JP2002539332A - 多層物品及びアークプラズマ堆積による製造方法 - Google Patents
多層物品及びアークプラズマ堆積による製造方法Info
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Abstract
Description
発生したプラズマを用いて物品上に多数の層を設ける方法に関する。
質をもつ市販の材料である。例えば、ポリカーボネートは、その優れた破壊耐性
のため自動車ヘッドライト、安全シールド、アイウエア及びウインドウのような
多くの製品でガラスに取って代わっているポリマーである。しかし、多くのポリ
カーボネートは、低い摩耗耐性及び紫外(UV)光に曝されたときの劣化し易さ
といったようにある種の用途では欠点となり得る性質ももっている。したがって
、ポリカーボネートは、紫外光や様々な原因による物理的接触に曝される自動車
やその他のウインドウのような用途には一般的には使われていない。
ートの処理方法では、耐摩耗性物質の層やUV吸収性物質の層をポリカーボネー
ト基材に設ける。例えば、Rzadらの米国特許第5156882号には、UV
光や摩耗から保護する改良された保護層を有する透明なプラスチック物品の製造
方法が開示されている。この物品は、ポリカーボネート基材と、プラズマ増強化
学蒸着(PECVD)によってポリカーボネート基材に設けた多層コーティング
とをもっている。プラズマ増強化学堆積PECVDは、プラスチックのガラス転
移温度よりも低い温度で従来の化学蒸着(CVD)では一般に堆積できなかった
ポリカーボネートのようなプラスチック基材に物質を堆積させることができるの
で、CVDよりも大幅に進歩している。PECVDでは、印加された電場が電離
化学種の生成を増強し、ずっと高割合の電離化学種が得られるので、低い堆積温
度、例えば室温程度の低温を使用することが可能である。
知られている層をポリカーボネート基材に設ける。シリコーンハードコートの例
は、例えば米国特許第4842941号、同第4927704号及び同第505
1308号(援用により本明細書に含まれているものとする)に記載されている
。このシリコーンハードコートは、湿式プロセスにより、例えばシリコーン浴に
ポリカーボネートを漬けたり、又はシリコーンをポリカーボネートに噴霧したり
することによって設けられる。このシリコーンハードコートにより耐摩耗性がポ
リカーボネートに与えられ、しかもこのハードコートにはUV放射線を吸収する
成分を含ませることもできる。
PECVDでは一般に、UV吸収層と耐摩耗層とでコートされたポリカーボネー
トを用いる多くの用途に工業的に適用することができるほどに十分高い堆積速度
が得られない。シリコーンハードコーティングの場合、シリコーンハードコート
は乾燥・硬化しなければならず、これは数時間もかかることがあり得るので、こ
のプロセスも比較的遅い。またシリコーンハードコーティングには、溶液の貯蔵
寿命が限られること、化学薬品廃棄物が発生すること、そして乾燥・硬化中に流
体のコーティングが移行するため不均一な厚さになる可能性があることといった
別の欠点もある。
効に実施できて製造コストを下げることができる多層物品の製造方法があれば望
ましいであろう。
上のプラズマ発生チャンバよりも圧力が低く物品が配置された堆積チャンバと連
通した1以上のプラズマ発生チャンバにプラズマガスを流す段階、1以上のプラ
ズマ発生チャンバ内で1以上のアークを発生させて、堆積チャンバ中に流入する
1以上のプラズマを発生させる段階、1以上のプラズマ中に第一の材料を注入し
て物品上に第一の層を形成する段階、及び気体状の試薬を含む第二の材料を1以
上のプラズマ中に注入して第一の層上に第二の層を形成する段階を含む。
、中間層上に配置された紫外線吸収性無機物質からなる第二の層と、第二の層上
に配置された耐摩耗性物質からなる第三の層とからなる製品にも関する。この中
間層は、例えば重合有機ケイ素物質又は重合炭化水素物質からなることができる
。第二の層は、例えば金属の酸化物又は硫化物からなることができる。第三の層
は、例えば酸化した有機ケイ素物質からなることができる。
例えば中間層の場合は約5〜30、典型的には6〜15ミクロン/分、UV吸収
層の場合は約2〜8、典型的には5〜8ミクロン/分、そして耐摩耗層の場合は
約5〜20、典型的には12〜15ミクロン/分であるので連続して短時間で設
けることができる。例えば、3つの層は、層間で冷却することなく、45秒未満
の合計堆積時間で連続して設けることができる。この方法は、高いUV吸収性と
高い耐摩耗性とを有する物品を製造することができる。また、この方法では、発
散ノズルを用いることにより、比較的大きい表面積をコートすることも可能であ
る。
。
00は基材110、中間層120、紫外(UV)線吸収層130、及び耐摩耗層
140からなる。これらの層120、130、140は、通常、図2と3に関連
して以下に説明するようにアークプラズマ堆積によって連続して基材110上に
堆積される。図1に示した3層の物品が好ましい実施形態であるが、本発明の他
の実施形態は3層未満、例えばUV吸収層と耐摩耗層とを含んでいてもよい。
極との間でアークを発生させる。陽極は通常、例えば発散円錐の一部の形態をし
た中央開口をもっており、この開口は低圧の第二のチャンバと連通している。陰
極の近くに導入される不活性キャリヤーガスは陰極と陽極間のアークによって電
離してプラズマを形成する。このプラズマは、第一と第二のチャンバの圧力差の
ためプラズマジェットとして高速で第二のチャンバ中に流入する。第二のチャン
バに入ったら、1種以上の材料をプラズマ中に供給すると、このプラズマがその
材料を基材上に投射し、また、これらの材料は重合、酸化、分解などのような反
応をすることが可能になる。第二のチャンバは、陽極の発散開口から延びる発散
する、例えば円錐状のノズルをもっていることがある。このノズルはその狭い端
部にプラズマと堆積材料を集中させて化学反応を促進する。ノズルの広い端部で
は、プラズマの面積が実質的に大きくなってよりも広い堆積面積を提供する。
るアークプラズマ堆積装置の一例を示す。この装置10は堆積チャンバ1、プラ
ズマ発生チャンバ2、及びノズル8をもっている。プラズマ発生チャンバ2には
、ガス供給ライン3を介して、窒素、アンモニア、二酸化炭素、水素、又は希ガ
ス、例えばアルゴンもしくはヘリウム、又はこれらの混合物のようなイオン化可
能なガスを供給する。ノズル8は、別々に又は組み合わせて作動させることがで
きる酸素供給ライン12と2つの試薬供給ライン14、16をもっている。真空
ポンプ系(図示してない)が出口23を介して堆積チャンバ1内の低圧を維持す
