JP2003100937A - 高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール

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哲 栗山
Tomonori Tagami
知紀 田上
Kenji Sekine
健治 関根
Masami Onishi
正己 大西
Osamu Kagaya
修 加賀谷
Atsushi Isobe
敦 礒部
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板面積の小型化及び放熱性の向上が可能な
高周波モジュールを提供する。 【解決手段】 本発明の高周波モジュールは、第１の基
板10と第２の基板20を有し、第１の基板10の上面に形成
された凹部30に第１の回路素子群を配置し、第２の基板
20の上面に第２の回路素子群を配置し、第１の基板10と
第２の基板20は上下に接続した場合に電気的結合を可能
ならしめる電極端子60-a、60-bを有し、第１の基板10と
第２の基板20とを上下に接続することにより高周波モジ
ュールを形成する構造を有し、更に第１の回路素子群か
ら放出される熱を、凹部30の底面と第１の基板10の下面
に形成された放熱部40とを接続する貫通孔50-aを介して
放熱部40に伝達する構造を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波移動体通信
用端末に用いられる高周波モジュールに関し、特に高周
波モジュールの小型化および放熱性向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波モジュールの構造として、
特開平9-283700号公報にその一例が開示されている。同
公報の図１の符号を参照して説明する。2はガラスを主
成分とする多層基板であり、5は半導体素子であり、6は
コンデンサ、抵抗などの受動部品である。半導体素子5
は多層基板2上面に形成された開放型凹部11内に樹脂な
いし半田系の接続ペースト12により固定され、樹脂13に
より封止されている。14はケースであり、多層基板2上
面に半導体素子5や受動部品6を搭載あるいは実装した
後、多層基板2上面を覆うように取り付けられ、封止樹
脂などによって封止される。開放型凹部11の底面と多層
基板2の裏面に形成された接地金属面9とは放熱用貫通孔
8により接続され、半導体素子5から放出される熱を放熱
用貫通孔8を介し、接地金属面9に伝えることにより高周
波モジュールの放熱性を高めている。
【０００３】他の従来の高周波モジュールの構造とし
て、特開2000-12770号公報にその一例が開示されてい
る。同公報の図１の符号を参照して説明する。15は第１
の半導体素子であり、23a、23bは第2の半導体素子であ
り、400は第１の配線基板であり、21は第２の配線基板
であり、26は封止樹脂であり、12は第１の誘電体基板11
の上面に形成された凹部であり、14は外部接続用端子で
あり、13は第１の配線基板11の上面の凹部12以外の部分
に形成された上面部接続端子であり、22は上面接続端子
13に対応するように第２の配線基板21の裏面に形成され
た下面部接続端子であり、31は異方導電接着剤である。
【０００４】第１の半導体素子15は第１の配線基板11に
形成された凹部12に絶縁性接着剤16によって接着され、
ボンディングワイヤ17を介し第１の配線基板11に形成さ
れた導電パターンに電気的に接続され、第１の構造体10
が形成しされている。第2の半導体素子23a、23bは第2の
配線基板に絶縁性接着剤16によって接着され、ボンディ
ングワイヤ17を介し第２の配線基板21に形成された導電
パターンに電気的に接続され、封止樹脂により第２の配
線基板21の上面が封止しされ、第２の構造体20が形成さ
れている。
【０００５】第１の構造体10と第２の構造体20とが上下
に接続され、上面接続端子13と下面接続端子22とが異方
導電接着剤31により接続されることにより、第１の構造
体10と第２の構造体20とが電気的に接続される。
【０００６】さらに他の従来の高周波モジュールの構造
として、特開2000-174204号公報にその一例が開示され
ている。同公報の図７の符号を参照して説明する。19は
第１の半導体素子であり、29は第２の半導体素子であ
り、11は金属ベースであり、1は金属ベース11の上面に
形成された第１の誘電体基板であり、2は第２の誘電体
基板であり、12は金属カバーであり、4は第１の誘電体
基板1の上面に形成された凹部であり凹部4の底面には金
属ベース11が露出しており、120はチップコンデンサな
ど気密封止の必要のない高周波回路デバイスである。
【０００７】第１の半導体素子19は第１の誘電体基板1
に形成された凹部4の底面に露出している金属ベース11
に実装され、ボンディングワイヤ10を介し第１の誘電体
基板1に形成された第１のDC線路17に電気的に接続され
ている。第２の誘電体基板2は第１の誘電体基板1の上面
に積層され、第２の半導体素子29は第２の誘電体基板2
の上面に実装され、ボンディングワイヤ20を介し第２の
誘電体基板2に形成された第２のDC線路27に電気的に接
続されている。第１のDC線路17と第２のDC線路27とはビ
アホール8を介して電気的に接続されている。
【０００８】金属カバー12により第２の誘電体基板2の
上面は気密封止され、チップコンデンサなど気密封止の
必要のない高周波回路デバイス120は第１の誘電体基板1
の金属カバー12で封止された以外の部分に実装されてい
る。
【０００９】さらに他の従来の高周波モジュールの構造
として、特開2000-31331号公報にその一例が開示されて
いる。同公報の図３および図５の符号を参照して説明す
る。21は能動素子である第１トランジスタであり、22は
能動素子である第２トランジスタであり、60はキャップ
であり、13はキャップ60の下面に形成されたグランド端
子であり、61はサーマルビアであり、4、5は受動素子で
あり、25はカバーであり、17、18はバンプ電極等を機械
的かつ電気的に接続するためのパッドであり、19、20は
パッド17および18との電気的接続を取るための内部ビア
である。
【００１０】第１トランジスタ21および第２トランジス
タ22がそれぞれバンプを介して接続されたパッド17およ
び18とグランド端子13との間にはサーマルビア61が熱的
かつ電気的に接続されている。キャップ60はキャビティ
を全体的に覆うように接着されている。カバー25に覆わ
れた受動素子4および5は、内部ビア19、20、およびパッ
ド17、18を介して第１トランジスタ21および第２トラン
