JP2002521662A - ガスセンサおよびその製造方法 - Google Patents

ガスセンサおよびその製造方法

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JP2002521662A JP2000561489A JP2000561489A JP2002521662A JP 2002521662 A JP2002521662 A JP 2002521662A JP 2000561489 A JP2000561489 A JP 2000561489A JP 2000561489 A JP2000561489 A JP 2000561489A JP 2002521662 A JP2002521662 A JP 2002521662A
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リーゲル ヨハン
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、ガスセンサならびにその製造方法に関する。このガスセンサは固体電解質（１１）を有しており、これには少なくとも１つの測定電極（１５）および多孔性の被覆層（１６）が設けられている。測定電極（１５）は、導電性のベース層（２５）および別の層（２７）により形成されており、その際、別の層（２７）はベース層（２５）と隣り合って多孔性被覆層（１６）の空隙中に電気めっきされている。この別の層（２７）の電気めっきのために、ベース層（２５）および被覆層（１６）といっしょに焼結された基体（１０）が電解槽に浸けられ、ベース層（２５）がカソードとしてつなげられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 従来の技術 本発明は、請求項１の上位概念に記載のガスセンサならびに該ガスセンサの製
造方法に関する。
【０００２】 ドイツ連邦共和国特許出願 DE-OS 23 04 464 から公知の測定センサによれば
、金または銀から成り混合気の平衡調整状態に対し触媒反応を起こさない電極が
設けられている。この電極は、プラチナから成り測定ガスの平衡調整状態に対し
触媒反応を起こす電極と共働する。触媒不活性な電極材料により、その電極にお
いて酸素と酸化可能または還元可能なガス成分との間で競争反応が発生するよう
になる。これにより、ラムダ値を高く設定していても測定ガス中でいっしょにも
たらされる遊離した酸素はたとえばＣ3Ｈ6 またはＣＯとほとんど反応せず、そ
の結果、遊離した酸素もＣ3Ｈ6 ないしＣＯも、触媒不活性の電極における三相
境界に到達する（非平衡状態）。
【０００３】 ヨーロッパ特許出願 EP 466 020 A により、固体電解質に取り付けられた測定
電極と基準電極を有するガスセンサが知られている。混合電位電極を形成するた
め、測定電極はプラチナ化合物により構成されるかまたは、プラチナ、金、ニッ
ケル、銅、ロジウム、ルテニウム、パラジウムまたはチタンから成る３元の合金
により構成される。なお、これらの材料を多層として固体電解質に取り付けるこ
ともでき、その場合には材料の取り付け後に合金形成ステップが行われる。
【０００４】 さらにアメリカ合衆国特許 US-PS 4 199 425 により公知のガスセンサによれ
ば、プラチナから成る電極が設けられていて、この電極は多孔性の被覆層により
覆われている。この被覆層の孔には、別の触媒材料であるロジウムが浸透により
挿入されている。ロジウムの役割は、酸素に対する感応のほかにＮＯXにも感応
するようにガスセンサを形成することである。この場合、ロジウムは被覆層全体
の孔の壁に配置されており、したがって多孔性被覆層において適切な層の厚さを
形成することができない。
【０００５】 発明の利点 請求項１の特徴部分に記載の構成を備えた本発明によるガスセンサの有する利
点は、焼結されたセンサ素子基体を用いることができ、その際に付加的な析出ス
テップだけで焼結後に別の層が一体化されることである。このためセンサ素子基
体における外側の電極を、焼結後に変更できるようになる。センサ素子基体とし
てたとえばネルンスト型のラムダセンサのセンサ素子を用いることができ、この
場合、外側の電極の変形によりこの電極が混合電位電極に変形される。さらに有
利であるのは、ふつうならば高い焼結温度に耐えられないような材料を別の層の
ために利用できることである。また、別の利点は、導電性のベース層のすぐ隣り
に配置された別の積層系が多孔性の被覆層の空隙を完全には満たしていないこと
である。これにより、多孔性被覆層の保護作用ならびに三相境界への十分なガス
の流入が維持される。この場合、ガスセンサの電極の機能特性を所期のように変
更するために、別の層の材料が使われる。このような変更は、特有のガス選択性
および／またはセンサの制御位置の設定に用いることができる。
【０００６】 従属請求項に記載の構成により、本発明によるガスセンサならびに本発明によ
る方法の有利な実施形態が可能である。格別有利には、別の層の析出後に積層系
に対し事後の熱処理を加えれば、混合電位のために形成されたセンサが得られる
。たとえばＰｔ／Ａｕ電極のためには、１２００゜Ｃ±１００゜Ｃの温度範囲が
好適であると判明した。この温度において、別の層の金属原子が隣り合うベース
