JP2002026227A - 集積回路パッケージ - Google Patents

集積回路パッケージ

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JP2002026227A
JP2002026227A JP2000200217A JP2000200217A JP2002026227A JP 2002026227 A JP2002026227 A JP 2002026227A JP 2000200217 A JP2000200217 A JP 2000200217A JP 2000200217 A JP2000200217 A JP 2000200217A JP 2002026227 A JP2002026227 A JP 2002026227A
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Japan
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semiconductor chip
integrated circuit
package body
connecting portion
circuit package
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JP2000200217A
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English (en)
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Satoshi Arai
智 荒井
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明は、小形化を確保したうえで、寄生抵
抗及び寄生インダクタンス成分の軽減を図り得るように
して、半導体チップの高精度な電気特性を確保し得るよ
うにすることにある。 【解決手段】内部配線201及び外部基板接続部203
が形成されるパッケージ本体20の上端部側に、その底
面が所定の角度θだけ傾斜した第1の半導体チップ収容
部21を設けて、その下端部側に取付面に対して略平行
な底面を有した第2の半導体チップ収容部22を設け、
これら第1及び第2の半導体チップ収容部21、22に
第1及び第2の半導体チップ23、24を分離して収容
配置するように構成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば携帯電話
等の無線端末を含む通信機器を構成する半導体装置に用
いるのに好適する集積回路パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、電子機器は複数の半導体チッ
プから構成されている。例えば図3に示す無線電話装置
の無線送信部においては、ベースバンドアナログ信号
を、先ず、直交変調器10でIF(中間周波数)信号に
直交復調して、フィルタ11で不要な帯域の信号を遮断
し、その後、アップコンバータ12で高周波信号に変換
してRF増幅器13で増幅して出力する。
【0003】ところで、このような無線送信部は、集積
回路化する場合、その直交変調器10、フィルタ11を
中間周波数ブロック14として、そのアップコンバータ
12及びRF増幅器13を無線周波数ブロック15とし
て、ブロックごとに集積回路化し、単一のパッケージに
収納される。
【0004】図3は、このような従来の集積回路パッケ
ージを示すもので、パッケージ本体1の上下両端部に
は、第1及び第2の半導体チップ収容部2、3が分離し
て形成される。このパッケージ本体1の上端部側の第1
の半導体チップ収容部2には、上記無線周波数ブロック
15を構成する第1の半導体チップ4が収容配置され
る。そして、パッケージ本体1の第2の半導体チップ収
容部2には、中間周波数ブロック14を構成する第2の
半導体チップ5が収容される。
【0005】ここで、上記第1及び第2の半導体チップ
4、5は、例えば第1の半導体チップ4を、高周波に対
する性能に優れたガリウム・砒素(GaAs)を用いて形
成し、その第2の半導体チップ5を、GaAsより高周波
性能が劣るが、安価なシリコン(Si)を用いて形成さ
れる。
【0006】また、上記パッケージ本体1には、所定の
内部配線1aが形成され、その第1及び第2の半導体チ
ップ収容部2、3には、その底面に部品接続部1bが上
記第1及び第2の半導体チップ4、5の接続端子4a、
5aに対応して形成される。また、パッケージ本体1に
は、その下面側に外部基板接続部1cが形成される。こ
の外部基板接続部1cは、上記内部配線1a及び部品接
続部1bに選択的に接続され、所望の電子回路を構成す
る。
【0007】上記パッケージ本体1には、その第1の半
導体チップ収容部2に第1の半導体チップ4が収容さ
れ、その第2の半導体チップ収容部3に第1の半導体チ
ップ5が収容されて、樹脂が充填されてパッケージ化さ
れる。そして、パッケージ化されたパッケージ本体1
は、その外部基板接続部1cが外部基板6上に搭載され
る。
【0008】しかしながら、上記集積回路パッケージで
は、パッケージ本体1に対して第1及び第2の半導体チ
ップ2、3を積重構造に配置しているために、その上端
部側に配置した第1の半導体チップ2と外部基板6との
接続を行うための内部配線1aのビアホールと称する線
路1dが比較的長くなるという問題を有する。
【0009】この内部配線1aのうち、特に第1の半導
体チップ2と外部基板6とを電気的に接続する線路1d
が長くなると、その分だけ寄生抵抗や寄生インダクス成
分が増加する。特に高周波信号を取り扱う無線周波数ブ
ロックの信号の電気特性を低下させるという不具合を有
する。
【0010】なお、係る事情は、携帯電話等の無線端末
に限ることなく、高周波信号を送受する各種の通信機器
においても同様である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の集積回路パッケージでは、寄生抵抗や寄生インダク
ス成分により、無線周波数ブロックの電気特性が低下さ
れるという問題を有する。
【0012】この発明は上記の事情に鑑みてなされたも