ジスタ22と電気的に接続されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】特開平9-283700号公報
の例においては、半導体素子および受動部品は多層基板
上面にのみ搭載あるいは実装されているため、回路構成
用部品の搭載部を考慮すると基板面積が大きくなるとい
う問題点があった。
【００１２】特開2000-12770号公報の構造例を高周波モ
ジュールに適用すれば、複数の半導体素子を立体配置す
ることが可能なため、高周波モジュールの面積の小型化
が可能となり、上記の問題点は解決される。しかしなが
ら、この構造では半導体素子から放出される熱を高周波
モジュール外部に逃がす構造がなく、更に半導体素子を
半田系の接続ペーストなどの導電性接着剤よりも熱伝導
率の低い絶縁性接着剤により誘電体基板に接着している
ため、高周波モジュールの放熱性が特開平9-283700号公
報の構造に比べ低下し、モジュール性能の劣化を引き起
こす要因となりうるという問題点があった。
【００１３】特開2000-174204号公報の例は、半導体素
子が金属ベースに直接実装されているため半導体素子か
ら放出される熱を高効率に逃がすことが可能となり、放
熱性の問題を解決する。また、この構造では複数の半導
体素子を立体的に配置できるため、半導体素子のみつい
て考えると面積の小型化が可能である。しかしながら、
チップコンデンサなどの高周波回路デバイスを半導体素
子の実装された第１の誘電体基板上に実装する点は特開
平9-283700号公報の例と同様であり、半導体素子とチッ
プコンデンサなどの高周波回路デバイスを有する高周波
モジュールでは面積の小型化が困難となるという問題点
があった。また、金属ベースに直接半導体素子を実装す
る構造を有するため、金属ベースの強度を高める必要か
ら金属ベースを厚くする必要があり、もってモジュール
質量の増加を招くという問題があった。また、金属ベー
スの上面に誘電体基板を形成するため、誘電体基板の下
面に金属面を同時形成する場合に比べて製造過程が複雑
化するという問題点があった。
【００１４】特開2000-31331号公報の例は、能動素子で
ある第１および第２トランジスタがサーマルビアを介し
てグランド端子に接続されているため、ある程度は放熱
性の面で有利である。しかし、熱を放出する能動素子が
バンプを介してフェイスダウンに接続されているため、
フェイスアップ接続に比べると、放熱性がやや不十分で
あるという問題点があった。
【００１５】本発明の目的は、高周波モジュールさらな
る小型化が可能であり、放熱性を向上可能であり、かつ
簡便な手法で製造が可能な高周波モジュールを提供する
ことにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波モジュー
ルは、第１の基板と、第１の基板上に配置された第１の
回路素子と、第１の基板の第１の回路素子が配置された
面の反対側の面に形成された放熱部と、第１の回路素子
が配置された面と放熱部との間を貫通し第１の回路素子
から放出される熱を放熱部に伝達する第１の貫通孔と、
放熱部が形成された面の反対側の面に形成された第１の
接続点とを含んでなる第１の回路ブロックと、第２の基
板と、第２の基板上に配置された第２の回路素子と、第
２の基板の第２の回路素子が配置された面の反対側の面
に形成された第２の接続点とを含んでなる第２の回路ブ
ロックとを具備してなり、第１の回路ブロックおよび第
２の回路ブロックは、互いに接続可能に構成され、第１
の回路ブロックと第２の回路ブロックとが接続されるこ
とにより、第１の回路素子が収容される封止された凹部
が形成されると共に、第１の接続点と第２の接続点とが
接触して第１の回路素子と第２の回路素子とが電気的に
接続される構造を有することを特徴とするものである。
【００１７】本発明の高周波モジュールによれば、第１
の基板に形成された凹部が第２の基板により気密封止さ
れ封止型凹部となり、第１の回路素子群が封止型凹部の
内部に配置され、第２の回路素子群が第２の基板上面に
配置されるため、基板面積の小型化が可能となる。
【００１８】また、第１の回路素子群から放出された熱
は第１の回路素子群の配置された封止型凹部の底面から
第１の貫通孔を介し放熱部に伝達されることにより、高
周波モジュールの放熱性を向上されることが可能であ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例として高周波電力増幅器モジュールの構造を詳細に説
明する。 ＜実施例１＞図1に本発明の実施例１の断面図を、図2に
実施例１の斜視図を、図3に前記実施例１の回路図を、
各々示す。図1、2において、10は第１の基板であり、30
は第１の基板の上面に形成された凹部であり、40は第１
の基板10の下面に形成された放熱部であり、70-aは凹部
30の底面に形成された第１の接地金属面であり、50-aは
第１の接地金属面70-aと放熱部40とを接続する第１の貫
通孔であり、60-aは第１の基板10の上面の凹部30以外の
部分に形成された第１の接続点であり、 80-aは第１の
基板10に形成された第１の伝送線路であり、50-bは第１
の伝送線路80-aと第１の接続点60-aとを接続する第２の
貫通孔であり、100は半導体素子であり、120はボンディ
ングワイヤであり、210は第１の回路ブロックである。
【００２０】20は第２の基板であり、60-bは第１の基板
10と第２の基板20とを上下に接続した場合に第１の基板
10の上面に形成された第１の接続点60-aと重なる位置に
なるように第２の基板20の下面に形成された第２の接続
点であり、80-bは第２の基板20に形成された第２の伝送
線路であり、50-cは第２の伝送線路80-bと第２の接続点
60-bとを接続する第３の貫通孔であり、70-bは第２の基
板20の下面に形成された第２の接地金属面であり、110
は第２の基板20の上面に実装されたコンデンサ、インダ
クタ、抵抗などの受動部品であり、130は封止樹脂であ
り、220は第２の回路ブロックである。
【００２１】図3において、210は第１の回路ブロックで
あり、220は第２の回路ブロックであり、200-aは第１の
回路ブロックを構成する第１のトランジスタであり、20
0-bは第１の回路ブロックを構成する第２のトランジス
タであり、230-aは入力電力端子であり、230-bは出力電
力端子であり、240-aは第１のトランジスタ200-aの制御
電圧端子であり、240-bは第２のトランジスタ200-bの制
御電圧端子であり、250-aは第１のトランジスタ200-aの
電源電圧端子であり、250-bは第２のトランジスタ200-b
の電源電圧端子である。
【００２２】半導体素子100はフェイスアップで上記凹
部30の底面に形成された第１の接地金属面70-aに半田ペ