層の金属中に浸透ないしは拡散していく。さらに別の利点として挙げられるのは
、導電性のベース層としてサーメット層を用い、そのセラミックス成分に基づき
セラミックス基体焼結時に固体電解質との固定的な結合が行われることである。
しかも、複数の別の層の形成ならびにそれらの層の適切な材料選択により、電極
の触媒活性も所期のように変更できる。
【０００７】 図面 次に、図面を参照しながら本発明の実施例について詳しく説明する。図１は、
本発明によるガスセンサの断面図であり、図２は、本発明によるガスセンサにお
ける電極の第１の実施例の拡大断面図であり、図３は、本発明によるガスセンサ
の電極の第２の実施例の拡大断面図である。
【０００８】 実施例 図１には、センサエレメント基体１０の設けられたガスセンサが描かれており
、これはネルンスト型の酸素センサ（ラムダセンサ）のために適用されるような
構造をもっている。基体１０はたとえばセラミックスの複数の固体電解質シート
１１，１２，１３によって構成されており、これらはたとえばＹ2O3により安定
化されたＺｒＯ2から成る。第１のシート１１の外側の大きい平面上に外側の測
定電極１５が配置されており、その上に多孔性被覆層１６が設けられている。被
覆層１６はたとえば、多孔性のＺｒＯ2またはＡｌ2Ｏ3から成る。第２のシート
１２には基準ダクトが設けられており、これは基準雰囲気たとえば空気と連通し
ている。基準ダクト１７内には、第１のシート１１上に配置され測定電極１５と
向き合った基準電極１８が配置されている。基体１０にはさらに加熱装置２２が
一体化されており、この場合、第３のシート１３上に電気的絶縁層２１が被着さ
れていて、その中に加熱装置２２が埋め込まれている。この加熱装置２２は、電
気抵抗加熱部として駆動される。
【０００９】 第１の実施形態によれば、測定電極１５は図２に示された層構造を有している
。これによれば基体１０のシート１１の上に、たとえばＰｔサーメットから成る
導電性のベース層２５が設けられている。そしてこのベース層２５の上に被覆層
１６が置かれる。被覆層１６の空隙中に、図２に示されているようにベース層２
５に隣接してこの層の上に、さらに別の層２７が形成されている。この層２７は
、ベース層２５とじかに接触している。ベース層２５およびこの別の層２７は、
測定電極１５を成している。層２７の製造については、あとで詳しく説明する。
【００１０】 この場合、層２７を、電極表面における混合気の平衡調整状態を阻止または抑
制する材料によって構成することができる。この種の材料はたとえば貴金属（金
、ロジウム、イリジウム）、半貴金属（パラジウム、銀）、卑金属（銅、ビスマ
ス、ニッケル、クロム）、あるいはそれらの金属の混合物である。図２によるこ
の実施例の場合、別の層２７は金から成る。これにより図１におけるセンサの測
定電極１５は、炭化水素（ＨＣ）に対し選択性の混合電位電極に変形される。
【００１１】 混合電位電極は、混合気の平衡調整状態に対し触媒反応を起こさないまたは完
全には起こさない電極である。この場合、測定電極１５は、たとえばＰｔから成
り基準ダクト１７内に配置されている基準電極１８といっしょに、いわゆる混合
電位センサを成している。測定電極１５の層２７が混合気の平衡調整状態に対し
触媒反応を起こさないまたは完全には起こさないことにより、測定電極１５のと
ころで酸素と酸化可能なガス成分との間で競争反応が生じるようになる。このた
め、測定ガス中をいっしょに導かれるＣＯが自由な酸素と反応してＣＯ2になる
ことはほとんどない。その結果、自由な酸素もＣＯも測定電極１５の三相境界に
到達し、そこにおいて信号形成に寄与することになる。基準空気により一定の酸
素粒子の圧力が加わる基準電極１８と測定電極１５との間に電位差が形成され、
これはＥＭＫとして測定装置３０により取り出すことができる。このためＥＭＫ
は、酸化可能なガス成分に依存している。したがって別の層２７のために適切な
材料を選択することにより、ガスの種類に合わせて測定電極１５の選択性を所期
のように設定することができ、これにより障害となる他のガス成分に対する感応
が避けられるようになる。しかもたとえば酸素センサの低温特性などを、Ｐｔ電
極上のＲｈ層により改善することができる。
【００１２】 図３には、測定電極１５のための積層系の第２の実施例が示されている。この
場合、被覆層１６の空隙内においてベース層２５の上に層２７が形成されており
、層２８の上に第３の層２９が形成されている。図３による実施例の場合、層２
７はたとえば金から成り、層２８はたとえばロジウムまたはイリジウムから成り
、層２９はニッケルまたはクロムから成る。この実施例によれば、複雑な多層の
電極構造を簡単に実現することができる。図３に示されている層構造および／ま
たは層２７，２８，２９に対する適切な材料の選択により、たとえば電極の触媒
特性を所期のように変えることができる。
【００１３】 図１によるセンサを製造するために、たとえば既述のセンサ素子基体１０が用
いられる。この目的で、生の（焼結されていない）状態のシート１１，１２，１
３に、相応の機能層が設けられる。その際、ベース層２５を製造するため、第１
のシート１１の一方の大平面にＰｔサーメットペーストが印刷され、基準電極１
８を製造するため他方の大平面にもＰｔサーメットペーストが印刷される。シー
ト１１の大平面においてベース層２５のＰｔサーメットペーストの上に、たとえ