る。基材110は堆積チャンバ1内で温度制御された支持体22上に支持される
。この支持体は、例えば堆積前の基材110の温度を制御するのに使用できる。
開閉シャッタ24は、プラズマジェットの進路内で基材110とノズル8との間
にハンドル25により手操作で又は自動的に位置決めできるようになっている。
プラズマは、1以上の陰極5から陽極4に流れる電子の流れによって発生する。
通常装置は等間隔に配置された複数、例えば3つの陰極をもっているが、図3に
はそのうちの1つのみを示した。陰極5は水冷することができる。陰極5は、プ
レート6上に装着された陰極ハウジング7内に装着される。プレート6は、図示
してない送水ラインを介して供給される冷却水のチャンネル9をもつことができ
る。陽極4用の冷却水は送水ライン42によって供給され、陽極4の本体内の導
管45を通って流れる。
プラズマチャンネルをもっている。銅製とすることができるプレート6は陽極4
及び陰極5から電気的に絶縁されている。カスケードプレートといわれることも
あるプレート6により、陰極5から陽極4までのプラズマの電圧降下の空間分布
に影響する従来「カスケード式アーク」形状として知られているものが得られる
。プレート6の電圧は、通常、陰極5の電圧と陽極4の電圧のほぼ中間である。
陰極5と陽極4との間の電圧降下の空間分布をさらに制御するために追加のプレ
ート6を設けることができる(図3には1つのみを示した)。陰極5と陽極4の
間の全体の電圧降下はプレート6の数プラス1に対応して幾つかの分離した降下
に分割される。カスケード式アーク形状により、陰極5と陽極4の間のガスがイ
オン化することができる面積が大きくなる。カスケード式アーク形状はまたアー
クの安定性を助長する。
ャンバに供給される。堆積チャンバ1内の真空度は、部分的にO−リング15と
17によって保たれる。酸素は、円形導管18及びスリットインジェクター28
と連通したライン12を介してノズル8に供給される。試薬は、空間的に均等に
配置された注入ホール26を有する導管46につながったライン14を介して供
給される。ノズル8は、空間的に均等に配置された注入ホール34を有する導管
32に連結された二次試薬供給ライン16をもっていることがある。この二次試
薬供給ライン16は、ノズル8内の活性化ゾーン又は反応ゾーンに別の反応性ガ
ス又は希釈ガスを供給するのに使うことができる。
る。ノズルは(一つの内壁から反対の内壁まで測定した)発散角が、例えば25
〜60度、通常は40〜50度である。ノズル8は、プラズマと反応性化学種を
コートしようとする基材110の方向に向かわせる延長部40をもっていること
ができる。この延長部40はノズル8と一体になった一部であることもできるし
、或いは取り外し可能な部材として設計することもできる。図3に示してあるよ
うに、延長部40はノズル8と同じ発散角をもっている。延長部40は陽極プラ
ズマチャンネル及びノズル8の形状・幾何学的大きさと変わっていることができ
、例えば裾広がり又はベル形の口をもつことができる。
いる。まず、ノズル8は狭い端部をもっており、すなわち陽極4に隣接する端部
が狭く、これがプラズマを部分的に封入又は閉じ込める。このプラズマの部分的
な封入又は閉じ込めにより、プラズマ及び注入された試薬を相対的に小さい領域
に集中させることができる。試薬はプラズマのエネルギーの高い活動領域の近く
に導入するのが好ましく、その結果、プラズマ中に高割合の活性化学種が生成し
、それに応じて基材上への高い堆積速度、例えば数〜数十ミクロン/分が得られ
る。
ており、そのためプラズマが基材の比較的広い面積を覆うことができ、大面積、
例えば直径10〜20センチメートルの面積の堆積が可能になる。これら2つの
要因の組み合わせにより、堆積の速度を劇的に、例えばPECVDと比べて10
0倍にまで増大することができる。アークプラズマ堆積装置のこれ以上の詳細は
、1998年3月3日にBarry Yangによって出願された「Nozzl
e−Injector for Arc Plasma Deposition
Apparatus」と題する本願出願人に譲渡された米国特許出願第09/
033862号(援用により本明細書に含まれているものとする)に記載されて
いる。
リマー樹脂からなる。例えば、基材はポリカーボネートからなることができる。
この基材を形成するのに適したポリカーボネートは当技術分野でよく知られてお
り、通常次式の繰返し単位を含んでいる。
例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、アジピン酸、セ
バシン酸、ドデカン二酸、など)の二価の芳香族残基(例えば、ビスフエノール
Aともいわれる2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−プロパンの残基)で
ある。これらのポリカーボネート樹脂は、1種以上の二価フェノールをホスゲン
、ハロホルメート又はカーボネートエステルのようなカーボネート前駆体と反応
させることによって製造できる芳香族カーボネートポリマーである。使用するこ
とができるポリカーボネートの一例はGeneral Electric社製の
LEXAN(登録商標)である。
220973号、同第3312659号、同第3312660号、同第3313
777号、同第3666614号、同第3989672号、同第4200681
号、同第4842941号及び同第4210699号(いずれも援用により本明
細書に含まれているものとする)に記載されている当技術分野で周知の方法によ
って製造できる。
のエステル形成性の誘導体を反応させることによって製造することができるポリ
エステルカーボネートからなっていてもよい。ポリエステルカーボネートは、例
えば米国特許第4454275号、同第5510448号、同第4194038
号及び同第5463013号に記載されている。
性物質の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリビニ
ルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリメタクリレ
ートエステル、ポリアクリル酸、ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、セルロース樹脂、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリイミド、ポリビ
ニルクロライド、フッ素含有樹脂及びポリスルホンがある。適切な熱硬化性物質
の例としてはエポキシ及び尿素メラミンがある。
ある。アクリルポリマーはアクリル酸メチル、アクリル酸、メタクリル酸、メタ
クリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸シクロヘキシルなどのよう
なモノマーから製造することができる。アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル
酸ヒドロキシブチル、2−エチルヘキシルアクリレート及びn−ブチルアクリレ
ートのような置換アクリレート及びメタクリレートも使用できる。
技術分野で周知であり、有機ポリカルボン酸(例えば、フタル酸、ヘキサヒドロ
フタル酸、アジピン酸、マレイン酸、テレフタル酸、イソフタル酸、セバシン酸
、ドデカン二酸など)又はこれらの無水物と、第一級又は第二級のヒドロキシル
基を含有する有機ポリオール(例えば、エチレングリコール、ブチレングリコー
ル、ネオペンチルグリコール、及びシクロヘキサンジメタノール)とのポリエス
テル化によって製造できる。
る。ポリウレタンは当技術分野で周知であり、ポリイソシアネートとポリオール
との反応によって製造される。有用なポリイソシアネートの例としては、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、MDI、イソホロンジ
イソシアネート、及びビウレット、並びにこれらのジイソシアネートのトリイソ
シアヌレートがある。有用なポリオールの例としては、低分子量の脂肪族ポリオ
ール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、脂肪アルコール、な
どがある。
−スチレン、ガラス、VALOX(登録商標)(ポリブチレンフタレート、Ge
neral Electric社から入手可能)、XENOY(登録商標)(L
EXAN(登録商標)とVALOX(登録商標)のブレンド、General
Electric社から入手可能)、などがある。
形、圧縮成形、トランスファー成形、熱成形などによって形成することができる
。物品はいかなる形状でもよく、最終商品である必要はない。すなわち、切断し
たり、大きさを調節したり、機械的に賦形したりして最終製品にされるシート材
又はフィルムであってもよい。基材は透明であっても透明でなくてもよい。基材
は硬質でも可撓性でもよい。
アルコールで洗浄し、約80℃で一晩減圧乾燥することができる。また、基材は
、アルゴン又はアルゴン及び酸素を用いてプラズマを発生させて堆積前の基材表
面の汚染物を除去又は酸化するプラズマ前処理クリーニング段階(「エッチング
」ともいう)によりその場で清浄化することもできる。
せる。次に、堆積チャンバ1内の圧力を約0.133Pa(1ミリトル)以下に
下げる。次いで、供給ライン3を通してアルゴンを流し始め、陰極5と陽極4に
直流(DC)電圧を印加してプラズマを発生させる。堆積チャンバ1内の圧力降
下のため、プラズマはノズル8を通って拡がり、プラズマジェットを形成する。
作動中ノズル8の温度は通常約200℃である。作動中の基材は通常約20〜1
30℃である。
プラズマを確立する。第一の層の堆積を開始するには、シャッタ24を引っ込め
、第一の材料をプラズマ中に注入する。
語は、基材110とUV吸収層130との間に位置する層120を指していう。
中間層120は通常熱膨張係数(CTE)が基材110のCTEとUV吸収層1
30のCTEとの間である。この中間層120は、通常無機質であるUV吸収層
130と通常有機質である基材110との間の接着を改善する。適合性の中間層
120がないと、有機の基材、例えばポリカーボネートと、無機のUV吸収層、
例えば金属酸化物との接合部は、主として2種類の物質の化学的性質及び熱膨張
係数の違いのために亀裂、層間剥離及びふくれを起こし得る。
含有有機物質からなる。また中間層120は、プラズマで重合する1種以上の炭
化水素からなることもできる。プラズマによるモノマーの重合を指していうプラ
ズマ重合は通常の重合と比較して有効な重合法である。すなわち、プラズマ重合
では、通常の重合の場合には一般的である不飽和結合がモノマー中に存在する必
要がないからである。
ない。というのは、酸素が導入されると、熱膨張係数がUV吸収層のCTEに近
くなることがあり、したがって中間層の機能が低下するからである。しかし、中
間層の形成中にいくらかの酸素が導入され得ることは本発明の範囲内である。例
えば、酸素の体積流量と有機ケイ素の体積流量の比は0:1〜約3:1の範囲と
することができる。
しては、有機ケイ素、並びにエチルベンゼン及びブタンなどの直鎖の炭化水素の
ような炭化水素がある。本明細書で使用する「有機ケイ素」とは、少なくとも1
個のケイ素原子が少なくとも1個の炭素原子に結合している有機化合物を包含し
て意味しており、シリコーン材料並びに一般にシラン、シロキサン、シラザン及
びオルガノシリコーンといわれている材料が包含される。本発明の方法と物品に
適した有機ケイ素の多くはK.Saunders著,「Organic Pol
ymer Chemistry」(1973年,Chapman and Ha
ll Ltd.刊)に記載されている。
ある。 R1 nSiZ(4-n) ここで、R1は一価の炭化水素基又はハロゲン化一価の炭化水素基を表し、Zは
加水分解可能な基を表し、nは0〜2である。特に、Zはハロゲン、アルコキシ
、アシルオキシ又はアリールオキシのようなものであるのが典型である。このよ
うな化合物は当技術分野で周知であり、例えばSchroeterらの米国特許
第4224378号(援用により本明細書に含まれているものとする)に記載さ
れている。
ある。 R2Si(OH)3 ここで、R2は約1〜約3個の炭素原子を含有するアルキル基、ビニル基、3,
3,3−トリフルオロプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基及びγ−メタク
リルオキシプロピル基より成る群の中から選択され、シラノールの少なくとも約
70重量%はCH3Si(OH)3である。このような化合物は米国特許第424
2381号(援用により本明細書に含まれているものとする)に記載されている
。
クロテトラシロキサン(D4)、テトラメチルジシロキサン(TMDSO)及び
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)がある。
はTMDSOを形成することになる。中間層は約12ミクロン/分の堆積速度で
堆積させることができる。中間層の厚さは、例えば10nm〜10ミクロンでよ
い。通常中間層の厚さは約250〜750nmである。本発明の一つの実施形態
によると中間層は約500nmの厚さでよい。
する。UV吸収層を堆積させるには、有機ケイ素又は炭化水素のプラズマ中への