ーストあるいは銀ペーストなどの導電性接続ペーストに
より固定され、第１、第２のトランジスタ200-a、bのエ
ミッタ電極は共に半導体素子100の裏面より第１の接地
金属面70-aに接続され、半導体素子100のエミッタ電極
以外の電極端子は半導体素子100の上面に形成され（図
示せず）、半導体素子100を構成する第２のトランジス
タ200-bの出力端子はボンディングワイヤ120により第１
の伝送線路80-aに接続され、半導体素子100の上面に形
成されたその他の電極端子も同様にボンディングワイヤ
120により第１の基板10に形成された伝送線路に接続さ
れ、前記第１の回路ブロック210が完成する。
【００２３】半導体素子100から放出された熱は、第１
の接地金属面70-aから第１の貫通孔50-aを介して放熱部
40に伝達される。第１の貫通孔50-aは直径は0.1mm以上
の円筒状であり、内部は中空であってもよいが、熱伝導
率のよい物質で充填する方が放熱成向上のためには望ま
しい。また第１の貫通孔50-aは複数形成され例えば直径
0.1mmの貫通孔の場合、貫通孔中心間距離を0.3mm以下で
千鳥配置するのが望ましい。
【００２４】また、第１の基板10は熱伝導率の高いアル
ミナセラミック基板からなるのが望ましいが、ガラスセ
ラミックあるいは樹脂からなっても構わない。更に、放
熱部40は第１の基板10より熱伝導率の高い金属材料によ
り構成されることを特徴とする。
【００２５】受動部品110は第２の基板20の上面に半田
などの導電性接続ペーストにより実装され、第２の基板
20の上面は封止樹脂130により気密封止され（図2では図
示せず）、第２の回路ブロック220が完成する。なお、
封止樹脂の代わりに樹脂ケースあるいは金属ケースを用
いて第２の基板20の上面を気密封止してもよい。
【００２６】第１の回路ブロック210と第２の回路ブロ
ック220とを上下に接続し、第１の接続点60-aと第２の
接続点60-bとを半田バンプあるいは銀ペーストなどの導
電性接続剤あるいは異方性導電性シートにより電気的に
接続することにより、高周波電力増幅器モジュールの実
施例１が完成する。
【００２７】第１の基板10と第２の基板20とを構成する
素材は異なっても構わないが、同一の素材である方が接
続後の熱膨張収縮など外的要因による第１の接続点60-a
と第２の接続点60-bの剥離を防止できるため望ましい。
また、第１の基板10と第２の基板20とを構成する素材を
同一にすることにより、第１の接続点60-aと第２の接続
点60-bを各々形成する過程において、形成位置精度を容
易に向上させることが可能となるのは明白である。
【００２８】第１の基板10の上面に形成された凹部30は
第２の基板20の下面に形成された第２の接地金属面70-b
で封止され、もって封止型凹部となり、凹部30に配置さ
れた前記半導体素子100は第２の回路ブロックの第２の
接地金属面70-bにより自動的に気密封止されることにな
る。
【００２９】なお、実施例１の説明において第１の回路
ブロック210は便宜的に２段増幅器としたが、１段ある
いはそれ以上の増幅器であっても構わない。
【００３０】実施例１によれば、半導体素子100と受動
部品110とを同一平面上ないし同一基板上に配置せず、
上下に分割可能な基板上に配置し、それら基板を勘合す
る構造を有することにより、半導体素子100と受動部品1
10の立体配置が可能となる。現在一般的に量産されてい
る6mm×6mmサイズの高周波電力増幅器モジュールの半導
体素子以外の回路部分の占める面積は約20mm2であるこ
とから、半導体素子を受動部品と別基板に配置すること
によりモジュール面積を4.5mm×4.5mmサイズ以下に小型
化することが可能となる。
【００３１】また実施例１によれば、半導体素子100か
ら放出された熱を、半導体素子100の実装された第１の
接地金属面70-aから第１の貫通孔50-aを介して熱伝導率
の高い金属材料により構成される放熱部40に伝達する構
造を有することにより、モジュールの放熱性を向上する
ことが可能となる。
【００３２】更に実施例１によれば、第１の回路ブロッ
ク210と第２の回路ブロック220とを上下に接続する際、
第１の接続点60-aと第２の接続点60-bとを半田バンプあ
るいは銀ペーストなどの導電性接続剤あるいは異方性導
電性シートにより電気的に接続することにより、第１の
接続点60-aと第２の接続点60-bの位置合わせを容易にで
きるため、接続点の小型化ひいてはモジュール面積の小
型化が可能であり、また後述する本発明の高周波モジュ
ールの製造方法を容易にできるという効果もある。
【００３３】以下、図面を用いて本発明の高周波モジュ
ールの製造方法の一実施例を詳細に説明する。
【００３４】図4に本発明の高周波モジュールの使用方
法の実施例の一例として実施例１の高周波電力増幅器モ
ジュールの使用方法の簡略な流れ図を示す。更に、便宜
的に通信方式としてDCS（送信周波数1.75GHz）とW-CDMA
（送信周波数1.95GHz）を例に挙げて説明する。
【００３５】図4に示した実施例では、1.7〜2.0GHz用の
半導体素子を有する第１の回路ブロックと、DCSの送信
周波数および変調方式で電力増幅器モジュールの最良特
性を与える整合回路を有する第２の回路ブロックと、W-
CDMAの送信周波数および変調方式で電力増幅器モジュー
ルの最良特性を与える整合回路を有する第２の回路ブロ
ックとを各々製造し、DCSとW-CDMAとで高周波電力増幅
器モジュールの売上個数または在庫個数を調査し、各々
の方式に対応する第２の回路ブロックの製造個数を調整
することを特徴とする。
【００３６】DCS用の第２の回路ブロックとW-CDMA用の
第２の回路ブロックとは、これらを構成する容量や伝送
線路等の回路定数および伝送線路の線路長が互いに異な
るが、回路図としては、いずれも図3の220に示す形とな
る。すなわち、回路パターンとしては互いに同様であ
る。そのため、DCS用、W-CDMA用、それぞれの第２の回
路ブロックを、接続点の固定された共通の第１の回路ブ
ロックに接続可能に設計・製造することが可能である。
【００３７】本発明の高周波モジュールの製造方法は、
第１の回路ブロック、第２の回路ブロックを個々に製造
した後に互いに接続できる構造を有するため、第１の回
路ブロック、第２の回路ブロック各々の製造個数の調整
が可能となり、よって低コスト化が可能となる効果があ
る。また更に、機能毎に回路ブロックを製造し接続可能
なため、様々なアプリケーションに対する高周波モジュ
ールが短期間で製造可能となる効果もある。尚、第２の
回路ブロックを完成させる前に第２の基板20を第１の回
路ブロックの上に接続し、その後、第２の基板20上面に
受動素子110を実装してもよい。この場合、半導体素子1
