JP2002507609A - Hivプロテアーゼ阻害剤の合成方法 - Google Patents
Hivプロテアーゼ阻害剤の合成方法Info
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Abstract
Description
リルN−[(1S,2R)−3−(4−アミノ−N−イソブチルベンゼンスルホ
ンアミド)−1−ベンジル−2−ヒドロキシプロピル]カルバメートの新規な合
成方法、およびそれへの新規な中間体に関する。
、ヒト免疫不全ウイルス(HIV)感染および先天性免疫不全症候群(AIDS
)およびAIDS性痴呆などの付随症状の治療における新規な化学治療化合物と
して式(I)の化合物には多大な関心が寄せられている。
性への臨床試験のためには式(I)の化合物を多量に製造する必要がある。
ストに、さらには廃材料の処理やエネルギー消費の点で環境に対する負荷が最小
となるような方法で高収率で式(I)の化合物を生産すべきである。
(I)の化合物の新規な合成方法を見出した。かかる利点としては、低コスト、
むだが少ないこと、および材料のより効率的な使用が挙げられる。この新規な方
法は製造スケールにおいて式(I)の化合物の有利な製造を可能にするものであ
る。
実施例39A、51A、51B、51C、51D、167および168に具体的
に記載されている。これらの実施例からの総収率は理論値として33.2%であ
る。
ル(実施例39)を保護して
;
)−テトラヒドロフリルカルバメートと反応させて下式(D)の化合物(実施例
51C)を形成させ;
て、式(D)の化合物(実施例51E)(ここで、P’はHである)を形成させ
;さらに得られた式(D)の化合物の第二アミンとp−ニトロフェニルスルホニ
ル基をカップリングして、下式(E)の化合物(実施例167)を形成させ;
)を形成させることを含む。
化合物を製造する方法は、次の6つの異なる工程を含んでなる: 1)保護工程、 2)脱保護工程、 3)得られた化合物と活性化テトラヒドロフラノール基をの反応させる工程、 4)脱保護工程、 5)p−ニトロフェニルスルホニル基とカップリングさせる工程、および 6)得られた化合物を還元して式(I)の化合物を形成させる工程。
く4段階のみの異なる工程にて、製造スケールで式(I)の化合物を製造し得る
方法を見出した。時間やコストの省力化など、工程の少なさに付随する利点に加
え、この改良法では生じる不用な生成物の数が少なくなる。さらには理論値とし
て約50%という高収率で生成物が得られる。
含む: 1)(A)とp−ニトロフェニルスルホニル基とのカップリング、 2)得られた化合物の脱保護、 3)得られた化合物とテトラヒドロフラノール誘導体との反応、および 4)得られた化合物の還元による式(I)の化合物の形成。 テトラヒドロフラノール誘導体を製造し、一段階で工程2)から得られた化合
物とカップリングするのが理想的である。
応させ、さらに得られた中間体を(S)−テトラヒドロ−3−フラノールと反応
させ;さらに iv)得られた工程iii)の化合物を還元して式(I)の化合物を形成させる ことを含んでなる方法が提供される。
もしくはヘテリルカルバメート、アルキルもしくはアリールアミド、またはシリ
ル基から選択されるアミン保護基である。最も好ましくは、Pはt−ブチルカル
バメートである。
、ジエチルエーテルなどのエーテル、トリエチルアミンなどのアミン、ジメチル
ホルムアミドもしくはジメチルアセトアミドなどのアミド、ジクロロメタンなど
の塩素化溶媒、およびアセトニトリルもしくはトルエンなどのその他の溶媒、ま
たはそれらの混合物から選択される好適な溶媒中で、式(A)の化合物をp−ニ
トロフェニルスルホニルハリド、好ましくはp−ニトロベンゼンスルホニルクロ
リドで処理することにより行われる。好ましくは、この反応は、溶媒としてジメ
チルアセトアミドまたはトルエンを用い、約30℃〜還流温度、好ましくは70
〜90℃の範囲の温度において行われる。
ステル、ジエチルエーテルなどのエーテル、ジクロロメタンなどの塩素化溶媒、
アセトニトリルもしくはトルエンなどのその他の溶媒、またはそれらの混合物か
ら選択される好適な溶媒中において行われる。この反応は、得られた工程i)の
化合物の溶液、例えばエタノールもしくはトルエン溶液を、酸または塩基、例え
ば塩酸もしくは気体塩化水素などの無機酸で、処理することにより行うのが理想
的である。またこの反応は約50℃〜還流温度の範囲の温度で塩酸により行うの