ばスクリーン印刷または塗布などにより、被覆層１６が被着される。被覆層１６
の材料には気泡形成剤が含まれており、これはあとで行われる焼結において蒸発
させられないしは燃やされ、それによって細孔が形成される。さらにシート１３
においてスクリーン印刷ステップにより絶縁層２１が印刷され、絶縁層２１の間
に加熱装置２２が印刷される。このようにして機能層の印刷されたシート１１お
よび１３は、事前に基準ダクト１７の打ち抜かれたシート１２といっしょに積層
被着され、たとえば１４００゜Ｃの温度で焼結される。
【００１４】 焼結後、混合気においてラムダ値を求める酸素センサのセンサ素子構造に対応
する基体１０が得られる。この実施例の場合、焼結された状態にある基体１０に
、図２に示した層２７あるいは図３に示した複数の層２７，２８，２９が設けら
れ、その際、多孔性被覆層１６の空隙内に層２７が形成され、あるいは複数の層
平面で層２７，２８，２９が形成される。
【００１５】 層２７，２８，２９の製造は電気めっきにより行われる。この目的で、セラミ
ックスのボディが電解槽に入れられる。ベース層２５はカソードとして電気的に
つながれ、その際、センサ素子の基体１０に設けられたベース層１３の接続コン
タクトが接触接続のために使われる。また、アノードとしてはたとえば、それぞ
れ析出された層２７，２８，２９の金属に対応する金属が電解槽に浸けられる（
犠牲アノードによる電気めっきによる手法）。ここでは電解質としてたとえば該
当する金属の水溶性のイオン塩が用いられ、実例としてＨＡｕＣｌ4，ＩｒＣｌ3 × Ｈ2ＯまたはＲｈＣｌ3 × Ｈ2Ｏなどが用いられる。炭化水素を求めるセン
サを製造するためには図２に示した積層系が採用され、この場合、別の層２７と
して、Ｐｔサーメットから成るベース層２５の上に金の層が電気めっきされる。
この目的でたとえば、焼結された基体１０がＨＡｕＣｌ4電解質をもつ電解槽に
入れられ、その際、金のアノードが使われる。０．５〜２ｍＡの電流強度および
１５〜５０分の電流持続時間により、Ｐｔサーメットのベース層２５の上にたと
えば１〜５μｍの層厚で金から成る層２７が析出される。この場合、層２７は被
覆層１６の空隙内に形成される。層２７の析出後、セラミックのボディがたとえ
ば１２００゜Ｃの温度により熱処理される。この熱処理中、ベース層２５のＰｔ
と層２７の金との間に合金が形成され、つまりプラチナの多い金の相と金の多い
プラチナの相が形成される。これにより、Ｐｔサーメットベース層２５のＰｔの
触媒活性が変えられ、測定電極１５として炭化水素に対し選択性の混合電位電極
が生じる。
【００１６】 図３による積層系も電気めっきによる手法で製造され、この場合、電気めっき
により相前後して適切なアノード材料および／または適切な電解槽が使われる。
図２および図３に描かれこれまで説明してきた積層系のほかに、ガスセンサの電
極のためにさらに別の組み合わせや積層系も考えられ、これらは多孔層において
導電性のベース層上に析出される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるガスセンサの断面図である。
【図２】 本発明によるガスセンサにおける電極の第１の実施例の拡大断面図である。
【図３】 本発明によるガスセンサの電極の第２の実施例の拡大断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨハン リーゲル ドイツ連邦共和国 ビーティッヒハイム− ビッシンゲン アイヒェンヴェーク 27 (72)発明者 フランク シュタングルマイアー ドイツ連邦共和国 メークリンゲン エレ ン−カイ−ヴェーク ８ (72)発明者 ベルント シューマン ドイツ連邦共和国 ルーテスハイム ダイ ムラーシュトラーセ 23 Ｆターム(参考） 2G004 BB04 BD04 BE04 BE13 BE16 BE22 BE23 BE24 BF07 BF08 BJ03 BL08 BM05 BM07

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 固体電解質と、該固体電解質上に配置された少なくとも１つ
    の測定電極と、該測定電極の上におかれた多孔性の被覆層が設けられているガス
    センサにおいて、 測定電極（１５）は、導電性のベース層（２５）と少なくとも１つの別の層（
    ２７，２８，２９）を有しており、 前記別の層（２７，２８，２９）は、ベース層（２５）に隣り合って前記多孔
    性被覆層（１６）の空隙に配置されていることを特徴とする、 ガスセンサ。
  2. 【請求項２】 前記別の層（２７，２８，２９）は、ベース層（２５）の材
    料との合金形成によりベース層（２５）の機能特性を変える少なくとも１つの材
    料を有する、請求項１記載のガスセンサ。
  3. 【請求項３】 前記別の層（２７，２８，２９）は貴金属、半貴金属、卑金
    属またはこれらの金属の混合物から成る、請求項１または２記載のガスセンサ。
  4. 【請求項４】 複数の別の層（２７，２８，２９）が任意の順序でベース層
    （２５）上に設けられている、請求項１、２または３記載のガスセンサ。
  5. 【請求項５】 前記ベース層（２５）はサーメット層である、請求項１記載
    のガスセンサ。
  6. 【請求項６】 前記ベース層（２５）はＰｔサーメット層である、請求項５