ので、小形化を確保したうえで、寄生抵抗及び寄生イン
ダクタンス成分の軽減を図り得るようにして、半導体チ
ップの高精度な電気特性を確保し得るようにした集積回
路パッケージを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明は、内部配線及
び外部基板接続部が形成されるものであって、前記内部
配線に電気的に接続される部品接続部が底面に設けら
れ、外部基板接続部の設けられる一方の底面に対して他
方の底面が、所定の傾斜角を有して形成される第1及び
第2の半導体チップ収容部が搭載方向の上下両端部に分
離して設けられたパッケージ本体と、このパッケージ本
体の第1及び第2の半導体チップ収容部に樹脂封入さ
れ、前記部品接続部を介して前記内部配線及び外部基板
接続部と電気的に接続される第1及び第2の半導体チッ
プとを備えて集積回路パッケージを構成したものであ
る。
【0014】上記構成によれば、第1及び第2の半導体
チップ収容部をパッケージ本体に積重構造に配置したう
えで、寄生抵抗及び寄生インダクタンス成分の要因とな
る内部配線の中の第1及び第2の半導体チップ収容部の
部品接続部と外部基板接続部との間の導通線路を最小限
に設定することが可能となる。従って、パッケージ本体
による寄生抵抗及び寄生インダクタンス成分の要因を最
小限に設定することが可能となり、高性能な電気特性を
確保するが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して詳細に説明する。
【0016】図1は、この発明の一実施の形態に係る集
積回路パッケージを示すもので、パッケージ本体20に
は、その上下両端部に凹状の第1及び第2の半導体チッ
プ収容部21、22が分離されて形成される。
【0017】このうち第1の半導体チップ収容部21、
22は、その底面が、例えば下端部に対して所定の角度
θだけ傾斜されて形成され、例えば上記無線周波数ブロ
ック15(図3参照)を構成する第1の半導体チップ2
3が、いわゆるフェイスアップ状態に収容される。他
方、第2の半導体チップ収容部22は、その底面が下端
部と略平行に形成され、例えば上記中間周波数ブロック
14(図3参照)を構成する第2の半導体チップ24
が、いわゆるフェイスダウン状態に収容される。
【0018】また、パッケージ本体20には、内部配線
201が形成され、この内部配線201の部品接続部2
02が上記第1及び第2の半導体チップ収容部21、2
2に底面に形成される。この部品接続部202には、上
記第1及び第2の半導体チップ収容部21、22に収容
された第1及び第2の半導体チップ23、24の、例え
ばバンプと称する接続端子231、241が接続され
る。そして、パッケージ本体20の内部配線201は、
その外部基板接続部203が、その下端部に形成され、
この外部基板接続部203を介してが外部基板25の接
続部251と電気的に接続される。
【0019】なお、上記パッケージ本体10の第1及び
第2の半導体チップ収容部21、22に収容した第1及
び第2の半導体チップ23、24間の直流電流を遮断し
たい場合には、この第1及び第2の半導体チップ23、
24を電気的に接続する内部配線201間に図2示すよ
うに誘電体層26を配置することにより、その確実な遮
断が可能となる。
【0020】上記構成において、第1の半導体チップ2
3は、フェイスアップ状態で、パッケージ本体20の第
1の半導体チップ収容部21の底面に載置されて角度θ
を有して収容配置される。そして、第2の半導体チップ
24は、フェイスダウン状態で、パッケージ本体20の
第2の半導体チップ収容部22に収容される。ここで、
第1及び第2の半導体チップ23、24は、その各接続
端子231、241が、第1及び第2の半導体チップ収
容部21、22の部品接続部202を介してパッケージ
本体20の内部配線201に接続され、その隙間部に樹
脂27が封入されてパッケージ化される。そして、この
パッケージ本体20は、その外部基板接続部203が外
部基板25の接続部251に搭載された状態で、該外部
基板25に搭載される。
【0021】この際、上記パッケージ本体20に収容さ
れてパッケージ化された第1及び第2の半導体チップ2
3、24には、放熱部材28、29が取り付けられる。
これにより、第1及び第2の半導体チップ23、24
は、その駆動にともなって発生する熱が、それぞれ放熱
部材28、29を介して外部に放熱されて熱制御され
る。
【0022】なお、上記放熱部材28、29は、その第
1及び第2の半導体チップ23、24の発熱量等を考慮
して適宜に組み付け配置され、必要に応じて組み付け配
置することなく構成しても良い。
【0023】このように、上記集積回路パッケージは、
内部配線201及び外部基板接続部203が形成される
パッケージ本体20の上端部側に、その底面が所定の角
度θだけ傾斜した第1の半導体チップ収容部21を設け
て、その下端部側に取付面に対して略平行な底面を有し
た第2の半導体チップ収容部22を設け、これら第1及
び第2の半導体チップ収容部21、22に第1及び第2
の半導体チップ23、24を分離して収容配置するよう
に構成した。
【0024】これによれば、第1及び第2の半導体チッ
プ収容部21、22をパッケージ本体20に積重構造に
設けたうえで、寄生抵抗及び寄生インダクタンス成分の
要因となる内部配線201の中のうち、特に上部側に配
置される第1の半導体チップ収容部21の部品接続部2
02と外部基板接続部203との間の線路204を最小
限に設定することができる。この結果、パッケージ本体
20の小形化を確保したうえで、パッケージ本体20に
よる寄生抵抗及び寄生インダクタンス成分の要因を最小
限に設定することができて、高性能な電気特性を確保す
るができる。
【0025】なお、上記実施の形態では、上端部に配置
した第1の半導体チップ収容部21の底面を第2の半導
体チップ収容部22の底面に対して角度θだけ傾斜させ
るように構成した場合で説明したが、これに限ることな
く、例えば第2の半導体チップ収容部22の底面を第1
の半導体チップ収容部21の底面に対して所定の角度傾
斜させるように構成することも可能である。
【0026】また、上記実施の形態では、中間周波数ブ
ロック14を構成する第2の半導体チップ24及び無線