流れを止め、別の材料を流し始める。中間層120の形成とUV吸収層130の
形成との間の遷移部は、プラズマの発生を中断することなく単に別の材料を注入
することによって作成することができる。
できる。このためには、中間層の材料の注入を終了する前にUV吸収層用の材料
の注入を開始すればよい。傾斜遷移により、異なる性質を有する物質間に急激な
遷移がなくなるので、中間層とUV吸収層との間の接着が改善されるという利点
を得ることができる。
ては、例えば亜鉛、チタン又はセリウムを含有する有機金属化合物がある。有機
金属化合物とは炭素に直接結合した金属を含む有機化合物を指していう。有機金
属化合物の好ましい例としてはジエチル亜鉛(DEZ)又はジメチル亜鉛(DM
Z)のような亜鉛含有化合物がある。通常、亜鉛を酸化してUV吸収性の酸化亜
鉛層を形成するために亜鉛含有化合物と共に酸素を注入する。或いは、DEZ又
はDMZと共にイオウを注入してUV吸収性の硫化亜鉛層を形成することができ
る。他のUV吸収層としては、チタンイソプロポキシド(Ti−IPO)と酸素
から形成される二酸化チタン(TiO2)、セリウムIVテトラブトキシド(C16
H36O4Ce)と酸素から形成される二酸化セリウム(CeO2)、並びにインジ
ウム、アルミニウム、フッ素、ホウ素、ガリウム、タリウム、銅及び鉄のような
ドーパントの1つをドープしたZnOを挙げることができる。インジウムドープ
ZnOによると、本出願と同日出願に係るIacovangeloの「Infr
ared Reflecting Coatings」と題する米国特許出願(
GE整理番号RD−25973)(援用により本明細書に含まれているものとす
る)に記載されているように、良好な赤外(IR)放射線反射、接着及び安定性
の利点が得られる。インジウムは、IZO層の全金属含量の2〜15原子%であ
るのが適切である。
通常は200nm〜1ミクロンであり、より一般的には300〜600nmであ
る。一般にUV吸収層の吸光度は1を超え、通常は2を超える。ここで、「吸光
度」はlog(Ii/Io)で定義され、Iiは堆積物に入射する350nmの光
の強度であり、Ioは出力の強度である。UV吸収層は、無機物質が一般の有機
物質の場合のようにUV放射線を吸収する際に消耗したり劣化したりしないとい
う利点を享受できるように、金属酸化物のような無機物質からなるのが好ましい
。
化亜鉛層の特性の例を示す。表1で、「Zn源」は亜鉛の起源であり、「Zn速
度」は1分当たりの標準リットル(slm)で表した有機金属材料の注入速度で
あり、「O2速度」はslmで表した酸素注入速度であり、「O:Zn」は酸素
の注入速度(モル)と亜鉛の注入速度(モル)の比である。「O:St」は酸素
の注入速度(モル)と化学量論反応を達成するのに理論的に必要とされる酸素の
速度の比であり、「WD」は陽極から基材表面までの作動距離(センチメートル
cm)であり、「圧力」は堆積チャンバ内の圧力(ミリトルmT)であり、「基
材温度」は堆積中の基材表面の最高温度(摂氏)であり、「堆積時間」は秒で表
した堆積時間であり、「厚さ」はオングストローム(Å)で表した堆積物の厚さ
であり、「吸光度」は350ナノメートルの波長を有する光(UV)の吸光度で
あり、log(Ii/Io)で定義され、Iiは堆積物に入射する光の強度であり
、Ioは出力の強度である。堆積物はガラス基材上に作成した。アルゴン注入速
度は1.25slmであった。プラズマ電流は50アンペアであった。注入成分
がアルゴンだけである前処理時間は5秒であった。
重要な性質である。多くの用途で吸光度の値は1より大きく、通常は1.5より
大きく、さらに一般的には2.0より大きい。表1の実施例6と7に示されてい
るように、亜鉛源としてジメチル亜鉛を用い、比較的大きい酸素流量、例えば約
6.7slmで高いUV吸光度、例えば2.0より大きい吸光度を達成すること
ができる。この酸素流量、すなわち6.7slmは、下記化学量論反応を実施す
るのに必要とされる理論流量2.9slmより2.295(O:St)倍大きい
。 (CH3)2Zn + 4O2 → ZnO + 2CO2 + 3H2O 一般に、酸素の流量は、より低い流量の酸素で形成される非晶質の酸化亜鉛層
とは反対に、結晶性の酸化亜鉛層の形成を可能にするように十分に大きいのが好
ましい。比O:Stは通常1より大きく、例えば2より大きくてもよい。
プロセスが迅速に行われれば、基材に対する熱負荷は少なくなり、これはガラス
転移温度が低いポリカーボネートのような基材では重要であり得る。熱負荷が十
分低下すると、中間冷却をすることなく連続的に層を堆積させることができるの
で製造プロセスを短縮することができる。表1に示されているように、厚さが約
0.5ミクロンのUV吸収層は約4秒で堆積させることができる。この堆積速度
7〜8ミクロン/分は、表に示されているように出発物質としてDMZを用いて
達成することができる。
一般に、作動距離が短くなると、堆積面積が減り基材に対する熱負荷が増大する
。作動距離が長くなると、堆積速度(ミクロン/分)が遅くなりコーティングの
幾つかの特性が低下し得る。例えば、基材上における試薬の温度が低下するため
亀裂が発生することがあり、堆積チャンバへの酸素の損失が大きくなるため結晶
質ではなくより低い吸光度を有する非晶質の酸化亜鉛層が生じ得る。一般に、作
動距離は、基材に対する熱的損傷を回避するのに十分大きく、かつ試薬の過度の
冷却と堆積チャンバへの酸素の損失に伴う問題(例えば亀裂の発生や非晶質の生
成)を避けるのに十分小さくなるように選択する。通常、作動距離は約20〜4
0センチメートルである。
の他上記のもののような所望の亜鉛ドーパントとを蒸気の形態でプラズマに供給
する。例えば、Zn、In及びAlをプラズマ中に熱的に蒸発させることによっ
て、ZnOコーティング、インジウムドープ酸化亜鉛(IZO)コーティング、
及びアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)コーティングを高速でポリカーボネ
ート基材上に堆積することができる。
気圧を有する金属を使用することができる。より低い蒸気圧を有する金属も利用
することができるが、ノズルの温度をそれより高い温度に保たなければならない
。
よい。金属供給ライン14(又は必要に応じて12もしくは16)をステンレス
鋼管のような管又はチューブ144と交換する。チューブ144は蒸発器145
につながっている。この例では、蒸発器145はタンタルライナーを有するニッ
ケル製るつぼのようなるつぼからなる。このるつぼは、高抵抗線や無線周波数(
RF)コイルのような加熱エレメント147で囲まれている。この加熱エレメン