    記載のガスセンサ。
  7. 【請求項７】 固体電解質上に配置された導電性のベース層と、該ベース層
    の上に配置された多孔性の被覆層が設けられており、少なくとも前記の固体電解
    質とベース層を焼結してセラミックスの基体を形成する形式の、ガスセンサの製
    造方法において、 焼結後、多孔性の被覆層中でありベース層の上に、少なくとも１つの別の層を
    電気めっきすることを特徴とする、 ガスセンサの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記別の層をカソードとして析出する、請求項７記載の方法
    。
  9. 【請求項９】 焼結された基体を電解槽に入れ、基体にすでに設けられてい
    る接続接点を用いて前記ベース層をカソードとしてつなぎ、前記別の層の材料に
    対応する金属をアノードとして用いる、請求項７記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記別の層の電気めっきした後、積層系に対しさらに熱処
    理を加える、請求項７記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記の熱処理の温度はセラミックス基体の焼結温度よりも
    低い、請求項１０記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009511928A (ja) * 2005-10-18 2009-03-19 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ガス混合物内のガス成分濃度の測定センサおよびその製造方法
JP2013096964A (ja) * 2011-11-07 2013-05-20 Toyota Motor Corp 酸素濃度センサ
JP2016033510A (ja) * 2014-07-29 2016-03-10 日本碍子株式会社 ガスセンサの検知電極、導電性ペーストの製造方法、および、ガスセンサ
JP5992123B1 (ja) * 2015-11-17 2016-09-14 日本碍子株式会社 ガスセンサの検知電極、導電性ペーストの製造方法、ガスセンサ、および、ガスセンサの製造方法

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6048734A (en) 1995-09-15 2000-04-11 The Regents Of The University Of Michigan Thermal microvalves in a fluid flow method
DE19932749B4 (de) * 1998-07-23 2006-05-04 Robert Bosch Gmbh Schichtsystem und Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
DE19951015C1 (de) 1999-10-22 2001-01-25 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Charakterisierung von Metallelektroden keramischer Sensorelemente
DE10020082B4 (de) * 2000-04-22 2012-04-05 Robert Bosch Gmbh Elektrochemischer Meßfühler
DE10033906A1 (de) 2000-07-12 2002-02-28 Bosch Gmbh Robert Platinmetallhaltige Cerametelektroden für die elektrochemische Reduktion von Sauerstoff
US20020100688A1 (en) * 2000-11-20 2002-08-01 Detwiler Eric J. Gas sensor with selective reference electrode and method of making and using the same
JP3801011B2 (ja) * 2000-12-07 2006-07-26 株式会社デンソー ガスセンサ素子
US7041256B2 (en) * 2001-01-30 2006-05-09 Industrial Scientific Corporation Poison resistant combustible gas sensors and method for warning of poisoning
US6692700B2 (en) 2001-02-14 2004-02-17 Handylab, Inc. Heat-reduction methods and systems related to microfluidic devices
US6852287B2 (en) 2001-09-12 2005-02-08 Handylab, Inc. Microfluidic devices having a reduced number of input and output connections