周波数ブロック15を構成する第1の半導体チップ23
をパッケージ本体20に樹脂封入したパッケージ構造に
適用した場合で説明したが、これに限ることなく、パッ
ケージ本体20の製造方法は、これに限定されるもので
ない。
【0027】よって、この発明は、上記実施の形態に限
ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱いな
い範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さ
らに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれて
おり、開示される複数の構成要件における適宜な組合せ
により種々の発明が抽出され得る。例えば実施形態に示
される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されて
も、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解
決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場
合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽
出され得る。
【0028】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、小形化を確保したうえで、寄生抵抗及び寄生インダ
クタンス成分の軽減を図り得るようにして、半導体チッ
プの高性能な電気特性を確保し得るようにした集積回路
パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る集積回路パッケ
ージの構成を示した断面図である。
【図2】図1の一部詳細を示した断面図である。
【図3】この発明の適用される無線電話装置の無線送信
部を説明するために示したブロック図である。
【図4】従来の集積回路パッケージの構成を示した断面
図である。
【符号の説明】
10 … 直交変調器。 11 … フィルタ。 12 … アップコンバータ。 13 … RF増幅器。 14 … 中間周波数ブロック。 15 … 無線周波数ブロック。 20 … パッケージ本体。 201 … 内部配線。 202 … 部品接続部。 203 … 外部基板接続部。 21 … 第1の半導体チップ収容部。 22 … 第2の半導体チップ収容部。 23 … 第1の半導体チップ。 231 … 接続端子。 24 … 第2の半導体チップ。 241 … 接続端子。 25 … 外部基板。 251 … 接続部。 26 … 誘電体層。 27 … 樹脂。 28 … 放熱部材。 29 … 放熱部材。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部配線及び外部基板接続部が形成され
    るものであって、前記内部配線に電気的に接続される部
    品接続部が底面に設けられ、外部基板接続部の設けられ
    る一方の底面に対して他方の底面が、所定の傾斜角を有
    して形成され、少なくとも2つの半導体チップを収納で
    き、第1及び第2の半導体チップ収容部が搭載方向の上
    下両端部に分離して設けられたパッケージ本体と、 このパッケージ本体の第1及び第2の半導体チップ収容
    部に樹脂封入され、前記部品接続部を介して前記内部配
    線及び外部基板接続部と電気的に接続される第1及び第
    2の半導体チップとを具備したことを特徴とする集積回
    路パッケージ。
  2. 【請求項2】 前記第1及び第2の半導体チップ収容部
    は、一方の収容面が外部基板と略平行に形成されること
    を特徴とする請求項1記載の集積回路パッケージ。
  3. 【請求項3】 前記第1及び第2に半導体チップ収容部
    は、他方がパッケージ本体の上端部に形成されることを
    特徴とする請求項1又は2記載の集積回路パッケージ。
  4. 【請求項4】 前記パッケージ本体は、前記第1及び第
    2の半導体チップ収容部の部品接続部間を接続する線路
    の少なくとも一部の中間部に誘電体層を形成したことを
    特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の集積回路パ
    ッケージ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294724A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2007214566A (ja) * 2006-02-06 2007-08-23 Samsung Electronics Co Ltd マルチバンド用フィルタモジュール及び製造方法
JP2007311395A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Toppan Printing Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294724A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4496825B2 (ja) * 2004-04-05 2010-07-07 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2007214566A (ja) * 2006-02-06 2007-08-23 Samsung Electronics Co Ltd マルチバンド用フィルタモジュール及び製造方法
JP4707684B2 (ja) * 2006-02-06 2011-06-22 三星電子株式会社 マルチバンド用フィルタモジュール及び製造方法
JP2007311395A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Toppan Printing Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法

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