トはまたチューブ144の回りにも巻かれている。加熱エレメントは、反応体金
属がチューブ144内で凝固するのを防ぐのに十分な温度に保つ。また加熱エレ
メント147は金属がノズル8内で凝固するのを防ぐためにノズルまで延びてい
る。例えば、ノズル8を熱的に包囲して、蒸気がその凝縮相に戻る温度にまで冷
却される場合のように閉塞するのを防止するのに十分な温度を維持することがで
きる。
に装填する。加熱エレメントを賦活化して金属反応体148をパイプ144中に
蒸発させる。次いで金属反応体はパイプ144からチャンネル135と開口13
4を通ってプラズマ150中に供給される。例えば、ZnO薄膜を堆積するには
、金属反応体は亜鉛であり、これはZnスラグの形態で市販されている。IZO
薄膜を堆積するには、金属反応体148は2.5%In:ZnのようなIn:Z
n合金でよい。
施形態の場合、第二の金属供給ライン16は、第二のチューブ146及びインジ
ウムを収容した第二のるつぼと交換する。亜鉛及び/又はインジウムの蒸気はプ
ラズマ中に入り、そこで供給ライン12から供給された酸素と混合される。金属
反応体と酸素反応体はプラズマ150中で混合してZnO又はIZOを形成し、
プラズマが基材に衝突すると薄い膜として基材110上に堆積する。
体を蒸発チャンバからなる蒸発器145中で蒸発させる。蒸発器145は導管1
44に接続されており、蒸発した反応体が注入ホール134に向かって流れる。
この実施形態では、Znスラグを用いる代わりに、例えばZnワイヤのスプール
のようなワイヤ供給サプライ153に接続されたワイヤ供給導管又は中空チュー
ブ151を介してZnワイヤ152を蒸発器145に供給する。もちろん、前述
したように、金属反応体として他の金属を使用することができる。
一つの実施形態では、モーター154は一定の速度で駆動されてワイヤ152を
連続的に蒸発器145に供給する。また、チューブ157を介してArガスを導
管151に供給することもできる。アルゴンは、酸素の逆拡散を減らし、亜鉛蒸
気を運搬し、注入ホール134のところでプラズマに入る亜鉛の活性を薄めるた
めに用いられる。
モードも示している。例えば、本発明のプラズマ増強堆積装置はバッチモードで
使用することができる。バッチモードでは、Znスラグ又はインジウム−亜鉛合
金(In:Zn)のような金属反応体を蒸発器145内に入れる。ノズル8を熱
平衡にする一方で蒸発器を迅速にオンオフして反応体の堆積を開始・停止する。
また、連続モードでは、加熱エレメント147により蒸発器145とノズル8を
平衡にする。ワイヤ152を蒸発器145に供給するとワイヤは、ワイヤの供給
速度及び蒸発器温度における反応体の蒸気圧に比例する一定の速度で融解しプラ
ズマ150中に蒸発する。この連続モードは、蒸発した反応体の浪費が最小にな
るという意味で有利である。蒸発器は、ユーザーが望むだけの時間適正な高温に
保つことができる。それに応じて反応体ワイヤの供給速度も変えることができる
。もちろん、本明細書の開示に基づいて当業者には明らかなようにこれらの作動
モードの変形又は組合せを利用して許容可能な堆積を実行することもできる。
ズマ堆積(APD/蒸発)を利用することによって改善される。この方法による
と、下記表2の実施例8〜11に示されているように、ZnO堆積物は化学量論
より過剰の酸素(すなわち、50%を超える酸素)を含有している。対照的に、
アークプラズマと共に有機金属亜鉛源を使用した場合(実施例12〜13)又は
スパッタリングを使用した場合(実施例14〜16)、ZnO堆積物は通常化学
量論より不足の酸素を含有している。実施例8〜16の酸素と亜鉛の含量はX−
線光電子分光法(XPS)で測定した。
例証する。実施例17では、亜鉛をプラズマ中に蒸発させたアークプラズマ堆積
によってZnO層を設けた。実施例18と19では、亜鉛源がジエチル亜鉛(D
EZ)であるアークプラズマ堆積(APD)によってZnO層を設けた。実施例
20では、18%O2/Arプラズマ中でZnO源を用いた反応性スパッタリン
グでZnO層を設けた。21日間の一日当たりΔODとは、65℃の水に21日
にわたって浸漬したときの光学密度における一日当たりの平均低下を指しており
、ODは既に定義した通り350nmの吸光度と等価である。このODの損失は
、ZnOコーティングの溶解に起因している。7日後のΔ%曇りとは、65℃の
水に7日間浸漬した後の曇り価の増大率を指している。1日当たりΔODとΔ%
曇りの値が低いほどコーティングは安定である。
て形成したZnO層は、スパッタリングによって形成したZnO層及びDEZを
用いてアークプラズマ堆積によって形成したZnO層と比較して、1日当たりの
光学密度の低下がずっと低かった。また、蒸発した亜鉛を用いてアークプラズマ
堆積によって形成したZnO層は、スパッタリングによって形成したZnO層及
びDEZを用いてアークプラズマ堆積によって形成したZnO層と比較して、曇
り価の増大率がずっと低かった。表2と3の実施例は、化学量論より過剰の酸素
を有するZnOコーティングの堆積により、改善された水浸漬安定性をもつZn
O層が生成し得ることを示唆している。
てUV吸収層130の上に形成されている。この耐摩耗層を設けるには、プラズ
マ中への有機金属材料又は金属材料の流れを止め、別の材料を流し始める。UV
吸収層の形成と耐摩耗層の形成との間の遷移部は、プラズマの発生を中断するこ
となく単に別の材料を注入することによって作成することができる。
できる。このためには、UV吸収層の材料の注入を終了する前に耐摩耗層用の材
料の注入を開始すればよい。傾斜遷移により、異なる性質を有する物質間に急激
な遷移がなくなるので、UV吸収層と耐摩耗層との間の接着が改善されるという
利点を得ることができる。
ように、オクタメチルシクロテトラシロキサン(D4)、テトラメチルジシロキ
サン(TMDSO)、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)その他の有機ケ
イ素を挙げることができる。これらの有機ケイ素モノマーは通常プラズマ中で酸
化され重合して、ケイ素、炭素、酸素及び水素を含有する酸化D4、TMDSO
又はHMDSOの層からなる耐摩耗層を形成する。
ニウムがある。
であり、最も普通の場合は約3〜4ミクロンである。耐摩耗層の堆積速度は、厚
さ4ミクロンの層を約20秒以内に堆積することができるように約12〜15ミ
クロン/分とすることができる。
インチ)を、下記表4に掲げる条件下、1)厚さ0.6ミクロンの重合D4の中
間層、2)厚さ0.5ミクロンのZnOのUV吸収層、及び3)厚さ4ミクロン
の酸化したD4の耐摩耗層で、アークプラズマによりコートした。これら3つの