US8895311B1 (en) 2001-03-28 2014-11-25 Handylab, Inc. Methods and systems for control of general purpose microfluidic devices
US7323140B2 (en) 2001-03-28 2008-01-29 Handylab, Inc. Moving microdroplets in a microfluidic device
US7010391B2 (en) 2001-03-28 2006-03-07 Handylab, Inc. Methods and systems for control of microfluidic devices
US7829025B2 (en) 2001-03-28 2010-11-09 Venture Lending & Leasing Iv, Inc. Systems and methods for thermal actuation of microfluidic devices
JP2003107047A (ja) * 2001-10-01 2003-04-09 Denso Corp ガス濃度検出素子
EP3718635A1 (en) 2003-07-31 2020-10-07 Handylab, Inc. Processing particle-containing samples
CA3198754A1 (en) 2004-05-03 2005-11-17 Handylab, Inc. A microfluidic device and methods for processing polynucleotide-containing samples
US8852862B2 (en) 2004-05-03 2014-10-07 Handylab, Inc. Method for processing polynucleotide-containing samples
US20080017510A1 (en) * 2004-05-26 2008-01-24 Nair Balakrishnan G NOx Gas Sensor Method and Device
JP4830525B2 (ja) * 2005-04-14 2011-12-07 株式会社豊田中央研究所 限界電流式ガスセンサ及びその利用
US7611612B2 (en) * 2005-07-14 2009-11-03 Ceramatec, Inc. Multilayer ceramic NOx gas sensor device
US10900066B2 (en) 2006-03-24 2021-01-26 Handylab, Inc. Microfluidic system for amplifying and detecting polynucleotides in parallel
US11806718B2 (en) 2006-03-24 2023-11-07 Handylab, Inc. Fluorescence detector for microfluidic diagnostic system
US8088616B2 (en) 2006-03-24 2012-01-03 Handylab, Inc. Heater unit for microfluidic diagnostic system
US7998708B2 (en) 2006-03-24 2011-08-16 Handylab, Inc. Microfluidic system for amplifying and detecting polynucleotides in parallel
US8883490B2 (en) 2006-03-24 2014-11-11 Handylab, Inc. Fluorescence detector for microfluidic diagnostic system
EP2001990B1 (en) 2006-03-24 2016-06-29 Handylab, Inc. Integrated system for processing microfluidic samples, and method of using same
WO2008061165A2 (en) 2006-11-14 2008-05-22 Handylab, Inc. Microfluidic cartridge and method of making same
WO2008103311A2 (en) * 2007-02-16 2008-08-28 Ceramatec, Inc. Nox sensor with improved selectivity and sensitivity
US8133671B2 (en) 2007-07-13 2012-03-13 Handylab, Inc. Integrated apparatus for performing nucleic acid extraction and diagnostic testing on multiple biological samples
ES2648798T3 (es) 2007-07-13 2018-01-08 Handylab, Inc. Materiales de captura de polinucleótidos y métodos de utilización de los mismos
