
窒素とリンと砒素を除く１５族及び３，４，５，６，
７，８，９，１０，１１，１２族から選ばれる少なくと
も一種の金属を含むものであることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の金属酸化物蛍光構造体。 - 【請求項６】金属がＹ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｂａ，Ｃ
ａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｉ, Ｓｒ，Ｇａ，Ｙ
ｂ，Ｃｒ，Ｃｅ，Ｐｂ及びＷから選ばれたものであるこ
とを特徴とする請求項５に記載の金属酸化物蛍光構造
体。 - 【請求項７】有機物質、無機物質、金属から選ばれる材
料でウイスカーの間を充填したことを特徴とする請求項
１〜６のいずれかに記載の金属酸化物蛍光構造体。 - 【請求項８】気化させた金属酸化物ウイスカー母材構成
元素を含むガスと気化させた母材とは異なる元素を含む
ガスを、キャリアガスとともに均一に混合した後に、大
気圧開放下に加熱された基材表面に吹き付けて基材表面
に円近似断面径が０．０１〜１００μｍで、円近似断面
径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイス
カーを有する金属酸化物蛍光構造体を堆積することを特
徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の金属酸化物蛍
光構造体の製造方法。 - 【請求項９】さらに、得られた金属酸化物蛍光構造体の
ウイスカーの間を有機物質、無機物質、金属から選ばれ
る材料で充填することを特徴とする請求項８に記載の金
属酸化物蛍光構造体の製造方法。 - 【請求項１０】金属酸化物ウイスカーを構成する母材の
気化器、該母材とは異なる元素の気化器、気化させた母
材及び母材とは異なる元素をキャリアガスとともに均一
に混合する原料混合器、混合原料ガスを噴出するノズル
及び基材加熱台を有することを特徴とする請求項１〜７
のいずれかに記載の金属酸化物蛍光構造体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001341286A JP3769609B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001341286A JP3769609B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003138257A true JP2003138257A (ja) | 2003-05-14 |
| JP3769609B2 JP3769609B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=19155335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001341286A Expired - Lifetime JP3769609B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3769609B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027818A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Japan Science And Technology Agency | 光放射素子 |
| JP2005243758A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Takashi Goto | 耐プラズマ性部材 |
| JP2006024461A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Hidetoshi Saito | 高輝度発光装置 |
| JP2006085972A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Sharp Corp | 発光体 |
| JP2007238879A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 蛍光体材料およびその製造方法 |
| WO2013000117A1 (zh) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜及其制备方法和应用 |
| KR101408134B1 (ko) | 2012-04-25 | 2014-06-19 | 한국과학기술연구원 | 실리케이트 발광재료의 제조방법 및 실리케이트 발광재료 |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001341286A patent/JP3769609B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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| JP4570372B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2010-10-27 | 孝 後藤 | 耐プラズマ性半導体製造装置用部材 |
| JP2005243758A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Takashi Goto | 耐プラズマ性部材 |
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| CN103534332A (zh) * | 2011-06-28 | 2014-01-22 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜及其制备方法和应用 |
| CN103534332B (zh) * | 2011-06-28 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜及其制备方法和应用 |
| US9270084B2 (en) | 2011-06-28 | 2016-02-23 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Cerium doped magnesium barium tungstate luminescent thin film, manufacturing method and application thereof |
| KR101408134B1 (ko) | 2012-04-25 | 2014-06-19 | 한국과학기술연구원 | 실리케이트 발광재료의 제조방법 및 실리케이트 발광재료 |
| US9382476B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-07-05 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for preparing silicate phosphor and the silicate phosphor |
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