00と受動素子110とのトリミングがとりやすくなるとい
う効果がある。
【００３８】この製造方法によれば、第１の回路ブロッ
クを複数の異なる通信方式に対応する電力増幅器モジュ
ールで共用でき、複数の通信方式に対応する電力増幅器
モジュールの開発・製造コストおよび時間を削減できる
ことが可能となる。また、市場動向に応じて第２の回路
ブロックの製造個数を調整することにより電力増幅器モ
ジュールの製造個数を他の通信方式へと容易に振り分け
ることが可能となり、もって製品在庫調整や出荷個数調
整を容易に行うことが可能となる。
【００３９】以上では、第１の回路ブロックを共有し、
第２の回路ブロックを多様化させる例を挙げたが、本発
明の高周波モジュールの使用方法の実施例はこれに限ら
ず、第２の回路ブロックを共有し、第１の回路ブロック
を多様化させても構わない。これによれば、第２の回路
ブロックを構成する受動素子を電力増幅器モジュール価
格に応じて選択し値段別に作製することにより、複数の
価格の電力増幅器モジュールを容易に製造することが可
能となる。 ＜実施例２＞図5に本発明の実施例２の断面図を、図6に
前記実施例２の回路図を、各々示す。実施例２では、第
１の回路ブロック210に半導体素子100および直流回路系
を、第２の回路ブロックに高周波回路系を各々配置して
おり、第１の基板10の上面に形成された凹部30の内部に
半導体素子100に加えて受動部品110の一部が配置される
点が実施例１と異なる。
【００４０】実施例２によれば、第１の回路ブロックに
直流回路系を集約させており、一般的に直流回路系は異
なる通信方式・周波数で共用できることが多く、且つ第
２の回路ブロックには高周波回路系のみを作製すればよ
いため、高周波電力増幅器モジュールの回路の分割を容
易に行うことが可能となる。実施例２の高周波モジュー
ルの使用方法は基本的に実施例１の高周波モジュールの
使用方法と同様である。 ＜実施例３＞図7に本発明の実施例３の断面図を示す。
実施例３では、第２の基板20の下面に凹部30が形成さ
れ、第１の基板10と前記第２の基板20とが上下に勘合さ
れた場合に第１の基板10の上面に搭載された半導体素子
100を凹部30が封止するような構造を有する点が実施例
１と異なる。
【００４１】実施例３では基本的に実施例１と同様の効
果が得られる。実施例３の高周波モジュールの使用方法
は基本的に実施例１の高周波モジュールの使用方法と同
様である。 ＜実施例４＞図8に本発明の実施例４の断面図を、図9に
前記実施例４の回路図を、各々示す。実施例４では、第
１の基板10の上面に少なくとも２つ以上の凹部30-a、30
-bが形成され、凹部30-aの内部に半導体素子100-aが配
置され、凹部30-bの内部に半導体素子100-bが配置さ
れ、第１の回路ブロックを形成し、少なくとも２つ以上
の基板20-a、20-bの上面に受動部品110が実装され、各
々封止樹脂130で気密封止され、各々第２、第３の回路
ブロックを形成し、第１の回路ブロック上面に第２、第
３の回路ブロックを左右に並べて接続する構造を有する
点が実施例１と異なる。
【００４２】実施例４によれば、複数の機能を持つ高周
波モジュールを小型かつ容易に製造することが可能とな
る。
【００４３】実施例４の高周波モジュールの適用例を説
明する。実施例４の高周波モジュールの使用方法は、送
信用電力増幅器と受信用電力増幅器とを組み合わせて一
体型の高周波モジュールとする一方で、送信用電力増幅
器とフィルタとを組み合わせて一体型の高周波モジュー
ルとすることを特徴とする。ここで送信用電力増幅器と
送信用電力増幅器とフィルタを例に挙げたが、それ以外
の機能を持った部品でも構わない。これによれば、多様
な組合せの高周波モジュールを容易に製造することが可
能となる。 ＜実施例５＞図10に本発明の実施例５の断面図を、図11
に実施例５の回路図を、各々示す。実施例５では、半導
体素子100を配置した第１の回路ブロック210と、高周波
回路系を配置した第２の回路ブロック220-aと、直流回
路系を配置した第３の回路ブロック220-bとが、上から
第２の回路ブロック220-a、第３の回路ブロック220-b、
第１の回路ブロック210の順序で接続される構造を有す
る点が実施例１と異なる。また、第３の回路ブロック22
0-bを構成する受動部品260は、第３の回路ブロック220-
bを構成する第３の基板20-bに内蔵されることを特徴と
する。
【００４４】実施例５によれば、半導体素子、直流回路
系、高周波回路系に高周波モジュールの回路を実施例２
より微細に分割できることにより、各回路ブロックの設
計を容易にすることが可能であり、且つ直流回路系を高
周波回路系と別基板に配置することによりモジュール面
積を実施例１に比べ更に小型化することが可能となる。
実施例５の高周波モジュールの使用方法は基本的に実施
例１の高周波モジュールの使用方法と同様である。 ＜実施例６＞図12に本発明の実施例６の断面図を示す。
実施例６では、半導体素子100を配置された第１の基板
表面に形成された凹部30にSAW素子270を配置し、第１の
基板10は凹部30のSAW素子が配置される面と第１の基板1
0の下面に形成された放熱部40とを接続する第４の貫通
孔50-dを有し、 SAW素子を第２の回路ブロックの配置さ
れた第２の基板20により気密封止された構造を有する点
が実施例１と異なる。
【００４５】高周波部に使用するSAW素子は、圧電基板
に回転Yカットに切り出したタンタル酸リチウムを用い
る。この圧電基板上を伝搬するSAWは、温度上昇に伴
い、0.02dB/℃程度の損失増加が発生してしまう。例え
ば損失劣化を0.1dB以下に押さえるには温度上昇を5℃以
内にする必要がある。また40ppm/℃の温度係数を有する
ため、SAW素子の温度が上昇すると、周波数特性が低温
側にシフトしてしまう。例えばW-CDMA用分波器の周波数
シフトを0.2MHz以下に押さえるには温度上昇を3℃以内
に押さえる必要がある。
【００４６】実施例６によれば、SAWから放出される熱
を第４の貫通孔50-dを介し第１の基板10の下面に形成さ
れた放熱部40に伝達されるため、SAWに対する放熱性を
損なわずに電力増幅器と一体化することが可能となる。
【００４７】以下、図面を用いて本発明の高周波モジュ
ールの製造方法の一実施例を詳細に説明する。
【００４８】図13に本発明の実施例１の高周波モジュー
ルの製造方法の簡略な流れ図を示す。図13に示した製造
方法は、第２の基板20上面に受動素子110を半田などの
導電性接続ペーストにより実装し、第２の基板20の上面
を封止樹脂130により封止し第２の回路ブロックを形成
し、第１の基板10に形成された凹部30の底面に形成され
た第１の接地金属面70-aに半導体素子100を半田ペース
トあるいは銀ペーストなどの導電性接続ペーストにより