US8105783B2 (en) 2007-07-13 2012-01-31 Handylab, Inc. Microfluidic cartridge
US20090136385A1 (en) 2007-07-13 2009-05-28 Handylab, Inc. Reagent Tube
USD621060S1 (en) 2008-07-14 2010-08-03 Handylab, Inc. Microfluidic cartridge
US9618139B2 (en) 2007-07-13 2017-04-11 Handylab, Inc. Integrated heater and magnetic separator
US8287820B2 (en) 2007-07-13 2012-10-16 Handylab, Inc. Automated pipetting apparatus having a combined liquid pump and pipette head system
US9186677B2 (en) 2007-07-13 2015-11-17 Handylab, Inc. Integrated apparatus for performing nucleic acid extraction and diagnostic testing on multiple biological samples
US8182763B2 (en) 2007-07-13 2012-05-22 Handylab, Inc. Rack for sample tubes and reagent holders
USD618820S1 (en) 2008-07-11 2010-06-29 Handylab, Inc. Reagent holder
USD787087S1 (en) 2008-07-14 2017-05-16 Handylab, Inc. Housing
DE102008042770A1 (de) 2008-10-13 2010-04-15 Robert Bosch Gmbh Material einer Cermet-Schicht für elektrochemische Gassensoren
BR112013026451B1 (pt) 2011-04-15 2021-02-09 Becton, Dickinson And Company sistema e método para realizar ensaios de diagnóstico molecular em várias amostras em paralelo e simultaneamente amplificação em tempo real em pluralidade de câmaras de reação de amplificação
USD692162S1 (en) 2011-09-30 2013-10-22 Becton, Dickinson And Company Single piece reagent holder
JP6117217B2 (ja) 2011-09-30 2017-04-19 ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニーＢｅｃｔｏｎ， Ｄｉｃｋｉｎｓｏｎ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ ユニット化された試薬ストリップ
EP2773892B1 (en) 2011-11-04 2020-10-07 Handylab, Inc. Polynucleotide sample preparation device
BR112014018995B1 (pt) 2012-02-03 2021-01-19 Becton, Dickson And Company sistemas para executar ensaio automatizado
US9164080B2 (en) 2012-06-11 2015-10-20 Ohio State Innovation Foundation System and method for sensing NO
DE102014211782A1 (de) 2014-06-18 2015-12-24 Robert Bosch Gmbh Sensorelement zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines Messgases in einem Messgasraum
DE102015209267A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Robert Bosch Gmbh Bauteil mit einem MECS-Bauelement auf einem Montageträger
JP5938133B1 (ja) * 2015-11-17 2016-06-22 日本碍子株式会社 ガスセンサの検知電極、ガスセンサ、および、ガスセンサの製造方法
JP6563839B2 (ja) 2016-03-28 2019-08-21 日本碍子株式会社 触媒劣化診断方法および触媒劣化診断システム