が理想的である。この反応は大気圧下で行うのが好ましい。
ことが好ましく、これは次に乾燥により取り出す。このことは収率に有利となる
。
フェニルブチル)−N−イソブチル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド塩酸塩
およびその溶媒和物は新規な化合物であり、本発明のさらなる態様として提供さ
れる。
’−カルボニルジイミダゾール、クロロホルメートまたはホスゲンと反応させる
ことにより製造)と反応させるか、または得られた工程ii)の化合物をホスゲン
もしくは同等物と反応させてイソシアネート中間体(次いでこれは(S)−テト
ラヒドロ−3−フラノールまたはその前駆体と反応できる)を製造することによ
り行われる。好適な溶媒については、酢酸エチルなどのエステル、ジメチルホル
ムアミドなどのアミド、ジクロロメタンなどの塩素化溶媒、アセトニトリルもし
くはトルエンなどのその他の溶媒、またはそれらの混合物から選択すればよい。
この反応は、酢酸エチル中で、約50℃〜還流温度の範囲の温度で、(S)−テ
トラヒドロ−3−フラノールを1,1’−カルボニルジイミダゾールおよび得ら
れた工程ii)の化合物と反応させることにより一段階で行うのが理想的である。
この反応は大気圧下で行うのが好ましい。
ルなどのアルコール、アセトンなどのケトン、酢酸エチルなどのエステル、ジメ
チルホルムアミドなどのアミド、テトラヒドロフランなどのその他の溶媒、また
はそれらの混合物から選択される好適な溶媒中で、得られた工程iii)の化合物 を還元剤、例えばパラジウムなどの貴金属触媒で処理することにより行われる。
この反応はイソプロパノールなどのアルコール中、水素雰囲気下、0〜60℃に
て、炭素支持体上の触媒量の5または10%パラジウムにより行うのが理想的で
ある。
定するものではなく、単に例示のために提供されるものである。
環により製造され得る。
36(19), 3317-20およびTetrahedron Letters (1995), 36(31), 5453-6に記載の 方法により製造され得る。
,500Hzで記録し、化学シフトは内部標準として用いたMe4Siから低磁
場側(d)、ppmで示し、一重線(s)、二重線(d)、二重の二重線(dd
)、三重線(t)、四重線(q)または多重線(m)で表す。文中では以下の略
号を用いている:THF=テトラヒドロフラン、EtOH=エタノール、DMA
=ジメチルアセトアミド、TEA HCl=塩酸トリエチルアミン。
−2−ヒドロキシ−3−(イソブチルアミノ)プロピル]カルバメート(127
.77g、379.7mmol)を80℃まで加熱し、トリエチルアミン(42
.6g、417.8mmol)を加えた。この混合物を90℃まで加熱し、トル
エン(250ml)中のp−ニトロベンゼンスルホニルクロリド(94.3g、
425.4mmol)溶液を30分間にわたって加え、次いでさらに2時間攪拌
した。次いで、得られたノシル化中間体{(1S,2R)−t−ブチルN−[1
−ベンジル−2−ヒドロキシ−3−(N−イソブチル−4−ニトロベンゼンスル
ホンアミド)プロピル]カルバメート}溶液を80℃まで冷却した。この溶液を
約80℃に維持し、濃塩酸(31.4ml、376.8mmol)を20分間に
わたって加えた。この混合物を加熱還流し(約86℃)、1時間この温度で維持
した後、さらなる量の濃塩酸(26.4ml、316.8mmol)を加えた。
共沸蒸留により反応混合物から溶媒(水とトルエンの混合物)を除去し(除去し
た溶媒の総量は約600ml)、得られた懸濁液を70〜75℃まで冷却した。
変性エタノール(600ml)を加え、この溶液を20℃まで冷却した。この混
合物をさらに約−10℃まで冷却し、生じた沈殿を濾過により単離し、変性エタ
ノール(50ml)で洗浄し、約50℃で約12時間真空乾燥し、(2R,3S
)−N−(3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチル)−N−イソブチ
ル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド塩酸塩(160g;アッセイに対して補
正した理論収率73%)。
.06(2H, d, J = 9 Hz), 7.31(5H, m), 5.65(1H, d, J = 5Hz), 3.95(1H, m), 3.
39(2H, m), 2.95(5H, m), 1.90(1H, m), 0.77(6H, dd, J = 21 Hz, 6 Hz).