フェイスアップで実装し、ボンディングワイヤ120によ
り半導体素子100の上面に形成された電極端子と第１の
基板10に形成された伝送線路とを接続し、第１の回路ブ
ロックを形成し、第１の回路ブロックと第２の回路ブロ
ックとを上下に接続し、第１の基板10の上面に形成され
た第１の接続点60-aと第２の基板の下面に形成された第
２の接続点60-bとを半田バンプあるいは銀ペーストなど
の導電性接続剤あるいは異方性導電性シートにより電気
的に接続することを特徴とする。
【００４９】この製造方法によれば、放熱部40および第
１の貫通孔50-aを第１の基板10の製造時に現在一般的に
用いられている方法により同時形成することが可能とな
り、金属ベースの上面に誘電体基板を積層する製造方法
と比較して、高周波モジュールの放熱性を容易に図るこ
とが可能となる。
【００５０】また、第１の回路ブロックと第２の回路ブ
ロックとを接続する前に、第１の回路ブロックを構成す
る半導体素子の破壊、非破壊あるいは特性評価が可能と
なり、第１の回路ブロックを分別することにより破壊あ
るいは特性が製品条件を満たさない第１の回路ブロック
に接続させる第２の回路ブロックをなくすことが可能と
なり、ひいては第１の回路ブロックと第２の回路ブロッ
クとを接続して完成した高周波モジュールの歩留まりを
向上させることが可能となる。
【００５１】実施例２乃至６の高周波モジュールの製造
方法は、以上で説明した実施例１の高周波モジュールの
製造方法と基本的に同様である。ただし、実施例６の高
周波モジュールの製造方法では、第１の回路ブロックと
第２の回路ブロックとを接続する際に第１の基板10に形
成された凹部30の内部を窒素ガスなどで充填しSAWの有
する金属端子の劣化を防止することが望ましい。
【００５２】なお、第１の回路ブロックおよび第２の回
路ブロックは各々１個片ずつ製造し接続しても構わない
が、製造方法の簡便化からは、複数の第１の回路ブロッ
クの個片が平面内に連結された10cm×10cm程度以上の大
きさの第１の回路ブロックシートと、第１の回路ブロッ
クシートと同様の個数の第２の回路ブロックの個片が平
面内に連結された第１の回路ブロックシートと同形状の
第２の回路ブロックシートと、を製造し接続し、接続後
にダイサーあるいはルータあるいは劈開により切断する
方が望ましい。
【００５３】また、上記製造方法では第２の基板20の上
面を封止樹脂により封止する例を挙げたが、構造の説明
で述べた通り、封止樹脂の代わりに樹脂ケースあるいは
金属ケースにより封止しても構わない。
【００５４】更に、上記製造方法では第２の基板20の上
面を封止樹脂により封止した後、第１の回路ブロックと
第２の回路ブロックとを上下に接続させる例を挙げた
が、第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとを接続
した後、第２の基板20の上面を封止樹脂により封止して
も構わない。
【００５５】図14に本発明の実施例１の高周波モジュー
ルの他の製造方法の簡略な流れ図を示す。図14に示した
製造方法は、第１の基板10に形成された凹部30の底面に
形成された第１の接地金属面70-aに半導体素子100を半
田ペーストあるいは銀ペーストなどの導電性接続ペース
トによりフェイスアップで実装し、ボンディングワイヤ
120により半導体素子100の上面に形成された電極端子と
第１の基板10に形成された伝送線路とを接続し、第１の
回路ブロックを形成し、受動素子が未実装の第２の基板
20を第１の回路ブロックの上に接続すると共に第１の基
板10の上面に形成された第１の接続点60-aと第２の基板
20の下面に形成された第２の接続点60-bとを半田バンプ
あるいは銀ペーストなどの導電性接続剤あるいは異方性
導電性シートにより電気的に接続し、第２の基板20上面
に受動素子110を半田などの導電性接続ペーストにより
実装し、第２の基板20の上面を封止樹脂130により封止
することによって、第２の回路ブロックの形成と共に高
周波モジュール全体を形成することを特徴とする。
【００５６】本発明の高周波モジュールの製造方法は、
第１の回路ブロックを製造し、第２の回路ブロックを完
成させる前に第２の基板20を第１の回路ブロックの上に
接続し、その後、受動素子110を第２の基板に実装する
ため、第１の回路ブロックに実装された半導体素子100
と第２の回路ブロックに実装される受動素子との電気的
整合性の調整が容易になるという効果がある。この場合
も、機能毎に回路ブロックを選択して接続可能である点
に変わりはないため、様々なアプリケーションに対する
高周波モジュールが短期間で製造可能となる効果がある
ことは言うまでもない。
【００５７】図13および14に示す本発明の高周波モジュ
ールの製造方法は、いずれも、第１の回路ブロックと第
２の回路ブロックとを各々１つ以上のベンダーから購入
し接続できることを特徴とする。この製造方法によれ
ば、第１の回路ブロックおよび第２の回路ブロックの製
品仕様を容易に変えることが可能となり、開発・製造コ
ストあるいは開発・製造期間の短縮あるいは第１の回路
ブロックと第２の回路ブロックを共に常時適正量入手す
ることが可能となり、ひいては高周波モジュール製造販
売事業の安定化を図ることが可能となる。 ＜実施例７＞図15に本発明の実施例７の高周波携帯通信
端末の構成図を示す。実施例７において、300はアンテ
ナ、310はデュプレクサ、320はフィルタ、330は電力増
幅器、340はミキサ、350はVCO、360はベースバンド部、
370はスピーカー、380はマイク、390は本発明の高周波
モジュールであり、上記の実施例１〜６のような様々な
形態を取り得る。
【００５８】マイク380を介して入力された音声信号は
ベースバンド部360にて変換され、VCO 350で生成された
局部発振信号と送信側ミキサ340-bで合成され、送信側
電力増幅器330-bに入力される。送信側電力増幅器330-b
で増幅された音声信号は送信側フィルタ320-bを介して
デュプレクサ310に入力され、アンテナ300を介して電波
として送信される。一方、アンテナ300を介して受信さ
れた電波は、信号としてデュプレクサ310に入力され、
受信側フィルタ320-aを介して受信側電力増幅器330-aに
入力される。受信側電力増幅器330-aから出力された受
信信号は、VCO 350で生成された局部発振信号と受信側
ミキサ340-aで合成され、ベースバンド部360にて変換さ
れてスピーカー370から音声として出力される。
【００５９】ここで、390-aは本発明の高周波モジュー
ルを高周波携帯通信端末の送信側電力増幅器330-bに適
用した場合を示す。この場合、高周波モジュール390-a
は、実施例１〜５のいずれの形態も取り得るが、とりわ