JP6563840B2 (ja) 2016-03-28 2019-08-21 日本碍子株式会社 触媒劣化診断方法および触媒劣化診断システム
DE102016217775A1 (de) * 2016-09-16 2018-03-22 Robert Bosch Gmbh Sensorelement zur Erfassung von Partikeln eines Messgases in einem Messgasraum
CN113406147B (zh) * 2021-05-08 2022-11-29 中北大学 一种氢气敏感元件及制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2304464C2 (de) 1973-01-31 1983-03-10 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Meßfühler für die Überwachung der Funktionsfähigkeit von Katalysatoren in Abgas
US4199425A (en) 1978-11-30 1980-04-22 General Motors Corporation Solid electrolyte exhaust gas sensor with increased NOx sensitivity
JPS5692447A (en) * 1979-12-26 1981-07-27 Nissan Motor Co Ltd Production of film-structure oxygen sensor element
US4541905A (en) * 1983-12-13 1985-09-17 The Ohio State University Research Foundation Electrodes for use in electrocatalytic processes
JPH0668480B2 (ja) * 1987-04-24 1994-08-31 日本碍子株式会社 酸素センサにおける電極構造
JPH01221654A (ja) 1988-03-01 1989-09-05 Japan Electron Control Syst Co Ltd 内燃機関用酸素センサ
JP2514701B2 (ja) 1988-12-02 1996-07-10 日本特殊陶業株式会社 酸素センサ
DE4004172C2 (de) * 1989-02-14 1998-06-04 Ngk Spark Plug Co Sauerstoffsensor zur Luft-Brennstoffgemisch-Kontrolle mit einer Schutzschicht, die eine Sauerstoff einschließende Substanz umfaßt, und Verfahren zur Herstellung des Sensors
DE4021929C2 (de) 1990-07-10 1998-04-30 Abb Patent Gmbh Sensor
DE4100106C1 (ja) * 1991-01-04 1992-05-27 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
DE4131503A1 (de) * 1991-09-21 1993-04-01 Bosch Gmbh Robert Abgassensor und verfahren zu dessen herstellung
DE4408504A1 (de) * 1994-03-14 1995-09-21 Bosch Gmbh Robert Sensor zur Bestimmung der Konzentration von Gaskomponenten in Gasgemischen
DE19700700C2 (de) * 1997-01-13 2000-01-20 Bosch Gmbh Robert Sensorelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009511928A (ja) * 2005-10-18 2009-03-19 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ガス混合物内のガス成分濃度の測定センサおよびその製造方法
JP4827924B2 (ja) * 2005-10-18 2011-11-30 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ガス混合物内のガス成分濃度の測定センサおよびその製造方法
JP2013096964A (ja) * 2011-11-07 2013-05-20 Toyota Motor Corp 酸素濃度センサ
JP2016033510A (ja) * 2014-07-29 2016-03-10 日本碍子株式会社 ガスセンサの検知電極、導電性ペーストの製造方法、および、ガスセンサ
JP5992123B1 (ja) * 2015-11-17 2016-09-14 日本碍子株式会社 ガスセンサの検知電極、導電性ペーストの製造方法、ガスセンサ、および、ガスセンサの製造方法

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