RU2007115923A - Многослойные покрытия, полученные химическим осаждением из паров, усиленным плазмой - Google Patents

Многослойные покрытия, полученные химическим осаждением из паров, усиленным плазмой Download PDF

Info

Publication number
RU2007115923A
RU2007115923A RU2007115923/02A RU2007115923A RU2007115923A RU 2007115923 A RU2007115923 A RU 2007115923A RU 2007115923/02 A RU2007115923/02 A RU 2007115923/02A RU 2007115923 A RU2007115923 A RU 2007115923A RU 2007115923 A RU2007115923 A RU 2007115923A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
compound
layer
oxidizing agent
tetraalkylorthosilicate
organic polymer
Prior art date
Application number
RU2007115923/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Аарон М. ГЭБЕЛНИК (US)
Аарон М. ГЭБЕЛНИК
Кристина Э. ЛАМБЕРТ (US)
Кристина Э. ЛАМБЕРТ
Original Assignee
Дау Глобал Текнолоджиз Инк. (Us)
Дау Глобал Текнолоджиз Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дау Глобал Текнолоджиз Инк. (Us), Дау Глобал Текнолоджиз Инк. filed Critical Дау Глобал Текнолоджиз Инк. (Us)
Publication of RU2007115923A publication Critical patent/RU2007115923A/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2201/00—Polymeric substrate or laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/52—Two layers
    • B05D7/53—Base coat plus clear coat type

Claims (15)

1. Способ получения многослойного покрытия на поверхности органического полимерного субстрата посредством осаждения из плазмы при атмосферном давлении, включающий осаждение слоя (первый слой) полимеризованного плазмой, оптически прозрачного, высокоадгезионного, кремнийорганического соединения на поверхность органического полимерного субстрата плазменным осаждением из плазмы при атмосферном давлении из газообразной смеси, включающей соединение тетраалкилортосиликата и необязательно окислитель, на первой стадии, и затем, на второй стадии, осаждение в основном однородного слоя (второй слой) соединения оксида кремния на экспонируемую поверхность указанного первого слоя плазменным осаждением при атмосферном давлении из газообразной смеси, включающей окислитель и соединение тетраалкилортосиликата, при мольном отношении окислителя к соединению тетраалкилортосиликата в применяемой газообразной смеси больше на второй стадии, чем на первой стадии.
2. Способ по п.1, в котором кремнийорганическое соединение, применяемое на первой и второй стадиях, является тетраалкилортосиликатом.
3. Способ по п.2, в котором тетраалкилортосиликат является тетраэтилортосиликатом.
4. Способ по п.1, в котором поверхность субстрата не обрабатывают предварительно металлизацией или способами химического или физического окисления в отсутствие соединения кремния.
5. Способ по любому из пп.1-4, в котором органический полимерный субстрат является поликарбонатом.
6. Способ по п.5, в котором окислителем является кислород.
7. Способ получения многослойного покрытия на поверхности органического полимерного субстрата посредством осаждения из плазмы при атмосферном давлении, причем стадии способа включают осаждение слоя (первый слой) полимеризованного плазмой, оптически прозрачного кремнийорганического соединения формулы SiNwCxOyHz, где
w - число от 0 до 1,0,
x - число от 0,1 до 3,0,
y - число от 0,5 до 5,0,
z - число от 0,1 до 5,0,
на поверхность органического полимерного субстрата плазменным осаждением при атмосферном давлении из газообразной смеси, включающей соединение тетраалкилортосиликата и необязательно окислитель, на первой стадии, и затем, на второй стадии, осаждение в основном однородного слоя (второй слой) соединения оксида кремния на экспонируемую поверхность указанного первого слоя плазменным осаждением при атмосферном давлении из газообразной смеси, включающей окислитель и соединение тетраалкилортосиликата, при мольном отношении окислителя к соединению тетраалкилортосиликата в применяемой газообразной смеси больше на второй стадии, чем на первой стадии.
8. Способ по п.7, в котором соединение оксида кремния соответствует формуле SiNw'Cx'Oy'Hz', в которой:
w' - число от 0 до 1,0,
x' - число от 0 до 0,5,
y' - число от 1,0 до 5,0,
z' - число от 0,1 до 10,0.
9. Способ по п.7, в котором соединение тетраалкилортосиликата, применяемое на первой и второй стадиях, является одним и тем же соединением.
10. Способ по п.9, в котором соединение тетраалкилортосиликата является тетраэтилортосиликатом.
11. Способ по п.7, в котором поверхность субстрата не обрабатывают предварительно металлизацией или способами химического или физического окисления.
12. Способ по любому из пп.7-11, в котором органический полимерный субстрат является поликарбонатом.
13. Способ по любому из пп.7-11, в котором органический полимерный субстрат является поли(мет)акрилатом.
14. Способ по п.12, в котором окислителем является кислород.
15. Способ по п.13, в котором окислителем является кислород.
RU2007115923/02A 2004-09-27 2005-09-02 Многослойные покрытия, полученные химическим осаждением из паров, усиленным плазмой RU2007115923A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US61349004P 2004-09-27 2004-09-27
US60/613,490 2004-09-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2007115923A true RU2007115923A (ru) 2008-11-10