け実施例１、３、および５の形態が好適である。各実施
例において、半導体素子100が送信側電力増幅器330-bと
なる。
【００６０】また、390-bは本発明の高周波モジュール
を高周波携帯通信端末の送信側電力増幅器330-bおよび
送信側フィルタ320-bに適用した場合を示す。この場
合、高周波モジュール390-bは、実施例２および６の形
態を取り得る。実施例２の形態を採用した場合は、半導
体素子100が送信側電力増幅器330-bに、受動素子110が
送信側フィルタ320-bに、それぞれ相当する。実施例６
の形態を採用した場合は、半導体素子100が送信側電力
増幅器330-bに、SAW素子270が送信側フィルタ320-bに、
それぞれ相当する。
【００６１】さらに、390-cは本発明の高周波モジュー
ルを高周波携帯通信端末の送信側電力増幅器330-b、送
信側フィルタ320-b、受信側電力増幅器330-a、受信側フ
ィルタ320-a、およびデュプレクサ310に適用した場合を
示す。この場合、高周波モジュール390-cは、実施例２
または６と実施例４とを組み合わせた形態を取り得る。
実施例２と実施例４とを組み合わせた形態を採用した場
合は、半導体素子100-bが送信側電力増幅器330-bに、受
動素子110が送信側フィルタ320-bおよび受信側フィルタ
320-aに、半導体素子100-aが受信側電力増幅器330-a
に、それぞれ相当し、送信側フィルタ320-bに相当する
受動素子は凹部30-b内に、受信側フィルタ320-aに相当
する受動素子は凹部30-a内に、それぞれ配置される。実
施例６と実施例４とを組み合わせた形態を採用した場合
は、半導体素子100-bが送信側電力増幅器330-bに、SAW
素子270が送信側フィルタ320-bおよび受信側フィルタ32
0-aに、半導体素子100-aが受信側電力増幅器330-aに、
それぞれ相当し、送信側フィルタ320-bに相当するSAW素
子は凹部30-b内に、受信側フィルタ320-aに相当するSAW
素子は凹部30-a内に、それぞれ配置される。
【００６２】実施例７によれば、高周波モジュールの小
型化および放熱性向上が図られたため、高周波モジュー
ルを搭載した高周波携帯通信端末の小型化および放熱性
向上が可能となる。
【００６３】以上の説明では主として高周波移動体通信
用端末に用いられる高周波電力増幅器モジュールに適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、アンテナ・フィルタ・増幅器一体型モジュール
など高周波モジュール全般に適応することができる。
【００６４】
【発明の効果】本発明の高周波モジュールによれば、高
周波モジュールの基板面積の小型化が可能となるという
効果がある。また、第１の回路素子群から放出される熱
を、凹部底面と第１の基板の下面に形成された放熱部と
を接続する第１の貫通孔を介して放熱部に伝達すること
により、放熱性の向上が可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１を示す断面図である。
【図２】実施例１を示す斜視図である。
【図３】実施例１を示す回路図である。
【図４】実施例１の高周波モジュールの使用方法を示す
簡略な流れ図である。
【図５】実施例２を示す断面図である。
【図６】実施例２を示す回路図である。
【図７】実施例３を示す断面図である。
【図８】実施例４を示す断面図である。
【図９】実施例４を示す回路図である。
【図１０】実施例５を示す断面図である。
【図１１】実施例５を示す回路図である。
【図１２】実施例６を示す回路図である。
【図１３】実施例１の製造方法を示す流れ図である。
【図１４】実施例１の他の製造方法を示す流れ図であ
る。
【図１５】実施例７の高周波携帯通信端末を示す図であ
る。
【符号の説明】
10 第１の基板 20 第２の基板 30 封止型凹部 40 放熱部 50 貫通孔 60 接続点 70 接地金属面 80 伝送線路 100 半導体素子 110 受動部品 120 ボンディングワイヤ 130 封止樹脂 200 トランジスタ 210 第１の回路ブロック 220 第２の回路ブロック 230 電力端子 240 制御電圧端子 250 電源電圧端子 260 基板内蔵受動素子 270 SAW素子 300 アンテナ 310 デュプレクサ 320 フィルタ 330 電力増幅器 340 ミキサ 350 VCO 360 ベースバンド部 370 スピーカー 380 マイク 390 高周波モジュール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ Ｕ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 関根 健治 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大西 正己 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 加賀谷 修 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 礒部 敦 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5E344 AA01 AA22 AA26 BB02 BB06 BB08 CC05 CC24 CD04 DD02 DD06 EE02 EE12 5E346 AA22 AA43 CC17 FF01 GG25 HH17 HH22

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の基板と、前記第１の基板上に配置さ
    れた第１の回路素子と、前記第１の基板の前記第１の回
    路素子が配置された面の反対側の面に形成された放熱部
    と、前記第１の回路素子が配置された面と前記放熱部と
    の間を貫通し前記第１の回路素子から放出される熱を前
    記放熱部に伝達する第１の貫通孔と、前記放熱部が形成
    された面の反対側の面に形成された第１の接続点とを含
    んでなる第１の回路ブロックと、 第２の基板と、前記第２の基板上に配置された第２の回
    路素子と、前記第２の基板の前記第２の回路素子が配置
    された面の反対側の面に形成された第２の接続点とを含
    んでなる第２の回路ブロックとを具備してなり、 前記第１の回路ブロックおよび前記第２の回路ブロック
    は、互いに接続可能に構成され、前記第１の回路ブロッ
    クと前記第２の回路ブロックとが接続されることによ
    り、前記第１の回路素子が収容される封止された凹部が
    形成されると共に、前記第１の接続点と前記第２の接続
    点とが接触して前記第１の回路素子と前記第２の回路素
