JP4570372B2 - 耐プラズマ性半導体製造装置用部材 - Google Patents
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Description
本発明の耐プラズマ性部材は、プラズマ環境下で用いられるものであり、基材と、基材の表面に垂直に配列された柱状組織からなる酸化イットリウム膜とを有する。このような部材としては、ベルジャー、ドーム、サセプター、クランプリング、フォーカスリング等を挙げることができる。
図1に示す装置を用い、酸化イットリウム源としてY(dpm)3を用い、原料気化温度240℃、全圧10Torr、基板加熱温度700℃の条件でCVD処理を行い、アルミナ基材上にY2O3膜を厚さ100μm形成した。形成されたY2O3膜の断面走査型電子顕微鏡写真を図2に示す。この図から明らかなように、Y2O3膜は、柱状晶が基板表面に対して垂直に配列した構造を持つことがわかる。
2;膜形成室
3;基材設置用台
4;気化装置
4a;イットリウム源供給源
5;気体供給源
6;原料成分供給配管
6a;加熱装置
7;原料成分供給口
8;排気装置
9;酸素ガス供給装置
10;基材
Claims (3)
- プラズマ環境下で用いられる耐プラズマ性半導体製造装置用部材であって、前記部材は、基材と、基材の表面に、緩衝層を介することなく直接に、CVDにより形成された、垂直に配列された柱状組織からなる酸化イットリウム膜とを有することを特徴とする耐プラズマ性半導体製造装置用部材。
- 前記酸化イットリウム膜を構成する柱状組織は、アスペクト比が少なくとも1.5であることを特徴とする請求項1に記載の耐プラズマ性半導体製造装置用部材。
- 前記基材が、金属、セラミックス、もしくはガラス、またはこれらの複合体からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の耐プラズマ性半導体製造装置用部材。
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