層は各層の堆積の間に30分の遅れをもって直接堆積した。表4と5で、「プラ
ズマ暴露」、「前/中/後」とは、それぞれの層の堆積の前、堆積中及び堆積後
のプラズマ暴露を指している。中間層の場合、堆積前と堆積後のプラズマはアル
ゴンからなっていた。UV吸収層と耐摩耗層の場合、堆積前と堆積後のプラズマ
はアルゴンと酸素からなっていた。陽極から基材までの作動距離は28cmであ
った。アーク電流は60Aであった。
TM)試験法ASTMのD1003に従ってGardner haze−gar
d plusモデルHB4725で測定した初期曇り価(光散乱の割合%)が0
.6%であった。次に、サンプルをアメリカ材料試験協会(ASTM)の試験法
D1044によるテーバー摩耗試験にかけた。このテーバー摩耗試験では、2つ
の摩耗輪(CS−10Fタイプ)に均等に分配された1000グラムの荷重を1
000サイクルかける。その後、再び曇り価を測定してΔ曇り価を得る。このΔ
曇り価が低いほどサンプルは耐摩耗性である。この実施例ではΔ曇り価が1.2
%であった。
よって測定した。ZnOコーティングはUV吸光度が350ナノメートル(nm
)光に対して1.5より大きかった。ポリカーボネートはUV光をいくらか吸収
するので、UV吸光度を測定する基材としてガラスを用いた。
4インチ×4インチ×1/8インチ)に3層コーティングを設けた。陽極から基
材までの作動距離は28cmであった。アーク電流は60Aであった。この実施
例の3層コーティングは、良好な耐摩耗性、良好なUV吸収性を示し、熱サイク
ルによるダメージはなかった。
B4725で測定した初期曇り価は1.2%であった。次に、コーティングを実
施例21に記載したテーバー(Taber)試験にかけた。このサンプルのΔ曇り価は
2.0%であった。
gineering Standards)の自動車環境サイクル(Automotive Environmental Cycles
)GM9505P(1992)に定められている熱サイクル試験にかけた。この
熱サイクル試験(ゼネラル・モーターズ工学規格(General Motors Engineering
Standards)にサイクル1として規定されている)では、サンプルを−30℃と8
0℃に5サイクル加熱・冷却する。この熱サイクル試験の終了時サンプルにはコ
ーティングの微細亀裂も層間剥離もなかった。
度を測定した。ZnOコーティングはUV吸光度が350ナノメートルの光に対
して約1.6であった。
を設けた。この3層コーティングは中間層、UV吸収層及び耐摩耗層を含んでい
た。耐摩耗層は2つの段階で設けた。この実施例は、中間層、UV吸収層及び第
一の耐摩耗層が、冷却することなく連続して短時間で設けることができて、LE
XAN(登録商標)基材上の熱負荷を低減できることを立証している。
マで4秒間前処理した。次に、中断することなく、アーク内にTMDSOを流す
ことにより中間層を堆積させた。次いで、中断することなく、アーク内にDMZ
と酸素を流すと共にTMDSO流を止めることによりUV吸収性ZnO層を堆積
させた。その後、中断することなく、アーク内にTMDSOを流し、DMZ流を
止め、そして酸素流を減らすことにより第一の耐摩耗層を堆積させた。次に、サ
ンプルを約5分間で40℃に冷却させた。次いで、第二の耐摩耗層を設けた。陽
極から基材表面までの作動距離は25.5センチメートルであった。
クロンの酸化亜鉛のUV吸収層と、3.6ミクロンの酸化したTMDSOの耐摩
耗層とを有する3層構造体が得られた。このサンプルを65℃の水に7日間浸漬
した後、層間剥離も曇り価の増大も見られなかった。曇り価は水浸漬の前後にガ
ードナー曇り計モデルXL835で測定した。
を設けた。この実施例は、2.66の高い紫外吸光度を立証している。これらの
層は、中間に冷却段階を用いることなく、合計13秒以内に連続して堆積させた
。コーティング全体の厚さは1.8ミクロンであった。陽極と基材表面との間の
作動距離は25.5センチメートルであった。
を設けた。このコーティングは2.29という比較的高いUV吸光度を示した。
これらの層は、中間に冷却段階を用いることなく、合計32秒以内に連続して堆
積させた。コーティング全体の厚さは3.6ミクロンであった。陽極と基材表面
との間の作動距離は25.5センチメートルであった。
含む複数の層をポリマー基材上に迅速に形成する改良された方法が提供されるこ
とが明らかである。各層の堆積の間に冷却してもしなくても、1分未満、通常は
45秒、30秒、20秒又は15秒未満の合計堆積時間内に連続して3層を設け
ることができるので、達成することができるタイミングは特に有利である。UV
吸光度は、例えば2又は2.5以上とすることができる。テーバー摩耗試験で測
定される耐摩耗性はΔ曇り価が、例えば2%、1.5%、又は1.2%以下の値
とすることができる。また、図3に例示したノズルでは、比較的大きい表面積を
迅速にコートすることも可能になる。
ンバ200内の基材165の両側に配置された複数のプラズマ発生チャンバ18
1〜190をもっている。プラズマ発生チャンバ181〜190と堆積チャンバ
200は図2〜5に関して説明したのと同様に作動する。
こともできるし、両面を同時にコートすることもできる。この複数のアークプラ
ズマ発生チャンバは堆積チャンバ200の片側にのみ配置してもよいし、図6に
示したように両側に配置してもよい。基材165の両側に5つのプラズマ発生チ
ャンバが示してあるが、そのようなチャンバは基材165のいずれかの側に1つ
、2つ、3つ、4つ又は5つ以上あってもよい。装置160は、例えば、単一の
基材の複数の領域を別々にコートしたり、複数の基材をコートしたり、又は単一
の基材上に複数の層をコートしたりするのに利用できる。これらプラズマ発生チ
ャンバ181〜190は所望の材料又は材料の組合せを基材165上に投射する
ような形状・配置にすることができる。
65は放出されるプラズマジェットの進路に対して垂直な方向191に沿って移
動することができる。この方向は垂直、水平その他任意の方向でよい。例えば、
基材は位置192から位置193に向かって、チャンバ181〜185から放出
されるプラズマアーク又はジェット50の方向に対して垂直に動くことができる
。一つの例では、プラズマ発生チャンバ181を用いて中間層222を堆積し、
プラズマ発生チャンバ182を用いてUV吸収層225を堆積し、プラズマ発生
チャンバ183を用いて耐摩耗層を堆積する。もちろん、活動プラズマ発生チャ
ンバ(すなわちプラズマを放出するチャンバ)の数は所望の構造が形成されるよ
うに変化させることができる。また、プラズマ発生チャンバ181〜190の1
つ以上を、表4と5に記載した前処理や後処理暴露のようなプラズマ処理に使用