    子とが電気的に接続される構造を有することを特徴とす
    る高周波モジュール。
  2. 【請求項２】請求項１に記載の高周波モジュールにおい
    て、 前記第１の回路素子は回路面が接着面と反対となるよう
    に前記第１の基板上に配置された半導体能動素子を含
    み、前記第２の回路素子は受動部品を含むことを特徴と
    する高周波モジュール。
  3. 【請求項３】請求項１または２のいずれかに記載の高周
    波モジュールにおいて、 前記第１の回路ブロックは第２の貫通孔を有し、前記第
    １の回路素子と前記第１の接続点とが前記第２の貫通孔
    で接続され、 前記第２の回路ブロックは第３の貫通孔を有し、前記第
    ２の回路素子と前記第２の接続点とが前記第３の貫通孔
    で接続されていることを特徴とする高周波モジュール。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波
    モジュールにおいて、 前記第２の回路ブロックは、前記第２の回路素子が配置
    されている面と反対側の面に接地電極を有することを特
    徴とする高周波モジュール。
  5. 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の高周波
    モジュールにおいて、 前記放熱部は、前記第１の基板より熱伝導の高い金属材
    料により構成されていることを特徴とする高周波モジュ
    ール。
  6. 【請求項６】基板が上下にブロック分割可能に形成さ
    れ、下側の基板に能動素子がフェイスアップ実装され、
    上側の基板に受動素子が実装され、前記下側の基板に形
    成されたサーマルビアにより前記能動素子から放出され
    る熱が前記下側の基板の下面から放熱されるように構成
    されていることを特徴とする高周波モジュール。
  7. 【請求項７】第１の基板と、前記第１の基板に形成され
    た凹部と、前記凹部内に配置された第１の回路素子と、
    前記第１の基板の前記凹部が形成された面の反対側の面
    に形成された放熱部と、前記凹部の底面と前記放熱部と
    の間を貫通し前記第１の回路素子から放出される熱を前
    記放熱部に伝達する第１の貫通孔と、前記放熱部が形成
    された面の反対側の面に形成された第１の接続点とを含
    んでなる第１の回路ブロックと、 第２の基板と、前記第２の基板上に配置された第２の回
    路素子と、前記第２の基板の前記第２の回路素子が配置
    された面の反対側の面に形成された第２の接続点とを含
    んでなる第２の回路ブロックとを具備してなり、 前記第１の回路ブロックおよび前記第２の回路ブロック
    は、互いに接続可能に構成され、前記第１の回路ブロッ
    クと前記第２の回路ブロックとが接続されることによ
    り、前記第１の接続点と前記第２の接続点とが接触して
    前記第１の回路素子と前記第２の回路素子とが電気的に
    接続される構造を有することを特徴とする高周波モジュ
    ール。
  8. 【請求項８】第１の基板と、前記第１の基板上に配置さ
    れた第１の回路素子と、前記第１の基板の前記第１の回
    路素子が配置された面の反対側の面に形成された放熱部
    と、前記第１の回路素子が配置された面と前記放熱部と
    の間を貫通し前記第１の回路素子から放出される熱を前
    記放熱部に伝達する第１の貫通孔と、前記放熱部が形成
    された面の反対側の面に形成された第１の接続点とを含
    んでなる第１の回路ブロックと、 第２の基板と、前記第２の基板に形成された凹部と、前
    記第２の基板の前記凹部が形成された面の反対側の面に
    配置された第２の回路素子と、前記第２の基板の前記第
    ２の回路素子が配置される面と反対側の面に形成された
    第２の接続点とを含んでなる第２の回路ブロックとを具
    備してなり、 前記第１の回路ブロックおよび前記第２の回路ブロック
    は、互いに接続可能に構成され、前記第１の回路ブロッ
    クと前記第２の回路ブロックとが接続されることによ
    り、前記第１の接続点と前記第２の接続点とが接触して
    前記第１の回路素子と前記第２の回路素子とが電気的に
    接続される構造を有することを特徴とする高周波モジュ
    ール。
  9. 【請求項９】請求項７または８のいずれかに記載の高周
    波モジュールにおいて、 前記高周波モジュールは前記第２の回路ブロックと同様
    の構成を有する第３の回路ブロックを有し、前記第１の
    回路ブロックに対し前記第２の回路ブロックおよび前記
    第３の回路ブロックが接続されてなることを特徴とする
    高周波モジュール。
  10. 【請求項１０】請求項７乃至９のいずれかに記載の高周
    波モジュールにおいて、 前記第１の回路素子は回路面が接着面と反対となるよう
    に前記第１の基板上に配置された半導体能動素子を含
    み、前記第２の回路素子は受動部品を含むことを特徴と
    する高周波モジュール。
  11. 【請求項１１】請求項１０に記載の高周波モジュールに
    おいて、 前記第１の回路素子は、さらに受動部品を含むことを特
    徴とする高周波モジュール。
  12. 【請求項１２】請求項１１に記載の高周波モジュールに
    おいて、 前記受動部品がＳＡＷ素子であることを特徴とする高周
    波モジュール。
  13. 【請求項１３】第１の基板と、前記第１の基板上に配置
    された第１の回路素子と、前記第１の基板の前記第１の
    回路素子が配置された面の反対側の面に形成された放熱
    部と、前記第１の回路素子が配置された面と前記放熱部
    との間を貫通し前記第１の回路素子から放出される熱を
    前記放熱部に伝達する第１の貫通孔と、前記放熱部が形
    成された面の反対側の面に形成された第１の接続点とを
    含んでなる第１の回路ブロックと、 第２の基板と、前記第２の基板上に配置された第２の回
    路素子と、前記第２の基板の前記第２の回路素子が配置
    された面の反対側の面に形成された第２の接続点とを含
    んでなる第２の回路ブロックと、 第３の基板と、前記第３の基板に内蔵された第３の回路
    素子と、前記第３の基板の第１の表面に形成された第３
    の接続点と、前記第３の基板の前記第１の表面の反対側
    の第２の表面に形成された第４の接続点とを含んでなる
    第３の回路ブロックとを具備してなり、 前記第１の回路ブロック、前記第２の回路ブロック、お
    よび前記第３の回路ブロックは、前記第１の回路ブロッ