0.58mol)を酢酸エチル(314.3kg)に加え、3−(S)−テトラ
ヒドロフリルイミダゾール−1−カルボキシレートを得た。(S)−3−ヒドロ
キシテトラヒドロフラン(157kg、178.19mol)を30分間にわた
って加え、酢酸エチル(9.95kg)中で洗浄し、次いで、この混合物をさら
に1時間攪拌した。(2R,3S)−N−(3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチル)−N−イソブチル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド塩酸塩
(65.08kg、142.10mol)を加え、混合物を約22時間加熱還流
した。この溶液を軽く冷却し、変性エタノール(98l)を加えた。この溶液を
60℃にて10分間攪拌した後、冷却し、生成物を結晶化した。この混合物を<
10℃まで冷却し、2時間攪拌した。生成物を濾過により単離し、変性エタノー
ル(33l)で洗浄し、約50℃で真空乾燥し、理論収率82%で(3S)−テ
トラヒドロ−3−フリルN−[(1S,2R)−1−ベンジル−2−ヒドロキシ
−3−(N−イソブチル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド)プロピル]カル
バメートを得た。
Hz), 7.20(6H, m), 5.02(1H, d, J = 5 Hz), 4.94(1H, m), 4.35(EtOH, broad
s), 3.71(EtOH, q), 3.65(1H, m), 3.60(1H, m), 3.51(2H, broad m), 3.40(2H,
m), 3.15(1H, dd, J = 8 Hz, 14 Hz), 3.07(1H, dd, J = 8 Hz, 15 Hz), 2.94(
2H, m), 2.48(1H, m), 2.06(1H, m), 1.97(1H, m), 1.78(1H, m), 1.05(EtOH, t
), 0.83(6H, dd, J = 7 Hz, 16 Hz).
パノール(880ml)中、25〜50℃にて約5時間、5%パラジウムカーボ
ン(湿潤ペースト16g)および水素圧(約0.5〜1.5バール)を用いて水
素化した。この混合物を冷却し、触媒を濾去した。この溶液を蒸留して容量約3
20mlとし、水(80ml)を加えた。この溶液を結晶化工程のために2分割
した。
後、濾過した。フィルターケーキをイソプロパノール(20ml)で洗浄し、次
いで、さらに水(40ml)を濾液に加えた。この溶液を種結晶として結晶化を
誘導し、5時間攪拌した。水(130ml)を1時間にわたってゆっくり加えた
後、混合物を4時間攪拌した。得られたスラリーを約20℃まで冷却し、生成物
を濾過により単離し、イソプロパノール/水の1:4混合物(120ml)で洗
浄した。生成物を約50℃で約12時間真空乾燥し、(3S)−テトラヒドロ−
3−フリルN−[(1S,2R)−3−(4−アミノ−N−イソブチルベンゼン
スルホンアミド)−1−ベンジル−2−ヒドロキシプロピル]カルバメートを得
た(30.3g;理論収率80%)。
(2H, d, J = 9 Hz), 6.00(2H, s), 4.99(1H, d, J = 6 Hz), 4.93(1H, ddt), 3.
64(5H, m), 3.34(1H, m), 3.28(1H, dd, J = 14 Hz, 3 Hz), 3.01(1H, m, J = 1
4 Hz, 3 Hz), 2.91(1H, m), 2.66(2H, m), 2.50(1H, m), 2.05(1H, m), 1.94(1H
, m), 1.78(1H, m), 0.81(6H, dd, J = 16 Hz, 7 Hz). m/z: 506.2(M + H+)
ブチルN−[1−ベンジル−2−ヒドロキシ−3−(イソブチルアミノ)プロピ
ル]カルバメート(212.1kg、630.36mol)を攪拌し、トリエチ
ルアミン(70.9kg、700.66mol)を加えた。テトラヒドロフラン
(205.3kg)中のp−ニトロベンゼンスルホニルクロリド(153.6k
g、693.08mol)溶液を2時間35分にわたって加えた後、40℃の反
応温度を維持しつつ、さらに1時間攪拌した。この混合物を30℃まで冷却し、
得られた溶液に水(1079l)を加えた。次いで、この溶液を25℃まで冷却
した。この混合物を1時間攪拌した後、生成物を濾過により単離し、水(332
l)、次いで変性エタノール(664l)で洗浄し、湿潤な(1S,2R)−t
−ブチルN−[1−ベンジル−2−ヒドロキシ−3−(N−イソブチル−4−ニ
トロベンゼン−スルホンアミド)プロピル]カルバメート(618kg)を得た
。
Hz), 7.18(5H, m), 6.67(1H, d, J = 9 Hz), 5.02(1H, broad s), 3.63(3H, br
oad m), 3.63(EtOH, broad s), 3.58(THF, broad m), 3.44(EtOH, q), 3.10(2H,
m), 2.93(2H, m), 2.93(DMA, s), 2.78(DMA, s), 2.48(1H, m), 1.97(1H, m),
1.95(DMA, s), 1.74(THF, m), 1.23(9H, s), 1.18(TEA HCl, t), 1.05(EtOH, t)
, 0.82(6H, dd, J = 6 Hz, 12 Hz).