Family

ID=35658976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007115923/02A RU2007115923A (ru) 2004-09-27 2005-09-02 Многослойные покрытия, полученные химическим осаждением из паров, усиленным плазмой

Country Status (11)

Country Link
US (1) US20080095954A1 (ru)
EP (1) EP1807545A1 (ru)
JP (1) JP2008514813A (ru)
KR (1) KR20070057200A (ru)
CN (1) CN101031669A (ru)
BR (1) BRPI0515714A (ru)
CA (1) CA2578354A1 (ru)
MX (1) MX2007003561A (ru)
RU (1) RU2007115923A (ru)
TW (1) TW200617200A (ru)
WO (1) WO2006036461A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2717842C2 (ru) * 2015-06-10 2020-03-26 Семблант Лимитед Имеющий покрытие электрический узел

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1807548A2 (en) * 2004-10-29 2007-07-18 Dow Gloval Technologies Inc. Abrasion resistant coatings by plasma enhanced chemical vapor deposition
AU2006244483B2 (en) 2005-05-05 2012-05-31 Nyse Group, Inc. Tracking liquidity order
US7873561B1 (en) 2005-05-05 2011-01-18 Archipelago Holdings, Inc. Method and system for maintaining an order on a selected market center with maximum price exemption parameter
AU2006244562B2 (en) 2005-05-05 2012-05-17 Nyse Group, Inc. Reprice-to-block order
US7912775B1 (en) 2005-05-05 2011-03-22 Archipelago Holdings, Inc. Liquidity analysis system and method
US9950481B2 (en) * 2007-05-01 2018-04-24 Exatec Llc Edge healing and field repair of plasma coating
WO2008144615A1 (en) * 2007-05-21 2008-11-27 Dow Global Technologies Inc. Coated object
JP2010535291A (ja) * 2007-07-30 2010-11-18 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 大気圧プラズマ化学蒸着方法
GB0717430D0 (en) * 2007-09-10 2007-10-24 Dow Corning Ireland Ltd Atmospheric pressure plasma
DE102007043650A1 (de) 2007-09-13 2009-04-02 Siemens Ag Verfahren zur Verbesserung der Eigenschaften von Beschichtungen
US20100255216A1 (en) * 2007-11-29 2010-10-07 Haley Jr Robert P Process and apparatus for atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition coating of a substrate
EP2396452A1 (en) * 2009-02-12 2011-12-21 Fujifilm Manufacturing Europe BV Two layer barrier on polymeric substrate
US8305829B2 (en) 2009-02-23 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory power gating circuit for controlling internal voltage of a memory array, system and method for controlling the same
US8305790B2 (en) 2009-03-16 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrical anti-fuse and related applications
JP5491755B2 (ja) * 2009-03-26 2014-05-14 パナソニック株式会社 成膜装置
US8957482B2 (en) 2009-03-31 2015-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrical fuse and related applications
US8912602B2 (en) 2009-04-14 2014-12-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFETs and methods for forming the same
US8461015B2 (en) 2009-07-08 2013-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. STI structure and method of forming bottom void in same
US8497528B2 (en) 2010-05-06 2013-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for fabricating a strained structure
US8298925B2 (en) 2010-11-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming ultra shallow junction
US8264032B2 (en) 2009-09-01 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Accumulation type FinFET, circuits and fabrication method thereof
US8980719B2 (en) 2010-04-28 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for doping fin field-effect transistors
US8187928B2 (en) 2010-09-21 2012-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming integrated circuits
US8440517B2 (en) 2010-10-13 2013-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET and method of fabricating the same
US9484462B2 (en) 2009-09-24 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of fin field effect transistor
US8264021B2 (en) * 2009-10-01 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Finfets and methods for forming the same
US8623728B2 (en) 2009-07-28 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming high germanium concentration SiGe stressor
US8482073B2 (en) 2010-03-25 2013-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit including FINFETs and methods for forming the same
US8472227B2 (en) 2010-01-27 2013-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuits and methods for forming the same
US8629478B2 (en) 2009-07-31 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure for high mobility multiple-gate transistor
US8759943B2 (en) 2010-10-08 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Transistor having notched fin structure and method of making the same
DE102009046947B4 (de) * 2009-11-20 2015-04-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrat mit stickstoffhaltiger plasmapolymerer Beschichtung, dessen Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung
US9040393B2 (en) 2010-01-14 2015-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming semiconductor structure
GB201012226D0 (en) * 2010-07-21 2010-09-08 Fujifilm Mfg Europe Bv Method for manufacturing a barrier on a sheet and a sheet for PV modules
GB201012225D0 (en) * 2010-07-21 2010-09-08 Fujifilm Mfg Europe Bv Method for manufacturing a barrier layer on a substrate and a multi-layer stack
US8603924B2 (en) 2010-10-19 2013-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming gate dielectric material
US9048181B2 (en) 2010-11-08 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming ultra shallow junction
US8769446B2 (en) 2010-11-12 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device for increasing fin device density for unaligned fins
US8592915B2 (en) 2011-01-25 2013-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Doped oxide for shallow trench isolation (STI)
US8877602B2 (en) 2011-01-25 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms of doping oxide for forming shallow trench isolation
US8431453B2 (en) 2011-03-31 2013-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma doping to reduce dielectric loss during removal of dummy layers in a gate structure
KR101381244B1 (ko) * 2011-12-21 2014-04-04 광주과학기술원 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법 및 표면 개질된 소수성 고분자 박막
WO2013113875A1 (en) * 2012-02-02 2013-08-08 Centre De Recherche Public Henri Tudor Superamphiphobic surfaces by atmospheric plasma polymerization
JP5794184B2 (ja) 2012-03-21 2015-10-14 東洋製罐株式会社 蒸着膜を備えたポリ乳酸成形体及びその製造方法
GB2534080B (en) * 2013-08-09 2017-05-03 Innovia Films Ltd Manufacturing a release liner
US10487403B2 (en) * 2016-12-13 2019-11-26 Silcotek Corp Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article
GB201621177D0 (en) 2016-12-13 2017-01-25 Semblant Ltd Protective coating
EP3401358B1 (de) * 2017-05-08 2021-04-14 Carl Freudenberg KG Plasma-beschichtetes dichtelement
EP3940106A1 (de) * 2020-07-15 2022-01-19 TI Automotive Engineering Centre (Heidelberg) GmbH Verfahren zum beschichten einer rohrleitung und rohrleitung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3415796A (en) * 1966-03-24 1968-12-10 Rohm & Haas Extruded matte finish acrylic film
US3562235A (en) * 1968-06-07 1971-02-09 Rohm & Haas Multistage emulsion polymerization of alkyl acrylates and alkyl methacrylates
US3654069A (en) * 1969-11-12 1972-04-04 Rohm & Haas Polystyrene laminate and adhesive-coated film for lamination to polystyrene
US3812205A (en) * 1970-04-13 1974-05-21 Rohm & Haas Process for preparing graftlinked heteropolymer film
DE3413019A1 (de) * 1984-04-06 1985-10-17 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum aufbringen einer duennen, transparenten schicht auf der oberflaeche optischer elemente
DE3710443A1 (de) * 1987-03-30 1988-10-20 Weatherford Oil Tool Einrichtung zum pruefen der gasdichtigkeit von hohlraumwaenden
US5527629A (en) * 1990-12-17 1996-06-18 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process of depositing a layer of silicon oxide bonded to a substrate of polymeric material using high pressure and electrical discharge
US5298587A (en) * 1992-12-21 1994-03-29 The Dow Chemical Company Protective film for articles and method
FR2704558B1 (fr) * 1993-04-29 1995-06-23 Air Liquide Procede et dispositif pour creer un depot d'oxyde de silicium sur un substrat solide en defilement.
US5433786A (en) * 1993-08-27 1995-07-18 The Dow Chemical Company Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein
US5718967A (en) * 1995-10-13 1998-02-17 The Dow Chemical Company Coated plastic substrate
US6106659A (en) * 1997-07-14 2000-08-22 The University Of Tennessee Research Corporation Treater systems and methods for generating moderate-to-high-pressure plasma discharges for treating materials and related treated materials
US6426125B1 (en) * 1999-03-17 2002-07-30 General Electric Company Multilayer article and method of making by ARC plasma deposition
US6376064B1 (en) * 1999-12-13 2002-04-23 General Electric Company Layered article with improved microcrack resistance and method of making
ATE402277T1 (de) * 2002-02-05 2008-08-15 Dow Global Technologies Inc Chemische dampfphasenabscheidung auf einem substrat mittels eines korona-plasmas
US7109070B2 (en) * 2002-08-07 2006-09-19 Schot Glas Production of a composite material having a biodegradable plastic substrate and at least one coating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2717842C2 (ru) * 2015-06-10 2020-03-26 Семблант Лимитед Имеющий покрытие электрический узел