することもできる。
90を活動させることができる。すなわち、一つのプロセス実行中に同一のチャ
ンバ内で任意の組合せの層を形成することができる。また、基材165がチャン
バ181〜185に同時に面する程長ければ、2つ以上〜5つ全部の活動チャン
バ181〜185からのプラズマで基材165を同時に照射して任意の組合せの
層を同時に形成することができる。
183のいずれかを別々の時間に作動させて、他の2つの堆積チャンバを不活動
状態にして、中間層、UV吸収層及び耐摩耗層を順次堆積することができる。基
材165は、各々の堆積の際に適した位置、すなわち活動状態の堆積チャンバの
前に配置する。
接着促進層を堆積することができる。適切な銀又はアルミニウムの接着促進層は
、例えば、本出願と同日出願に係るIacovangeloの「Adhesio
n Layer of Metal Oxide UV Filters」と題
する米国特許出願(GE整理番号RD−25972)(援用によりその全体が本
明細書に含まれているものとする)に記載されている。
covangeloの「Infrared Reflecting Coati
ngs」と題する米国特許出願(GE整理番号RD−25973)(援用により
その全体が本明細書に含まれているものとする)に記載されているように、多層
物品に、例えばUV吸収層に隣接して、銀又はアルミニウムの赤外反射層を設け
ることができる。
ている。というのは、これらのプロセスもまた迅速に実施することができるから
である。例えば、物品を形成するのにかかる時間がその物品をコートするのにか
かる時間とほぼ等しければ、これらのプロセスを連続的に行うことができるので
、製造のロジスティックスが簡単化される。対照的に、シリコーンハードコート
を設ける際のような処理段階が2時間かかる従来法では、非常に多くの物品を同
時に処理しなければならず、製造ロジスティックスが複雑になる。また、すべて
の層をアークプラズマ堆積によって設けると、いろいろな層を堆積する間にその
物品を取扱い、輸送し、又は清浄にする必要がないという利点も得られる。
かであろう。本明細書の説明及び実施例は単なる例示であって本発明の範囲は特
許請求の範囲によって定められるものである。
示す。
Claims (73)
- 【請求項1】 物品上に複数の層を堆積させる方法であって、 1以上のプラズマ発生チャンバよりも圧力が低く物品が配置された堆積チャン
バと連通している1以上のプラズマ発生チャンバにプラズマガスを流す段階、 1以上のプラズマ発生チャンバ内で1以上のアークを発生させて、堆積チャン
バ中に流入する1以上のプラズマを発生させる段階、 1以上のプラズマ中に第一の材料を注入して物品上に第一の層を形成する段階
、及び 気体状の試薬を含む第二の材料を1以上のプラズマ中に注入して第一の層上に
第二の層を形成する段階 を含んでなる方法。 - 【請求項2】 第一の材料が有機ケイ素物質からなり、第二の材料が有機ケ
イ素物質からなり、当該方法がさらに第二の材料と共に酸化剤を注入する段階を
含んでいる、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 第一の材料が有機ケイ素物質からなり、第二の材料が有機金
属物質からなり、当該方法がさらに第二の材料と共に酸化剤を注入する段階を含
んでいる、請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 第一の材料が有機金属物質からなり、第二の材料が有機ケイ
素物質からなり、当該方法がさらに第一の材料と共に酸化剤を注入し、第二の材
料と共に酸化剤を注入する段階を含んでいる、請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 第一の材料又は第二の材料が蒸発した元素状金属からなる、
請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 さらに、第三の材料をプラズマ中に注入して第二の層上に第
三の層を形成する、請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 第一の材料が有機ケイ素物質からなり、第二の材料が蒸発し
た元素状金属からなり、第三の材料が有機ケイ素物質からなり、当該方法がさら
に第二の材料と共に酸化剤を注入し、第三の材料と共に酸化剤を注入する段階を
含んでいる、請求項6記載の方法。 - 【請求項8】 第一の材料がオクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラ
メチルジシロキサン及びヘキサメチルジシロキサンの少なくとも1種からなり、
第二の材料が亜鉛からなり、第三の材料がオクタメチルシクロテトラシロキサン
、テトラメチルジシロキサン及びヘキサメチルジシロキサンの少なくとも1種か
らなる、請求項7記載の方法。 - 【請求項9】 第一の材料が有機ケイ素からなる、請求項6記載の方法。
- 【請求項10】 第一の材料がオクタメチルシクロテトラシロキサンからな
る、請求項6記載の方法。 - 【請求項11】 第一の材料がテトラメチルジシロキサンからなる、請求項
6記載の方法。 - 【請求項12】 第一の材料が炭化水素からなる、請求項6記載の方法。
- 【請求項13】 第一の層が重合有機ケイ素物質からなる、請求項6記載の
方法。 - 【請求項14】 第一の層が重合オクタメチルシクロテトラシロキサンから
なる、請求項6記載の方法。 - 【請求項15】 第一の層が重合テトラメチルジシロキサンからなる、請求
項6記載の方法。 - 【請求項16】 第二の材料が有機金属物質からなる、請求項6記載の方法
。 - 【請求項17】 第二の材料が蒸発した元素状金属からなる、請求項6記載
の方法。 - 【請求項18】 第二の材料が亜鉛及びインジウムの少なくとも1種からな
る、請求項17記載の方法。 - 【請求項19】 第二の材料が亜鉛からなり、当該方法がさらに亜鉛と共に
イオウを注入する段階を含んでいる、請求項17記載の方法。 - 【請求項20】 さらに、第二の材料と共に酸化剤を注入する段階を含んで
いる、請求項6記載の方法。 - 【請求項21】 第二の材料がジメチル亜鉛からなる、請求項6記載の方法
。 - 【請求項22】 さらに、ジメチル亜鉛と共に酸素を注入する段階を含んで
いる、請求項6記載の方法。 - 【請求項23】 第二の材料がジエチル亜鉛からなる、請求項6記載の方法
。 - 【請求項24】 第二の材料がチタンイソプロポキシドからなる、請求項6
記載の方法。 - 【請求項25】 第二の材料がセリウムIVテトラブトキシドからなる、請求