、423.9mol、溶媒含量に対して補正)を攪拌し、濃塩酸(104.6k
g)を加えた。この混合物を加熱還流し、その温度を3時間維持した。次いでこ
の溶液を約35℃まで冷却し、種結晶として、さらに−5℃まで冷却し、結晶化
を完了させた。この生成物を濾過により単離し、変性エタノール(221.7l
)で洗浄し、約50℃で約6時間真空乾燥し、(2R,3S)−N−(3−アミ
ノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチル)−N−イソブチル−4−ニトロベン
ゼンスルホンアミド塩酸塩を得た(153.8kg、理論収率80%)。
.06(2H, d, J = 9 Hz), 7.31(5H, m), 5.63(1H, d, J = 5 Hz), 3.93(1H, m), 3
.45(1H, m), 3.39(1H, dd, J = 4 Hz, 15 Hz), 3.06(2H, m), 2.98(1H, m), 2.8
7(2H, m), 1.90(1H, m), 0.77(6H, dd, J = 21 Hz, 6 Hz).
の化合物を形成させてもよい。
−イソブチル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド)プロピル]カルバメート(
18kg、34.5mol;実施例2に記載のものと同様にして製造)を乾燥さ
せた後、15℃で酢酸エチル(62.6kg)中で攪拌した。塩化水素ガス(約
9kg)を混合物にバブリングし、反応物を40℃以下で約4時間攪拌した。反
応物を約5℃まで冷却した。生成物を濾過により単離し、冷酢酸エチル(20l
)、次いでメチルt−ブチルエーテル(37.8l)で洗浄し、約50℃で約1
2時間真空乾燥し、(2R,3S)−N−(3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチル)−N−イソブチル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド塩酸塩
を得た(13.6kg、理論収率86%)。
の化合物を形成させてもよい。
Claims (12)
- 【請求項1】 下式(I)の化合物の製造方法であって、 【化1】 i)p−ニトロフェニルスルホニル基を下式(A)の化合物と反応させ; 【化2】 (式中、Pはアミン保護基である) ii)得られた工程i)の化合物を脱保護し; iii)得られた工程ii)の化合物をテトラヒドロフリルオキシカルボニル基と 反応させるか、または得られた工程ii)の化合物をホスゲンもしくは同等物と反
応させ、さらに得られた中間体を(S)−テトラヒドロ−3−フラノールと反応
させ;さらに iv)得られた工程iii)の化合物を還元して式(I)の化合物を形成させる ことを含んでなる方法。 - 【請求項2】 式(A)の化合物の保護基Pがアルキル、アリール、ベンジルもしくはヘテロ
カルバメート、アルキルもしくはアリールアミド、またはシリル基である、請求
項1記載の方法。 - 【請求項3】 式(A)の化合物の保護基Pがt−ブチルカルバメートである、請求項2記載
の方法。 - 【請求項4】 工程i)のp−ニトロフェニルスルホニル基がp−ニトロフェニルスルホニル
ハリドである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項5】 工程i)がジメチルアセトアミドまたはトルエン中で行われる、請求項1〜4
のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項6】 工程ii)がエタノールまたはトルエン中で行われる、請求項1〜5のいずれか
一項に記載の方法。 - 【請求項7】 工程ii)の生成物を溶媒和物として結晶化させる、請求項1〜6のいずれか一
項に記載の方法。 - 【請求項8】 工程iii)が、(S)−テトラヒドロ−3−フラノールを1,1’−カルボニル
ジイミダゾールおよび工程ii)の生成物と一段階で反応させることにより行われ
る、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項9】 工程iii)が酢酸エチル中で行われる、請求項8記載の方法。
- 【請求項10】 工程iv)が、水素雰囲気下で工程iii)の生成物をパラジウムと反応させるこ とにより行われる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 【請求項11】 工程iv)がイソプロパノール中で行われる、請求項10記載の方法。
- 【請求項12】 化合物(2R,3S)−N−(3−アミノ−2−ヒドロキシ−4−フェニルブ
チル)−N−イソブチル−4−ニトロベンゼンスルホンアミド塩酸塩およびその
溶媒和物。
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