Also Published As

Publication number Publication date
CA2578354A1 (en) 2006-04-06
TW200617200A (en) 2006-06-01
KR20070057200A (ko) 2007-06-04
WO2006036461A1 (en) 2006-04-06
JP2008514813A (ja) 2008-05-08
MX2007003561A (es) 2007-10-10
US20080095954A1 (en) 2008-04-24
BRPI0515714A (pt) 2008-07-29
EP1807545A1 (en) 2007-07-18
CN101031669A (zh) 2007-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007115923A (ru) Многослойные покрытия, полученные химическим осаждением из паров, усиленным плазмой
CN103187455B (zh) 用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层
JP5929775B2 (ja) ガスバリア性フィルムおよびその製造方法、ならびに前記ガスバリア性フィルムを含む電子デバイス
EP1728893A3 (en) Process for forming zinc oxide film
CN101512728B (zh) 增加封装膜透光度的方法
CN107482137B (zh) 用于oled应用的pecvd hmdso膜的等离子体固化
US8034419B2 (en) Method for making a graded barrier coating
JP2007506250A5 (ru)
CN104870683B (zh) 成膜方法和成膜装置
TW200420748A (en) Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films
TW200624594A (en) Abrasion resistant coatings by plasma enhanced chemical vapor deposition
WO2009062123A4 (en) Pitch reduction using oxide spacer
TW200604368A (en) Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer
JP2008518109A5 (ru)
US20090110892A1 (en) System and method for making a graded barrier coating
EP2048700A3 (en) Antireflective coatings
ATE502130T1 (de) Verfahren zur herstellung eines ultrabarriere- schichtsystems
JP5884531B2 (ja) 水蒸気バリアーフィルムの製造方法、水蒸気バリアーフィルム及び電子機器
ATE402276T1 (de) Verfahren zur abscheidung von materialien auf substraten und verfahren zur bildung von schichten auf susbtraten
KR102139077B1 (ko) 기체 차단용 필름 및 이의 제조방법
US20190326555A1 (en) Flexible organic-inorganic passivation layer and method of fabricating the same
ATE291565T1 (de) Beschichtung eines glas-substrates mit einer siliziumhaltigen schicht
JP2005508728A (ja) コーティングされたプラスチック物体の製造方法
EA201290269A1 (ru) Способ получения декоративного покрытия, декоративное покрытие и применение этого покрытия
CN110465203A (zh) 提高抗污膜的附着力的方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20100202