項6記載の方法。 - 【請求項26】 第二の層が酸化亜鉛からなる、請求項6記載の方法。
- 【請求項27】 第二の層が二酸化チタンからなる、請求項6記載の方法。
- 【請求項28】 第二の層が二酸化セリウムからなる、請求項6記載の方法
。 - 【請求項29】 第二の層が硫化亜鉛からなる、請求項6記載の方法。
- 【請求項30】 第二の層が無機物質からなる、請求項6記載の方法。
- 【請求項31】 第三の材料が有機ケイ素物質からなる、請求項6記載の方
法。 - 【請求項32】 さらに、第三の材料と共に酸化剤を注入する段階を含んで
いる、請求項6記載の方法。 - 【請求項33】 第三の材料がオクタメチルシクロテトラシロキサンからな
る、請求項6記載の方法。 - 【請求項34】 第三の材料がテトラメチルジシロキサンからなる、請求項
6記載の方法。 - 【請求項35】 第三の材料がヘキサメチルジシロキサンからなる、請求項
6記載の方法。 - 【請求項36】 さらに第二の材料と共に酸素をプラズマ中に注入する段階
を含んでおり、酸素の流量が結晶形態の第二の層を形成するのに十分な大きさで
ある、請求項6記載の方法。 - 【請求項37】 さらに第二の材料と共に酸素をプラズマ中に注入する段階
を含んでおり、酸素の流量が第二の材料を完全に反応させるのに必要な酸素の化
学量論流量以上である、請求項6記載の方法。 - 【請求項38】 第一、第二及び第三の層を堆積させる合計堆積時間が45
秒未満である、請求項6記載の方法。 - 【請求項39】 第一、第二及び第三の層を堆積させる合計堆積時間が30
秒未満である、請求項6記載の方法。 - 【請求項40】 第一、第二及び第三の層を堆積させる合計堆積時間が20
秒未満である、請求項6記載の方法。 - 【請求項41】 第一、第二及び第三の層を、それぞれの層の堆積の間に冷
却することなく堆積させる、請求項38記載の方法。 - 【請求項42】 3つの層の2つを、その間に冷却期間を設けることなく連
続して堆積させる、請求項38記載の方法。 - 【請求項43】 第二の層の紫外吸光度が少なくとも1.0である、請求項
38記載の方法。 - 【請求項44】 第二の層の紫外吸光度が少なくとも2.0である、請求項
38記載の方法。 - 【請求項45】 第三の層が、CS−10Fタイプの2つの摩耗輪に均等に
分配された1000グラムの荷重を用いた1000サイクルのテーバー摩耗試験
、すなわちアメリカ材料試験協会(ASTM)の試験法D1044で4.0%以
下のΔ曇り価を有する、請求項38記載の方法。 - 【請求項46】 第三の層が、CS−10Fタイプの2つの摩耗輪に均等に
分配された1000グラムの荷重を用いた1000サイクルのテーバー摩耗試験
、すなわちアメリカ材料試験協会(ASTM)の試験法D1044で2.0%以
下のΔ曇り価を有する、請求項38記載の方法。 - 【請求項47】 第一の材料を流し終わる前に第二の材料を注入して第一の
層と第二の層との間に傾斜遷移部を生成させる、請求項6記載の方法。 - 【請求項48】 第二の材料を流し終わる前に第三の材料を注入して第二の
層と第三の層との間に傾斜遷移部を生成させる、請求項6記載の方法。 - 【請求項49】 さらに、アークを発生させるために使用される陽極から延
びているノズルを用いてプラズマの流れを制御する段階を含んでいる、請求項6
記載の方法。 - 【請求項50】 ノズルが円錐形状を有している、請求項49記載の方法。
- 【請求項51】 第一の材料と共に酸化剤を注入しない、請求項6記載の方
法。 - 【請求項52】 物品がポリカーボネートからなる、請求項7記載の方法。
- 【請求項53】 第二の層が少なくとも1.0の紫外吸光度を有する紫外線
吸収性物質からなる、請求項6記載の方法。 - 【請求項54】 第二の層が少なくとも2.0の紫外吸光度を有する紫外線
吸収性物質からなる、請求項6記載の方法。 - 【請求項55】 第三の層が4.0%以下のΔ曇り価を有する耐摩耗性物質
からなる、請求項53記載の方法。 - 【請求項56】 第三の層が2.0%以下のΔ曇り価を有する耐摩耗性物質
からなる、請求項54記載の方法。 - 【請求項57】 基材がガラスからなる、請求項1記載の方法。
- 【請求項58】 第二の材料が元素状亜鉛、元素状インジウム及び元素状ア
ルミニウムの少なくとも1種からなる、請求項6記載の方法。 - 【請求項59】 第二の層がインジウムドープ酸化亜鉛からなる、請求項6
記載の方法。 - 【請求項60】 第二の層がドープ酸化亜鉛からなる、請求項6記載の方法
。 - 【請求項61】 第二の層がアルミニウム、フッ素、ホウ素、ガリウム、タ
リウム、銅及び鉄の少なくとも1種をドープ酸化亜鉛からなる、請求項6記載の
方法。 - 【請求項62】 基材と、 基材上に配置された、重合炭化水素物質からなる中間層と、 中間層上に配置された紫外線吸収性無機物質からなる第二の層と、 第二の層上に配置された耐摩耗性物質からなる第三の層と を含んでなる製品。
- 【請求項63】 耐摩耗性物質が酸化した有機ケイ素物質からなる、請求項
62記載の物品。 - 【請求項64】 基材と、 基材上に配置された、重合有機物質からなる中間層と、 中間層上に配置された硫化亜鉛からなる第二の層と、 耐摩耗性物質からなる第三の層と を含んでなる製品。
- 【請求項65】 耐摩耗性物質が酸化した有機ケイ素物質からなる、請求項
64記載の物品。 - 【請求項66】 基材と、 基材上に配置された、重合有機物質からなる中間層と、 中間層上に配置された無機紫外線吸収層からなる第二の層と、 酸化した有機ケイ素からなる第三の層と を含んでなる製品。
- 【請求項67】 中間層が重合有機ケイ素からなる、請求項66記載の物品
。 - 【請求項68】 中間層が重合炭化水素からなる、請求項66記載の物品。
- 【請求項69】 基材と、 ZnO層と、 耐摩耗層と を含んでなり、65℃の水に7日間浸漬した後のZnO層の曇りの上昇率が1.
7%未満であり、65℃の水に21日間浸漬した後のZnO層の光学密度の平均
一日上昇率が0.016以下である、多層物品。 - 【請求項70】 さらに、基材とZnO層との間に重合有機ケイ素の中間層
を含んでいる、請求項69記載の多層物品。 - 【請求項71】 ZnO層が、元素状亜鉛を蒸発させ、蒸発した元素状亜鉛
をプラズマ中に向けることによって設けられている、請求項70記載の多層物品
。 - 【請求項72】 ZnO層の厚さが200nm〜1ミクロンである、請求項
71記載の多層物品。 - 【請求項73】 耐摩耗層の厚さが2〜6ミクロンである、請求項72記載
の多層物品。
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