    クと前記第２の回路ブロックとの間に前記第３の回路ブ
    ロックが介在するようにして互いに接続可能に構成さ
    れ、前記第１の回路ブロック、前記第２の回路ブロッ
    ク、および前記第３の回路ブロックが接続されることに
    より、前記第１の回路素子が収容される封止された凹部
    が形成されると共に、前記第１の接続点と前記第３の接
    続点とが接触し、前記第２の接続点と前記第４の接続点
    とが接触して、前記第１の回路素子と前記第２の回路素
    子と前記第３の回路素子とが電気的に接続される構造を
    有することを特徴とする高周波モジュール。
  14. 【請求項１４】第１の基板に第１の回路素子を導電性接
    続材料により実装して第１の回路ブロックを形成する工
    程と、 第２の基板上面に第２の回路素子を導電性接続材料によ
    り実装し、前記第２の基板の前記第２の回路素子が実装
    された側の面を封止して第２の回路ブロックを形成する
    工程と、 前記第１の回路ブロックと前記第２の回路ブロックとを
    接続し、前記第１の基板の前記第１の回路素子が実装さ
    れた側の面に形成された第１の接続点と前記第２の基板
    の前記第２の回路素子が形成された側とは反対側の面に
    形成された第２の接続点とを導電性接続材料により電気
    的に接続する工程とを含むことを特徴とする高周波モジ
    ュールの製造方法。
  15. 【請求項１５】第１の基板に第１の回路素子を導電性接
    続材料により実装して第１の回路ブロックを形成する工
    程と、 前記第１の回路ブロックと第２の基板とを接続し、前記
    第１の基板の前記第１の回路素子が実装された側の面に
    形成された第１の接続点と前記第２の基板に形成された
    第２の接続点とを導電性接続材料により電気的に接続す
    る工程と、 前記第１の回路ブロックに接続された前記第２の基板の
    前記第２の接続点が形成された側とは反対側の面に第２
    の回路素子を導電性接続材料により実装し、前記第２の
    基板の前記第２の回路素子が実装された側の面を封止し
    て第２の回路ブロックを形成する工程とを含むことを特
    徴とする高周波モジュールの製造方法。
  16. 【請求項１６】第１の基板と、前記第１の基板上に配置
    された第１の回路素子と、前記第１の基板の前記第１の
    回路素子が配置された面の反対側の面に形成された放熱
    部と、前記第１の回路素子が配置された面と前記放熱部
    との間を貫通し前記第１の回路素子から放出される熱を
    前記放熱部に伝達する第１の貫通孔と、前記放熱部が形
    成された面の反対側の面に形成された第１の接続点とを
    含んでなる第１の回路ブロックを作成する工程と、 第２の基板と、前記第２の基板に形成された第２の接続
    点とを含んでなる第１の用途の第２の回路ブロックを作
    成する工程と、 第２の基板と、前記第２の基板に形成された第２の接続
    点とを含んでなり、前記第１の用途の第２の回路ブロッ
    クと同様の回路パターンを有する第２の用途の第２の回
    路ブロックを作成する工程と、 前記第１の用途の製品が要求される場合は、前記第１の
    用途の第２の回路ブロックを前記第１の回路ブロックに
    接続して第１の用途の高周波モジュールを製造し、前記
    第２の用途の製品が要求される場合は、前記第２の用途
    の第２の回路ブロックを前記第１の回路ブロックに接続
    して第２の用途の高周波モジュールを製造する工程とを
    含み、 前記第１の回路ブロックおよび前記第２の回路ブロック
    は、互いに接続可能に構成され、前記第１の回路ブロッ
    クと前記第２の回路ブロックとが接続されることによ
    り、前記第１の回路素子が収容される封止された凹部が
    形成されると共に、前記第１の接続点と前記第２の接続
    点とが接触して前記第１の回路素子と前記第２の回路ブ
    ロックに形成される第２の回路素子とが電気的に接続さ
    れる構造を有することを特徴とする高周波モジュールの
    製造方法。
  17. 【請求項１７】請求項１６に記載の高周波モジュールの
    製造方法において、 前記第１の用途の第２の回路ブロックを作成する工程ま
    たは前記第２の用途の第２の回路ブロックを作成する工
    程は、さらに、前記第２の基板上の前記第２の接続点が
    形成された面の反対側の面に第２の回路素子を実装する
    工程を含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方
    法。
  18. 【請求項１８】アンテナと、 ベースバンド部と、 高周波モジュールとを有し、 前記高周波モジュールは、 第１の基板と、前記第１の基板上に配置された第１の回
    路素子と、前記第１の基板の前記第１の回路素子が配置
    された面の反対側の面に形成された放熱部と、前記第１
    の回路素子が配置された面と前記放熱部との間を貫通し
    前記第１の回路素子から放出される熱を前記放熱部に伝
    達する第１の貫通孔と、前記放熱部が形成された面の反
    対側の面に形成された第１の接続点とを含んでなる第１
    の回路ブロックと、 第２の基板と、前記第２の基板上に配置された第２の回
    路素子と、前記第２の基板の前記第２の回路素子が配置
    された面の反対側の面に形成された第２の接続点とを含
    んでなる第２の回路ブロックとを具備してなり、 前記第１の回路ブロックおよび前記第２の回路ブロック
    は、互いに接続可能に構成され、前記第１の回路ブロッ
    クと前記第２の回路ブロックとが接続されることによ
    り、前記第１の回路素子が収容される封止された凹部が
    形成されると共に、前記第１の接続点と前記第２の接続
    点とが接触して前記第１の回路素子と前記第２の回路素
    子とが電気的に接続される構造を有し、 前記ベースバンド部から出力された信号を前記高周波モ
    ジュールで増幅し、増幅された高周波信号を前記アンテ
    ナを介して送信する機能を有することを特徴とする高周
    波携帯通信端末。
  19. 【請求項１９】請求項１８に記載の高周波携帯通信端末
    において、 前記高周波携帯通信端末はさらに、前記アンテナから受
    けた高周波信号を前記高周波モジュールで中間周波数信
    号に変換し、変換された信号を前記ベースバンド部に入
    力する機能を有することを特徴とする高周波携帯通信端
    末。
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